JPH0145214B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0145214B2 JPH0145214B2 JP55174704A JP17470480A JPH0145214B2 JP H0145214 B2 JPH0145214 B2 JP H0145214B2 JP 55174704 A JP55174704 A JP 55174704A JP 17470480 A JP17470480 A JP 17470480A JP H0145214 B2 JPH0145214 B2 JP H0145214B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polycrystalline silicon
- temperature
- warpage
- grown
- silicon substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
- H10W10/01—Manufacture or treatment
- H10W10/011—Manufacture or treatment of isolation regions comprising dielectric materials
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W10/00—Isolation regions in semiconductor bodies between components of integrated devices
- H10W10/10—Isolation regions comprising dielectric materials
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体基板例えばシリコン基板に多結
晶シリコンを形成する方法を含んでなる半導体装
置の製造方法に関する。
晶シリコンを形成する方法を含んでなる半導体装
置の製造方法に関する。
半導体装置特に半導体集積回路装置における高
耐圧素子用のアイソレーシヨンの方法の一つとし
て多結晶シリコン層に島状に単結晶シリコンから
なる素子形成領域を配設する構成がとられる。か
かる構造を実現する手段として、素子形成領域間
に例えばＶ字状溝の形成された単結晶シリコン基
板表面に多結晶シリコンを成長させる工程があ
る。かかるシリコン基板上に多結晶シリコンを加
熱成長させるという工程にあつては、熱膨張率の
異なる物同志のためにそり、歪みが必ず発生す
る。第１図、第２図にはそれぞれApplied
Material社製AMV1200、AMC7600の気相成長
装置を用いてシリコン基板に多結晶シリコンを成
長させてシリコン基板の反りを測定した結果を示
したものである。この図からシリコン基板の反り
は成長温度に依存することがわかる。成長温度を
選択することによつてシリコン基板の反りを小さ
くすることが可能であるが同一温度によつて成長
した多結晶シリコンは反りを減少させる方向に対
する機械的強度が弱くシリコン基板が割れやすい
欠点を有していた。
耐圧素子用のアイソレーシヨンの方法の一つとし
て多結晶シリコン層に島状に単結晶シリコンから
なる素子形成領域を配設する構成がとられる。か
かる構造を実現する手段として、素子形成領域間
に例えばＶ字状溝の形成された単結晶シリコン基
板表面に多結晶シリコンを成長させる工程があ
る。かかるシリコン基板上に多結晶シリコンを加
熱成長させるという工程にあつては、熱膨張率の
異なる物同志のためにそり、歪みが必ず発生す
る。第１図、第２図にはそれぞれApplied
Material社製AMV1200、AMC7600の気相成長
装置を用いてシリコン基板に多結晶シリコンを成
長させてシリコン基板の反りを測定した結果を示
したものである。この図からシリコン基板の反り
は成長温度に依存することがわかる。成長温度を
選択することによつてシリコン基板の反りを小さ
くすることが可能であるが同一温度によつて成長
した多結晶シリコンは反りを減少させる方向に対
する機械的強度が弱くシリコン基板が割れやすい
欠点を有していた。
そこで本発明は上記欠点を解消したシリコン基
板上に多結晶シリコンを成長させる方法を提供す
ることを目的とする。
板上に多結晶シリコンを成長させる方法を提供す
ることを目的とする。
本発明の目的は半導体基板上に多結晶シリコン
を気相成長させる半導体装置の製造方法におい
て、該半導体基板に対して凹状の反りを発生させ
る多結晶シリコンの成長温度、で該多結晶シリコ
ンを気相成長する工程と、該半導体基板に対して
凸状の反りを発生させる多結晶シリコンの成長温
度で該多結晶シリコンを気相成長する工程とを交
互に行ない、最終的に該半導体基板の反りを最小
限にせしめることを特徴とする半導体装置の製造
方法によつて達成される。
を気相成長させる半導体装置の製造方法におい
て、該半導体基板に対して凹状の反りを発生させ
る多結晶シリコンの成長温度、で該多結晶シリコ
ンを気相成長する工程と、該半導体基板に対して
凸状の反りを発生させる多結晶シリコンの成長温
度で該多結晶シリコンを気相成長する工程とを交
互に行ない、最終的に該半導体基板の反りを最小
限にせしめることを特徴とする半導体装置の製造
方法によつて達成される。
すなわち本発明の方法はシリコン基板上に多結
晶シリコン層を気相成長させる各種の装置におい
て測定される凹形状から凸形状又は凸形状から凹
形状への反りを発生させる臨界温度を境にして凹
及び凸の両側の少なくとも２種類の温度で加熱す
ることが重要である。もちろん最終的な多結晶シ
リコン層の厚みを考慮に入れて各温度で成長させ
る必要がある。また気相成長温度は例えば初めに
凹形状の反りを生ぜしめる温度で厚さａだけ成長
させ次には凸形状の反りを生ぜしめる温度で厚さ
ｂだけ成長させ最後に凹形状の反りを生ぜしめる
温度で厚さｃだけ成長させる温度サイクルが好ま
しい。たゞしａ、ｂ及びｃの厚さの合計が所望の
多結晶シリコン層の厚さになるようにする。また
温度サイクルとしての温度は臨界温度から高温
部、低温部へ100℃程度の約200℃の範囲内で選択
されるのが好ましく特に約50℃（＝高温側へ25
℃、低温側へ25℃）の範囲で選択するのが好まし
い。このような温度サイクルを選択することによ
つて、そりの形状を、例えば凹→凸→凹の又は凸
→凹→凸のように変化させ最終的にシリコン基板
の反りを最小限にすることが可能となる。更に
又、多結晶シリコン層の成長が数種の温度によつ
てなされるために形成される多結晶シリコンの構
造は多重構造となつて反りを減少させる方向の力
に対する強度も強くすることが出来る。
晶シリコン層を気相成長させる各種の装置におい
て測定される凹形状から凸形状又は凸形状から凹
形状への反りを発生させる臨界温度を境にして凹
及び凸の両側の少なくとも２種類の温度で加熱す
ることが重要である。もちろん最終的な多結晶シ
リコン層の厚みを考慮に入れて各温度で成長させ
る必要がある。また気相成長温度は例えば初めに
凹形状の反りを生ぜしめる温度で厚さａだけ成長
させ次には凸形状の反りを生ぜしめる温度で厚さ
ｂだけ成長させ最後に凹形状の反りを生ぜしめる
温度で厚さｃだけ成長させる温度サイクルが好ま
しい。たゞしａ、ｂ及びｃの厚さの合計が所望の
多結晶シリコン層の厚さになるようにする。また
温度サイクルとしての温度は臨界温度から高温
部、低温部へ100℃程度の約200℃の範囲内で選択
されるのが好ましく特に約50℃（＝高温側へ25
℃、低温側へ25℃）の範囲で選択するのが好まし
い。このような温度サイクルを選択することによ
つて、そりの形状を、例えば凹→凸→凹の又は凸
→凹→凸のように変化させ最終的にシリコン基板
の反りを最小限にすることが可能となる。更に
又、多結晶シリコン層の成長が数種の温度によつ
てなされるために形成される多結晶シリコンの構
造は多重構造となつて反りを減少させる方向の力
に対する強度も強くすることが出来る。
以下実施例を示す。
実施例 １
エピタキシヤル成長装置としてApplied
Material社製AMV−1200を用いて４インチφの
シリコンウエハー４枚上に、ジクロールシラン
（SiH2Cl2）と水素ガスを流して、多結晶シリコ
ン層を形成した。この時の温度サイクルとして
1100℃→1150℃→1100℃を用いそれぞれの温度で
多結晶シリコン層を100μ、200μ及び100μ成長さ
せ合計400μの厚さの多結晶シリコン層を得た。
シリコン基板の反りの平均は50μであつた。一方
従来方法によつて臨界温度近くの1130℃で形成し
た場合シリコン基板の反りが100μ（実質的に最小
であつた）であつたものと比較するとそり量は約
50％減少した。またかかるそり量の減少によつて
半導体基板としての機械的強度も強くなつている
ことがわかつた。
Material社製AMV−1200を用いて４インチφの
シリコンウエハー４枚上に、ジクロールシラン
（SiH2Cl2）と水素ガスを流して、多結晶シリコ
ン層を形成した。この時の温度サイクルとして
1100℃→1150℃→1100℃を用いそれぞれの温度で
多結晶シリコン層を100μ、200μ及び100μ成長さ
せ合計400μの厚さの多結晶シリコン層を得た。
シリコン基板の反りの平均は50μであつた。一方
従来方法によつて臨界温度近くの1130℃で形成し
た場合シリコン基板の反りが100μ（実質的に最小
であつた）であつたものと比較するとそり量は約
50％減少した。またかかるそり量の減少によつて
半導体基板としての機械的強度も強くなつている
ことがわかつた。
実施例 ２
エピタキシヤル成長装置としてApplied
Material社製AMC−7600を用いて４インチのシ
リコン基板14枚上にジクロールシランと水素ガス
を流して多結晶シリコン層を形成した。この時の
温度サイクルとして1150℃→1100℃→1150℃を用
いそれぞれの温度で100μ、200μ及び100μ成長さ
せ合計400μの厚さの多結晶シリコン層を得た。
シリコン基板の反りの平均は50μであつた。実施
例１と同様に従来の方法によるものに比較して反
り量は50％に減少した。またかかるそり量の減少
によつて半導体基板としての機械的強度も強くな
つていることがわかつた。
Material社製AMC−7600を用いて４インチのシ
リコン基板14枚上にジクロールシランと水素ガス
を流して多結晶シリコン層を形成した。この時の
温度サイクルとして1150℃→1100℃→1150℃を用
いそれぞれの温度で100μ、200μ及び100μ成長さ
せ合計400μの厚さの多結晶シリコン層を得た。
シリコン基板の反りの平均は50μであつた。実施
例１と同様に従来の方法によるものに比較して反
り量は50％に減少した。またかかるそり量の減少
によつて半導体基板としての機械的強度も強くな
つていることがわかつた。
第１図はエピタキシヤル成長装置AMV1200を
用いてシリコン基板上に多結晶シリコンを300μ
成長させた場合のシリコン基板反りの成長温度依
存性を示し、第２図はエピタキシヤル成長装置
AMC−7600を用いてシリコン基板上に多結晶シ
リコンを50μ成長させた場合のシリコン基板反り
の成長温度依存性を示す。
用いてシリコン基板上に多結晶シリコンを300μ
成長させた場合のシリコン基板反りの成長温度依
存性を示し、第２図はエピタキシヤル成長装置
AMC−7600を用いてシリコン基板上に多結晶シ
リコンを50μ成長させた場合のシリコン基板反り
の成長温度依存性を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体基板上に多結晶シリコンを気相成長さ
せる半導体装置の製造方法において、 該半導体基板に対して凹状の反りを発生させる
多結晶シリコンの成長温度、で該多結晶シリコン
を気相成長する工程と、 該半導体基板に対して凸状の反りを発生させる
多結晶シリコンの成長温度で該多結晶シリコンを
気相成長する工程とを交互に行ない、最終的に該
半導体基板の反りを最小限にせしめることを特徴
とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55174704A JPS5799724A (en) | 1980-12-12 | 1980-12-12 | Manufacture of semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP55174704A JPS5799724A (en) | 1980-12-12 | 1980-12-12 | Manufacture of semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5799724A JPS5799724A (en) | 1982-06-21 |
| JPH0145214B2 true JPH0145214B2 (ja) | 1989-10-03 |
Family
ID=15983198
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP55174704A Granted JPS5799724A (en) | 1980-12-12 | 1980-12-12 | Manufacture of semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5799724A (ja) |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49104571A (ja) * | 1973-02-07 | 1974-10-03 |
-
1980
- 1980-12-12 JP JP55174704A patent/JPS5799724A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5799724A (en) | 1982-06-21 |
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