JPH01500784A - 集積回路の製造方法 - Google Patents

集積回路の製造方法

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JPH01500784A
JPH01500784A JP61504863A JP50486386A JPH01500784A JP H01500784 A JPH01500784 A JP H01500784A JP 61504863 A JP61504863 A JP 61504863A JP 50486386 A JP50486386 A JP 50486386A JP H01500784 A JPH01500784 A JP H01500784A
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JP
Japan
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wafer
integrated circuit
test structures
test
manufacturing
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Application number
JP61504863A
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English (en)
Inventor
ピット,マイケル ジェフリイ
Original Assignee
ザ ゼネラル エレクトリック カンパニー,ピー.エル.シー.
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Publication date
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    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P74/00Testing or measuring during manufacture or treatment of wafers, substrates or devices
    • H10P74/27Structural arrangements therefor
    • H10P74/277Circuits for electrically characterising or monitoring manufacturing processes, e.g. circuits in tested chips or circuits in testing wafers
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2884Testing of integrated circuits [IC] using dedicated test connectors, test elements or test circuits on the IC under test
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
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    • G01R31/2851Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2856Internal circuit aspects, e.g. built-in test features; Test chips; Measuring material aspects, e.g. electro migration [EM]
    • G01R31/2858Measuring of material aspects, e.g. electro-migration [EM], hot carrier injection

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 集積回路の製造方法 本発明は集積回路の製造方法に関する。
導電性トラックの電気移動(eleetromigration)は、特にVL SIにおける集積回路の大きな信頼性問題として確認されている。回路の電気移 動に対する抵抗は導電性トラックの組成や形態などの多くのファクターに依存す るため、集積回路の製造時これを制御することは必ずしも可能でなく、従って回 路の製造時に製造毎に定期的に電気移動抵抗を評価することが必要である。この 目的から、回路の製造時に、多数の集積回路を形成したウェハに多数の導電性試 験構造体を組み込むことが知られている。ところが、電気移動により構造体が破 損したかどうか調べる試験を行うためには、各構造体を個々に結合しなければな らないため、必然的に時間がかかり、従ってコストが高くなる。
本発明の目的は、この問題のない集積回路の製造方法を提供することにある。
本発明によれば、集積回路の製造方法は、多数の集積回路を形成した1クエ八り の各界なる点で電気移動をギニ々−する複数の導電性試験構造体を形成(5、そ )、て該構造体と接続部とI、−よって構成された電流路の電気バ、ンメ−タを モニターし、この電気パラメータの値を使用して、試験構造体のどれが破損した かどうかを調べる工程を含むものである。
従って、本発明による方法では、各試験構造体を個々に試験する必要がなく、従 って各構造体に結合する必要もない。
好ましくは、試験構造体のひとつが開回路になった場合に、電流路が維持される ように電気接続を設定する。
従って、試験構造体の破損を連続的にモニターすること可能である。
電気パラメータは適当には抵抗である。
接続部は好適には抵抗を含む。
好ましくは、導電性試験構造体及び接続部はウェハのスクライブ・チャネル内に 形成する。
以下、本発明による集積回路の製造方法を例示のみを目的とする添付図面につい て説明する。
第1図は、集積回路製造段階における該回路を含むウェハ要部を示す概略図であ り、そして 第2図は、第1図ウェハに組み込んだ電気移動試験構造体の等価回路を示す図で ある。
第1図について説明すると、本発明方法はウェハ上に多数の従来集積回路lを形 成することからなり、各集積回路は常法でウェハ内に形成したスクライブ・チャ ネル3によって分離する。ウェハを横断する回路lの各列に特表平1−5007 84 (2) ついて、隣接スクライブ・チャネルにウェハを横断する導電性トラック5を設け る。これは、回路l内の導電性トラックと同時Iこウェハに付着させる。電気移 動試験片7はトラック5の全長に沿って間隔をおいて設けるが、通常は、各集積 回路lに対してひとつの試験片を設ける。各試験片7はウェハに形成した多数の ステップ9上を通過するように配列して、導電性トラックが容易に開回路になる 条件をシュミレートする。各試験片7に隣接してポリシリコン抵抗器11を付着 し、各抵抗器11はその隣接試験片7に並列接続するように導電性トラック5を 設ける。
従って、各スクライブ・チャネル3内に構造体の等価回路が、第2図に示すよう に形成される。第2図において、R−Ml−R−MNはウェハを一列となって横 断する、各集積回路lに関連する試験片7を示し、R−PI〜R−PNは各試験 片7に設けた抵抗器11を示す。各抵抗器R−PI−R−PNの抵抗値は各試験 片R−Ml〜R−MNの抵抗よりかなり大きくしである。
ウェハ製造時の適当な時期に、各トラック5の各端部を電気的に接続して、試験 片7に電気応力を加える適当な値の電流をトラック5に流し、トラック5の両端 間の抵抗をモニターする。開回路になることによって試験片7の一つが破損する と、モニターしている抵抗値が大きくなる。抵抗器11と試験片7とを平行に配 列しているため、電流が残りの試験片7に流れるので、さらに生じる破損もモニ ターできる。この場合、破損の総数はトラック両端間でモニターされた抵抗の増 大によって示される。
なお、各試験片7は、最悪のケースを作り出せるように、位相空間特徴が可変に なっている。
また、例えば電気移動による閉回路をモニターする目的から、他の多くの試験片 を設計することも可能である。
さらにまた、ウェハのスクライブ・チャネル内に試験片及び接続部を形成するこ とが特に有利である。というのは、この場合、ウェハ上のスペースを取らず、従 ってウェハの他の部分にこれらを形成できるからである。
国際調査報告 ANNEXτOh郡:NTERNATIOI’A’−EEARCHREPORT  ON

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.集積回路1を形成したウエハ上の各異なる点に、電気移動をモニターする複 数の導電性試験構造体7を形成する集積回路を製造する方法において、ウエハ上 の該試験構造体7間を電気的に接続5し;そして該試験構造体7と該接続5、1 1とによって構成された電流路の電気パラメータをモニターすると共に、該電気 パラメータの値を使用して該試験構造体7のどれが破損したかを調べる工程を含 むをことを特徴とする集積回路の製造方法。
  2. 2.該試験構造体7の一つが開回路になった場合に、電流路が維持されるように 、電気接続5、11を設定した、請求の範囲第1項に記載の方法。
  3. 3.電気パラメータが抵抗である、請求の範囲第1項または第2項に記載の方法 。
  4. 4.該接続が抵抗を含む、請求の範囲第1〜3項のいずれか1項に記載の方法。
  5. 5.導電性試験構造体7と接続5、11をウエハのスクライブ・チャネル3内に 形成した、請求の範囲第1〜4項のいずれか1項に記載の方法。
JP61504863A 1986-09-17 1986-09-17 集積回路の製造方法 Pending JPH01500784A (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/GB1986/000548 WO1988002182A1 (en) 1986-09-17 1986-09-17 Method of manufacturing integrated circuits

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JPH01500784A true JPH01500784A (ja) 1989-03-16

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ID=10591174

Family Applications (1)

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JP61504863A Pending JPH01500784A (ja) 1986-09-17 1986-09-17 集積回路の製造方法

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EP (1) EP0281553A1 (ja)
JP (1) JPH01500784A (ja)
WO (1) WO1988002182A1 (ja)

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WO1995000971A1 (en) * 1993-06-21 1995-01-05 Tadahiro Ohmi Method of evaluating current-driven conductive material

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Also Published As

Publication number Publication date
EP0281553A1 (en) 1988-09-14
WO1988002182A1 (en) 1988-03-24

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