JPH0145286B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0145286B2 JPH0145286B2 JP10817683A JP10817683A JPH0145286B2 JP H0145286 B2 JPH0145286 B2 JP H0145286B2 JP 10817683 A JP10817683 A JP 10817683A JP 10817683 A JP10817683 A JP 10817683A JP H0145286 B2 JPH0145286 B2 JP H0145286B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- insulating
- pressure
- cof
- conductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Organic Insulating Materials (AREA)
- Installation Of Bus-Bars (AREA)
Description
この発明はガス絶縁電気装置に関するものであ
る。 近年、土地問題や環境問題に対処するため、ガ
ス絶縁電気機器、中でもガス絶縁開閉装置が多用
されるようになつてきた。これは、第１図に示す
ように、容器１の中に絶縁性の高いガス２を封入
し、高電圧導体３を固定絶縁部材４で支持したも
ので、絶縁ガスとしてはSF6ガスが多用されてい
る。 しかし、従来のものよりも更に小形のもの、性
能の良いものを製作しようとする場合、SF6ガス
より優れた絶縁特性を有するガスを適用すること
ができるならば極めて好都合である。 発明者らはこのような考え方から、優れた絶縁
特性を有するガスを液化しない条件で適用し、従
来よりも小形で高性能のものを製作しようとする
ものである。 つぎに本発明の実施例を説明する。第１表は、
本発明実施のために入手した絶縁ガスで、試薬、
工業製品として製造されたものを購入したもので
ある。
る。 近年、土地問題や環境問題に対処するため、ガ
ス絶縁電気機器、中でもガス絶縁開閉装置が多用
されるようになつてきた。これは、第１図に示す
ように、容器１の中に絶縁性の高いガス２を封入
し、高電圧導体３を固定絶縁部材４で支持したも
ので、絶縁ガスとしてはSF6ガスが多用されてい
る。 しかし、従来のものよりも更に小形のもの、性
能の良いものを製作しようとする場合、SF6ガス
より優れた絶縁特性を有するガスを適用すること
ができるならば極めて好都合である。 発明者らはこのような考え方から、優れた絶縁
特性を有するガスを液化しない条件で適用し、従
来よりも小形で高性能のものを製作しようとする
ものである。 つぎに本発明の実施例を説明する。第１表は、
本発明実施のために入手した絶縁ガスで、試薬、
工業製品として製造されたものを購入したもので
ある。
【表】
第１表の絶縁ガスについてその絶縁特性を測定
した結果を第２図に示す。内容積２のアクリル
樹脂製容器の中に絶縁ガスを大気圧（20℃）で封
入し、図中に記入した電極条件でAC破壊電圧を
求めた。SF6に対する破壊電圧比はSF6よりも優
れていることがわかる。 絶縁ガスが使用中に液化してしまつては不都合
であるので、その特性を明らかにするために蒸気
圧特性を測定した結果を第３図に示す。各絶縁ガ
スが液体状態で封入されているボンベを恒温槽に
入れ、それぞれに圧力計を接続して各温度におけ
る圧力を測定した。結果は蒸気圧と絶対温度の逆
数とが直線関係を示し、Clausius−Clapayron式
に従う関係であることがわかつた。 いま、第１表の絶縁ガス単独または第１表の絶
縁ガスとSF6ガスとの混合ガスの、液化を生じな
い条件におけるAC破壊電圧を考察する。機器の
設定圧力（PT）が決まると第１表の絶縁ガスと
SF6ガスとの混合ガスのSF6の混合比率(k)は次の
関係となる。 PT＝PFC （PT≦PFCのとき） PT＝PFC＋PSF6 （PT＞PFCのとき） Ｋ＝PSF6／PT ここに PT：設定圧力（絶対気圧、20℃） PFC：第１表のガスの20℃における分圧（絶対
気圧） （機器の使用温度の下限により第３図
から決まり、−20、−10、０、10、20℃の
温度の例を第２表に示す。） PSF6：SF6ガスの20℃における分圧（絶対気圧） Ｋ：SF6ガスの混合率 この混合ガスまたは単独ガスのAC破壊電圧
（Vn）は次式で推定される。 Vn＝VSF6｛Ｋ＋（１−Ｋ）RFC/SF6｝ ここに Vn：混合ガスのAC破壊電圧（KVrns） VSF6：SF6ガスのAC破壊電圧（KVrns） RFC/SF6：絶縁ガスのSF6ガスに対する破壊電圧
比（第２図参照） VnとPTとの関係を機器の使用温度の下限−10
℃についてプロツトした例が第４図である。−20
℃、０℃、10℃、20℃およびその他の下限温度に
ついても同様にVn−PTの関係図を描くことがで
きる。これらは第２図と第３図の特性を明らかに
して、はじめて得られたものである。
した結果を第２図に示す。内容積２のアクリル
樹脂製容器の中に絶縁ガスを大気圧（20℃）で封
入し、図中に記入した電極条件でAC破壊電圧を
求めた。SF6に対する破壊電圧比はSF6よりも優
れていることがわかる。 絶縁ガスが使用中に液化してしまつては不都合
であるので、その特性を明らかにするために蒸気
圧特性を測定した結果を第３図に示す。各絶縁ガ
スが液体状態で封入されているボンベを恒温槽に
入れ、それぞれに圧力計を接続して各温度におけ
る圧力を測定した。結果は蒸気圧と絶対温度の逆
数とが直線関係を示し、Clausius−Clapayron式
に従う関係であることがわかつた。 いま、第１表の絶縁ガス単独または第１表の絶
縁ガスとSF6ガスとの混合ガスの、液化を生じな
い条件におけるAC破壊電圧を考察する。機器の
設定圧力（PT）が決まると第１表の絶縁ガスと
SF6ガスとの混合ガスのSF6の混合比率(k)は次の
関係となる。 PT＝PFC （PT≦PFCのとき） PT＝PFC＋PSF6 （PT＞PFCのとき） Ｋ＝PSF6／PT ここに PT：設定圧力（絶対気圧、20℃） PFC：第１表のガスの20℃における分圧（絶対
気圧） （機器の使用温度の下限により第３図
から決まり、−20、−10、０、10、20℃の
温度の例を第２表に示す。） PSF6：SF6ガスの20℃における分圧（絶対気圧） Ｋ：SF6ガスの混合率 この混合ガスまたは単独ガスのAC破壊電圧
（Vn）は次式で推定される。 Vn＝VSF6｛Ｋ＋（１−Ｋ）RFC/SF6｝ ここに Vn：混合ガスのAC破壊電圧（KVrns） VSF6：SF6ガスのAC破壊電圧（KVrns） RFC/SF6：絶縁ガスのSF6ガスに対する破壊電圧
比（第２図参照） VnとPTとの関係を機器の使用温度の下限−10
℃についてプロツトした例が第４図である。−20
℃、０℃、10℃、20℃およびその他の下限温度に
ついても同様にVn−PTの関係図を描くことがで
きる。これらは第２図と第３図の特性を明らかに
して、はじめて得られたものである。
【表】
いま、C2F5COFのガスを例にとり、ガス絶縁
開閉装置などを想定して設定圧力４気圧（絶対）
と仮定してSF6ガス混合率、対SF6ガス破壊電圧
比を求めた結果を第３表に示す。第３表におい
て、
開閉装置などを想定して設定圧力４気圧（絶対）
と仮定してSF6ガス混合率、対SF6ガス破壊電圧
比を求めた結果を第３表に示す。第３表におい
て、
【表】
下限温度０℃を例にとると、対SF6ガス破壊電
圧比は1.5である。またガス変圧器、キユービク
ル形GiS、ガスブツシングなどを想定して設定圧
力1.5気圧（絶対）を仮定すると、下限温度−20
℃でも対SF6ガス破壊電圧比は1.6となる。このよ
うに、絶縁特性が優れている分だけ機器を小形に
できる。 また、既製の従来のSF6ガス絶縁機器にこれら
の組成のガスを従来と同じガス圧（ここでは４気
圧（絶対）、1.5気圧（絶対）と仮定）まで充填す
ると、それぞれ1.5倍、1.6倍の電圧定格を有する
機器となる。SF6ガス絶縁機器のSF6ガス圧を上
昇させることにより電圧定格を上げることもでき
るがそのためには、機器の耐圧力設計仕様を容器
の肉厚を増すなどして変更する必要があり、機器
の重量増、価格増につながるものであつた。この
発明によるガス組成では、同じガス圧で電圧定格
が上昇するので、既存機種の定格上昇を可能にす
る。 この発明によると、C2F5COFガスを絶縁に使
用することによつて、耐電圧を向上できるので装
置の小形化を図ることができる。
圧比は1.5である。またガス変圧器、キユービク
ル形GiS、ガスブツシングなどを想定して設定圧
力1.5気圧（絶対）を仮定すると、下限温度−20
℃でも対SF6ガス破壊電圧比は1.6となる。このよ
うに、絶縁特性が優れている分だけ機器を小形に
できる。 また、既製の従来のSF6ガス絶縁機器にこれら
の組成のガスを従来と同じガス圧（ここでは４気
圧（絶対）、1.5気圧（絶対）と仮定）まで充填す
ると、それぞれ1.5倍、1.6倍の電圧定格を有する
機器となる。SF6ガス絶縁機器のSF6ガス圧を上
昇させることにより電圧定格を上げることもでき
るがそのためには、機器の耐圧力設計仕様を容器
の肉厚を増すなどして変更する必要があり、機器
の重量増、価格増につながるものであつた。この
発明によるガス組成では、同じガス圧で電圧定格
が上昇するので、既存機種の定格上昇を可能にす
る。 この発明によると、C2F5COFガスを絶縁に使
用することによつて、耐電圧を向上できるので装
置の小形化を図ることができる。
第１図は従来のガス絶縁電気装置を示す断面
図、第２図はこの発明のC2F5COFガスとSF6ガス
とを対比した絶縁特性を示す説明図、第３図は
SF6およびC2F5COFガスの蒸気圧特性を示す説明
図、第４図はC2F5COFガスとSF6ガスとの混合ガ
スによるAC破壊電圧（Vn）と混合ガス圧力
（PT）との関係を示つ説明図である。 図において、１は容器、３は高電圧導体、４は
固体絶縁部材である。
図、第２図はこの発明のC2F5COFガスとSF6ガス
とを対比した絶縁特性を示す説明図、第３図は
SF6およびC2F5COFガスの蒸気圧特性を示す説明
図、第４図はC2F5COFガスとSF6ガスとの混合ガ
スによるAC破壊電圧（Vn）と混合ガス圧力
（PT）との関係を示つ説明図である。 図において、１は容器、３は高電圧導体、４は
固体絶縁部材である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 絶縁性ガスを充填した密閉容器内に導電体を
配置し、上記導電体を固定絶縁部材で支持したも
のにおいて、上記ガスはC2F5COFであることを
特徴とするガス絶縁電気装置。 ２ C2F5COFは20℃における封入圧力の上限が
5.30（ata）であることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載のガス絶縁電気装置。 ３ 絶縁性ガスを充填した密閉容器内に導電体を
配置し、上記導電体を固定絶縁部材で支持したも
のにおいて、上記ガスはC2F5COFとSF6とが混合
されたものであることを特徴とするガス絶縁電気
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10817683A JPS602010A (ja) | 1983-06-14 | 1983-06-14 | ガス絶縁電気装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10817683A JPS602010A (ja) | 1983-06-14 | 1983-06-14 | ガス絶縁電気装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS602010A JPS602010A (ja) | 1985-01-08 |
| JPH0145286B2 true JPH0145286B2 (ja) | 1989-10-03 |
Family
ID=14477912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10817683A Granted JPS602010A (ja) | 1983-06-14 | 1983-06-14 | ガス絶縁電気装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS602010A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3703422A1 (de) * | 1987-02-05 | 1988-08-18 | Zeiss Carl Fa | Optoelektronischer abstandssensor |
| JP4072236B2 (ja) | 1998-03-25 | 2008-04-09 | 株式会社日立製作所 | ガス絶縁開閉装置 |
-
1983
- 1983-06-14 JP JP10817683A patent/JPS602010A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS602010A (ja) | 1985-01-08 |
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