JPH0145140B2 - - Google Patents
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- JPH0145140B2 JPH0145140B2 JP56137895A JP13789581A JPH0145140B2 JP H0145140 B2 JPH0145140 B2 JP H0145140B2 JP 56137895 A JP56137895 A JP 56137895A JP 13789581 A JP13789581 A JP 13789581A JP H0145140 B2 JPH0145140 B2 JP H0145140B2
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- disk
- silicon
- core
- disks
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/73—Base layers, i.e. all non-magnetic layers lying under a lowermost magnetic recording layer, e.g. including any non-magnetic layer in between a first magnetic recording layer and either an underlying substrate or a soft magnetic underlayer
- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73911—Inorganic substrates
- G11B5/73913—Composites or coated substrates
- G11B5/73915—Silicon compound based coating
-
- G—PHYSICS
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- G11B5/739—Magnetic recording media substrates
- G11B5/73923—Organic polymer substrates
- G11B5/73925—Composite or coated non-esterified substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、磁気記録デイスクに係り、特に複合
構造体として形成された磁気記録デイスクに関す
る。
構造体として形成された磁気記録デイスクに関す
る。
磁気記録においては、アルミニウム基板上に微
粒子又は薄膜磁気コーテイングを有するデイスク
を使用することは周知である。これらの種類のコ
ーテイングは、現在及び将来にわたつて使用され
る高ビツト密度の記録パターンに必要な非常に薄
いコーテイングに特に好ましくない問題を有す
る。
粒子又は薄膜磁気コーテイングを有するデイスク
を使用することは周知である。これらの種類のコ
ーテイングは、現在及び将来にわたつて使用され
る高ビツト密度の記録パターンに必要な非常に薄
いコーテイングに特に好ましくない問題を有す
る。
アルミニウム基板上の微粒子磁気コーテイング
は、特に非常に薄い層の場合には、デイスクに関
連した磁気トランスジユーサとの接触に対する耐
久力は限られたものとなる。アルミニウム基板上
にスパツタリング、蒸着又は電気めつきにより磁
気コーテイングを形成して製作される薄膜磁気デ
イスクは、一般に、微粒子コーテイングにより得
られる磁気コーテイングより薄い磁気コーテイン
グを有する。しかし、薄膜デイスクはしばしば腐
食という困難な問題を生じさせる。これは、主と
して軽量化への配慮からアルミニウムを使用する
ことが必要な金属基板と堆積薄膜層との間の反応
によるものである。かかるデイスクは、基板と薄
膜磁気層との間及び薄膜磁気層の上に1つ又はそ
れ以上の保護層を堆積する必要がある。このよう
な保護層を必要とするところから、薄膜デイスク
のコストはかなり高いものになる。さらに、微粒
子及び薄膜磁気デイスクは、通常、コーテイング
厚さに比較してかなり厚い基板を使用してきたの
で、これらのデイスクをいくつか含むアセンブリ
の重量を相当増大させる。
は、特に非常に薄い層の場合には、デイスクに関
連した磁気トランスジユーサとの接触に対する耐
久力は限られたものとなる。アルミニウム基板上
にスパツタリング、蒸着又は電気めつきにより磁
気コーテイングを形成して製作される薄膜磁気デ
イスクは、一般に、微粒子コーテイングにより得
られる磁気コーテイングより薄い磁気コーテイン
グを有する。しかし、薄膜デイスクはしばしば腐
食という困難な問題を生じさせる。これは、主と
して軽量化への配慮からアルミニウムを使用する
ことが必要な金属基板と堆積薄膜層との間の反応
によるものである。かかるデイスクは、基板と薄
膜磁気層との間及び薄膜磁気層の上に1つ又はそ
れ以上の保護層を堆積する必要がある。このよう
な保護層を必要とするところから、薄膜デイスク
のコストはかなり高いものになる。さらに、微粒
子及び薄膜磁気デイスクは、通常、コーテイング
厚さに比較してかなり厚い基板を使用してきたの
で、これらのデイスクをいくつか含むアセンブリ
の重量を相当増大させる。
ポリマー又は金属の薄膜は基板面の写しをとつ
たものになるので、アルミニウム基板の面を完全
にすること(すなわち、振幅変調及びヘツド破損
を防止するために表面の凹凸をなくし平坦にする
こと)が必要である。従来、基板磨き及びコーテ
イングについて改良がなされているが、将来の性
能向上も基板面の改良に依存するものである。
たものになるので、アルミニウム基板の面を完全
にすること(すなわち、振幅変調及びヘツド破損
を防止するために表面の凹凸をなくし平坦にする
こと)が必要である。従来、基板磨き及びコーテ
イングについて改良がなされているが、将来の性
能向上も基板面の改良に依存するものである。
従来、種々の複合記録デイスク構造が提案され
ているが、以下にいくつかの例をあげる。米国特
許第3761333号は、合成樹脂及び強化材としてガ
ラス繊維を使用した磁気デイスクのためのサンド
ウイツチ状コアを開示している。米国特許第
3681225号は、電着によつて磁性層が堆積される
合成樹脂コアを有する磁気デイスクを開示してい
る。米国特許第3310110号は、薄膜層及び磁性層
が接着される鋳造合成樹脂コアを有する磁気デイ
スクを開示している。
ているが、以下にいくつかの例をあげる。米国特
許第3761333号は、合成樹脂及び強化材としてガ
ラス繊維を使用した磁気デイスクのためのサンド
ウイツチ状コアを開示している。米国特許第
3681225号は、電着によつて磁性層が堆積される
合成樹脂コアを有する磁気デイスクを開示してい
る。米国特許第3310110号は、薄膜層及び磁性層
が接着される鋳造合成樹脂コアを有する磁気デイ
スクを開示している。
本発明によれば、磁気記録材のための基板とし
てシリコン部材を使用して複合磁気記録デイスク
が形成され、シリコン基板は重合体モールド材に
よつて補強される。
てシリコン部材を使用して複合磁気記録デイスク
が形成され、シリコン基板は重合体モールド材に
よつて補強される。
上記米国特許は、適当な動的制動強度及び膨張
の整合係数を得るために例えば放射状パターン又
はランダム・パターンに分布した黒鉛又はガラス
繊維のような繊維強化材を含むことができる重合
体に接着されるシリコン基板の組合せ及び重合体
材料の熱膨張係数をシリコン基板材料のそれに適
合させることは開示していない。
の整合係数を得るために例えば放射状パターン又
はランダム・パターンに分布した黒鉛又はガラス
繊維のような繊維強化材を含むことができる重合
体に接着されるシリコン基板の組合せ及び重合体
材料の熱膨張係数をシリコン基板材料のそれに適
合させることは開示していない。
本発明は、繊維強化材を含むことができる重合
体モールド材からなるコア中に装着される1つ又
は2つのシリコン基板を含む記録デイスク構造を
提供するものである。シリコン基板には、磁気記
録面を形成するために薄膜又は微粒子磁気コーテ
イングが設けられる。シリコンは、平滑性、平坦
性及び重量の点で理想的基板面を示す。半導体の
分野におけるシリコン・ウエハ技術の発達の結
果、デイスク状のシリコンを手ごろな値段で入手
し得るようになつた。繊維により強化されたモー
ルド材は、シリコンの強度の弱さを補償する。か
かる強度補償を施さないと、シリコンはそれ自体
で基板として使用できない。
体モールド材からなるコア中に装着される1つ又
は2つのシリコン基板を含む記録デイスク構造を
提供するものである。シリコン基板には、磁気記
録面を形成するために薄膜又は微粒子磁気コーテ
イングが設けられる。シリコンは、平滑性、平坦
性及び重量の点で理想的基板面を示す。半導体の
分野におけるシリコン・ウエハ技術の発達の結
果、デイスク状のシリコンを手ごろな値段で入手
し得るようになつた。繊維により強化されたモー
ルド材は、シリコンの強度の弱さを補償する。か
かる強度補償を施さないと、シリコンはそれ自体
で基板として使用できない。
本発明の好ましい実施例においては重合体コア
は、強化材として繊維を含む重合体材料から注入
鋳造により形成される。1つ又は2つのシリコ
ン・ウエハは鋳造コア部材に接着される。これら
のシリコン・ウエハは、該ウエハを重合体コアに
接着する前又は後に、該ウエハ上に堆積される磁
気コーテイング材のための基板を形成する。注入
鋳造のかわりに、周知の補償鋳造技術を使用する
ことができる。
は、強化材として繊維を含む重合体材料から注入
鋳造により形成される。1つ又は2つのシリコ
ン・ウエハは鋳造コア部材に接着される。これら
のシリコン・ウエハは、該ウエハを重合体コアに
接着する前又は後に、該ウエハ上に堆積される磁
気コーテイング材のための基板を形成する。注入
鋳造のかわりに、周知の補償鋳造技術を使用する
ことができる。
以下、添付図面を参照して本発明の実施例につ
いて説明する。
いて説明する。
第1図において、参照番号11は、例えば強化
材として繊維を含む重合体材料から製造された鋳
造コア構造を示す。使用される重合体材料は、
6000rpmまでの高速回転によつて生じる力に耐え
られるように高い引張りの強さと小さな伸びを有
する。また、重合体材料は適当な衝撃抵抗を得る
ために高い剛性を有する硫化ポリフエニレン
(polyphenylene sulfide)として知られている重
合体材料のクラスが特に本発明の用途に適してい
ることが判明した。硫化ポリフエニレンの一般的
クラス内で次の材料が特に好適である。
材として繊維を含む重合体材料から製造された鋳
造コア構造を示す。使用される重合体材料は、
6000rpmまでの高速回転によつて生じる力に耐え
られるように高い引張りの強さと小さな伸びを有
する。また、重合体材料は適当な衝撃抵抗を得る
ために高い剛性を有する硫化ポリフエニレン
(polyphenylene sulfide)として知られている重
合体材料のクラスが特に本発明の用途に適してい
ることが判明した。硫化ポリフエニレンの一般的
クラス内で次の材料が特に好適である。
RX−1834(これはInternational Polymer
Corporationが製造されている) J−1300/CF/20(これはDart Industriesの
Fiberfil子会社によつて製造されている) OC−1006(これはLNP Corporationによつて
製造されている) コア11には中央開口部が形成され、1枚分の
厚さの中央部11bを有する。中央部11bの外
周には該中央部11bより厚さの薄い部分11c
が延設され、部分11cの外端部には該部分11
cより厚いリツプ部11dが形成されている。
Corporationが製造されている) J−1300/CF/20(これはDart Industriesの
Fiberfil子会社によつて製造されている) OC−1006(これはLNP Corporationによつて
製造されている) コア11には中央開口部が形成され、1枚分の
厚さの中央部11bを有する。中央部11bの外
周には該中央部11bより厚さの薄い部分11c
が延設され、部分11cの外端部には該部分11
cより厚いリツプ部11dが形成されている。
シリコン・デイスク部材13,14は、図示の
ようにコア11に装着され、例えば速効エポキシ
樹脂のような適当な接着剤によりコア11に固着
される。シリコン・デイスク13,14は、半導
体の分野において使用されるために成長されるシ
リコン円筒体すなわち“ブール(boule)”から作
ることが好ましい。シリコン・ウエハそれ自体
は、平坦性、平滑性、結晶方向、耐損傷性、厚
さ、孔の形成及びチツプの寸法を導電度とともに
具体的に特定し得る標準的な半導体等級を有す
る。今日、直径が15.7cm(5インチ)のシリコ
ン・ウエハはどんな厚さのものでも入手可能であ
り、直径が15.24cm(6インチ)のシリコン・ウ
エハは特別注文により入手可能である。シリコ
ン・デイスクはかかるシリコン円筒体を切断する
ことにより得ることができ、シリコン・デイスク
はコア11の中央部11bへの取付けを可能にす
るために例えばレーザ切断によつて開口が形成さ
れる。
ようにコア11に装着され、例えば速効エポキシ
樹脂のような適当な接着剤によりコア11に固着
される。シリコン・デイスク13,14は、半導
体の分野において使用されるために成長されるシ
リコン円筒体すなわち“ブール(boule)”から作
ることが好ましい。シリコン・ウエハそれ自体
は、平坦性、平滑性、結晶方向、耐損傷性、厚
さ、孔の形成及びチツプの寸法を導電度とともに
具体的に特定し得る標準的な半導体等級を有す
る。今日、直径が15.7cm(5インチ)のシリコ
ン・ウエハはどんな厚さのものでも入手可能であ
り、直径が15.24cm(6インチ)のシリコン・ウ
エハは特別注文により入手可能である。シリコ
ン・デイスクはかかるシリコン円筒体を切断する
ことにより得ることができ、シリコン・デイスク
はコア11の中央部11bへの取付けを可能にす
るために例えばレーザ切断によつて開口が形成さ
れる。
微粒子又は薄膜磁性層は、磁気記録面を形成す
るためにデイスク13,14の外面に設けられ
る。この磁性層は、デイスクをコア部材11に固
定する前又は後に付加される。
るためにデイスク13,14の外面に設けられ
る。この磁性層は、デイスクをコア部材11に固
定する前又は後に付加される。
第1図のコア構造体は、シリコン・デイスク1
3,14の強度を増加させる。また、リツプ部1
1dが設けられていることにより、デイスクの端
部が保護される。さらに、中央部11bは構造体
をクランプするための連続面として作用するの
で、比較的破損しやすいシリコン・デイスクそれ
自体にクランプ力を加える必要がなくなる。
3,14の強度を増加させる。また、リツプ部1
1dが設けられていることにより、デイスクの端
部が保護される。さらに、中央部11bは構造体
をクランプするための連続面として作用するの
で、比較的破損しやすいシリコン・デイスクそれ
自体にクランプ力を加える必要がなくなる。
上記構造のものを幾つか互いに固定する場合に
は、クランプ力を最小にし、クランプ手段を簡略
化し、全体のスピンドル構成を軽量化し且つ1つ
及び積重ねられた複数のデイスク双方のスリツプ
を防止するために、対をなすタブとスロツト又は
鍵と鍵穴を鋳造に設けることができる。
は、クランプ力を最小にし、クランプ手段を簡略
化し、全体のスピンドル構成を軽量化し且つ1つ
及び積重ねられた複数のデイスク双方のスリツプ
を防止するために、対をなすタブとスロツト又は
鍵と鍵穴を鋳造に設けることができる。
コア11を製造するのに使用される繊維を含ん
だ重合体材片及び結合材の種類及び量を調整する
ことにより、コア及び記録媒体の熱膨張係数と複
合構造のスチフネスとの間のバランスをとること
ができる。
だ重合体材片及び結合材の種類及び量を調整する
ことにより、コア及び記録媒体の熱膨張係数と複
合構造のスチフネスとの間のバランスをとること
ができる。
第1図に示された構造は、デイスク13,14
の異なつた同心円記録トラツクと協働するために
デイスク13,14の半径方向に動くことのでき
る電磁気トランスジユーサを通過するようにデイ
スク13,14を回転させる駆動モータに中央部
において磁気記録デイスクを固定することによつ
て二面記録部材を提供するのに使用される。
の異なつた同心円記録トラツクと協働するために
デイスク13,14の半径方向に動くことのでき
る電磁気トランスジユーサを通過するようにデイ
スク13,14を回転させる駆動モータに中央部
において磁気記録デイスクを固定することによつ
て二面記録部材を提供するのに使用される。
第2図は第1図の構造体を変形したものであ
る。第2図のコア11は、デイスク13,14の
面の上又は下にかなり延長される中央部を有す
る。これは、磁気デイスク・パツクと同様な記録
装置を形成するために複数個の上記構造体が積重
ねられる場合に使用される。長い中央部11eを
設けると、積重ねられたデイスクの対向した記録
デイスク面の間にトランスジユーサを挿入し且つ
動かすことができるのに十分な間隙を形成でき
る。上述のように、デイスク構造体を保持するの
に必要なクランプ力を最小にし且つ1つの積重ね
られたデイスク構造体とこれに隣接する積重ねら
れたデイスク構造体とのスリツプを防止するため
に、中央部11eの面に鍵及び鍵穴又はタブ及び
スロツトが設けられる。
る。第2図のコア11は、デイスク13,14の
面の上又は下にかなり延長される中央部を有す
る。これは、磁気デイスク・パツクと同様な記録
装置を形成するために複数個の上記構造体が積重
ねられる場合に使用される。長い中央部11eを
設けると、積重ねられたデイスクの対向した記録
デイスク面の間にトランスジユーサを挿入し且つ
動かすことができるのに十分な間隙を形成でき
る。上述のように、デイスク構造体を保持するの
に必要なクランプ力を最小にし且つ1つの積重ね
られたデイスク構造体とこれに隣接する積重ねら
れたデイスク構造体とのスリツプを防止するため
に、中央部11eの面に鍵及び鍵穴又はタブ及び
スロツトが設けられる。
本発明による磁気記録構造体の一例として、第
1図に示されたのと同様なコア構造体が上述した
ように強化材として繊維を含んだ重合体材料を使
用して鋳造された。コアの外径は13.33cm(5.25
インチ)であり、コアの中央開口は3.49cm
(1.375インチ)であつた。中央部11b及びリツ
プ部11dの高さは0.25cm(0.1インチ)であつ
た。シリコン・デイスクは、直径が12.7cmのシリ
コン円筒から切断された。デイスクの厚さは
0.061cm(0.024インチ)であつた。各デイスクの
一方の面には、スパツタリング技術を使用して磁
性材からなる薄膜が形成された。デイスクの中央
開口を形成するのにレーザが使用されシリコン・
デイスクは、磁気面がコア11の外側を向くよう
にコア11に装着された。この記録構造体は、
3624rpmの速度で回転され、安定な動作が得られ
た。
1図に示されたのと同様なコア構造体が上述した
ように強化材として繊維を含んだ重合体材料を使
用して鋳造された。コアの外径は13.33cm(5.25
インチ)であり、コアの中央開口は3.49cm
(1.375インチ)であつた。中央部11b及びリツ
プ部11dの高さは0.25cm(0.1インチ)であつ
た。シリコン・デイスクは、直径が12.7cmのシリ
コン円筒から切断された。デイスクの厚さは
0.061cm(0.024インチ)であつた。各デイスクの
一方の面には、スパツタリング技術を使用して磁
性材からなる薄膜が形成された。デイスクの中央
開口を形成するのにレーザが使用されシリコン・
デイスクは、磁気面がコア11の外側を向くよう
にコア11に装着された。この記録構造体は、
3624rpmの速度で回転され、安定な動作が得られ
た。
第1図は、まず鋳造コアを製造し次いで該コア
の上面と下面にシリコン・デイスクを配設するこ
とにより形成される複合デイスクを一部断面をも
つて示す斜視図、第2図は複数の磁気記録デイス
クの積重ねを容易にするための延長部をコアに設
けるように第1図の構造を変形したものを一部断
面をもつて示す斜視図である。 11……コア、13,14……シリコン・デイ
スク。
の上面と下面にシリコン・デイスクを配設するこ
とにより形成される複合デイスクを一部断面をも
つて示す斜視図、第2図は複数の磁気記録デイス
クの積重ねを容易にするための延長部をコアに設
けるように第1図の構造を変形したものを一部断
面をもつて示す斜視図である。 11……コア、13,14……シリコン・デイ
スク。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 シリコン・デイスクと、 剛性が高く、引張り強さが大きく、伸びの小さ
い重合体から形成される環状コア部材と、 前記シリコン・デイスクの一方の面を前記コア
部材の一方の面に接着する接着手段と、 前記シリコン・デイスクの他方の面に配設され
た磁気記録物質と、 を具備する磁気記録デイスク構造体。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/218,339 US4376963A (en) | 1980-12-19 | 1980-12-19 | Composite magnetic recording disk |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57105826A JPS57105826A (en) | 1982-07-01 |
| JPH0145140B2 true JPH0145140B2 (ja) | 1989-10-02 |
Family
ID=22814711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56137895A Granted JPS57105826A (en) | 1980-12-19 | 1981-09-03 | Structure of magnetic recording disk |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4376963A (ja) |
| EP (1) | EP0054640B1 (ja) |
| JP (1) | JPS57105826A (ja) |
| DE (1) | DE3170945D1 (ja) |
Families Citing this family (31)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0047330B1 (de) * | 1980-09-06 | 1984-06-13 | Ibm Deutschland Gmbh | Magnetplatten-Trägerkern aus faserverstärktem Kunststoff |
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-
1980
- 1980-12-19 US US06/218,339 patent/US4376963A/en not_active Expired - Lifetime
-
1981
- 1981-09-03 JP JP56137895A patent/JPS57105826A/ja active Granted
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| EP0054640A1 (en) | 1982-06-30 |
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