JPH0145219B2 - - Google Patents

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JPH0145219B2
JPH0145219B2 JP58117364A JP11736483A JPH0145219B2 JP H0145219 B2 JPH0145219 B2 JP H0145219B2 JP 58117364 A JP58117364 A JP 58117364A JP 11736483 A JP11736483 A JP 11736483A JP H0145219 B2 JPH0145219 B2 JP H0145219B2
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Description

【発明の詳細な説明】 (a) 発明の技術分野 本発明は判導体基板等のウエツト処理に係り、
特にインライン・タイプの枚葉式ウエツト処理装
置に関する。
(b) 従来技術と問題点 従来半導体装置のウエーハ・プロセスに於て、
インライン工程に用いられていた枚葉式のウエツ
ト処理装置は、主としてカツプ式或るいはスプレ
ー式のものであつた。
カツプ式は第１図にその模式構造を示したよう
に、例えば下部から流入し、上部からオーバ・フ
ローさせた状態でカツプ１内に充たされている薬
液２に、真空チヤク３等によつて固定され、一円
周方法に回転せしめられている被処理半導体基板
４をその主面のみ浸漬し、該被処理基板４の主面
に該薬液によるウエツト処理を施す構造である。
（図中５は液流を示す矢印し、６は回転方向矢印
し） 又スプレー式は第２図にその膜式構造を示した
ように、例えば真空チヤツク３に固定され一円周
方向に回転せしめられている被処理半導体基板４
の主面に、スプレー・ノズル７から薬液２を注加
し、該被処理基板４の主面側をウエツト処理する
構造である。（図中６は回転方向矢印し、８は薬
液カバー） このように従来の枚葉式ウエツト処理装置に於
ては、いずれも被処理基板が真空チヤツク等によ
つて片面から固持される構造であるために、被処
理基板の両面を同時にウエツト処理することがで
きなかつた。
そのため特に両面のウエツト処理が必要な拡散
の前処理工程等はインライン工程に組込むことが
できず、これらの工程に於てはエツチング・バス
ケツトを用いて多数枚の被処理基板を同時に処理
するバツチ式のウエツト処理方法が用いられてい
た。
しかしこのバツチ式のウエツト処理方法には、
例えばこの方法でエツチング処理を行つた場合、
エツチング処理を終つてから水洗に移すまでに時
間がかかるために、その間にエツチングが進みエ
ツチング量にばらつきを生ずるという問題や、水
洗に移す際に大気に触れるために、エツチングを
終つた被処理基板面に変質膜が形成されたり、汚
染物質が付着したりするという問題があり、半導
体装置の性能低下や歩留まり低下を招いていた。
又蒸着工程の前処理等に於ては、処理後の放置
時間に制約があるため、工程の進渉が遅れた際に
は再度前処理をし直さなければならないというよ
うな問題も生じていた。
(c) 発明の目的 本発明は、被処理基板の両面を同時に均一に処
理することができる枚葉式のウエツト処理装置を
提供するものであり、その目的とするところは、
被処理基板の両面ウエツト処理工程のインライン
化を可能ならしめ上記問題点を解消することにあ
る。
(d) 発明の構成 即ち本発明はウエツト処理装置に於て、一枚の
被処理基板が収容される密閉可能な円板状の処理
室を有し、該処理室に設けられた薬液供給口から
薬液を噴出し、該被処理基板を薬液中に浮遊せし
め且つ円周方向に回転せしめながら薬液処理する
機能を有することを特徴とする。
(e) 発明の実施例 以下本発明を実施例について、図を用いて詳細
に説明する。
第３図は本発明のウエツト処理装置に於ける一
実施例の模式断面図イ、及び液送回路図ロ、第４
図は同実施例に於ける処理基台の上面図イ、及び
薬液供給口の断面図ロで、第５図は一応用例の模
式図である。
本発明のウエツト処理装置は例えば第３図イに
示すような処理基台１１と処理蓋１２によつて処
理室１３が形成される。処理基台１１は耐薬品性
を有する硬質塩化ビニール樹脂等により形成さ
れ、中心部に被処理基板（例えば半導体基板）１
４の下面に向つて垂直に薬液を噴出する第１の薬
液供給口１５が設けられ、更に該第１の薬液供給
口１５の周辺部に例えば同心円状に薬液を被処理
基板１４の一円周方向に向つて斜め（例えば45゜）
に噴出する複数個の第３の薬液供給口１６が配設
されてなつている。この第３の薬液供給口１６は
例えば元管１７から分岐させる。該処理基台１１
には、該装置を独立して使用する場合排液口１８
を有する側溝１９が設けられる。
又処理蓋１２は耐薬品性を有する硬質塩化ビニ
ール樹脂等により形成されその中心部に被処理基
板１４の上面に向つて垂直に薬液を噴出する第２
の薬液供給口２０が設けられ、側面に排液口２１
が設けられ、縁の底面にはオーリング等のパツキ
ン２２が取りつけられてなつている。なお該処理
蓋１２に更に基台１１同様の構造を有する第３の
薬液供給口が設けられる場合もある。
第３図ロは上記ウエツト処理装置への薬液供給
回路の一例を示したもので、図中Ｔは薬液タン
ク、Ｐは液送ポンプ、B1，B2，B3は流量調節バ
ルブ、B4はストツプ・バルブ、F1，F2，F3は流
量計、Ｗは純水を示しており、Ａ，Ｂ，Ｃは第３
図イのＡ，Ｂ，Ｃに接続される。
そしてＡ，Ｂ，Ｃそれぞれの薬液流量は、第３
図イに示したウエツト処理装置の処理室１３内に
充たされた薬液層のほぼ中層部に被処理基板１４
が浮遊し、且つ該被処理基板１４が一円周方向に
向つて所定の速さで回転するように選ばれる。
第４図イは前記処理基台１１の上面を示したも
ので、図中１５は被処理基板の下面に向つて垂直
に薬液を噴出する第１の薬液供給口、１６は被処
理基板の一円周方向に向つて斜めに薬液を噴出
し、該被処理基板に回転応力を与える第３の薬液
供給口、１８は排液口、１９は側溝を示してい
る。そして本実施例に於て、第３の薬液供給口１
６は第４図ロに示すＡ−Ａ矢視断面図のように被
処理基板１４の一円周方向２３に対して45゜の角
度に形成される。（１７は元管） 本発明のウエツト処理装置は例えば上記のよう
な構造を有しており、処理基台１１上に被処理基
板１４を載置し、該処理基台１１上に処理蓋１２
を圧接し、各薬液供給口１５，１６，２０から薬
液を噴出して該処理基台１１と処理蓋１２とによ
つて形成された処理室１３内を充たし、更に主と
して薬液供給口１５と２０から供給される薬液量
を調節して被処理基板１４を処理室１３内に充た
されている薬液層のほぼ中層部に浮遊させ、更に
又薬液供給口１６から所定量の薬液を噴出させる
ことにより、該被処理基板１４を例えば毎秒0.5
〜１回転程度の速度で回転させながら、被処理基
板１４の両面を同時に均一に薬液処理する機能を
持つている。
又本発明の装置に於ては、上記薬液処理が完了
した時点で薬液を純水に切換え、上記と同様な機
能による洗浄処理がなされるので、上記薬液処理
がオーバになることはない。
以上の点から上記装置を用い、４吋径のシリコ
ン基板の両面に形成されている二酸化シリコン膜
のふつ酸によるエツチング処理を行つた結果、該
シリコン基板の両面間及び各面内に於けるエツチ
ング量の分布は殆んど無く、且つエツチング・レ
ートがバツチ式に比べて10〔％〕程度向上すると
いう結果が得られている。
第５図は基板搬送容器２４内に本発明のウエツ
ト処理装置２５と、通常の純水洗浄装置２６及び
遠心乾燥装置２７を配設してインライン化した例
である。
このシステムに於ては基板搬送はウオータ・ベ
アリング方式で行われ、各装置２５，２６，２７
間は水門式のシヤツタ２８ａ，２８ｂによつて仕
切られる。
そして先ず搬送容器２４の底板で構成されるウ
エツト処理装置２５の処理基台１１上に通常用い
られる搬送ロボツト（図示せず）等により被処理
基板１４を載置し、処理蓋１２をかぶせて前述し
たウエツト処理を行つた後、薬液を純水に切換え
て初期水洗を行い、次いで、給水バルブ２９ａか
ら純水を注入して該ウエツト処理装置２５が配設
されている第１の部屋３０に純水を充たし、第１
のシヤツタ２８ａを上げて該第１の部屋３０と純
水洗浄装置２６になつている純水の充たされた第
２の部屋３１を連通させ、搬送容器２４の底面に
形成されているウオータ・ベリング用給水孔３２
から純水を噴射して被処理基板を純水洗浄装置２
６内に送り込み、前記シヤツタ２８ａを下ろした
後所定の純水洗浄処理を行い、次いでシヤツタ２
８ｂを上げて予め給水バルブ２９ｂから注水され
純水が充たされている第３の部屋３３の搬送容器
２４の底面まで下降せしめられている遠心乾燥装
置２７のチヤツク３４上に被処理基板１４を送り
込む。なお搬送はウオータ・ベアリングによる。
次いでシヤツタ２８ｂを下ろし第３の部屋３３の
排水を行つた後、遠心乾燥装置２７のチヤツク３
４を上昇させ、高速に回転させて被処理基板１４
の乾燥を行う。なおこのシステムはウエツト処
理、純水洗浄、遠心乾燥間の被処理基板１４の移
動が総て水中に於てなされ、ウエツト処理を行つ
て活性化されている被処理基板１４面が、乾燥の
寸前まで大気中に曝されないのが特徴であり、こ
れにより被処理基板面の変質汚染が防止される。
本発明のウエツト処理装置は上記のようなライ
ンを構成するのに極めて有利である。
(f) 発明の効果 以上説明したように本発明ウエツト処理装置に
よれば被処理基板の両面を同時に且つ均一に薬液
処理することができる。
又本発明によれば両面ウエツト処理工程をイン
ライン化することが極めて容易である。
従つて本発明は半導体装置のウエーハ・プロセ
ス等に極めて有効である。
【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図は従来の枚葉式ウエツト処理
装置の模式構造図、第３図は本発明のウエツト処
理装置に於ける一実施例の模式断面図イ及び液送
回路図ロ、第４図は同実施例に於ける処理基台の
上面図イ及び薬液供給口の断面図ロで、第５図は
一応用例の模式図である。 図に於て、１１は処理基台、１２は処理蓋、１
３は処理室、１４は被処理基板、１５は被処理基
板の下面に向つて垂直に薬液を噴出する第１の薬
液供給口、１６は被処理基板の一円周方向に向つ
て斜めに薬液を噴出する第３の薬液供給口、１８
は排液口、２０は被処理基板の上面に向つて垂直
に薬液を噴出する第２の薬液噴出孔、２２はパツ
キン、Ｔは薬液タンク、Ｐは液送ポンプ、B1，
B2，B3は流量調節バルブ、B4はストツプ・バル
ブ、F1，F2，F3は流量計、Ｗは純水を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 一枚の被処理基板が収容される密閉可能な処
    理室を有し、該処理室に設けられた薬液供給口か
    ら薬液を噴出し、該被処理基板を薬液中に浮遊せ
    しめ且つ円周方向に回転せしめながら薬液処理す
    る機能を有することを特徴とするウエツト処理装
    置。
JP58117364A 1983-06-29 1983-06-29 ウエツト処理装置 Granted JPS609129A (ja)

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EP (1) EP0130866B1 (ja)
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