JPH0149786B2 - - Google Patents
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- JPH0149786B2 JPH0149786B2 JP7903781A JP7903781A JPH0149786B2 JP H0149786 B2 JPH0149786 B2 JP H0149786B2 JP 7903781 A JP7903781 A JP 7903781A JP 7903781 A JP7903781 A JP 7903781A JP H0149786 B2 JPH0149786 B2 JP H0149786B2
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- electron beam
- vapor deposition
- evaporation
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- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 claims description 21
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims description 20
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims description 14
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims description 13
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 claims description 5
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- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
- C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は真空蒸着等に使用する蒸着装置、特に
電子ビームによつて蒸着材料を加熱蒸発させる蒸
着装置の改良に関するものである。
電子ビームによつて蒸着材料を加熱蒸発させる蒸
着装置の改良に関するものである。
電子ビームを加熱手段として用いる蒸着装置
は、真空蒸着、イオンプレーテイング、スパツタ
リング等各種の蒸着法において使用されている
が、この種の装置では蒸発した蒸着材料のうち、
被蒸着物に蒸着される材料は極く一部であるため
蒸着効率が悪いという難点がある。例えば被蒸着
面を蒸気流に対して斜めに配した斜め蒸着では、
蒸着効率は約１〜５％と極めて低く、材料の損失
が大きい。
は、真空蒸着、イオンプレーテイング、スパツタ
リング等各種の蒸着法において使用されている
が、この種の装置では蒸発した蒸着材料のうち、
被蒸着物に蒸着される材料は極く一部であるため
蒸着効率が悪いという難点がある。例えば被蒸着
面を蒸気流に対して斜めに配した斜め蒸着では、
蒸着効率は約１〜５％と極めて低く、材料の損失
が大きい。
本発明者等はこの点に鑑み、蒸着材料を収容し
た容器と被蒸着物との間に蒸気流を有効に被蒸着
物に向けて案内する反射案内板を設け、この反射
案内板により蒸気流を反射して案内するようにし
た装置を発明し既に特許出願した。
た容器と被蒸着物との間に蒸気流を有効に被蒸着
物に向けて案内する反射案内板を設け、この反射
案内板により蒸気流を反射して案内するようにし
た装置を発明し既に特許出願した。
これは、蒸気流の通路に沿つて設けられた案内
板が、蒸着材料の蒸発温度より高いある温度（こ
の温度を「反射温度」ということにする）以上に
加熱されると、この案内板が蒸気流を反射する作
用を示すことを発見したことに基づいて出願され
たもので、表面に蒸着材料を付着させることな
く、蒸気流を反射する現象を利用して蒸気流を効
率よく被蒸着物に向けるようにしたものである。
板が、蒸着材料の蒸発温度より高いある温度（こ
の温度を「反射温度」ということにする）以上に
加熱されると、この案内板が蒸気流を反射する作
用を示すことを発見したことに基づいて出願され
たもので、表面に蒸着材料を付着させることな
く、蒸気流を反射する現象を利用して蒸気流を効
率よく被蒸着物に向けるようにしたものである。
ここで“反射”とは、反射板に飛来した蒸気流
粒子が結果的に反射板に付着することなく、あた
かも反射されるかの如く、蒸気流粒子の進路変更
を行なうことを意味し、必ずしも、光学的な鏡面
反射の如き反射を意味するものではない。
粒子が結果的に反射板に付着することなく、あた
かも反射されるかの如く、蒸気流粒子の進路変更
を行なうことを意味し、必ずしも、光学的な鏡面
反射の如き反射を意味するものではない。
この方法は、斜め蒸着における従来の抵効率
（１％）を数10％にまで高める画期的なものであ
るが、電子ビームによつて蒸着材料を加熱、蒸発
させるときには電子ビームの入射光路を案内板が
遮ることになり、電子ビームを入射させにくいと
いう問題がある。この問題を解決する方法として
一つには電子ビームを曲げて反射案内板の上部開
口部の真上から蒸発材料に照射する方法がある
が、このように電子ビームを大きく曲げるとビー
ムが乱れて蒸発レートが低下してしまう。また、
反射案内板に孔をあけて、その孔から電子ビーム
を入射させる方法もあるが、電子ビームは横方向
に往復走査するものであるから、横に長い孔（ス
リツト）をあけなければならず、この長い孔から
蒸気流が逃げてしまい、蒸着効率が落ちるという
問題がある。
（１％）を数10％にまで高める画期的なものであ
るが、電子ビームによつて蒸着材料を加熱、蒸発
させるときには電子ビームの入射光路を案内板が
遮ることになり、電子ビームを入射させにくいと
いう問題がある。この問題を解決する方法として
一つには電子ビームを曲げて反射案内板の上部開
口部の真上から蒸発材料に照射する方法がある
が、このように電子ビームを大きく曲げるとビー
ムが乱れて蒸発レートが低下してしまう。また、
反射案内板に孔をあけて、その孔から電子ビーム
を入射させる方法もあるが、電子ビームは横方向
に往復走査するものであるから、横に長い孔（ス
リツト）をあけなければならず、この長い孔から
蒸気流が逃げてしまい、蒸着効率が落ちるという
問題がある。
斜め蒸着では被蒸着物のテープベース等を径の
大きいクーリングキヤンに沿つて送るため、蒸着
材料を収容する容器（るつぼ、ハース等）の真上
から電子ビームを入れることができない。したが
つて、上記のような方法を取らざるを得ず、それ
には上記のような難点があり、実用上解決されね
ばならない問題となつている。
大きいクーリングキヤンに沿つて送るため、蒸着
材料を収容する容器（るつぼ、ハース等）の真上
から電子ビームを入れることができない。したが
つて、上記のような方法を取らざるを得ず、それ
には上記のような難点があり、実用上解決されね
ばならない問題となつている。
本発明は、上記のような問題を効果的に解決す
る電子ビーム蒸着装置を提供することを目的とす
るものである。
る電子ビーム蒸着装置を提供することを目的とす
るものである。
本発明の蒸着装置は、電子ビームの入射方向に
おける反射案内板の一部を外方へ10度〜60度傾け
て電子ビームが蒸着材料の表面に対して垂直の方
向から10度以上傾いた方向から入射できるように
したことを特徴とするものである。
おける反射案内板の一部を外方へ10度〜60度傾け
て電子ビームが蒸着材料の表面に対して垂直の方
向から10度以上傾いた方向から入射できるように
したことを特徴とするものである。
上記範囲の角度だけ傾いた方向から電子ビーム
を入射させることにより、クーリングキヤンに遮
られることなく又、たとえ電子ビームを曲げるに
しても若干の角度偏向のみで電子ビームは蒸着材
料に入射することができる。また、上記の範囲の
角度の傾きであれば、反射案内板は外方へ傾いて
も、蒸気流を十分に被蒸着物へ向けて案内するこ
とが可能であり、大きい蒸着効率を維持すること
ができる。
を入射させることにより、クーリングキヤンに遮
られることなく又、たとえ電子ビームを曲げるに
しても若干の角度偏向のみで電子ビームは蒸着材
料に入射することができる。また、上記の範囲の
角度の傾きであれば、反射案内板は外方へ傾いて
も、蒸気流を十分に被蒸着物へ向けて案内するこ
とが可能であり、大きい蒸着効率を維持すること
ができる。
以下、図面と実験例によつて、本発明をさらに
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第１図はクーリングキヤン１に磁気テープの支
持体２を巻いて送りながら角度αで斜め蒸着をす
る電子ビーム蒸着装置の概略図を示すものであ
る。蒸着材料３はハース４の中に収容され、その
上に、垂直に立つた内側壁５ａと、この内側壁５
ａに対向して立ち、外方へ角度βだけ傾いた外側
壁５ｂと、内側壁５ａと外側壁５ｂの両端間に垂
直に立つた対向する端壁５ｃとからなる反射案内
板が設けられている。第２図にこの反射案内板５
の斜視図を示す。
持体２を巻いて送りながら角度αで斜め蒸着をす
る電子ビーム蒸着装置の概略図を示すものであ
る。蒸着材料３はハース４の中に収容され、その
上に、垂直に立つた内側壁５ａと、この内側壁５
ａに対向して立ち、外方へ角度βだけ傾いた外側
壁５ｂと、内側壁５ａと外側壁５ｂの両端間に垂
直に立つた対向する端壁５ｃとからなる反射案内
板が設けられている。第２図にこの反射案内板５
の斜視図を示す。
電子ビーム６は外方へ傾いた外側壁５ｂに沿つ
て蒸着材料３の表面に対して、垂直から角度γだ
け傾いた方向から入射することができ、クーリン
グキヤン１の外周に沿つて設けられた、蒸着用の
スリツト７ａを有するシヤツター板７や、その近
辺に設置される膜厚計等の付帯設備８に遮られる
ことなく蒸着材料３に達することができる。
て蒸着材料３の表面に対して、垂直から角度γだ
け傾いた方向から入射することができ、クーリン
グキヤン１の外周に沿つて設けられた、蒸着用の
スリツト７ａを有するシヤツター板７や、その近
辺に設置される膜厚計等の付帯設備８に遮られる
ことなく蒸着材料３に達することができる。
反射案内板５の形状は、第１図、第２図に示さ
れるものに限らず、第３図に示されるもののよう
に外側壁の上方部分５b′のみを外方へ傾けるよう
にしてもよい。
れるものに限らず、第３図に示されるもののよう
に外側壁の上方部分５b′のみを外方へ傾けるよう
にしてもよい。
外側壁の傾きの角度は、電子ビーム６が蒸着材
料面に対して10〜60度の範囲で入射するように開
くものであればよい。
料面に対して10〜60度の範囲で入射するように開
くものであればよい。
第１図は本発明の電子ビーム蒸着装置の一例を
示す側断面図、第２図は第１図の例におけるハー
スと反射案内板を示す斜視図、第３図はハースと
反射案内板の他の例を示す側断面図である。 １……クーリングキヤン、２……磁気テープ支
持体、３……蒸着材料、４……ハース、５……反
射案内板、６……電子ビーム。
示す側断面図、第２図は第１図の例におけるハー
スと反射案内板を示す斜視図、第３図はハースと
反射案内板の他の例を示す側断面図である。 １……クーリングキヤン、２……磁気テープ支
持体、３……蒸着材料、４……ハース、５……反
射案内板、６……電子ビーム。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 蒸着材料を収容する容器、この容器に収容さ
れた蒸着材料に斜め上方から電子ビームを照射し
て蒸着材料を加熱し蒸発させる電子ビーム源、お
よび前記容器と被蒸着物との間にあつて蒸着材料
の蒸気流を反射する反射温度以上に加熱され、蒸
気流を被蒸着物へ向けて反射、案内する反射案内
板からなる電子ビーム蒸着装置において、 前期反射案内板の一部を外方へ10度〜60度傾け
て前記電子ビームが蒸着材料の表面に対して垂直
の方向から10度以上傾いた方向から入射可能にし
たことを特徴とする電子ビーム蒸着装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7903781A JPS57194252A (en) | 1981-05-25 | 1981-05-25 | Vapor depositing device by electron beam |
| DE19823204337 DE3204337A1 (de) | 1981-02-10 | 1982-02-09 | Verfahren und vorrichtung zum bilden eines duennen films |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7903781A JPS57194252A (en) | 1981-05-25 | 1981-05-25 | Vapor depositing device by electron beam |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57194252A JPS57194252A (en) | 1982-11-29 |
| JPH0149786B2 true JPH0149786B2 (ja) | 1989-10-26 |
Family
ID=13678712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7903781A Granted JPS57194252A (en) | 1981-02-10 | 1981-05-25 | Vapor depositing device by electron beam |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57194252A (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59222578A (ja) * | 1983-05-30 | 1984-12-14 | Hitachi Condenser Co Ltd | 蒸着装置 |
| JPS63204513A (ja) * | 1987-02-20 | 1988-08-24 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体の製造装置 |
| JP5620146B2 (ja) | 2009-05-22 | 2014-11-05 | 三星ディスプレイ株式會社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | 薄膜蒸着装置 |
| KR101084194B1 (ko) | 2009-08-10 | 2011-11-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 증착 가림막을 가지는 박막 증착 장치 |
| KR101127575B1 (ko) | 2009-08-10 | 2012-03-23 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 증착 가림막을 가지는 박막 증착 장치 |
| US8696815B2 (en) | 2009-09-01 | 2014-04-15 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film deposition apparatus |
| KR101084184B1 (ko) | 2010-01-11 | 2011-11-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 박막 증착 장치 |
| KR101760897B1 (ko) | 2011-01-12 | 2017-07-25 | 삼성디스플레이 주식회사 | 증착원 및 이를 구비하는 유기막 증착 장치 |
-
1981
- 1981-05-25 JP JP7903781A patent/JPS57194252A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57194252A (en) | 1982-11-29 |
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