JPH0151051B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0151051B2 JPH0151051B2 JP56185081A JP18508181A JPH0151051B2 JP H0151051 B2 JPH0151051 B2 JP H0151051B2 JP 56185081 A JP56185081 A JP 56185081A JP 18508181 A JP18508181 A JP 18508181A JP H0151051 B2 JPH0151051 B2 JP H0151051B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- core tube
- furnace core
- protrusion
- rail groove
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P32/00—Diffusion of dopants within, into or out of wafers, substrates or parts of devices
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は半導体製造装置、特に半導体ウエー
ハを載置した支持台を炉芯管内に収容して上記ウ
エーハに熱処理を施す装置に関するものである。
ハを載置した支持台を炉芯管内に収容して上記ウ
エーハに熱処理を施す装置に関するものである。
半導体装置の製造において、半導体ウエーハに
拡散、酸化、CVD（化学的気相成長）、不純物押
し込み、シンターリング等の加熱を伴なう種々の
処理を施す場合、一般に半導体ウエーハをボート
と称される支持台上に載置した状態で加熱炉の炉
芯管内へ搬入して上記処理を行なつている。この
炉芯管およびボートは共に石英、炭化ケイ素、シ
リコン等の耐熱性材料で形成されているが、ボー
トの炉芯管への搬入および処理後の搬出に際して
両者の接触部が摩耗して細塵を発生し、この細塵
が半導体ウエーハ面に付着して、このウエーハよ
り最終的に分割して得られる半導体装置の不良の
要因となる問題がある。
拡散、酸化、CVD（化学的気相成長）、不純物押
し込み、シンターリング等の加熱を伴なう種々の
処理を施す場合、一般に半導体ウエーハをボート
と称される支持台上に載置した状態で加熱炉の炉
芯管内へ搬入して上記処理を行なつている。この
炉芯管およびボートは共に石英、炭化ケイ素、シ
リコン等の耐熱性材料で形成されているが、ボー
トの炉芯管への搬入および処理後の搬出に際して
両者の接触部が摩耗して細塵を発生し、この細塵
が半導体ウエーハ面に付着して、このウエーハよ
り最終的に分割して得られる半導体装置の不良の
要因となる問題がある。
例えば、不純物の拡散工程においては、ボート
と称される支持台上に多数の半導体ウエーハを垂
直に立てた状態で配列載置して炉芯管内へ搬入す
るが、この搬入時および拡散処理後の搬出時にボ
ートの下部を炉芯管内壁面に摺接させるため、接
触部で両方もしくは一方が摩耗して細塵を発生
し、この細塵が舞い上がつて半導体ウエーハ表面
に付着し易い。また、近年では量産化に対応して
一枚の半導体ウエーハにより多くの素子を組み込
む必要からウエーハ径を大きくする傾向にあり、
このために総重量が増大して上記細塵の発生も顕
著となり、その影響がより深刻化している。
と称される支持台上に多数の半導体ウエーハを垂
直に立てた状態で配列載置して炉芯管内へ搬入す
るが、この搬入時および拡散処理後の搬出時にボ
ートの下部を炉芯管内壁面に摺接させるため、接
触部で両方もしくは一方が摩耗して細塵を発生
し、この細塵が舞い上がつて半導体ウエーハ表面
に付着し易い。また、近年では量産化に対応して
一枚の半導体ウエーハにより多くの素子を組み込
む必要からウエーハ径を大きくする傾向にあり、
このために総重量が増大して上記細塵の発生も顕
著となり、その影響がより深刻化している。
この発明は、上述した従来の問題点を解決すべ
く鋭意研究を重ねて到達したものであり、半導体
ウエーハを載置する支持台の底面両側部に突条部
を設けると共に、炉芯管側に上記突条部に対応す
るレール条溝を設け、突条部若しくはレール条溝
に気体噴射口を設けることにより、炉芯管への搬
出入時に支持台を気体噴射によつて浮上させる構
造とした半導体製造装置に係るものである。
く鋭意研究を重ねて到達したものであり、半導体
ウエーハを載置する支持台の底面両側部に突条部
を設けると共に、炉芯管側に上記突条部に対応す
るレール条溝を設け、突条部若しくはレール条溝
に気体噴射口を設けることにより、炉芯管への搬
出入時に支持台を気体噴射によつて浮上させる構
造とした半導体製造装置に係るものである。
以下、この発明を図面に基づいて説明する。
第１図は不純物の拡散工程に適用したこの発明
の一実施例の半導体製造装置の概略的に示す。図
において、１は外周囲がヒータ２によつて覆われ
た石英製炉芯管であり、３は多数の半導体ウエー
ハ４，４…を垂直に立てた状態で載置したボート
である。
の一実施例の半導体製造装置の概略的に示す。図
において、１は外周囲がヒータ２によつて覆われ
た石英製炉芯管であり、３は多数の半導体ウエー
ハ４，４…を垂直に立てた状態で載置したボート
である。
第２図で示すように、ボート３の底面３ａには
長手方向に沿う両側部近傍に下方へ突出して長手
方向に連続する突条部５，５が形成されており、
各突条部５，５の内部には窒素ガス等の不活性気
体を外部から導入する気体導入路６，６が設けら
れ、且つ第３図でも示すように突条部５，５の頂
面５ａ，５ａには気体導入路６，６を通して導入
された気体７を下向きに噴射する噴射口８，８…
が所定間隔を置いて開設されている。一方、炉芯
管１の内部１ａの下部位置には、ボート３の突条
部５，５にそれぞれ対向して長手方向に連続する
凹形のレール条溝９，９を設けた軌道台１０，１
０が設けられている。このレール条溝９，９は第
２図で示すように上記ボート３の突条部５，５よ
り幅広となつており、また軌道台１０，１０は内
部が中空状となつて気体排出路１１，１１を構成
すると共に、レール条溝９，９を形成する側壁部
９ａ，９ａに気体排出路１１，１１に連通する透
孔１２，１２…が長手方向に所定間隔を置いて配
設されている。
長手方向に沿う両側部近傍に下方へ突出して長手
方向に連続する突条部５，５が形成されており、
各突条部５，５の内部には窒素ガス等の不活性気
体を外部から導入する気体導入路６，６が設けら
れ、且つ第３図でも示すように突条部５，５の頂
面５ａ，５ａには気体導入路６，６を通して導入
された気体７を下向きに噴射する噴射口８，８…
が所定間隔を置いて開設されている。一方、炉芯
管１の内部１ａの下部位置には、ボート３の突条
部５，５にそれぞれ対向して長手方向に連続する
凹形のレール条溝９，９を設けた軌道台１０，１
０が設けられている。このレール条溝９，９は第
２図で示すように上記ボート３の突条部５，５よ
り幅広となつており、また軌道台１０，１０は内
部が中空状となつて気体排出路１１，１１を構成
すると共に、レール条溝９，９を形成する側壁部
９ａ，９ａに気体排出路１１，１１に連通する透
孔１２，１２…が長手方向に所定間隔を置いて配
設されている。
上記構成の半導体制造装置によつて半導体ウエ
ーハ４，４…に不純物拡散を行なう場合、まず炉
芯管１の軌道台１０，１０に連結した同様レール
条溝を有する外部軌道台１３上でボート３に半導
体ウエーハ４，４…を塔載し、外部給気系（図示
略）よりボート３の気体導入路６，６へ室素ガス
等の不活性気体を所要圧力で導入して噴射口８，
８…より噴出させ、ボート３を軌道台１３上で浮
上状態とする。一方、炉芯管１の軌道台１０，１
０の気体排出路１１，１１を外部排気系（図示
略）からの吸引によつて炉芯管１内雰囲気に対し
て負圧としておく。次いで浮上状態にあるボート
３を操作棒１４等で押して炉芯管内部１ａまで浮
上状態のまま移動させる。この時、ボート３の突
条部５，５は炉芯管１内のレール条溝９，９内に
突入するが、気体７の噴射によつてボート３が浮
上して摺接せず、小さな力で極めてスムーズにボ
ート３の移動が行なわれ、従つて摺接による摩耗
で細塵が発生することはなくなる。また、仮に炉
芯管内部１ａやボート３に他の要因によつて細塵
が付着していたとしても、噴射される気体７は軌
道台１０の透孔１２，１２…を通して気体排出路
１１，１１から外部へ排出されるため、気体７が
炉芯管内部１ａの雰囲気を乱さず、遊離した細塵
は気体７と共に排出されて半導体ウエーハ４，４
…が汚損されずに済む。
ーハ４，４…に不純物拡散を行なう場合、まず炉
芯管１の軌道台１０，１０に連結した同様レール
条溝を有する外部軌道台１３上でボート３に半導
体ウエーハ４，４…を塔載し、外部給気系（図示
略）よりボート３の気体導入路６，６へ室素ガス
等の不活性気体を所要圧力で導入して噴射口８，
８…より噴出させ、ボート３を軌道台１３上で浮
上状態とする。一方、炉芯管１の軌道台１０，１
０の気体排出路１１，１１を外部排気系（図示
略）からの吸引によつて炉芯管１内雰囲気に対し
て負圧としておく。次いで浮上状態にあるボート
３を操作棒１４等で押して炉芯管内部１ａまで浮
上状態のまま移動させる。この時、ボート３の突
条部５，５は炉芯管１内のレール条溝９，９内に
突入するが、気体７の噴射によつてボート３が浮
上して摺接せず、小さな力で極めてスムーズにボ
ート３の移動が行なわれ、従つて摺接による摩耗
で細塵が発生することはなくなる。また、仮に炉
芯管内部１ａやボート３に他の要因によつて細塵
が付着していたとしても、噴射される気体７は軌
道台１０の透孔１２，１２…を通して気体排出路
１１，１１から外部へ排出されるため、気体７が
炉芯管内部１ａの雰囲気を乱さず、遊離した細塵
は気体７と共に排出されて半導体ウエーハ４，４
…が汚損されずに済む。
ボート３を炉芯管内部１ａの所定位置まで移動
させた後は、気体導入路６，６への送気ならびに
気体出路１１，１１からの吸気を停止し、炉芯管
内部１ａをホウ素等の不純物を含有する気体で置
換して炉芯管１を密閉状態とし、所定の加熱温度
で拡散反応を行なえばよい。この拡散処理の完了
後のボート３の搬出に際しては前述した搬入時と
同様にしてボート３を浮上させて引き出せばよ
い。ボート３および軌動台１０の構成材料として
は石英、炭化ケイ素、シリコン等の耐熱性に富み
不活性な材料が使用される。
させた後は、気体導入路６，６への送気ならびに
気体出路１１，１１からの吸気を停止し、炉芯管
内部１ａをホウ素等の不純物を含有する気体で置
換して炉芯管１を密閉状態とし、所定の加熱温度
で拡散反応を行なえばよい。この拡散処理の完了
後のボート３の搬出に際しては前述した搬入時と
同様にしてボート３を浮上させて引き出せばよ
い。ボート３および軌動台１０の構成材料として
は石英、炭化ケイ素、シリコン等の耐熱性に富み
不活性な材料が使用される。
上記実施例ではボート３の突条部５に噴射孔
８，８…を設けた場合を示したが、レール条溝９
に噴射孔を設け突条部内に吸気を作用させて細塵
を突条部内を利用して外部に排出してもよい。
８，８…を設けた場合を示したが、レール条溝９
に噴射孔を設け突条部内に吸気を作用させて細塵
を突条部内を利用して外部に排出してもよい。
また、上記実施例ではボート３の気体導入路６
を突条部５内に形成しているが、他の部分に設け
てもよく、例えば中央部に形成した１本の導入路
より両側の突条部５，５の噴射口８，８…へ導入
気体を分配するように構成してもよい。更に噴射
孔８として多数の小孔の代わりにスリツト状開孔
にすることも可能である。
を突条部５内に形成しているが、他の部分に設け
てもよく、例えば中央部に形成した１本の導入路
より両側の突条部５，５の噴射口８，８…へ導入
気体を分配するように構成してもよい。更に噴射
孔８として多数の小孔の代わりにスリツト状開孔
にすることも可能である。
一方、軌道台１０は上記実施例のように２体と
する他、両側のレール条溝９，９を備えた一体物
で形成してもよく、更に炉芯管１自体をレール条
溝９，９を有する形状に加工しても差し支えな
い。なお、気体排出路１１，１１は必ずしも必要
ではないが、レール条溝９近傍やボート３底面部
に細塵が付着している恐れがある場合により有効
であり、完全無塵化のためには設けることが望ま
しい。
する他、両側のレール条溝９，９を備えた一体物
で形成してもよく、更に炉芯管１自体をレール条
溝９，９を有する形状に加工しても差し支えな
い。なお、気体排出路１１，１１は必ずしも必要
ではないが、レール条溝９近傍やボート３底面部
に細塵が付着している恐れがある場合により有効
であり、完全無塵化のためには設けることが望ま
しい。
なお、以上の説明は半導体製造工程中の不純物
拡散工程について述べているが、酸化、CVD、
不純物押し込み、シンターリング等の他の種々の
熱処理を伴なう工程においてもこの発明の半導体
製造装置を適用すれば同様の効果が奏される。
拡散工程について述べているが、酸化、CVD、
不純物押し込み、シンターリング等の他の種々の
熱処理を伴なう工程においてもこの発明の半導体
製造装置を適用すれば同様の効果が奏される。
以上のようにこの発明は、半導体ウエーハを載
置した支持台を炉芯管内に収容して上記半導体ウ
エーハに熱処理を施す装置において、上記支持台
が底面側に下方へ突出して長手方向へ連続する突
条部を有し、上記炉芯管の内部に収容時の支持台
の上記突条部に対向する凹形レール条溝が設けら
れ、突条部か凹形レール条溝の一方が気体導入路
を備え、且つ導入気体を外空間へ噴射する噴射口
が開設され、上記レール条溝上で上記支持台が気
体噴射によつて浮上可能に構成されているから、
炉芯管に対して支持台を搬入および搬出する際に
支持体を浮上させることが可能である。従つてこ
の発明によれば、支持台と炉芯管との間の摺接に
よる摩耗で細塵が発生することがなく、半導体ウ
エーハに細塵が付着する恐れが解消され、結果と
して半導体装置の製造における熱処理段階での歩
留まりならびに最終的に得られる半導体装置の品
質を大きく向上させることが可能となる。
置した支持台を炉芯管内に収容して上記半導体ウ
エーハに熱処理を施す装置において、上記支持台
が底面側に下方へ突出して長手方向へ連続する突
条部を有し、上記炉芯管の内部に収容時の支持台
の上記突条部に対向する凹形レール条溝が設けら
れ、突条部か凹形レール条溝の一方が気体導入路
を備え、且つ導入気体を外空間へ噴射する噴射口
が開設され、上記レール条溝上で上記支持台が気
体噴射によつて浮上可能に構成されているから、
炉芯管に対して支持台を搬入および搬出する際に
支持体を浮上させることが可能である。従つてこ
の発明によれば、支持台と炉芯管との間の摺接に
よる摩耗で細塵が発生することがなく、半導体ウ
エーハに細塵が付着する恐れが解消され、結果と
して半導体装置の製造における熱処理段階での歩
留まりならびに最終的に得られる半導体装置の品
質を大きく向上させることが可能となる。
第１図はこの発明の一実施例を模式的に示す部
分断面正面図、第２図は第１図の−線の概略
断面図、第３図は第１図の円内Ａの拡大部分切欠
図である。 １……炉芯管、１ａ……炉芯管内部、２……ヒ
ータ、３……ボート（支持台）、３ａ……底面、
４……半導体ウエーハ、５……突条部、６……気
体導入路、７……気体、８……噴射口、９……レ
ール条溝、９ａ……側塵部、１０……軌道台（レ
ール条溝の基体）、１１……気体排出路、１２…
…透孔。
分断面正面図、第２図は第１図の−線の概略
断面図、第３図は第１図の円内Ａの拡大部分切欠
図である。 １……炉芯管、１ａ……炉芯管内部、２……ヒ
ータ、３……ボート（支持台）、３ａ……底面、
４……半導体ウエーハ、５……突条部、６……気
体導入路、７……気体、８……噴射口、９……レ
ール条溝、９ａ……側塵部、１０……軌道台（レ
ール条溝の基体）、１１……気体排出路、１２…
…透孔。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体ウエーハを戴置した支持台を炉芯管内
に収容して上記半導体ウエーハに熱処理を施す装
置において、 上記支持台が底面側に下方へ突出して長手方向
へ連続する突条部を有し、 上記炉芯管の内部に、収容時の支持台の上記突
条部に対向する凹形レール条溝が設けられ、 突条部か凹形レール条溝の一方が気体導入路を
備え、且つ導入気体を外空間へ噴射する噴射口が
開設されるとともに、 上記突条部か凹形レール条溝の他方が、気体排
出路を備え、且つ上記気体導入路の噴射口から外
空間へ噴射された気体を、気体排出路に導入する
透孔が開設され、 上記レール条溝上で上記支持台が気体噴射によ
つて浮上可能に構成されてなる半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56185081A JPS5885523A (ja) | 1981-11-17 | 1981-11-17 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56185081A JPS5885523A (ja) | 1981-11-17 | 1981-11-17 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5885523A JPS5885523A (ja) | 1983-05-21 |
| JPH0151051B2 true JPH0151051B2 (ja) | 1989-11-01 |
Family
ID=16164483
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56185081A Granted JPS5885523A (ja) | 1981-11-17 | 1981-11-17 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5885523A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3012521B2 (ja) * | 1996-05-30 | 2000-02-21 | 山形日本電気株式会社 | ウェハ搬出入装置 |
| JP5912230B2 (ja) * | 2010-06-25 | 2016-04-27 | 光洋サーモシステム株式会社 | 連続拡散処理装置 |
| JP5912229B2 (ja) * | 2010-06-25 | 2016-04-27 | 光洋サーモシステム株式会社 | 連続拡散処理装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5242075A (en) * | 1975-09-29 | 1977-04-01 | Nippon Denso Co Ltd | Device for controlling gas atmosphere in semiconductor producing equip ment |
| JPS53129964A (en) * | 1977-04-20 | 1978-11-13 | Hitachi Ltd | Method and device for inserting and taking out of heat treatment jig |
| JPS5469384A (en) * | 1977-11-14 | 1979-06-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electric furnace unit |
-
1981
- 1981-11-17 JP JP56185081A patent/JPS5885523A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5885523A (ja) | 1983-05-21 |
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