JPH0150916B2 - - Google Patents
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- JPH0150916B2 JPH0150916B2 JP58183791A JP18379183A JPH0150916B2 JP H0150916 B2 JPH0150916 B2 JP H0150916B2 JP 58183791 A JP58183791 A JP 58183791A JP 18379183 A JP18379183 A JP 18379183A JP H0150916 B2 JPH0150916 B2 JP H0150916B2
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- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/13306—Circuit arrangements or driving methods for the control of single liquid crystal cells
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
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- G02F1/137—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering
- G02F1/13731—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells characterised by the electro-optical or magneto-optical effect, e.g. field-induced phase transition, orientation effect, guest-host interaction or dynamic scattering based on a field-induced phase transition
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
- G11B7/004—Recording, reproducing or erasing methods; Read, write or erase circuits therefor
- G11B7/0055—Erasing
- G11B7/00555—Erasing involving liquid crystal media
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、情報保持装置に係り、特に書き込ま
れた情報を外部装置に出力できる情報保持装置に
関する。以下、情報保持装置として、表示機能と
情報保持機納とを備えた液晶装置を例にとり説明
する。
れた情報を外部装置に出力できる情報保持装置に
関する。以下、情報保持装置として、表示機能と
情報保持機納とを備えた液晶装置を例にとり説明
する。
従来、情報保持装置としては、表示機能と情報
保持機能とを備えたスメクチツク液晶等からなる
装置、やPLZT等の強誘電性物質からなる装置が
知られている。
保持機能とを備えたスメクチツク液晶等からなる
装置、やPLZT等の強誘電性物質からなる装置が
知られている。
例えば液晶装置は、ネマチツク液晶、コレステ
リツク液晶、あるいはスメクチツク液晶を用いた
種々の表示原理を利用したものが知られている
が、いずれも液晶分子の配向状態を何らかの外部
場により変化させ、これによる光学的性質の変化
を利用して表示を達成するものである。
リツク液晶、あるいはスメクチツク液晶を用いた
種々の表示原理を利用したものが知られている
が、いずれも液晶分子の配向状態を何らかの外部
場により変化させ、これによる光学的性質の変化
を利用して表示を達成するものである。
これらの液晶装置の一例として米国特許第
3796999号“Locally Erasable Thermo−
Optic・Smectic Liquid Crystal Storage
Displays”に示されている熱書込み型液晶装置に
ついて概要を述べる。
3796999号“Locally Erasable Thermo−
Optic・Smectic Liquid Crystal Storage
Displays”に示されている熱書込み型液晶装置に
ついて概要を述べる。
本装置では、第１図ａに示すような二枚のガラ
ス基板１１，１２の内側に透明電極１３，１４を
設け、この間にスメクチツク液晶１５を封入す
る。この様な表示パネルにAr（アルゴン）レーザ
あるいはYAG（イツトリウム・アルミニウム・ガ
ーネツト）レーザなどにより発せられたレーザビ
ーム１６をレンズ１７により集光し、表示部分１
８のスメクチツク液晶１５の温度を上昇させ、一
旦、等方性液晶相にする。
ス基板１１，１２の内側に透明電極１３，１４を
設け、この間にスメクチツク液晶１５を封入す
る。この様な表示パネルにAr（アルゴン）レーザ
あるいはYAG（イツトリウム・アルミニウム・ガ
ーネツト）レーザなどにより発せられたレーザビ
ーム１６をレンズ１７により集光し、表示部分１
８のスメクチツク液晶１５の温度を上昇させ、一
旦、等方性液晶相にする。
その後レーザビームを除去することによりスメ
クチツク相まで急冷すると第１図ｂに示すよう
に、液晶分子の配向方向が乱れ、強い散乱性を示
す領域１９が発生する。この散乱状態は安定に存
続するので、任意の画像情報書込みが達成でき
る。
クチツク相まで急冷すると第１図ｂに示すよう
に、液晶分子の配向方向が乱れ、強い散乱性を示
す領域１９が発生する。この散乱状態は安定に存
続するので、任意の画像情報書込みが達成でき
る。
以上で述べた表示原理に基づき、熱書込み型液
晶装置はレーザビームの走査、変調により、液晶
素子上に任意の画像情報を書込み、さらに電界印
加も併用することにより部分消去も達成できるの
で表示装置として優れている。しかし、書込まれ
た画像情報の読出し機能がなく、情報信号を画像
として入力する表示装置としてのみ利用されてい
た。
晶装置はレーザビームの走査、変調により、液晶
素子上に任意の画像情報を書込み、さらに電界印
加も併用することにより部分消去も達成できるの
で表示装置として優れている。しかし、書込まれ
た画像情報の読出し機能がなく、情報信号を画像
として入力する表示装置としてのみ利用されてい
た。
また、その他の情報保持装置においても、これ
まで情報表示する機能しか有しておらず、情報出
力装置としては使用できなかつた。
まで情報表示する機能しか有しておらず、情報出
力装置としては使用できなかつた。
本発明の目的は、画素がXYマトリクス状に配
置されるものにおいて、クロストークによる電流
には全く影響されず、簡単な回路で情報信号の入
出力を短時間で行ないうる情報保持装置を提供す
ることにある。
置されるものにおいて、クロストークによる電流
には全く影響されず、簡単な回路で情報信号の入
出力を短時間で行ないうる情報保持装置を提供す
ることにある。
上記目的を達成する本発明情報保持装置の特徴
とするところは、対向面に複数の一方電極と複数
の他方の電極とが対向し、上記一方の電極と上記
他方の電極との対向部分が全体としてマトリクス
をなす様に形成される一対の基板と、該一対の基
板間に保持される誘電体と、任意の上記対向部分
の誘電体の静電容量を変化させる手段と、任意の
上記一方の電極に電圧上昇率dv／dtが一定な電
圧を印加する手段と、上記電圧が上記一方の電極
に印加される期間に上記一方の電極に対向する少
なくとも２つの他方の電極に流れる電流を順次検
出する手段とを具備することにある。
とするところは、対向面に複数の一方電極と複数
の他方の電極とが対向し、上記一方の電極と上記
他方の電極との対向部分が全体としてマトリクス
をなす様に形成される一対の基板と、該一対の基
板間に保持される誘電体と、任意の上記対向部分
の誘電体の静電容量を変化させる手段と、任意の
上記一方の電極に電圧上昇率dv／dtが一定な電
圧を印加する手段と、上記電圧が上記一方の電極
に印加される期間に上記一方の電極に対向する少
なくとも２つの他方の電極に流れる電流を順次検
出する手段とを具備することにある。
ここで、「誘電体」とは電界、熱等を加えるこ
とによつて静電容量が変化し、さらに電界、熱等
を除去した後もその静電容量が一定の時間変化し
ないで、記憶される誘電体を示し、例えばスメク
チツク相を有する液晶、コレステリツク相を有す
る液晶、PLZT等が挙げられるが、比較的低温度
で情報の書込が可能でしかも記憶時間の長いスメ
クチツク相を有する液晶を使用することが好まし
い。
とによつて静電容量が変化し、さらに電界、熱等
を除去した後もその静電容量が一定の時間変化し
ないで、記憶される誘電体を示し、例えばスメク
チツク相を有する液晶、コレステリツク相を有す
る液晶、PLZT等が挙げられるが、比較的低温度
で情報の書込が可能でしかも記憶時間の長いスメ
クチツク相を有する液晶を使用することが好まし
い。
また、「電圧上昇率dv／dtが一定な電圧」と
は、ランプ状電圧、三角波電圧等が挙げられ、そ
の電圧値が誘電体の静電容量を殆んど変化させな
い程度が望ましい。
は、ランプ状電圧、三角波電圧等が挙げられ、そ
の電圧値が誘電体の静電容量を殆んど変化させな
い程度が望ましい。
以下、本発明をスメクチツク相を有する液晶を
例にとり詳細に説明する。
例にとり詳細に説明する。
第２図は、本発明の実施例による液晶装置の全
体構成図を示したものである。画像情報書込み手
段２１は、基板の一方の電極と他方の電極との対
向部分の誘電体となるスメクチツク相を有する液
晶を静電容量を変化させ、液晶パネル２２に文
字、記号などの画像情報を書き込むための手段で
ある。液晶パネル２２に書き込まれた画像情報
は、電極の対向部分の液晶に印加する電圧上昇率
dv／dtが一定な電圧を発生するところの画像情
報読出し電圧発生回路２０、及び電極の対向部分
の誘電体に流れる電流を検出するところの画像情
報検出回路２３により読出されて画像信号変換回
路２４に送られる。ここで得られた画像情報信号
を、例えばマイクロプロセツサ（CPU）などで
構成した外部回路２５に取り込む。
体構成図を示したものである。画像情報書込み手
段２１は、基板の一方の電極と他方の電極との対
向部分の誘電体となるスメクチツク相を有する液
晶を静電容量を変化させ、液晶パネル２２に文
字、記号などの画像情報を書き込むための手段で
ある。液晶パネル２２に書き込まれた画像情報
は、電極の対向部分の液晶に印加する電圧上昇率
dv／dtが一定な電圧を発生するところの画像情
報読出し電圧発生回路２０、及び電極の対向部分
の誘電体に流れる電流を検出するところの画像情
報検出回路２３により読出されて画像信号変換回
路２４に送られる。ここで得られた画像情報信号
を、例えばマイクロプロセツサ（CPU）などで
構成した外部回路２５に取り込む。
本出願人は、特願昭58−29450により、液晶パ
ネル２２及び画像情報書込み手段２１の構成、動
作を詳細に述べている。このため、液晶パネル２
２及び画像情報書込み手段２１を簡単に説明す
る。液晶パネル２２の概略断面図を第３図、概略
平面図を第４図に示す。液晶パネルは、対向面に
複数のＹ電極２９、複数のＸ電極３０とが交差す
る様に並設される一対の基板２６，２７の間に、
10μｍ程度のギヤツプをつくり、スメクチツク相
を有する液晶３１を前記基板間に入れてスペーサ
２８で封止する。ここで、Ｙ電極２９、Ｘ電極３
０の対向部分は画素となり全体としてマトリクス
を形成している。
ネル２２及び画像情報書込み手段２１の構成、動
作を詳細に述べている。このため、液晶パネル２
２及び画像情報書込み手段２１を簡単に説明す
る。液晶パネル２２の概略断面図を第３図、概略
平面図を第４図に示す。液晶パネルは、対向面に
複数のＹ電極２９、複数のＸ電極３０とが交差す
る様に並設される一対の基板２６，２７の間に、
10μｍ程度のギヤツプをつくり、スメクチツク相
を有する液晶３１を前記基板間に入れてスペーサ
２８で封止する。ここで、Ｙ電極２９、Ｘ電極３
０の対向部分は画素となり全体としてマトリクス
を形成している。
第５図は、前記したスメクチツク相を有する液
晶の光学特性図を示したものである。スメクチツ
ク相を有する液晶を加熱すると等方性液体相（ｃ
点）となりほぼ透明状態となる。ここで、液晶層
に十分な電圧を印加して液晶層を冷却するとスメ
クチツク相（ａ点）となりほぼ透明状態となりこ
の状態が保持される。
晶の光学特性図を示したものである。スメクチツ
ク相を有する液晶を加熱すると等方性液体相（ｃ
点）となりほぼ透明状態となる。ここで、液晶層
に十分な電圧を印加して液晶層を冷却するとスメ
クチツク相（ａ点）となりほぼ透明状態となりこ
の状態が保持される。
一方、液晶層に加わる電圧を0Vあるいはこの
近傍に設定すると散乱性を示すスメクチツク相
（ｂ点）となり明るさが減少し以後この状態が保
持される。
近傍に設定すると散乱性を示すスメクチツク相
（ｂ点）となり明るさが減少し以後この状態が保
持される。
次に画像情報書込み手段２１について説明す
る。第６図，第７図は、スメクチツク相を有する
液晶を用いた液晶パネルにレーザ光を照射して画
像情報を書込む手段を示したものである。
る。第６図，第７図は、スメクチツク相を有する
液晶を用いた液晶パネルにレーザ光を照射して画
像情報を書込む手段を示したものである。
第６図は、レーザ光を任意の位置に集光できる
ようなレーザペン３３を設けたものである。レー
ザペン３３は、レーザ光を光源から導く光フアイ
バと集光用レンズで構成するものまたは、半導体
レーザ３４と集光レンズ３５を一体化したもの等
を用いる。
ようなレーザペン３３を設けたものである。レー
ザペン３３は、レーザ光を光源から導く光フアイ
バと集光用レンズで構成するものまたは、半導体
レーザ３４と集光レンズ３５を一体化したもの等
を用いる。
第７図は、他の画像情報書込み手段を示したも
ので、レーザ３６、レーザ光の変調を行なう変調
器３７、レーザ光を任意の方向に偏向するＸ方
向、Ｙ方向の偏向器３８と、液晶素子面上にレー
ザ光を集光するレンズ３９から構成されている。
ので、レーザ３６、レーザ光の変調を行なう変調
器３７、レーザ光を任意の方向に偏向するＸ方
向、Ｙ方向の偏向器３８と、液晶素子面上にレー
ザ光を集光するレンズ３９から構成されている。
第８図は、画像情報書込み手段の他の実施例を
示したものである。
示したものである。
ここで、液晶パネル４６の画素のうち斜線を施
した画素e12，e13，e21，e23，e31，e32を書込み状
態（散乱状態）、他の画素e11，e22，e33を非書込
み状態（透明状態）とする場合の、Ｘ電極４４ａ
〜４４ｃとＹ電極４３ａ〜４３ｃに加える電圧を
第９図に示す。
した画素e12，e13，e21，e23，e31，e32を書込み状
態（散乱状態）、他の画素e11，e22，e33を非書込
み状態（透明状態）とする場合の、Ｘ電極４４ａ
〜４４ｃとＹ電極４３ａ〜４３ｃに加える電圧を
第９図に示す。
次に画像情報を読み出す方法の原理を説明す
る。
る。
第８図に示されるマトリクス状に配置される画
素e11〜e33を一種のコンデンサと考えると、液晶
パネル４６は、第１０図に示すように、コンデン
サ群４８とみなすことができる。
素e11〜e33を一種のコンデンサと考えると、液晶
パネル４６は、第１０図に示すように、コンデン
サ群４８とみなすことができる。
このとき、各々の画素は、電極間に誘電体であ
る液晶層が満されたものであるから、前記したよ
うに、書込み状態あるいは非書込み状態でその分
子配向が異なることに起因した誘電率のちがいに
よつて、その静電容量が異なる。
る液晶層が満されたものであるから、前記したよ
うに、書込み状態あるいは非書込み状態でその分
子配向が異なることに起因した誘電率のちがいに
よつて、その静電容量が異なる。
したがつて書込み状態の画素の静電容量CWと
非書込み状態の画素の静電容量CNWは異なる。前
記したように例えば、正の誘電異方性をもつ液晶
材料を用い、非書込み状態では垂直配向する場合
ではCW＜CNWとなり、その比は、 CNW／CW＝ε／１／３（ε＋2ε⊥）＞１ ……(1) となる。本発明者等は、ε＝12，ε⊥＝4.7の液
晶材料を用いて静電容量を測定した結果、CNW／
CW＝1.48となり(1)式による計算値の1.68に近い値
であることを確認している。
非書込み状態の画素の静電容量CNWは異なる。前
記したように例えば、正の誘電異方性をもつ液晶
材料を用い、非書込み状態では垂直配向する場合
ではCW＜CNWとなり、その比は、 CNW／CW＝ε／１／３（ε＋2ε⊥）＞１ ……(1) となる。本発明者等は、ε＝12，ε⊥＝4.7の液
晶材料を用いて静電容量を測定した結果、CNW／
CW＝1.48となり(1)式による計算値の1.68に近い値
であることを確認している。
以上に述べたように、書込み状態の画素と非書
込み状態の画素とでは、静電容量が異なるので、
その静電容量のちがいを電気的に読出すことによ
つて、書込まれた情報を認識し外部装置に出力す
ることができる。
込み状態の画素とでは、静電容量が異なるので、
その静電容量のちがいを電気的に読出すことによ
つて、書込まれた情報を認識し外部装置に出力す
ることができる。
第１０図において、画素e11の静電容量を読出
すには、Ｙ電極５０ａに電圧上昇率（dv／dt）
が一定の読出し電圧vRを印加すると共に、Ｙ電極
５０ｂ，５０ｃとＸ電極４９ｂ，４９ｃを一定電
位としてＸ電極４９ａに流れ出す電流iSを検出す
る。
すには、Ｙ電極５０ａに電圧上昇率（dv／dt）
が一定の読出し電圧vRを印加すると共に、Ｙ電極
５０ｂ，５０ｃとＸ電極４９ｂ，４９ｃを一定電
位としてＸ電極４９ａに流れ出す電流iSを検出す
る。
この時、読出し電圧vRと電流iSの関係を第１１
図に示す。電率iSの飽和値は、画素e11の静電容量
C11と読出し電圧vRの電圧上昇率（dv／dt＝Ｋ）
のみで定まる。このため、電流iSの飽和値の大小
を判別することによつて各各の画素に書込まれて
いる情報を読出すことができる。
図に示す。電率iSの飽和値は、画素e11の静電容量
C11と読出し電圧vRの電圧上昇率（dv／dt＝Ｋ）
のみで定まる。このため、電流iSの飽和値の大小
を判別することによつて各各の画素に書込まれて
いる情報を読出すことができる。
これらの詳細は、本出願人による特願昭58―
29450、特願昭58―90716に述べられている。
29450、特願昭58―90716に述べられている。
次に第２図に示した画像情報読出し電圧発生回
路２０、画像情報検出回路２３、画像情報信号変
換回路２４の実施例について説明する。
路２０、画像情報検出回路２３、画像情報信号変
換回路２４の実施例について説明する。
第１２図は、本発明による実施例を示したもの
である。Ｙ電極５６ａ〜５６ｃは、例えば抵抗率
0.1Ω／□、幅0.2mm、長さ180mmのCrより形成され
ており、またＸ電極５７ａ〜５７ｃは抵抗率
100Ω／□、幅0.2mm、長さ120mmの透明導電膜に
より形成される。液晶マトリクスパネル５５のＹ
電極５６ａ〜５６ｃには、1out of ２のアナログ
スイツチ５８ａ〜５８ｃを接続する。そして、
各々のスイツチの一方の端子を接地し、他方の端
子を読出し電圧発生回路６１に接続する。なお、
前記した各々のスイツチの出力信号VL1〜VL3は、
垂直走査回路６０からの走査信号CP1〜CP3によ
り、接地レベル又は、読出し電圧vRとなる。
である。Ｙ電極５６ａ〜５６ｃは、例えば抵抗率
0.1Ω／□、幅0.2mm、長さ180mmのCrより形成され
ており、またＸ電極５７ａ〜５７ｃは抵抗率
100Ω／□、幅0.2mm、長さ120mmの透明導電膜に
より形成される。液晶マトリクスパネル５５のＹ
電極５６ａ〜５６ｃには、1out of ２のアナログ
スイツチ５８ａ〜５８ｃを接続する。そして、
各々のスイツチの一方の端子を接地し、他方の端
子を読出し電圧発生回路６１に接続する。なお、
前記した各々のスイツチの出力信号VL1〜VL3は、
垂直走査回路６０からの走査信号CP1〜CP3によ
り、接地レベル又は、読出し電圧vRとなる。
一方、Ｘ電極５７ａ〜５７ｃには、1out of ２
のアナログスイツチ５９ａ〜５９ｃを接続する。
そして、各々のスイツチの一方の端子を接地し、
他方の端子を画像情報検出回路２３に接続する。
前記した各々のスイツチは、水平走査回路６５か
らの走査信号CL1〜CL3により制御され、この結
果、Ｘ電極の５７ａ〜５７ｃに流れ出す電流iS1
〜iS3は、選択的に画像情報検出回路に入力され
る。
のアナログスイツチ５９ａ〜５９ｃを接続する。
そして、各々のスイツチの一方の端子を接地し、
他方の端子を画像情報検出回路２３に接続する。
前記した各々のスイツチは、水平走査回路６５か
らの走査信号CL1〜CL3により制御され、この結
果、Ｘ電極の５７ａ〜５７ｃに流れ出す電流iS1
〜iS3は、選択的に画像情報検出回路に入力され
る。
第１３図は、画像情報検出回路２３及び、画像
情報信号変換回路２４の具体的な実施例を示した
ものである。
情報信号変換回路２４の具体的な実施例を示した
ものである。
画像情報検出回路２３は、スイツチ５９ａ〜５
９ｃにより選択された電流iS0を電圧vSに変換する
電流―電圧変換回路６６ａと、前記電圧vSと基準
電源６８からの基準電圧Vrefとを比較する比較回
路６７から構成されている。
９ｃにより選択された電流iS0を電圧vSに変換する
電流―電圧変換回路６６ａと、前記電圧vSと基準
電源６８からの基準電圧Vrefとを比較する比較回
路６７から構成されている。
さらに、画像情報信号変換回路２４は、前記比
較回路６７で得られたD0をCPR信号のタイミン
グで取り込み、画像情報信号D1として出力する。
較回路６７で得られたD0をCPR信号のタイミン
グで取り込み、画像情報信号D1として出力する。
そこで、第１２図の回路動作を第１４図，第１
５図を用いて詳細に説明する。
５図を用いて詳細に説明する。
第１４図は、画素e11〜e33の静電容量を読出す
時のＹ電極電圧VL1〜VL3と水平側スイツチの走
査信号CL1〜CL3及びCPRとの関係を概略的に示
したものである。
時のＹ電極電圧VL1〜VL3と水平側スイツチの走
査信号CL1〜CL3及びCPRとの関係を概略的に示
したものである。
スイツチ５８ａ〜５８ｃにより、Ｙ電極電圧
VL1〜VL3は、波高値5Vの読出し電圧vRもしくは、
接地レベル（０）となる。この時、時刻t0′から
印加され始める読出し電圧vRは、dv／dtが一定の
電圧とする。
VL1〜VL3は、波高値5Vの読出し電圧vRもしくは、
接地レベル（０）となる。この時、時刻t0′から
印加され始める読出し電圧vRは、dv／dtが一定の
電圧とする。
この結果、Ｘ電極５７ａ〜５７ｃには、電流
iS1〜iS3（変位電流）が流れ出すが、これらの電流
が一定値を示した時刻t0で、まず走査信号CL1を
“Ｈ”にして、電流iS1のみを電流―電圧変換回路
に入力する。本実施例ではt0′からt0までの時間T1
は、約40〜50μsecである。
iS1〜iS3（変位電流）が流れ出すが、これらの電流
が一定値を示した時刻t0で、まず走査信号CL1を
“Ｈ”にして、電流iS1のみを電流―電圧変換回路
に入力する。本実施例ではt0′からt0までの時間T1
は、約40〜50μsecである。
次に、時刻t1で電流iS2を、さらに、時刻t2で電
流iS3を順次電流―電圧変換回路６６に入力する。
尚、本実施例では、t0からt1、及びt1からt2まで
の時間T2は、約0.5μsecである。
流iS3を順次電流―電圧変換回路６６に入力する。
尚、本実施例では、t0からt1、及びt1からt2まで
の時間T2は、約0.5μsecである。
以上の動作により画素e11〜e13の静電容量を読
出すことができる。また、この動作をそれぞれの
ライン毎に繰り返す。
出すことができる。また、この動作をそれぞれの
ライン毎に繰り返す。
特に、画素e11〜e33の静電容量を読出す時の動
作を第１５図を用いてさらに詳細に説明する。
作を第１５図を用いてさらに詳細に説明する。
今、画素e11，e13を書込み状態、画素e12を非書
込み状態とする。この時、画素e11〜e13の静電容
量を各々C11，C12，C13とするとC11＝C13，C11＜
C12となる。
込み状態とする。この時、画素e11〜e13の静電容
量を各々C11，C12，C13とするとC11＝C13，C11＜
C12となる。
このため、電流iS1〜iS3の飽和値IS1（IS3）及び、
IS2は、次式のようになる。
IS2は、次式のようになる。
IS1＝dv／dtC11，IS2＝dv／dtC12
前式でC11＜C12であるから、IS1＜IS2となる。
なお、dv／dtは、電圧VL1の電圧上昇率である。
なお、dv／dtは、電圧VL1の電圧上昇率である。
そこで、電流iS1〜iS3が飽和した時刻t0から、
各々の電流をスイツチ５９ａ〜５９ｃにより連続
して順次選択し、電流―電圧変換回路６６に入力
する。
各々の電流をスイツチ５９ａ〜５９ｃにより連続
して順次選択し、電流―電圧変換回路６６に入力
する。
この結果、得られる検出電圧vSと基準電圧Vfef
とを比較回路６７で比較し、さらにこの出力信号
D0をCPRのタイミングにより画像情報信号変換
回路２４に取り込む。
とを比較回路６７で比較し、さらにこの出力信号
D0をCPRのタイミングにより画像情報信号変換
回路２４に取り込む。
以上の動作により、各々の画素に書込まれた情
報を読出すことができる。
報を読出すことができる。
ところで、電流iS1〜iS3が飽和するまでの飽和
時間T1は、Ｘ電極及びＹ電極の抵抗及び、各各
の画素の静電容量により定まるが、特に、パネル
が大型化すると飽和時間T1が長くなる。
時間T1は、Ｘ電極及びＹ電極の抵抗及び、各各
の画素の静電容量により定まるが、特に、パネル
が大型化すると飽和時間T1が長くなる。
しかし、本実施例によれば、電流が飽和した時
点t0から、短かい時間で各々のＸ電極に流れる電
流を順次選択する方式としているため、実質的に
１画面の読出し時間を短かくでき、特に、大型の
パネルの情報読出しに最適である。
点t0から、短かい時間で各々のＸ電極に流れる電
流を順次選択する方式としているため、実質的に
１画面の読出し時間を短かくでき、特に、大型の
パネルの情報読出しに最適である。
第１６図は、本発明による他の実施例を示した
ものである。
ものである。
液晶マトリクスパネル６９に接続した1out of
２スイツチ７１，７３及び、垂直走査回路７０、
読出し電圧発生回路７２、電流―電圧変換回路６
６、比較回路６７、画像情報信号変換回路２４の
動作は、第１２図に示した各々の回路と同一であ
る。
２スイツチ７１，７３及び、垂直走査回路７０、
読出し電圧発生回路７２、電流―電圧変換回路６
６、比較回路６７、画像情報信号変換回路２４の
動作は、第１２図に示した各々の回路と同一であ
る。
本実施例の特徴は、Ｘ電極に接続した1out of
２スイツチをＭ個のブロツクに分割し、各々のブ
ロツクに対応して、電流―電圧変換回路６６、比
較回路６７及び画像情報信号変換回路２４を設け
たことにある。
２スイツチをＭ個のブロツクに分割し、各々のブ
ロツクに対応して、電流―電圧変換回路６６、比
較回路６７及び画像情報信号変換回路２４を設け
たことにある。
これにより、Ｍ個の画素の情報を同時に読出す
ことができるため、１画面の情報をより短かい時
間で読出すことができる。
ことができるため、１画面の情報をより短かい時
間で読出すことができる。
本発明によれば、大型マトリクスパネルに書込
まれている情報を簡単な回路でしかも短かい時間
で読出すことができるため、高信頼性、高機能の
表示装置を構成できる。
まれている情報を簡単な回路でしかも短かい時間
で読出すことができるため、高信頼性、高機能の
表示装置を構成できる。
さらには、高分解能、高速性を要求される漢字
入力等の入力タブレツトとしても有用である。
入力等の入力タブレツトとしても有用である。
第１図は、従来の液晶表示装置を示す図、第２
図は、本発明の一実施例の装置全体の構成図、第
３図と第４図は本発明の実施例に用いる液晶パネ
ルの構造図、第５図は本発明の実施例に用いる液
晶の温度特性図、第６図〜第９図は、画像情報書
込みの実施例を示す図、第１０図〜第１３図は画
像情報読出し回路の実施例を示す図、第１４図と
第１５図は画像情報読出し動作の実施例を示す
図、第１６図は画像情報読出し回路の他の実施例
を示す図である。 ４９ａ〜４９ｃ，５７ａ〜５７ｃ…Ｘ電極、５
０ａ〜５０ｃ，５８ａ〜５８ｃ…Ｙ電極。
図は、本発明の一実施例の装置全体の構成図、第
３図と第４図は本発明の実施例に用いる液晶パネ
ルの構造図、第５図は本発明の実施例に用いる液
晶の温度特性図、第６図〜第９図は、画像情報書
込みの実施例を示す図、第１０図〜第１３図は画
像情報読出し回路の実施例を示す図、第１４図と
第１５図は画像情報読出し動作の実施例を示す
図、第１６図は画像情報読出し回路の他の実施例
を示す図である。 ４９ａ〜４９ｃ，５７ａ〜５７ｃ…Ｘ電極、５
０ａ〜５０ｃ，５８ａ〜５８ｃ…Ｙ電極。
Claims (1)
- １ 対向面に複数行の一方の電極と複数列の他方
の電極とが対向し、上記一方の電極と上記他方の
電極との対向部分が全体としてマトリクス状をな
す様に形成される一対の基板と、該一対の基板間
に保持される誘電体と、上記一方の電極と上記他
方の電極との対向部分の任意の誘電体の静電容量
を変化させる手段と、任意の上記一方電極に電圧
上昇率dv／dtが一定な電圧を印加する手段と、
上記電圧が上記一方の電極に印加される期間内の
上記対向部分の誘電体に流れる変位電流が飽和し
た後に上記一方の電極に対向する少なくとも２列
の他方の電極に流れる変位電流を順次検出する手
段とを具備することを特徴とする情報保持装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58183791A JPS6075821A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 情報保持装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58183791A JPS6075821A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 情報保持装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6075821A JPS6075821A (ja) | 1985-04-30 |
| JPH0150916B2 true JPH0150916B2 (ja) | 1989-11-01 |
Family
ID=16141987
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58183791A Granted JPS6075821A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | 情報保持装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6075821A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2788265B2 (ja) * | 1988-07-08 | 1998-08-20 | オリンパス光学工業株式会社 | 強誘電体メモリ及びその駆動方法，製造方法 |
| JP2788290B2 (ja) * | 1988-07-08 | 1998-08-20 | オリンパス光学工業株式会社 | 強誘電体メモリ |
| CN107636518A (zh) * | 2015-06-01 | 2018-01-26 | 三菱电机株式会社 | 显示确认装置、液晶显示装置、仪表显示器以及显示确认方法 |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP58183791A patent/JPS6075821A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6075821A (ja) | 1985-04-30 |
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