JPH0150916B2 - - Google Patents
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- JPH0150916B2 JPH0150916B2 JP58183791A JP18379183A JPH0150916B2 JP H0150916 B2 JPH0150916 B2 JP H0150916B2 JP 58183791 A JP58183791 A JP 58183791A JP 18379183 A JP18379183 A JP 18379183A JP H0150916 B2 JPH0150916 B2 JP H0150916B2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、情報保持装置に係り、特に書き込ま
れた情報を外部装置に出力できる情報保持装置に
関する。以下、情報保持装置として、表示機能と
情報保持機納とを備えた液晶装置を例にとり説明
する。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Field of Application of the Invention] The present invention relates to an information holding device, and particularly to an information holding device that can output written information to an external device. Hereinafter, a liquid crystal device having a display function and an information holding device will be described as an example of an information holding device.
従来、情報保持装置としては、表示機能と情報
保持機能とを備えたスメクチツク液晶等からなる
装置、やPLZT等の強誘電性物質からなる装置が
知られている。
Conventionally, as information holding devices, devices made of a smectic liquid crystal or the like and having a display function and an information holding function, and devices made of a ferroelectric material such as PLZT are known.
例えば液晶装置は、ネマチツク液晶、コレステ
リツク液晶、あるいはスメクチツク液晶を用いた
種々の表示原理を利用したものが知られている
が、いずれも液晶分子の配向状態を何らかの外部
場により変化させ、これによる光学的性質の変化
を利用して表示を達成するものである。 For example, liquid crystal devices are known that use various display principles such as nematic liquid crystal, cholesteric liquid crystal, or smectic liquid crystal, but in all of them, the alignment state of liquid crystal molecules is changed by some external field, and the resulting optical The display is achieved by utilizing changes in the physical properties.
これらの液晶装置の一例として米国特許第
3796999号“Locally Erasable Thermo−
Optic・Smectic Liquid Crystal Storage
Displays”に示されている熱書込み型液晶装置に
ついて概要を述べる。 As an example of these liquid crystal devices, U.S. Patent No.
No. 3796999 “Locally Erasable Thermo−
Optic・Smectic Liquid Crystal Storage
This paper provides an overview of the thermal writing type liquid crystal device shown in "Displays".
本装置では、第1図aに示すような二枚のガラ
ス基板11,12の内側に透明電極13,14を
設け、この間にスメクチツク液晶15を封入す
る。この様な表示パネルにAr(アルゴン)レーザ
あるいはYAG(イツトリウム・アルミニウム・ガ
ーネツト)レーザなどにより発せられたレーザビ
ーム16をレンズ17により集光し、表示部分1
8のスメクチツク液晶15の温度を上昇させ、一
旦、等方性液晶相にする。 In this device, transparent electrodes 13 and 14 are provided inside two glass substrates 11 and 12 as shown in FIG. 1A, and a smectic liquid crystal 15 is sealed between them. A laser beam 16 emitted by an Ar (argon) laser or a YAG (yttrium aluminum garnet) laser is focused on such a display panel by a lens 17, and the display area 1 is focused.
The temperature of the smectic liquid crystal 15 of No. 8 is increased to temporarily bring it into an isotropic liquid crystal phase.
その後レーザビームを除去することによりスメ
クチツク相まで急冷すると第1図bに示すよう
に、液晶分子の配向方向が乱れ、強い散乱性を示
す領域19が発生する。この散乱状態は安定に存
続するので、任意の画像情報書込みが達成でき
る。 Thereafter, when the laser beam is removed and the liquid crystal is rapidly cooled to a smectic phase, the alignment direction of the liquid crystal molecules is disturbed and a region 19 exhibiting strong scattering properties is generated, as shown in FIG. 1b. Since this scattering state remains stable, arbitrary image information can be written.
以上で述べた表示原理に基づき、熱書込み型液
晶装置はレーザビームの走査、変調により、液晶
素子上に任意の画像情報を書込み、さらに電界印
加も併用することにより部分消去も達成できるの
で表示装置として優れている。しかし、書込まれ
た画像情報の読出し機能がなく、情報信号を画像
として入力する表示装置としてのみ利用されてい
た。 Based on the display principle described above, thermal writing type liquid crystal devices write arbitrary image information on the liquid crystal element by scanning and modulating a laser beam, and can also achieve partial erasure by applying an electric field. It is excellent as. However, it did not have a function to read written image information, and was used only as a display device for inputting information signals as images.
また、その他の情報保持装置においても、これ
まで情報表示する機能しか有しておらず、情報出
力装置としては使用できなかつた。 Furthermore, other information holding devices have so far only had the function of displaying information, and could not be used as information output devices.
本発明の目的は、画素がXYマトリクス状に配
置されるものにおいて、クロストークによる電流
には全く影響されず、簡単な回路で情報信号の入
出力を短時間で行ないうる情報保持装置を提供す
ることにある。
An object of the present invention is to provide an information holding device in which pixels are arranged in an XY matrix, which is completely unaffected by current caused by crosstalk and can input and output information signals in a short time with a simple circuit. There is a particular thing.
上記目的を達成する本発明情報保持装置の特徴
とするところは、対向面に複数の一方電極と複数
の他方の電極とが対向し、上記一方の電極と上記
他方の電極との対向部分が全体としてマトリクス
をなす様に形成される一対の基板と、該一対の基
板間に保持される誘電体と、任意の上記対向部分
の誘電体の静電容量を変化させる手段と、任意の
上記一方の電極に電圧上昇率dv/dtが一定な電
圧を印加する手段と、上記電圧が上記一方の電極
に印加される期間に上記一方の電極に対向する少
なくとも2つの他方の電極に流れる電流を順次検
出する手段とを具備することにある。
The information holding device of the present invention that achieves the above object is characterized in that a plurality of one electrodes and a plurality of other electrodes are opposed to each other on opposing surfaces, and the opposing portion of the one electrode and the other electrode is the entire a pair of substrates formed to form a matrix, a dielectric held between the pair of substrates, means for changing the capacitance of the dielectric at any of the opposing portions, and any one of the above substrates; Means for applying a voltage with a constant voltage increase rate dv/dt to the electrodes, and sequentially detecting currents flowing through at least two other electrodes facing the one electrode during a period when the voltage is applied to the one electrode. The objective is to have the means to do so.
ここで、「誘電体」とは電界、熱等を加えるこ
とによつて静電容量が変化し、さらに電界、熱等
を除去した後もその静電容量が一定の時間変化し
ないで、記憶される誘電体を示し、例えばスメク
チツク相を有する液晶、コレステリツク相を有す
る液晶、PLZT等が挙げられるが、比較的低温度
で情報の書込が可能でしかも記憶時間の長いスメ
クチツク相を有する液晶を使用することが好まし
い。 Here, a "dielectric material" is a material whose capacitance changes when an electric field, heat, etc. is applied, and which remains unchanged for a certain period of time even after the electric field, heat, etc. is removed, and is stored. For example, liquid crystals with a smectic phase, liquid crystals with a cholesteric phase, PLZT, etc. are used. Liquid crystals with a smectic phase are used, which allow information to be written at relatively low temperatures and have a long storage time. It is preferable to do so.
また、「電圧上昇率dv/dtが一定な電圧」と
は、ランプ状電圧、三角波電圧等が挙げられ、そ
の電圧値が誘電体の静電容量を殆んど変化させな
い程度が望ましい。 Further, "a voltage with a constant voltage increase rate dv/dt" includes a ramp voltage, a triangular wave voltage, etc., and it is desirable that the voltage value hardly changes the capacitance of the dielectric material.
以下、本発明をスメクチツク相を有する液晶を
例にとり詳細に説明する。
Hereinafter, the present invention will be explained in detail by taking a liquid crystal having a smectic phase as an example.
第2図は、本発明の実施例による液晶装置の全
体構成図を示したものである。画像情報書込み手
段21は、基板の一方の電極と他方の電極との対
向部分の誘電体となるスメクチツク相を有する液
晶を静電容量を変化させ、液晶パネル22に文
字、記号などの画像情報を書き込むための手段で
ある。液晶パネル22に書き込まれた画像情報
は、電極の対向部分の液晶に印加する電圧上昇率
dv/dtが一定な電圧を発生するところの画像情
報読出し電圧発生回路20、及び電極の対向部分
の誘電体に流れる電流を検出するところの画像情
報検出回路23により読出されて画像信号変換回
路24に送られる。ここで得られた画像情報信号
を、例えばマイクロプロセツサ(CPU)などで
構成した外部回路25に取り込む。 FIG. 2 shows an overall configuration diagram of a liquid crystal device according to an embodiment of the present invention. The image information writing means 21 writes image information such as characters and symbols to the liquid crystal panel 22 by changing the capacitance of the liquid crystal having a smectic phase, which serves as a dielectric in the opposing portion of one electrode and the other electrode of the substrate. It is a means of writing. The image information written on the liquid crystal panel 22 is based on the voltage increase rate applied to the liquid crystal in the area facing the electrodes.
The image information readout voltage generation circuit 20 generates a voltage with a constant dv/dt, and the image information detection circuit 23 detects the current flowing through the dielectric material in the opposing portion of the electrodes.The image information is read out by the image signal conversion circuit 24. sent to. The image information signal obtained here is taken into an external circuit 25 composed of, for example, a microprocessor (CPU).
本出願人は、特願昭58−29450により、液晶パ
ネル22及び画像情報書込み手段21の構成、動
作を詳細に述べている。このため、液晶パネル2
2及び画像情報書込み手段21を簡単に説明す
る。液晶パネル22の概略断面図を第3図、概略
平面図を第4図に示す。液晶パネルは、対向面に
複数のY電極29、複数のX電極30とが交差す
る様に並設される一対の基板26,27の間に、
10μm程度のギヤツプをつくり、スメクチツク相
を有する液晶31を前記基板間に入れてスペーサ
28で封止する。ここで、Y電極29、X電極3
0の対向部分は画素となり全体としてマトリクス
を形成している。 The present applicant has described in detail the structure and operation of the liquid crystal panel 22 and the image information writing means 21 in Japanese Patent Application No. 58-29450. For this reason, the liquid crystal panel 2
2 and the image information writing means 21 will be briefly explained. A schematic cross-sectional view of the liquid crystal panel 22 is shown in FIG. 3, and a schematic plan view is shown in FIG. 4. The liquid crystal panel includes a pair of substrates 26 and 27 arranged in parallel with a plurality of Y electrodes 29 and a plurality of X electrodes 30 intersecting each other on opposing surfaces.
A gap of about 10 μm is created, and a liquid crystal 31 having a smectic phase is placed between the substrates and sealed with a spacer 28. Here, Y electrode 29, X electrode 3
The portion facing 0 becomes a pixel, forming a matrix as a whole.
第5図は、前記したスメクチツク相を有する液
晶の光学特性図を示したものである。スメクチツ
ク相を有する液晶を加熱すると等方性液体相(c
点)となりほぼ透明状態となる。ここで、液晶層
に十分な電圧を印加して液晶層を冷却するとスメ
クチツク相(a点)となりほぼ透明状態となりこ
の状態が保持される。 FIG. 5 shows an optical characteristic diagram of the liquid crystal having the above-mentioned smectic phase. When a liquid crystal with a smectic phase is heated, it becomes an isotropic liquid phase (c
point) and becomes almost transparent. When a sufficient voltage is applied to the liquid crystal layer to cool the liquid crystal layer, the liquid crystal layer enters a smectic phase (point a), becomes almost transparent, and maintains this state.
一方、液晶層に加わる電圧を0Vあるいはこの
近傍に設定すると散乱性を示すスメクチツク相
(b点)となり明るさが減少し以後この状態が保
持される。 On the other hand, when the voltage applied to the liquid crystal layer is set to 0V or around 0V, a smectic phase exhibiting scattering properties (point b) occurs, the brightness decreases, and this state is maintained thereafter.
次に画像情報書込み手段21について説明す
る。第6図,第7図は、スメクチツク相を有する
液晶を用いた液晶パネルにレーザ光を照射して画
像情報を書込む手段を示したものである。 Next, the image information writing means 21 will be explained. FIGS. 6 and 7 show means for writing image information by irradiating laser light onto a liquid crystal panel using liquid crystal having a smectic phase.
第6図は、レーザ光を任意の位置に集光できる
ようなレーザペン33を設けたものである。レー
ザペン33は、レーザ光を光源から導く光フアイ
バと集光用レンズで構成するものまたは、半導体
レーザ34と集光レンズ35を一体化したもの等
を用いる。 FIG. 6 shows a device equipped with a laser pen 33 that can focus laser light on an arbitrary position. The laser pen 33 is composed of an optical fiber that guides laser light from a light source and a condensing lens, or one in which a semiconductor laser 34 and a condensing lens 35 are integrated.
第7図は、他の画像情報書込み手段を示したも
ので、レーザ36、レーザ光の変調を行なう変調
器37、レーザ光を任意の方向に偏向するX方
向、Y方向の偏向器38と、液晶素子面上にレー
ザ光を集光するレンズ39から構成されている。 FIG. 7 shows another image information writing means, which includes a laser 36, a modulator 37 that modulates the laser beam, an X-direction deflector 38, a Y-direction deflector 38 that deflects the laser beam in any direction, It is composed of a lens 39 that focuses laser light onto the liquid crystal element surface.
第8図は、画像情報書込み手段の他の実施例を
示したものである。 FIG. 8 shows another embodiment of the image information writing means.
ここで、液晶パネル46の画素のうち斜線を施
した画素e12,e13,e21,e23,e31,e32を書込み状
態(散乱状態)、他の画素e11,e22,e33を非書込
み状態(透明状態)とする場合の、X電極44a
〜44cとY電極43a〜43cに加える電圧を
第9図に示す。 Here, among the pixels of the liquid crystal panel 46, the shaded pixels e 12 , e 13 , e 21 , e 23 , e 31 , and e 32 are in the written state (scattered state), and the other pixels e 11 , e 22 , and e X electrode 44a when 33 is in a non-writing state (transparent state)
44c and the voltages applied to the Y electrodes 43a to 43c are shown in FIG.
次に画像情報を読み出す方法の原理を説明す
る。 Next, the principle of a method for reading out image information will be explained.
第8図に示されるマトリクス状に配置される画
素e11〜e33を一種のコンデンサと考えると、液晶
パネル46は、第10図に示すように、コンデン
サ群48とみなすことができる。 Considering the pixels e 11 to e 33 arranged in a matrix shown in FIG. 8 as a kind of capacitor, the liquid crystal panel 46 can be considered as a group of capacitors 48 as shown in FIG. 10.
このとき、各々の画素は、電極間に誘電体であ
る液晶層が満されたものであるから、前記したよ
うに、書込み状態あるいは非書込み状態でその分
子配向が異なることに起因した誘電率のちがいに
よつて、その静電容量が異なる。 At this time, each pixel is filled with a dielectric liquid crystal layer between the electrodes, so as mentioned above, the dielectric constant changes due to the different molecular orientation in the written state or non-written state. The capacitance varies depending on the difference.
したがつて書込み状態の画素の静電容量CWと
非書込み状態の画素の静電容量CNWは異なる。前
記したように例えば、正の誘電異方性をもつ液晶
材料を用い、非書込み状態では垂直配向する場合
ではCW<CNWとなり、その比は、
CNW/CW=ε/1/3(ε+2ε⊥)>1 ……(1)
となる。本発明者等は、ε=12,ε⊥=4.7の液
晶材料を用いて静電容量を測定した結果、CNW/
CW=1.48となり(1)式による計算値の1.68に近い値
であることを確認している。 Therefore, the capacitance CW of a pixel in a written state is different from the capacitance CNW of a pixel in a non-written state. As mentioned above, for example, when a liquid crystal material with positive dielectric anisotropy is used and vertically aligned in the non-written state, C W <C NW , and the ratio is C NW /C W =ε/1/3. (ε+2ε⊥)>1 ...(1). The inventors measured the capacitance using a liquid crystal material with ε=12 and ε⊥=4.7, and found that C NW /
It has been confirmed that C W =1.48, which is close to the calculated value of 1.68 using equation (1).
以上に述べたように、書込み状態の画素と非書
込み状態の画素とでは、静電容量が異なるので、
その静電容量のちがいを電気的に読出すことによ
つて、書込まれた情報を認識し外部装置に出力す
ることができる。 As mentioned above, pixels in the written state and pixels in the non-written state have different capacitances, so
By electrically reading out the difference in capacitance, the written information can be recognized and output to an external device.
第10図において、画素e11の静電容量を読出
すには、Y電極50aに電圧上昇率(dv/dt)
が一定の読出し電圧vRを印加すると共に、Y電極
50b,50cとX電極49b,49cを一定電
位としてX電極49aに流れ出す電流iSを検出す
る。 In FIG. 10, in order to read the capacitance of pixel e 11 , a voltage increase rate (dv/dt) is applied to the Y electrode 50a.
applies a constant readout voltage v R and detects a current i S flowing into the X electrode 49a with the Y electrodes 50b, 50c and the X electrodes 49b, 49c at constant potential.
この時、読出し電圧vRと電流iSの関係を第11
図に示す。電率iSの飽和値は、画素e11の静電容量
C11と読出し電圧vRの電圧上昇率(dv/dt=K)
のみで定まる。このため、電流iSの飽和値の大小
を判別することによつて各各の画素に書込まれて
いる情報を読出すことができる。 At this time, the relationship between the read voltage v R and the current i S is expressed as
As shown in the figure. The saturation value of electric constant i S is the capacitance of pixel e 11
C 11 and read voltage v R voltage increase rate (dv/dt=K)
Determined only by Therefore, information written in each pixel can be read out by determining the magnitude of the saturation value of the current i S.
これらの詳細は、本出願人による特願昭58―
29450、特願昭58―90716に述べられている。 These details are provided in the patent application filed by the applicant in 1982.
29450, as stated in patent application No. 58-90716.
次に第2図に示した画像情報読出し電圧発生回
路20、画像情報検出回路23、画像情報信号変
換回路24の実施例について説明する。 Next, an embodiment of the image information read voltage generation circuit 20, image information detection circuit 23, and image information signal conversion circuit 24 shown in FIG. 2 will be described.
第12図は、本発明による実施例を示したもの
である。Y電極56a〜56cは、例えば抵抗率
0.1Ω/□、幅0.2mm、長さ180mmのCrより形成され
ており、またX電極57a〜57cは抵抗率
100Ω/□、幅0.2mm、長さ120mmの透明導電膜に
より形成される。液晶マトリクスパネル55のY
電極56a〜56cには、1out of 2のアナログ
スイツチ58a〜58cを接続する。そして、
各々のスイツチの一方の端子を接地し、他方の端
子を読出し電圧発生回路61に接続する。なお、
前記した各々のスイツチの出力信号VL1〜VL3は、
垂直走査回路60からの走査信号CP1〜CP3によ
り、接地レベル又は、読出し電圧vRとなる。 FIG. 12 shows an embodiment according to the present invention. The Y electrodes 56a to 56c have resistivity, for example.
It is made of Cr with a resistance of 0.1Ω/□, a width of 0.2mm, and a length of 180mm.
It is formed from a transparent conductive film of 100Ω/□, width 0.2mm, and length 120mm. Y of liquid crystal matrix panel 55
One out of two analog switches 58a to 58c are connected to the electrodes 56a to 56c. and,
One terminal of each switch is grounded, and the other terminal is connected to the read voltage generation circuit 61. In addition,
The output signals V L1 to V L3 of each of the switches mentioned above are
The scanning signals CP 1 to CP 3 from the vertical scanning circuit 60 provide the ground level or the read voltage v R .
一方、X電極57a〜57cには、1out of 2
のアナログスイツチ59a〜59cを接続する。
そして、各々のスイツチの一方の端子を接地し、
他方の端子を画像情報検出回路23に接続する。
前記した各々のスイツチは、水平走査回路65か
らの走査信号CL1〜CL3により制御され、この結
果、X電極の57a〜57cに流れ出す電流iS1
〜iS3は、選択的に画像情報検出回路に入力され
る。 On the other hand, the X electrodes 57a to 57c have 1out of 2
analog switches 59a to 59c are connected.
Then, ground one terminal of each switch,
The other terminal is connected to the image information detection circuit 23.
Each of the switches described above is controlled by the scanning signals CL 1 to CL 3 from the horizontal scanning circuit 65, and as a result, the current i S1 flowing into the X electrodes 57a to 57c
~i S3 is selectively input to the image information detection circuit.
第13図は、画像情報検出回路23及び、画像
情報信号変換回路24の具体的な実施例を示した
ものである。 FIG. 13 shows a specific example of the image information detection circuit 23 and the image information signal conversion circuit 24.
画像情報検出回路23は、スイツチ59a〜5
9cにより選択された電流iS0を電圧vSに変換する
電流―電圧変換回路66aと、前記電圧vSと基準
電源68からの基準電圧Vrefとを比較する比較回
路67から構成されている。 The image information detection circuit 23 includes switches 59a to 5
It is comprised of a current-voltage conversion circuit 66a that converts the current i S0 selected by 9c into a voltage v S , and a comparison circuit 67 that compares the voltage v S with a reference voltage V ref from a reference power supply 68.
さらに、画像情報信号変換回路24は、前記比
較回路67で得られたD0をCPR信号のタイミン
グで取り込み、画像情報信号D1として出力する。 Further, the image information signal conversion circuit 24 takes in D 0 obtained by the comparison circuit 67 at the timing of the CPR signal, and outputs it as an image information signal D 1 .
そこで、第12図の回路動作を第14図,第1
5図を用いて詳細に説明する。 Therefore, the circuit operation in Figure 12 is shown in Figure 14 and Figure 1.
This will be explained in detail using FIG.
第14図は、画素e11〜e33の静電容量を読出す
時のY電極電圧VL1〜VL3と水平側スイツチの走
査信号CL1〜CL3及びCPRとの関係を概略的に示
したものである。 FIG. 14 schematically shows the relationship between the Y electrode voltages V L1 to V L3 and the horizontal switch scanning signals CL 1 to CL 3 and CPR when reading out the capacitance of pixels e 11 to e 33 . It is something that
スイツチ58a〜58cにより、Y電極電圧
VL1〜VL3は、波高値5Vの読出し電圧vRもしくは、
接地レベル(0)となる。この時、時刻t0′から
印加され始める読出し電圧vRは、dv/dtが一定の
電圧とする。 The switches 58a to 58c control the Y electrode voltage.
V L1 to V L3 are the read voltage v R with a peak value of 5 V, or
It becomes the ground level (0). At this time, it is assumed that the read voltage v R that starts being applied from time t 0 ' has a constant dv/dt.
この結果、X電極57a〜57cには、電流
iS1〜iS3(変位電流)が流れ出すが、これらの電流
が一定値を示した時刻t0で、まず走査信号CL1を
“H”にして、電流iS1のみを電流―電圧変換回路
に入力する。本実施例ではt0′からt0までの時間T1
は、約40〜50μsecである。 As a result, the current flows through the X electrodes 57a to 57c.
i S1 to i S3 (displacement currents) begin to flow, but at time t 0 when these currents show a constant value, first, the scanning signal CL 1 is set to "H" and only the current i S1 is sent to the current-voltage conversion circuit. input. In this example, the time T 1 from t 0 ' to t 0
is approximately 40-50μsec.
次に、時刻t1で電流iS2を、さらに、時刻t2で電
流iS3を順次電流―電圧変換回路66に入力する。
尚、本実施例では、t0からt1、及びt1からt2まで
の時間T2は、約0.5μsecである。 Next, the current i S2 is inputted to the current-voltage conversion circuit 66 at time t 1 and the current i S3 is inputted to the current-voltage conversion circuit 66 at time t 2 .
In this embodiment, the time T 2 from t 0 to t 1 and from t 1 to t 2 is approximately 0.5 μsec.
以上の動作により画素e11〜e13の静電容量を読
出すことができる。また、この動作をそれぞれの
ライン毎に繰り返す。 Through the above operations, the capacitances of the pixels e 11 to e 13 can be read. Further, this operation is repeated for each line.
特に、画素e11〜e33の静電容量を読出す時の動
作を第15図を用いてさらに詳細に説明する。 In particular, the operation when reading out the capacitance of pixels e 11 to e 33 will be explained in more detail using FIG. 15.
今、画素e11,e13を書込み状態、画素e12を非書
込み状態とする。この時、画素e11〜e13の静電容
量を各々C11,C12,C13とするとC11=C13,C11<
C12となる。 Now, let pixels e 11 and e 13 be in a writing state and pixel e 12 be in a non-writing state. At this time, if the capacitances of pixels e 11 to e 13 are respectively C 11 , C 12 , and C 13 , then C 11 = C 13 , C 11 <
C 12 .
このため、電流iS1〜iS3の飽和値IS1(IS3)及び、
IS2は、次式のようになる。 Therefore, the saturation value I S1 (I S3 ) of the currents i S1 to i S3 and
I S2 becomes as follows.
IS1=dv/dtC11,IS2=dv/dtC12
前式でC11<C12であるから、IS1<IS2となる。
なお、dv/dtは、電圧VL1の電圧上昇率である。 I S1 = dv/dtC 11 , I S2 = dv/dtC 12 Since C 11 < C 12 in the previous equation, I S1 < I S2 .
Note that dv/dt is the voltage increase rate of the voltage V L1 .
そこで、電流iS1〜iS3が飽和した時刻t0から、
各々の電流をスイツチ59a〜59cにより連続
して順次選択し、電流―電圧変換回路66に入力
する。 Therefore, from time t 0 when the currents i S1 to i S3 are saturated,
Each current is sequentially selected by switches 59a to 59c and inputted to current-voltage conversion circuit 66.
この結果、得られる検出電圧vSと基準電圧Vfef
とを比較回路67で比較し、さらにこの出力信号
D0をCPRのタイミングにより画像情報信号変換
回路24に取り込む。 As a result, the obtained detection voltage v S and reference voltage V fef
The comparator circuit 67 compares the output signal with
D 0 is taken into the image information signal conversion circuit 24 at the timing of CPR.
以上の動作により、各々の画素に書込まれた情
報を読出すことができる。 Through the above operations, the information written in each pixel can be read out.
ところで、電流iS1〜iS3が飽和するまでの飽和
時間T1は、X電極及びY電極の抵抗及び、各各
の画素の静電容量により定まるが、特に、パネル
が大型化すると飽和時間T1が長くなる。 By the way, the saturation time T1 until the currents i S1 to i S3 are saturated is determined by the resistance of the X electrode and the Y electrode and the capacitance of each pixel, but especially as the panel becomes larger, the saturation time T1 becomes shorter. 1 becomes longer.
しかし、本実施例によれば、電流が飽和した時
点t0から、短かい時間で各々のX電極に流れる電
流を順次選択する方式としているため、実質的に
1画面の読出し時間を短かくでき、特に、大型の
パネルの情報読出しに最適である。 However, according to this embodiment, since the current flowing through each X electrode is sequentially selected in a short period of time from the time point t0 when the current is saturated, it is possible to substantially shorten the readout time for one screen. It is particularly suitable for reading information from large panels.
第16図は、本発明による他の実施例を示した
ものである。 FIG. 16 shows another embodiment according to the present invention.
液晶マトリクスパネル69に接続した1out of
2スイツチ71,73及び、垂直走査回路70、
読出し電圧発生回路72、電流―電圧変換回路6
6、比較回路67、画像情報信号変換回路24の
動作は、第12図に示した各々の回路と同一であ
る。 1out of connected to liquid crystal matrix panel 69
2 switches 71, 73 and a vertical scanning circuit 70,
Read voltage generation circuit 72, current-voltage conversion circuit 6
6. The operations of the comparison circuit 67 and the image information signal conversion circuit 24 are the same as those of the respective circuits shown in FIG.
本実施例の特徴は、X電極に接続した1out of
2スイツチをM個のブロツクに分割し、各々のブ
ロツクに対応して、電流―電圧変換回路66、比
較回路67及び画像情報信号変換回路24を設け
たことにある。 The feature of this embodiment is that the 1out of
2 switches are divided into M blocks, and a current-voltage conversion circuit 66, a comparison circuit 67, and an image information signal conversion circuit 24 are provided corresponding to each block.
これにより、M個の画素の情報を同時に読出す
ことができるため、1画面の情報をより短かい時
間で読出すことができる。 As a result, information on M pixels can be read out simultaneously, so information on one screen can be read out in a shorter time.
本発明によれば、大型マトリクスパネルに書込
まれている情報を簡単な回路でしかも短かい時間
で読出すことができるため、高信頼性、高機能の
表示装置を構成できる。
According to the present invention, since information written on a large matrix panel can be read out using a simple circuit and in a short time, a highly reliable and highly functional display device can be constructed.
さらには、高分解能、高速性を要求される漢字
入力等の入力タブレツトとしても有用である。 Furthermore, it is also useful as an input tablet for kanji input, etc., which requires high resolution and high speed.
第1図は、従来の液晶表示装置を示す図、第2
図は、本発明の一実施例の装置全体の構成図、第
3図と第4図は本発明の実施例に用いる液晶パネ
ルの構造図、第5図は本発明の実施例に用いる液
晶の温度特性図、第6図〜第9図は、画像情報書
込みの実施例を示す図、第10図〜第13図は画
像情報読出し回路の実施例を示す図、第14図と
第15図は画像情報読出し動作の実施例を示す
図、第16図は画像情報読出し回路の他の実施例
を示す図である。
49a〜49c,57a〜57c…X電極、5
0a〜50c,58a〜58c…Y電極。
Figure 1 is a diagram showing a conventional liquid crystal display device, Figure 2 is a diagram showing a conventional liquid crystal display device;
The figure is a block diagram of the entire device according to an embodiment of the present invention, FIGS. 3 and 4 are structural diagrams of a liquid crystal panel used in an embodiment of the present invention, and FIG. 5 is a structural diagram of a liquid crystal panel used in an embodiment of the present invention. Temperature characteristic diagrams, FIGS. 6 to 9 are diagrams showing examples of writing image information, FIGS. 10 to 13 are diagrams showing examples of image information reading circuits, and FIGS. 14 and 15 are diagrams showing examples of image information writing. FIG. 16 is a diagram showing an embodiment of the image information reading operation, and FIG. 16 is a diagram showing another embodiment of the image information reading circuit. 49a-49c, 57a-57c...X electrode, 5
0a to 50c, 58a to 58c...Y electrodes.
Claims (1)
の電極とが対向し、上記一方の電極と上記他方の
電極との対向部分が全体としてマトリクス状をな
す様に形成される一対の基板と、該一対の基板間
に保持される誘電体と、上記一方の電極と上記他
方の電極との対向部分の任意の誘電体の静電容量
を変化させる手段と、任意の上記一方電極に電圧
上昇率dv/dtが一定な電圧を印加する手段と、
上記電圧が上記一方の電極に印加される期間内の
上記対向部分の誘電体に流れる変位電流が飽和し
た後に上記一方の電極に対向する少なくとも2列
の他方の電極に流れる変位電流を順次検出する手
段とを具備することを特徴とする情報保持装置。1. A pair of substrates in which a plurality of rows of one electrode and a plurality of columns of the other electrode face each other on opposing surfaces, and the opposing portions of the one electrode and the other electrode are formed in a matrix shape as a whole. a dielectric held between the pair of substrates, a means for changing the capacitance of any dielectric in the opposing portion of the one electrode and the other electrode, and applying a voltage to any one of the electrodes. means for applying a voltage with a constant rate of increase dv/dt;
After the displacement current flowing through the dielectric of the opposing portion saturates during the period in which the voltage is applied to the one electrode, the displacement current flowing through at least two rows of other electrodes facing the one electrode is sequentially detected. An information holding device comprising: means.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58183791A JPS6075821A (en) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | Information holder |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58183791A JPS6075821A (en) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | Information holder |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6075821A JPS6075821A (en) | 1985-04-30 |
| JPH0150916B2 true JPH0150916B2 (en) | 1989-11-01 |
Family
ID=16141987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58183791A Granted JPS6075821A (en) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | Information holder |
Country Status (1)
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Families Citing this family (3)
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| JP2788290B2 (en) * | 1988-07-08 | 1998-08-20 | オリンパス光学工業株式会社 | Ferroelectric memory |
| CN107636518A (en) * | 2015-06-01 | 2018-01-26 | 三菱电机株式会社 | Display confirms device, liquid crystal display device, instrument display and display confirmation method |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP58183791A patent/JPS6075821A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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