JPH0148683B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 (1) 発明の技術分野 本発明は超高周波回路における同軸回路の改良
に関する。

(2) 技術の背景 通信装置等におけるマイクロ波帯乃至はミリ波
帯に使用される立体回路で、回路内部に装着され
る回路素子にバイアスとしての直流電流或いは中
間周波数などの信号電流を同軸回路でもつて印
加、導入出するための電線路を構成することが行
われる。

この場合、同軸回路を構成する内部導体（中心
導体）に円板状の大径部を所定に設け超高周波の
波・整合・終端等の機能をもたせる。

(3) 従来技術と問題点 従来例えば第１図の要部側断面図に示した発振
器においては、方形導波管１の内部底面に設けた
台座２の中央に固体発振素子（ガン・ダイオー
ド・インパツトダイオード等）３が載置され、こ
の素子３の上方導波管１の上面には同軸回路４が
設けられている。

同軸回路４は外部導体５が導波管の上面と一体
に形成されて孔６が導波管内面に連なつている。
同軸回路の内部導体８はその要部に所定の大径部
９が円板状乃至円柱状に一体形成されており、超
高周波を阻止する低域通過波器が構成されてお
り、その内部下方先端は発振素子３に接続し、上
部外方端は線路接続端子７となつている。

大径部９の外周面は外部導体５と接するが、こ
の面は誘電体でもつて絶縁被膜１２が形成されて
いなければならず、このため第２図に示したよう
に内部導体が構成される。絶縁被膜１２は高周波
の損失を少なくするため厚さの薄いことが好まし
く、誘電性絶縁体被膜１２が塗布により、或いは
化成膜によつて形成される。

塗布による被膜形成は一般的であるが均一な薄
膜とするのが難しく良好な絶縁が得られない。

均質で薄い被膜の得られる化成膜については例
えば中心導体を所定外径のアルミニウム材丸棒と
して、その外面に陽極酸化（アルマイト）法によ
つて酸化被膜層を形成し、次いで所定の細径に加
工して中心導体部分を作り、第２図の形状とする
ことが行われる。または所要形状としたものの大
径部外周以外をマスクし、露出部分に陽極酸化被
膜を施した後にマスクを除去する。この場合元の
外径は陽極酸化被膜の形成後外部導体内径に適合
する寸法に定められる。

以上のようであるから処理後の内部導体ポスト
の再加工が必要で製作は容易でなく、ミリ波帯域
用ともなれば内部導体の素子側先端部側はその直
径が例えば0.2mm程度となることもあり、アルミ
ニウム材などではその加工が極めて困難である。

被膜１２は極く薄いものであるから各大径部９
の端面はこの被膜１２を介して外部導体５と接し
ているので、この部分で電気絶縁が破壊される恐
れがある。このようなことから外部導体５の内面
に化成膜により絶縁体被膜を形成することが考え
られるが、内面を除く全面をマスクしなければな
らず、面倒かつ厄介なことである。また絶縁体化
成膜を形成するのに最も適した材料はアルミニウ
ム材であるが、ダイオード３の発熱を伝導冷却す
るためには銅材が適しており、銅材に比してアル
ミニウム材は熱伝導性が劣るものである。

また、外部導体５をアルミニウムとすると、こ
れと一体の方形導波管、図示省略したフランジ、
その他の部分についてもアルミニウムとしなけれ
ばならず、一体化のためのアルミニウム溶接、ろ
う付けに高度な技術を要するといつた問題もあ
る。そのほか、或る周波数帯の方形導波管につい
て、その周波数帯内で基本周波数が異なると同軸
線路の内外導体直径が変化するために全体を作成
しなければならない。

(4) 発明の目的 本発明は、上記従来の問題点に鑑み、内部導体
側に絶縁被膜を設けることなく、製造が容易でか
つ安定な絶縁被膜が得られ、電気絶縁性が良好
で、しかも基本周波数の指定に応じて短期間に製
造が行える同軸回路の提供を目的とする。

(5) 発明の構成 このため、本発明は、回路素子への電線路機能
を具える同軸回路において、同軸の内部導体と一
体に設けられる大径部の外周と接し、かつその表
面に絶縁被膜の施された同軸の外部導体である円
筒体を該円筒体の支持体の貫通孔内に挿入介在せ
しめてなる同軸回路で目的が達せられる。

(6) 発明の実施例 以下本発明の実施例につき図面を参照して説明
する。

第３図は本発明にかかる同軸回路の一実施例の
発振器を示す要部側断面図である。

方形導波管２１の内部底面に設けられた台座２
２の中央に固体発振素子（ガンダイオード・イン
パツトダイオード等）３が載置され、この素子３
の上方導波管２１の上面には同軸回路が設けられ
ている。

同軸回路の内部導体２３はその要部に所定の大
径部２４が円板状乃至円柱状に一体形成されてお
り、超高周波に対して低域波器が構成され、内
部導体２３の内部下方先端は導波管内に延長して
発振素子３に接触接続し、上部外方端は線路接続
端２７となつている。この内部導体は全体が金属
で一体に精度よく形成され必要に応じて導電性と
耐腐食性の向上のため外面は金等のめつきが施さ
れる。

外部導体２８は導波管２１の上面に一体に形成
された円筒状の支持体２９の内部に第４図に示し
た円筒体３０が挿入固定されてなる。この円筒体
体３０は同軸回路の外部導体内径孔３１と、支持
体２９の孔３２に嵌り合う外径３３を有し、長さ
は導波管２１の内面と１致し支持体２９の外端面
とほぼ一致する長さである。そしてこの円筒体３
０はアルミニウム材からなり、その表面、即ち孔
３１の表面、外周３３及び両端面の全てに均一な
所定厚さの陽極酸化処理被膜の電気絶縁体である
薄膜層３４が形成されている。

従つて支持体２９に圧入保持される円筒体３０
は内部導体２３の大径部２４に対して絶縁被膜３
４を介して接することになる。従つて端子２７に
図示しないバイアス電源からの直流バイアス電流
の印加は外部導体２８には絶縁状態で素子３に内
部導体２３によつて印加される。

本発明による同軸回路は上記実施例以外に支持
体２９の下方を所定の外部導体孔径と同一の小径
とした段部を設け、この段部に円筒体３０の端面
を当接させ、少なくても内部導体２３の大径部２
４が円筒体３０と接するようにしたことであつて
もよく、方形導波管との組合せになる同軸回路以
外の同軸回路のみによる発振器等にも応用実施し
得る。

また素子も発振器素子に限らず、受信用の検波
用ダイオード、増幅器用素子、リミツタ素子、ス
イツチ用素子等各種の超高周波用回路素子に対し
て本発明は対応し得るものである。

(7) 発明の効果 以上説明したように、本発明になる同軸回路は
複雑な内部導体側は絶縁処理を要せず外部導体側
を極めて単純な形状とし、二次加工を要しないで
絶縁被膜を形成するようにしたものであるから均
質で精度のよい絶縁が得られる。

本発明の被膜はアルミニウム材の陽極酸化被膜
処理に限らず他の材料、例えば銅、銅合金等であ
つてもよく、窒化物被膜、硫化物被膜、その他の
化成処理による絶縁被膜にて応用実施し得ること
である。

本発明によれば、内部導体の大径部を含みその
上下方向の全面に絶縁被膜が形成されているの
で、従来のような絶縁破壊が生じることはない。
導波管部分、支持体部分などを銅系金属とするも
のであるから製造加工が容易であり、熱伝導性が
良好で放熱性に優れるものである。

本発明によれば、導波管部分、支持体部分、そ
の他の部分を予じめ半製品として用意しておき、
基本周波数の決定に伴つて内部導体と外部導体で
ある円筒体のみを製造して組立てれば良く、製造
期間を大幅に短縮することができる。なお、この
時、指定された周波数に対応した中心導体の外径
と、円筒体の孔内径、ならびに大径部の寸法形状
を対応させる。即ち、このようであつて上記半製
品を標準化部品とすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の発振器の要部側断面、第２図は
第１図の内部導体の側面図、第３図は本発明の一
実施例にかかる発振器の要部側断面図、第４図は
第３図の外部導体の円筒体を示す。 図中２１は導波管、３は素子、２３は内部導
体、２４は大径部、３０は円筒体、３１は孔、３
３は外周、３４は被膜である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 回路素子への電線路機能を具える同軸回路に
   おいて、同軸の内部導体と一体に設けられる大径
   部の外周と接し、かつその表面に絶縁被膜の施さ
   れた同軸の外部導体である円筒体を該円筒体の支
   持体の貫通孔内に挿入介在せしめてなる同軸回
   路。