JPH0148120B2 - - Google Patents
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- JPH0148120B2 JPH0148120B2 JP60003689A JP368985A JPH0148120B2 JP H0148120 B2 JPH0148120 B2 JP H0148120B2 JP 60003689 A JP60003689 A JP 60003689A JP 368985 A JP368985 A JP 368985A JP H0148120 B2 JPH0148120 B2 JP H0148120B2
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/22—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by the composition or nature of the material
- B23K35/36—Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings or fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest
- B23K35/3601—Selection of non-metallic compositions, e.g. coatings or fluxes; Selection of soldering or welding materials, conjoint with selection of non-metallic compositions, both selections being of interest with inorganic compounds as principal constituents
- B23K35/3603—Halide salts
- B23K35/3605—Fluorides
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Nonmetallic Welding Materials (AREA)
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
- Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
- Sorption Type Refrigeration Machines (AREA)
- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、アルミニウムあるいはアルミニウム
合金材料のろう付けに使用するフラツクスに関す
るものである。 〔従来技術とその問題点〕 従来からアルミニウム材料あるいはアルミニウ
ム合金材料（本発明においてはAl系材料という）
のろう付けには、ろう材としてAl系材料より若
干融点の低いアルミニウム−シリコン（Al−Si）
共晶合金が主として使用されている。また、ろう
材がAl系材料と良好に接合するためには、該Al
系材料の表面に存在する酸化物被膜等の汚れを除
去する必要がある。この汚れを除去するために、
ろう材とともにフラツクスをろう付け部に適用す
る。最近用いられつつあるフラツクスとしては、
KF−AlF3系の錯体からなる非腐食性のフラツク
スがある。このフラツクスは、KF−AlF3の共晶
点で融解し、フラツクスとして優れた作用をする
が、融解開始温度が560℃以上である。それ故使
用するろう材は、560℃より数十度高い融点を有
するものが必要となり、ろう付け時の加熱温度も
これに伴なつて高くする必要が生じる。また、加
熱手段としてトーチを使用するろう付けにおいて
は、加熱温度が高いと温度制御が難かしく、KF
−AlF3系フラツクスの使用には、高度の熟練が
必要となる。 さらに、KF−AlF3系フラツクスは、マグネシ
ウムを多く含有するAl系材料のろう付けには十
分な作用を示さないという欠点を有している。 そこで、本発明者らは、Al系材料のろう付け
に使用するフラツクスの上記欠点に鑑み、鋭意研
究を進めた結果、本発明を為すに至つた。 本発明の目的は、低い融点を有するとともに、
マグネシウムを含有するAl系材料にも有効に作
用するろう付け用フラツクスを提供することにあ
る。 〔本発明の構成および作用〕 本発明は、単体化合物表示にてフツ化アルミニ
ウム／フツ化セシウムのモル比が67／33〜26／74
に相当する組成を有するフルオロアルミニウム酸
セシウム又はフルオロアルミニウム酸セシウムと
フツ化アルミニウムとの混合組成物からなること
を特徴とするろう付け用フラツクスである。 本発明にかかるろう付け用フラツクスは、450゜
前後でAl系材料のろう付け所望部において、酸
化物被膜等の汚れを除去し、ろう材の流動性を高
めるので、ろう材が均一に分散し、マグネシウム
を含有するAl系材料においても良好なろう付け
接合部を得ることができる。また、ろう付け後の
フラツクス残渣は、Al系材料およびろう材を腐
食することがない。 本発明にかかるろう付け用フラツクスは、セシ
ウム（Cs）、アルミニウム（Al）、フツ素（Ｆ）
からなる錯化合物である。該錯化合物は、
Cs3AlF6、CsAlF4、Cs2AlF5・H2O等で表わされ
る一連の物質であり、フルオロアルミニウム酸セ
シウムと総称する。 該錯化合物は、多くの種類の錯化合物が存在
し、しかも同一の組成化合物であつても温度によ
つて変態し、多種類の構造を取りうるものであ
る。 第１図には、CsF−AlF3系物質の相平衝状態図
（Zeitschrift fu¨r Anorganische und
Allgemeine Chem 81、357（1913））を示すが、
図からわかるように、AlF3が25モル％以上の場
合、平衝状態図ははつきりわかつていない。すな
わち、該錯化合物の構造は複雑なものである。 本発明にかかるフラツクスの融点は、AlF3お
よびCsFとしての単体表示を行なつたときの組成
割合によつて変化する。AlF3／CsFのモル比が
67／33〜26／74の範囲内のものは、440〜480℃の
温度で溶融もしくは溶融を開始する。また、この
範囲内の組成のものは、フルオロアルミニウム酸
セシウムの他に、遊離のCsFを含まないので、該
フラツクスは潮解性を示さず、ろう付け前後にお
いて大気中に放置しても吸湿することはない。す
なわち、Al系材料を腐食することがない。 上記モル比が67／33以上になると、AlF3の量
が多くなりすぎ、ろう付け時ろう材の流動性に支
障をきたし、ろう付け性が低下する。 一方、該モル比が25／75未満では、遊離のCsF
を含んでおり、組成物の溶融温度が685℃程度と
なつて、該組成物をフラツクスとして使用するに
は困難となる。なお、本発明によるフラツクス
は、溶融温度を調整するために、従来のKF−
AlF3系フラツクスを混合して使用してもよい。
混合することにより、融点を440〜560℃の範囲で
調節することができる。 次に、本発明にかかるろう付け用フラツクス
は、種々の方法で製造することができる。 これを例示すると以下のようである。 第１の方法として、CsFとAlF3の粉末を所望の
割合で混合し、これをルツボで加熱溶融したの
ち、冷却して固化物とする。その後、該固化物を
粉砕して本発明にかかるろう付け用フラツクスを
得る方法がある。この方法では、上記加熱溶融中
にAlF3が昇華してAlF3の量が減少しやすいので、
あらかじめAlF3を多めに入れておくのがよい。 第２の方法として、CsFとAlF3の粉末を所定の
割合で混合したものに水を加えて、ペースト状も
しくはスラリー状とし、これを常温で長時間放置
するか、あるいは100℃以下の温度で約１時間放
置する等して、熟成する方法がある。水に難溶で
あるAlF3と可溶のCsFが徐々に反応して、フルオ
ロアルミニウム酸セシウムが生成する。この方法
では、CsFとAlF3の混合物は、そのどちらの成分
も不足することなく所望の組成でフルオロアルミ
ニウム酸セシウムあるいはフルオロアルミニウム
酸セシウムとAlF3の混合物を得ることができる。 また、第３の方法として、水酸化アルミニウム
（Al（OH）3）又は金属アルミニウムをフツ化水素
溶液あるいは水酸化セシウム（CsOH）水溶液の
いずれか一方の水溶液に溶解する。そののち、他
方の水溶液によつて中和して、フルオロアルミニ
ウム酸セシウムを生成させる方法がある。 第４の方法として、Al（OH）3およびCsOHをフ
ツ化水素水溶液中で混合し、撹拌しながらAl、
Cs、Ｆを反応させ、フルオロアルミニウム酸セ
シウムを生成させる方法がある。 第２、３および４の方法では、生成物を含む水
溶液をそのままでも使用することができる。また
は沈殿生成物を過し、融点以上の温度に加熱、
乾燥してもよい。 本発明にかかるろう付け用フラツクスを用いて
ろう付けする方法には、従来から行なわれている
方法が適用できる。すなわち、該フラツクス粉末
を水あるいはアルコール等の溶媒に分散させ、ペ
ースト状、スラリー状あるいは水分散懸濁液を
Al系材料からなる被ろう付け体のろう付け所望
部へ供給する。フラツクスの供給は、はけ塗り、
スプレー塗布あるいは浸漬する方法がよい。この
場合、フラツクスの粒径は、20〜30μｍ以下がよ
い。 ろう付け所望部には、フラツクスの他にろう材
を供給する。ろう材としては、フラツクスの融点
より約10〜100℃高い融点を有するものがよい。
一般に、Al−Si系共晶合金（Si含量７〜12wt％）
（A4343合金、A4047合金等）を使用することが
できるがより融点の低いAl−Si−Cu合金
（A4145合金、溶融開始温度は約521℃）、Al−Si
−Cu−Zn合金（溶融開始温度約516℃）も使用す
ることができる。 次に、ろう付け所望部を加熱する。加熱手段と
してはトーチ、加熱炉いずれでもよい。炉中加熱
の場合には、大気雰囲気でもよいが、窒素雰囲気
等非酸化性雰囲気で行なうのがよい。加熱を行な
うと、まず、フラツクスが溶融してAl系材料表
面のAl2O3と反応して、該Al2O3が除去される。
この作用は、Mgを含んだAl系材料においても発
揮される。しかし、溶融したフラツクスは、Al
とは反応しない。 さらに温度が上昇するとろう材が溶融し、
Al2O3の除去されたAl系材料表面とよくなじみ、
ろう付け所望部に流動し、充満し、良好なろう付
け接合部が形成される。 〔本発明の効果〕 本発明のろう付け用フラツクスは、従来のKF
−AlF3系フラツクスよりも融点が低く、ろう付
け工程における加熱温度を低くできるので、ろう
付け作業性がよい。また、トーチによるろう付け
も容易に行なうことができる。さらに、Mgを含
有するAl系材料のろう付けに用いても、ろう材
の流動を妨げる生成物を生成しないので、良好な
ろう付け接合部を得ることができる。 本発明にかかるろう付け用フラツクスがMgを
含有するAl系材料のろう付け性に優れている理
由は明らかでないが、本フラツクスは、従来のフ
ラツクスに比べて融点が低いために、ろう材が流
動する前にAl系材料からのMg蒸発を抑えるこ
と、あるいは、ろうの流動を妨げるMgF2を本フ
ラツクスが溶解すること等の作用に基づいている
ものと考えられる。 本発明にかかるフラツクスは、ろう付けに使用
したのちの、フラツクス残渣がAl系材料および
ろう材を腐食することがないので、被ろう付け体
を洗條する必要がないという、効果をも有する。 〔実施例〕 以下、本発明の実施例を示す。 実施例 １ CsFとAlF3を第１表の実施番号１〜３に示す割
合（AlF3／CsFモル比）に混合し、ルツボ内に入
れ、窒素気流中で融解したのち、200メツシユ以
下の粒度に粉砕し、本発明にかかるろう付け用フ
ラツクスを得た。各フラツクスについてDTA曲
線およびCo−Kd線による回折図形を求めた。そ
の実施番号１の調査結果を第２図および第３図に
例示する。これらの図形からわかるように、得ら
れたフラツクスは480℃近傍に融点を有するとと
もに、複雑な錯塩となつていることがわかる。各
フラツクスの融点を第１表に示す。また実施番号
２および３における回折図形もこれらのフラツク
スが複雑な錯塩であることを示した。 次に上記フラツクスの効果を調べるために、以
下のろう付け試験を実施した。 まず、それぞれのフラツクスに水を加えてスラ
リーとし、被ろう付け体のろう付け部に供給し
た。被ろう付け体は、第４図に示す様に、大きさ
２×３cm、厚さ３mmのJIS A3003Al合金１を２
枚、治具（図示せず）で固定し、両板の接触部
（ろう付け部）にスラリー状フラツクス２を盛り
つけた。一方、同種のスラリーを付着させた直径
２mmの線状ろう材３（JIS A4047）の先端部をろ
う付け部に近づけ、酸素アセチレン炎のトーチバ
ーナー（図示せず）で差しろうによるろう付けを
行なつた。その結果、ろう材は、ろう付け部に浸
透し、良好なろう付けが可能であつた。また、ろ
う付け後被ろう付け体を50℃のイオン交換水に２
週間浸漬したが、腐食痕は見られなかつた。 比較例として、AlF3／CsFのモル比が23／77お
よび70／30の融解物（実施番号Ｃ−１、Ｃ−２）
およびAlF3／KFのモル比が45／55の融解物（実
施番号Ｃ−３）を調整し、該物質を使つて上記と
同様のろう付けを行なつた。その結果、該物質が
融解するためには、より高温まで加熱する必要が
あり、温度の調節がむつかしく、均一なろう付け
部を得るのが困難であつた。また実施番号Ｃ−２
の場合はろう材の流れが良くなかつた。
合金材料のろう付けに使用するフラツクスに関す
るものである。 〔従来技術とその問題点〕 従来からアルミニウム材料あるいはアルミニウ
ム合金材料（本発明においてはAl系材料という）
のろう付けには、ろう材としてAl系材料より若
干融点の低いアルミニウム−シリコン（Al−Si）
共晶合金が主として使用されている。また、ろう
材がAl系材料と良好に接合するためには、該Al
系材料の表面に存在する酸化物被膜等の汚れを除
去する必要がある。この汚れを除去するために、
ろう材とともにフラツクスをろう付け部に適用す
る。最近用いられつつあるフラツクスとしては、
KF−AlF3系の錯体からなる非腐食性のフラツク
スがある。このフラツクスは、KF−AlF3の共晶
点で融解し、フラツクスとして優れた作用をする
が、融解開始温度が560℃以上である。それ故使
用するろう材は、560℃より数十度高い融点を有
するものが必要となり、ろう付け時の加熱温度も
これに伴なつて高くする必要が生じる。また、加
熱手段としてトーチを使用するろう付けにおいて
は、加熱温度が高いと温度制御が難かしく、KF
−AlF3系フラツクスの使用には、高度の熟練が
必要となる。 さらに、KF−AlF3系フラツクスは、マグネシ
ウムを多く含有するAl系材料のろう付けには十
分な作用を示さないという欠点を有している。 そこで、本発明者らは、Al系材料のろう付け
に使用するフラツクスの上記欠点に鑑み、鋭意研
究を進めた結果、本発明を為すに至つた。 本発明の目的は、低い融点を有するとともに、
マグネシウムを含有するAl系材料にも有効に作
用するろう付け用フラツクスを提供することにあ
る。 〔本発明の構成および作用〕 本発明は、単体化合物表示にてフツ化アルミニ
ウム／フツ化セシウムのモル比が67／33〜26／74
に相当する組成を有するフルオロアルミニウム酸
セシウム又はフルオロアルミニウム酸セシウムと
フツ化アルミニウムとの混合組成物からなること
を特徴とするろう付け用フラツクスである。 本発明にかかるろう付け用フラツクスは、450゜
前後でAl系材料のろう付け所望部において、酸
化物被膜等の汚れを除去し、ろう材の流動性を高
めるので、ろう材が均一に分散し、マグネシウム
を含有するAl系材料においても良好なろう付け
接合部を得ることができる。また、ろう付け後の
フラツクス残渣は、Al系材料およびろう材を腐
食することがない。 本発明にかかるろう付け用フラツクスは、セシ
ウム（Cs）、アルミニウム（Al）、フツ素（Ｆ）
からなる錯化合物である。該錯化合物は、
Cs3AlF6、CsAlF4、Cs2AlF5・H2O等で表わされ
る一連の物質であり、フルオロアルミニウム酸セ
シウムと総称する。 該錯化合物は、多くの種類の錯化合物が存在
し、しかも同一の組成化合物であつても温度によ
つて変態し、多種類の構造を取りうるものであ
る。 第１図には、CsF−AlF3系物質の相平衝状態図
（Zeitschrift fu¨r Anorganische und
Allgemeine Chem 81、357（1913））を示すが、
図からわかるように、AlF3が25モル％以上の場
合、平衝状態図ははつきりわかつていない。すな
わち、該錯化合物の構造は複雑なものである。 本発明にかかるフラツクスの融点は、AlF3お
よびCsFとしての単体表示を行なつたときの組成
割合によつて変化する。AlF3／CsFのモル比が
67／33〜26／74の範囲内のものは、440〜480℃の
温度で溶融もしくは溶融を開始する。また、この
範囲内の組成のものは、フルオロアルミニウム酸
セシウムの他に、遊離のCsFを含まないので、該
フラツクスは潮解性を示さず、ろう付け前後にお
いて大気中に放置しても吸湿することはない。す
なわち、Al系材料を腐食することがない。 上記モル比が67／33以上になると、AlF3の量
が多くなりすぎ、ろう付け時ろう材の流動性に支
障をきたし、ろう付け性が低下する。 一方、該モル比が25／75未満では、遊離のCsF
を含んでおり、組成物の溶融温度が685℃程度と
なつて、該組成物をフラツクスとして使用するに
は困難となる。なお、本発明によるフラツクス
は、溶融温度を調整するために、従来のKF−
AlF3系フラツクスを混合して使用してもよい。
混合することにより、融点を440〜560℃の範囲で
調節することができる。 次に、本発明にかかるろう付け用フラツクス
は、種々の方法で製造することができる。 これを例示すると以下のようである。 第１の方法として、CsFとAlF3の粉末を所望の
割合で混合し、これをルツボで加熱溶融したの
ち、冷却して固化物とする。その後、該固化物を
粉砕して本発明にかかるろう付け用フラツクスを
得る方法がある。この方法では、上記加熱溶融中
にAlF3が昇華してAlF3の量が減少しやすいので、
あらかじめAlF3を多めに入れておくのがよい。 第２の方法として、CsFとAlF3の粉末を所定の
割合で混合したものに水を加えて、ペースト状も
しくはスラリー状とし、これを常温で長時間放置
するか、あるいは100℃以下の温度で約１時間放
置する等して、熟成する方法がある。水に難溶で
あるAlF3と可溶のCsFが徐々に反応して、フルオ
ロアルミニウム酸セシウムが生成する。この方法
では、CsFとAlF3の混合物は、そのどちらの成分
も不足することなく所望の組成でフルオロアルミ
ニウム酸セシウムあるいはフルオロアルミニウム
酸セシウムとAlF3の混合物を得ることができる。 また、第３の方法として、水酸化アルミニウム
（Al（OH）3）又は金属アルミニウムをフツ化水素
溶液あるいは水酸化セシウム（CsOH）水溶液の
いずれか一方の水溶液に溶解する。そののち、他
方の水溶液によつて中和して、フルオロアルミニ
ウム酸セシウムを生成させる方法がある。 第４の方法として、Al（OH）3およびCsOHをフ
ツ化水素水溶液中で混合し、撹拌しながらAl、
Cs、Ｆを反応させ、フルオロアルミニウム酸セ
シウムを生成させる方法がある。 第２、３および４の方法では、生成物を含む水
溶液をそのままでも使用することができる。また
は沈殿生成物を過し、融点以上の温度に加熱、
乾燥してもよい。 本発明にかかるろう付け用フラツクスを用いて
ろう付けする方法には、従来から行なわれている
方法が適用できる。すなわち、該フラツクス粉末
を水あるいはアルコール等の溶媒に分散させ、ペ
ースト状、スラリー状あるいは水分散懸濁液を
Al系材料からなる被ろう付け体のろう付け所望
部へ供給する。フラツクスの供給は、はけ塗り、
スプレー塗布あるいは浸漬する方法がよい。この
場合、フラツクスの粒径は、20〜30μｍ以下がよ
い。 ろう付け所望部には、フラツクスの他にろう材
を供給する。ろう材としては、フラツクスの融点
より約10〜100℃高い融点を有するものがよい。
一般に、Al−Si系共晶合金（Si含量７〜12wt％）
（A4343合金、A4047合金等）を使用することが
できるがより融点の低いAl−Si−Cu合金
（A4145合金、溶融開始温度は約521℃）、Al−Si
−Cu−Zn合金（溶融開始温度約516℃）も使用す
ることができる。 次に、ろう付け所望部を加熱する。加熱手段と
してはトーチ、加熱炉いずれでもよい。炉中加熱
の場合には、大気雰囲気でもよいが、窒素雰囲気
等非酸化性雰囲気で行なうのがよい。加熱を行な
うと、まず、フラツクスが溶融してAl系材料表
面のAl2O3と反応して、該Al2O3が除去される。
この作用は、Mgを含んだAl系材料においても発
揮される。しかし、溶融したフラツクスは、Al
とは反応しない。 さらに温度が上昇するとろう材が溶融し、
Al2O3の除去されたAl系材料表面とよくなじみ、
ろう付け所望部に流動し、充満し、良好なろう付
け接合部が形成される。 〔本発明の効果〕 本発明のろう付け用フラツクスは、従来のKF
−AlF3系フラツクスよりも融点が低く、ろう付
け工程における加熱温度を低くできるので、ろう
付け作業性がよい。また、トーチによるろう付け
も容易に行なうことができる。さらに、Mgを含
有するAl系材料のろう付けに用いても、ろう材
の流動を妨げる生成物を生成しないので、良好な
ろう付け接合部を得ることができる。 本発明にかかるろう付け用フラツクスがMgを
含有するAl系材料のろう付け性に優れている理
由は明らかでないが、本フラツクスは、従来のフ
ラツクスに比べて融点が低いために、ろう材が流
動する前にAl系材料からのMg蒸発を抑えるこ
と、あるいは、ろうの流動を妨げるMgF2を本フ
ラツクスが溶解すること等の作用に基づいている
ものと考えられる。 本発明にかかるフラツクスは、ろう付けに使用
したのちの、フラツクス残渣がAl系材料および
ろう材を腐食することがないので、被ろう付け体
を洗條する必要がないという、効果をも有する。 〔実施例〕 以下、本発明の実施例を示す。 実施例 １ CsFとAlF3を第１表の実施番号１〜３に示す割
合（AlF3／CsFモル比）に混合し、ルツボ内に入
れ、窒素気流中で融解したのち、200メツシユ以
下の粒度に粉砕し、本発明にかかるろう付け用フ
ラツクスを得た。各フラツクスについてDTA曲
線およびCo−Kd線による回折図形を求めた。そ
の実施番号１の調査結果を第２図および第３図に
例示する。これらの図形からわかるように、得ら
れたフラツクスは480℃近傍に融点を有するとと
もに、複雑な錯塩となつていることがわかる。各
フラツクスの融点を第１表に示す。また実施番号
２および３における回折図形もこれらのフラツク
スが複雑な錯塩であることを示した。 次に上記フラツクスの効果を調べるために、以
下のろう付け試験を実施した。 まず、それぞれのフラツクスに水を加えてスラ
リーとし、被ろう付け体のろう付け部に供給し
た。被ろう付け体は、第４図に示す様に、大きさ
２×３cm、厚さ３mmのJIS A3003Al合金１を２
枚、治具（図示せず）で固定し、両板の接触部
（ろう付け部）にスラリー状フラツクス２を盛り
つけた。一方、同種のスラリーを付着させた直径
２mmの線状ろう材３（JIS A4047）の先端部をろ
う付け部に近づけ、酸素アセチレン炎のトーチバ
ーナー（図示せず）で差しろうによるろう付けを
行なつた。その結果、ろう材は、ろう付け部に浸
透し、良好なろう付けが可能であつた。また、ろ
う付け後被ろう付け体を50℃のイオン交換水に２
週間浸漬したが、腐食痕は見られなかつた。 比較例として、AlF3／CsFのモル比が23／77お
よび70／30の融解物（実施番号Ｃ−１、Ｃ−２）
およびAlF3／KFのモル比が45／55の融解物（実
施番号Ｃ−３）を調整し、該物質を使つて上記と
同様のろう付けを行なつた。その結果、該物質が
融解するためには、より高温まで加熱する必要が
あり、温度の調節がむつかしく、均一なろう付け
部を得るのが困難であつた。また実施番号Ｃ−２
の場合はろう材の流れが良くなかつた。
【表】
実施例 ２
CsFとAlF3を第２表の実施番号４〜６に示した
割合に混合し、それぞれの混合物100ｇに、水を
200c.c.加えてさらによく混合し、200℃で１時間乾
燥した。得られた固化物を粉砕して本発明にかか
るろう付け用フラツクスを得た。各フラツクスに
ついてDTA曲線、Ｘ線回折線を調査した。DTA
曲線から得た各フラツクスの融点を第２表に示
す。また、Ｘ線回折から、各フラツクスは複雑な
錯塩であるとともに、CsFが存在していないこと
がわかつた。なお、実施番号５のフラツクスに対
するDTA曲線およびCo−Kd線による回折図形
を、それぞれ第５図および第６図に例示する。 上記ろう付け用フラツクスの効果を調べるため
に以下のろう付け試験を実施した。Mgを1.2ωt％
含むAl合金４（JIS A3004）（大きさ３×３cm、
厚さ１mm）と、Al−7ωt％Si合金がクラツドして
あるブレージングシート５（JIS BA12PC）（大
きさ３×３cm、厚さ1.6mm）をトリクレンにより
脱脂し、第７図のように組立て、被ろう付け体と
した。 一方、上記各フラツクスを水に10ωt％分散さ
せた懸濁液を用意し、被ろう付け体を懸濁液に浸
漬して、引き上げ乾燥した。その後これらの被ろ
う付け体を窒素雰囲気炉で610℃、２分間加熱し、
ろう付け工程を施した。 また、比較例として、実施番号Ｃ−４、Ｃ−
５、Ｃ−６に示す割合に原料を混合したのち上記
と同様の方法で比較用フラツクスを調製した。こ
れらのフラツクスを使用して、ろう付けを行なつ
た。 その結果、本発明のフラツクスによれば、ろう
付け部２に均一な幅を有するフイレツトが得られ
たが、実施番号Ｃ−４の場合には、幅が不均一な
フイレツト、Ｃ−５の場合には幅がより不均一な
フイレツトとなつた。 また、Ｃ−６の場合には、ろう材がほとんど流
れず、不良ろう付けとなつた。
割合に混合し、それぞれの混合物100ｇに、水を
200c.c.加えてさらによく混合し、200℃で１時間乾
燥した。得られた固化物を粉砕して本発明にかか
るろう付け用フラツクスを得た。各フラツクスに
ついてDTA曲線、Ｘ線回折線を調査した。DTA
曲線から得た各フラツクスの融点を第２表に示
す。また、Ｘ線回折から、各フラツクスは複雑な
錯塩であるとともに、CsFが存在していないこと
がわかつた。なお、実施番号５のフラツクスに対
するDTA曲線およびCo−Kd線による回折図形
を、それぞれ第５図および第６図に例示する。 上記ろう付け用フラツクスの効果を調べるため
に以下のろう付け試験を実施した。Mgを1.2ωt％
含むAl合金４（JIS A3004）（大きさ３×３cm、
厚さ１mm）と、Al−7ωt％Si合金がクラツドして
あるブレージングシート５（JIS BA12PC）（大
きさ３×３cm、厚さ1.6mm）をトリクレンにより
脱脂し、第７図のように組立て、被ろう付け体と
した。 一方、上記各フラツクスを水に10ωt％分散さ
せた懸濁液を用意し、被ろう付け体を懸濁液に浸
漬して、引き上げ乾燥した。その後これらの被ろ
う付け体を窒素雰囲気炉で610℃、２分間加熱し、
ろう付け工程を施した。 また、比較例として、実施番号Ｃ−４、Ｃ−
５、Ｃ−６に示す割合に原料を混合したのち上記
と同様の方法で比較用フラツクスを調製した。こ
れらのフラツクスを使用して、ろう付けを行なつ
た。 その結果、本発明のフラツクスによれば、ろう
付け部２に均一な幅を有するフイレツトが得られ
たが、実施番号Ｃ−４の場合には、幅が不均一な
フイレツト、Ｃ−５の場合には幅がより不均一な
フイレツトとなつた。 また、Ｃ−６の場合には、ろう材がほとんど流
れず、不良ろう付けとなつた。
【表】
実施例 ３
CsOH、Al（OH）3を各0.1モルとHF0.4モルを１
の水に溶かした液を加熱して、水分を蒸発さ
せ、200℃で乾燥して得た固化物を粉砕して本発
明にかかるろう付け用フラツクス（実施番号７）
を調製した。 また、CsOH1.0モルとHFを2.0モル１の水に
溶かし、さらに、純アルミニウム（Al：99.3ωt
％以上）箔を0.3モル溶かして放置し、生成した
沈殿物を過水洗して本発明にかかるろう付け用
フラツクス（実施番号８）を調製した。各モル値
は原材料としての値である。これらのフラツクス
の融点を調べた結果、実施番号７では445℃、実
施番号８では455℃であつた。 また、Co−Kd線による回折結果では、いずれ
もCsFは検出されず、錯塩の様相を呈していた。
実施番号７のDTA曲線および回折図形を第８図
および第９図に示す。これらのフラツクスを使つ
て、実施例２と同一材料、同一条件でろう付け試
験を行なつた結果、いずれも幅が均一で良好なフ
イレツトが得られた。 実施例 ４ 第３表の実施番号９〜13に示すように、各種
Al系材料、ろう材を組合せてろう付けを実施し
た。使用したフラツクスは次のようにして調製し
た。まず、１モルのAl（OH）3を４モル１のHF
水溶液に溶解して、これを水溶液とする。 次に、１モルのCsOHを500ｇの水に溶解し水
溶液とする。水溶液と、水溶液を混合した
後、水分を蒸発させ生成物を粉砕して本実施例の
フラツクスとした。Al系材料は、大きさが３×
３cm、厚さ１mmのものである。これらを２枚ずつ
組合せて第７図に示すような被ろう付け体とし
た。ろう付け個所には、フラツクスをまぶしたろ
う材の薄板（大きさ３×0.5cm、厚さ0.2mm）を沿
わせた。その後、窒素雰囲気の加熱炉内に入れ第
３表に示す温度で２分間保持して、ろう付けを行
なつた。 その結果、実施番号12以外は、幅が均一なフイ
レツトが得られた。実施番号12は、フイレツト幅
が若干変動したが、良好なろう付け部を得ること
ができた。
の水に溶かした液を加熱して、水分を蒸発さ
せ、200℃で乾燥して得た固化物を粉砕して本発
明にかかるろう付け用フラツクス（実施番号７）
を調製した。 また、CsOH1.0モルとHFを2.0モル１の水に
溶かし、さらに、純アルミニウム（Al：99.3ωt
％以上）箔を0.3モル溶かして放置し、生成した
沈殿物を過水洗して本発明にかかるろう付け用
フラツクス（実施番号８）を調製した。各モル値
は原材料としての値である。これらのフラツクス
の融点を調べた結果、実施番号７では445℃、実
施番号８では455℃であつた。 また、Co−Kd線による回折結果では、いずれ
もCsFは検出されず、錯塩の様相を呈していた。
実施番号７のDTA曲線および回折図形を第８図
および第９図に示す。これらのフラツクスを使つ
て、実施例２と同一材料、同一条件でろう付け試
験を行なつた結果、いずれも幅が均一で良好なフ
イレツトが得られた。 実施例 ４ 第３表の実施番号９〜13に示すように、各種
Al系材料、ろう材を組合せてろう付けを実施し
た。使用したフラツクスは次のようにして調製し
た。まず、１モルのAl（OH）3を４モル１のHF
水溶液に溶解して、これを水溶液とする。 次に、１モルのCsOHを500ｇの水に溶解し水
溶液とする。水溶液と、水溶液を混合した
後、水分を蒸発させ生成物を粉砕して本実施例の
フラツクスとした。Al系材料は、大きさが３×
３cm、厚さ１mmのものである。これらを２枚ずつ
組合せて第７図に示すような被ろう付け体とし
た。ろう付け個所には、フラツクスをまぶしたろ
う材の薄板（大きさ３×0.5cm、厚さ0.2mm）を沿
わせた。その後、窒素雰囲気の加熱炉内に入れ第
３表に示す温度で２分間保持して、ろう付けを行
なつた。 その結果、実施番号12以外は、幅が均一なフイ
レツトが得られた。実施番号12は、フイレツト幅
が若干変動したが、良好なろう付け部を得ること
ができた。
第１図はCsF−AlF3系物質の状態図、第２図お
よび第３図は、それぞれ実施例１のフラツクスに
より求めたDTA曲線の例および回折図形の例を
示す図、第４図は、実施例１におけるAl系材料
を組合せた被ろう付け体を示す斜視図、第５図お
よび第６図は、それぞれ実施例２のフラツクスに
より求めたDTA曲線の例および回折図形の例を
示す図、第７図は、実施例２、３および４におけ
る被ろう付け体を示す斜視図、第８図および第９
図は、それぞれ実施例３のフラツクスにより求め
たDTA曲線の例および回折図形の例を示す図で
ある。 １……Al系材料、２……ろう付け部、３……
ろう材、４……Al系材料、５……ブレージング
シート。
よび第３図は、それぞれ実施例１のフラツクスに
より求めたDTA曲線の例および回折図形の例を
示す図、第４図は、実施例１におけるAl系材料
を組合せた被ろう付け体を示す斜視図、第５図お
よび第６図は、それぞれ実施例２のフラツクスに
より求めたDTA曲線の例および回折図形の例を
示す図、第７図は、実施例２、３および４におけ
る被ろう付け体を示す斜視図、第８図および第９
図は、それぞれ実施例３のフラツクスにより求め
たDTA曲線の例および回折図形の例を示す図で
ある。 １……Al系材料、２……ろう付け部、３……
ろう材、４……Al系材料、５……ブレージング
シート。
Claims (1)
- １ 単体化合物表示にてフツ化アルミニウム／フ
ツ化セシウムのモル比が67／33〜26／74に相当す
る組成を有するフルオロアルミニウム酸セシウム
又はフルオロアルミニウム酸セシウムとフツ化ア
ルミニウムとの混合組成物からなることを特徴と
するアルミニウム材ろう付け用フラツクス。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60003689A JPS61162295A (ja) | 1985-01-11 | 1985-01-11 | ろう付け用フラツクス |
| DE8686900264T DE3572779D1 (de) | 1985-01-11 | 1985-12-23 | Brazing flux |
| EP86900264A EP0239642B1 (en) | 1985-01-11 | 1985-12-23 | Brazing flux |
| AU53094/86A AU581494B2 (en) | 1985-01-11 | 1985-12-23 | Brazing flux |
| PCT/JP1985/000705 WO1986004007A1 (en) | 1985-01-11 | 1985-12-23 | Brazing flux |
| US06/905,320 US4689092A (en) | 1985-01-11 | 1985-12-23 | Brazing flux |
| CA000499348A CA1239525A (en) | 1985-01-11 | 1986-01-10 | Brazing flux |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60003689A JPS61162295A (ja) | 1985-01-11 | 1985-01-11 | ろう付け用フラツクス |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61162295A JPS61162295A (ja) | 1986-07-22 |
| JPH0148120B2 true JPH0148120B2 (ja) | 1989-10-18 |
Family
ID=11564364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60003689A Granted JPS61162295A (ja) | 1985-01-11 | 1985-01-11 | ろう付け用フラツクス |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4689092A (ja) |
| EP (1) | EP0239642B1 (ja) |
| JP (1) | JPS61162295A (ja) |
| AU (1) | AU581494B2 (ja) |
| CA (1) | CA1239525A (ja) |
| DE (1) | DE3572779D1 (ja) |
| WO (1) | WO1986004007A1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4901909A (en) * | 1988-08-18 | 1990-02-20 | Fusion Incorporated | Flux and process for brazing aluminum material |
| JPH0763866B2 (ja) * | 1989-12-01 | 1995-07-12 | 株式会社豊田中央研究所 | ろう付け用フラックス |
| US5242669A (en) * | 1992-07-09 | 1993-09-07 | The S. A. Day Mfg. Co., Inc. | High purity potassium tetrafluoroaluminate and method of making same |
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| US5333776A (en) * | 1993-09-30 | 1994-08-02 | Air Products And Chemicals, Inc. | Atmospheres for brazing aluminum and aluminum alloys |
| US5802716A (en) * | 1994-09-30 | 1998-09-08 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Method for bonding a valve seat with a cylinder head |
| CA2183135A1 (en) * | 1996-01-22 | 1997-07-23 | Amrit K. Parhar | Solder flux having low melting point |
| US5785770A (en) * | 1996-05-30 | 1998-07-28 | Advance Research Chemicals, Inc. | Brazing flux |
| US6070789A (en) * | 1997-11-18 | 2000-06-06 | S. A. Day Mfg. Co., Inc. | Method for soldering aluminum and soldering rod therefor |
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| AU774909B2 (en) * | 1999-10-25 | 2004-07-15 | Solvay Fluor Und Derivate Gmbh | Fluxing agent for dry application |
| WO2005123309A1 (en) * | 2004-06-15 | 2005-12-29 | Sunkwang Brazing Filler Metal Co., Ltd | Flux-containing brazing agent brazed at low temperature |
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| WO2019234209A1 (en) | 2018-06-08 | 2019-12-12 | Solvay Sa | Concentrate comprising brazing flux |
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| SU531701A1 (ru) * | 1974-01-22 | 1976-10-15 | Институт Электросварки Имени Е.О. Патона | Порошкова проволока |
| CS218556B2 (en) * | 1975-04-09 | 1983-02-25 | Alcan Res & Dev | Method of joining the aluminium components |
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1985
- 1985-01-11 JP JP60003689A patent/JPS61162295A/ja active Granted
- 1985-12-23 DE DE8686900264T patent/DE3572779D1/de not_active Expired
- 1985-12-23 WO PCT/JP1985/000705 patent/WO1986004007A1/en not_active Ceased
- 1985-12-23 US US06/905,320 patent/US4689092A/en not_active Expired - Lifetime
- 1985-12-23 EP EP86900264A patent/EP0239642B1/en not_active Expired
- 1985-12-23 AU AU53094/86A patent/AU581494B2/en not_active Expired
-
1986
- 1986-01-10 CA CA000499348A patent/CA1239525A/en not_active Expired
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| CA1239525A (en) | 1988-07-26 |
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