JPH0151761B2 - - Google Patents
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- JPH0151761B2 JPH0151761B2 JP55122785A JP12278580A JPH0151761B2 JP H0151761 B2 JPH0151761 B2 JP H0151761B2 JP 55122785 A JP55122785 A JP 55122785A JP 12278580 A JP12278580 A JP 12278580A JP H0151761 B2 JPH0151761 B2 JP H0151761B2
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- Japan
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- reflected
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01B—MEASURING LENGTH, THICKNESS OR SIMILAR LINEAR DIMENSIONS; MEASURING ANGLES; MEASURING AREAS; MEASURING IRREGULARITIES OF SURFACES OR CONTOURS
- G01B11/00—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques
- G01B11/30—Measuring arrangements characterised by the use of optical techniques for measuring roughness or irregularity of surfaces
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、研削表面の連続して変化する幾何学
的な形状変化である“うねり”（これは微小角度
の変化としても考えることができる）すなわち例
えば圧延ロール表面などの研削ひびりを光てこに
より測定する光学式ひびり測定方法に関する。
的な形状変化である“うねり”（これは微小角度
の変化としても考えることができる）すなわち例
えば圧延ロール表面などの研削ひびりを光てこに
より測定する光学式ひびり測定方法に関する。
研削表面などの被測定面に小断面積の光をほぼ
垂直に当てつつ被測定面を移動させ、この被測定
面からの反射光の反射角度の変化からびびりを検
出するものとして特公昭52−1307号公報に示され
たものが提案されている。この検出装置は、第１
図に示すように、適当な線光源１からの光を絞り
２を通してコンデンサーレンズ３により集束さ
せ、この線光源１の像を縮少してピンホール５の
位置に結像させ、この像をコンデンサーレンズ６
によつて被測定面１１に結ばせるようになつてい
る。ただし、コンデンサーレンズ６のすぐあと
に、第２図に拡大して示すような例えば略長方形
のスリツト７ａを有するスリツト板７があつて、
その長手方向を研削方向（第１図および第２図に
おいて上下方向）に対し直角な方向に向けて、対
物レンズ９の集点位置に置いてある。４は光の熱
雑音を取除くための水槽、１０は光束光量を一層
効果的に被測定面１１に入反射させるための円筒
レンズ、８および２０は半透明鏡で観察窓２３に
て入射光束の位置を確認すると共にコンデンサー
レンズ２１にて入射光束を光電素子２２に当てて
入射光量を検知し、図示しないコントローラによ
り線光源１の光量を所定値に保つためのものであ
る。
垂直に当てつつ被測定面を移動させ、この被測定
面からの反射光の反射角度の変化からびびりを検
出するものとして特公昭52−1307号公報に示され
たものが提案されている。この検出装置は、第１
図に示すように、適当な線光源１からの光を絞り
２を通してコンデンサーレンズ３により集束さ
せ、この線光源１の像を縮少してピンホール５の
位置に結像させ、この像をコンデンサーレンズ６
によつて被測定面１１に結ばせるようになつてい
る。ただし、コンデンサーレンズ６のすぐあと
に、第２図に拡大して示すような例えば略長方形
のスリツト７ａを有するスリツト板７があつて、
その長手方向を研削方向（第１図および第２図に
おいて上下方向）に対し直角な方向に向けて、対
物レンズ９の集点位置に置いてある。４は光の熱
雑音を取除くための水槽、１０は光束光量を一層
効果的に被測定面１１に入反射させるための円筒
レンズ、８および２０は半透明鏡で観察窓２３に
て入射光束の位置を確認すると共にコンデンサー
レンズ２１にて入射光束を光電素子２２に当てて
入射光量を検知し、図示しないコントローラによ
り線光源１の光量を所定値に保つためのものであ
る。
被測定面１１からの反射光は、前記円筒レンズ
１０、対物レンズ９を介して半透明鏡８により第
１図において下方へ向けられ、較正装置１２によ
り前記スリツト７ａの両端の円弧状部分に相当す
る端部をカツトされ、反射鏡１３を経て、コンデ
ンサーレンズ１４により集束され、半透明鏡１５
により第１図において下方へ向けられ、その全体
が常に光電素子１６に当り、また半透明鏡１５を
通過して直進した反射光は、プリズム１７にて２
分され、光電素子１８，１９にそれぞれ当るよう
になつている。前記プリズム１７はその先端の稜
線が研削方向に対して直角方向に配置され、かつ
この稜線は反射光が被測定面１１から垂直に反射
しているとき、反射光を第１図において２等分す
る位置に置かれている。この反射光が２分される
位置すなわちプリズム１７の先端の稜線の位置を
基準位置という。
１０、対物レンズ９を介して半透明鏡８により第
１図において下方へ向けられ、較正装置１２によ
り前記スリツト７ａの両端の円弧状部分に相当す
る端部をカツトされ、反射鏡１３を経て、コンデ
ンサーレンズ１４により集束され、半透明鏡１５
により第１図において下方へ向けられ、その全体
が常に光電素子１６に当り、また半透明鏡１５を
通過して直進した反射光は、プリズム１７にて２
分され、光電素子１８，１９にそれぞれ当るよう
になつている。前記プリズム１７はその先端の稜
線が研削方向に対して直角方向に配置され、かつ
この稜線は反射光が被測定面１１から垂直に反射
しているとき、反射光を第１図において２等分す
る位置に置かれている。この反射光が２分される
位置すなわちプリズム１７の先端の稜線の位置を
基準位置という。
しかして、前記のように被測定面１１の照射個
所が入射光に対して垂直であれば、光電素子１
８，１９はそれぞれ等しい反射光量を受けるが、
被測定面１１の照射個所が傾いていると、反射光
が傾くため、前記光電素子１８，１９に当る反射
光量が変化する。この変化から被測定面１１の幾
何学的うねりを検知するものである。
所が入射光に対して垂直であれば、光電素子１
８，１９はそれぞれ等しい反射光量を受けるが、
被測定面１１の照射個所が傾いていると、反射光
が傾くため、前記光電素子１８，１９に当る反射
光量が変化する。この変化から被測定面１１の幾
何学的うねりを検知するものである。
第３図は、第１図に示した装置の光路を短縮し
て、その原理を示した図で、第１図と同一部分に
は同一符号を用いてある。なお、同図は測定方向
（同図において左右方向）に2hの巾の光を被測定
面１１に投射し、被測定面１１から距離ｌ（ただ
し、うねりによる変化分は無視する）の位置に隣
接させて設置した光電素子１８，１９にて反射光
を受けるようにしてある。この図から明らかなよ
うに、光電素子１８，１９がそれぞれ受光する光
量は、光電素子１８と１９の境界すなわち前述し
た基準位置に当る反射光がどの位置の入射光かを
求めれば、この位置すなわち第３図において（ｘ
＋ｑ）位置にて２分される入射光の割合α：βと
して知ることができる。
て、その原理を示した図で、第１図と同一部分に
は同一符号を用いてある。なお、同図は測定方向
（同図において左右方向）に2hの巾の光を被測定
面１１に投射し、被測定面１１から距離ｌ（ただ
し、うねりによる変化分は無視する）の位置に隣
接させて設置した光電素子１８，１９にて反射光
を受けるようにしてある。この図から明らかなよ
うに、光電素子１８，１９がそれぞれ受光する光
量は、光電素子１８と１９の境界すなわち前述し
た基準位置に当る反射光がどの位置の入射光かを
求めれば、この位置すなわち第３図において（ｘ
＋ｑ）位置にて２分される入射光の割合α：βと
して知ることができる。
いま、被測定面１１の幾何学的うねりの曲線を
ｙ＝ｆ（ξ）とし、ｘおよび（ｘ＋ｑ）位置にお
けるこの曲線とξ軸（測定方向と平行な軸）との
なす角をそれぞれθおよびφとすると、近似的に
次式が成立する。
ｙ＝ｆ（ξ）とし、ｘおよび（ｘ＋ｑ）位置にお
けるこの曲線とξ軸（測定方向と平行な軸）との
なす角をそれぞれθおよびφとすると、近似的に
次式が成立する。
tanφtanθ＋ｑd2y／dx2 ………(1)
ｑ2l tanφであるから、これを(1)式に代入し
てｑを求めると、 ｑ2l／１−2ld2y／dx2・tanθ となり、tanθ＝dy／dxであるから ｑ2l／１−2ld2y／dx2・dy／dx ………(2) この(2)式から明らかなようにｑの基本式はdy／dx であり、前記曲線の微分値にほぼ比例している。
ただし、(2)式中、2lは倍率、 １／１−2ld2y／dx2 は測定精度である。
てｑを求めると、 ｑ2l／１−2ld2y／dx2・tanθ となり、tanθ＝dy／dxであるから ｑ2l／１−2ld2y／dx2・dy／dx ………(2) この(2)式から明らかなようにｑの基本式はdy／dx であり、前記曲線の微分値にほぼ比例している。
ただし、(2)式中、2lは倍率、 １／１−2ld2y／dx2 は測定精度である。
したがつて、前記ｑを積分すれば、前記曲線す
なわち被測定面１１の幾何学的うねりを求めるこ
とができ、このｑは前記α：βとの関係すなわち
光電素子１８，１９の受光量の関係から求められ
るので、これらの光電素子１８，１９の検出値か
らｑを算出してこれを積分すれば幾何学的うねり
が求められることになる。
なわち被測定面１１の幾何学的うねりを求めるこ
とができ、このｑは前記α：βとの関係すなわち
光電素子１８，１９の受光量の関係から求められ
るので、これらの光電素子１８，１９の検出値か
らｑを算出してこれを積分すれば幾何学的うねり
が求められることになる。
なお、ｑは（α−ｈ）または（ｈ−β）とし
て、いずれか一方の光電素子１８または１９から
の受光量のみからも求められるが、測定精度を高
めるために、両光電素子１８，１９の受光量の差
から求める方が好ましい。この関係は次のように
して求められる。
て、いずれか一方の光電素子１８または１９から
の受光量のみからも求められるが、測定精度を高
めるために、両光電素子１８，１９の受光量の差
から求める方が好ましい。この関係は次のように
して求められる。
2h＝α＋β ………(3)
いま
ｔ＝α−β ………(4)
とおくと
(4)式からβ＝α−ｔであるから、これを(3)式に
代入して整理すると、 α−ｈ＝ｔ／２＝ｑ ………(5) また(4)式からα＝β＋ｔであるから、これを(3)
式に代入して整理すると、 ｈ−β＝ｔ／２＝ｑ ………(6) となり、受光範囲の差ｔの1/2としてｑを求める
ことができる。
代入して整理すると、 α−ｈ＝ｔ／２＝ｑ ………(5) また(4)式からα＝β＋ｔであるから、これを(3)
式に代入して整理すると、 ｈ−β＝ｔ／２＝ｑ ………(6) となり、受光範囲の差ｔの1/2としてｑを求める
ことができる。
しかしながら、前述した説明は、被測定面１１
に光沢むらがなく、反射率が常に一定の場合に成
立するものであり、実際の研削面は幾何学的うね
りとは別に光沢むらが多く存在するため、前記の
ように光電素子１８，１９の検出値に基ずいて積
分しても正しい幾何学的うねりを求めることはで
きない。
に光沢むらがなく、反射率が常に一定の場合に成
立するものであり、実際の研削面は幾何学的うね
りとは別に光沢むらが多く存在するため、前記の
ように光電素子１８，１９の検出値に基ずいて積
分しても正しい幾何学的うねりを求めることはで
きない。
本発明は、前記の光沢むらがあつてもこれを考
慮に入れて正しい幾何学的うねりを求め得るよう
にした光学的びびり測定方法を提供するものであ
る。
慮に入れて正しい幾何学的うねりを求め得るよう
にした光学的びびり測定方法を提供するものであ
る。
以下前述した第３図ないし同図に対応させて画
いた被測定面１１の光沢度Ｖ＝Ｈ（ξ）を示す第
４図を用いて本発明を詳細に説明する。第４図に
示すように、第３図に示す被測定面１１に光沢む
らが存在したとすると、光電素子１８の受光量
Vαと他方の光電素子１９の受光量Vβは次の(7)、
(8)式で表わされる。
いた被測定面１１の光沢度Ｖ＝Ｈ（ξ）を示す第
４図を用いて本発明を詳細に説明する。第４図に
示すように、第３図に示す被測定面１１に光沢む
らが存在したとすると、光電素子１８の受光量
Vαと他方の光電素子１９の受光量Vβは次の(7)、
(8)式で表わされる。
Vα＝∫(x+q) (x-h)Ｈ（ξ）dξ ………(7)
Vβ＝∫(x+h) (x+q)Ｈ（ξ）dξ ………(8)
すなわち、第３図に示す入射光のうちαで示す
範囲の光が被測定面１１で反射されて光電素子１
８に入る光量は、第４図に右上りの斜線部で示す
面積Vαとなり、他方入射光のうちβで示す範囲
の光が被測定面１１で反射されて光電素子１９に
入る光量は、第４図に右下りの斜線部で示す面積
Vβとなる。
範囲の光が被測定面１１で反射されて光電素子１
８に入る光量は、第４図に右上りの斜線部で示す
面積Vαとなり、他方入射光のうちβで示す範囲
の光が被測定面１１で反射されて光電素子１９に
入る光量は、第４図に右下りの斜線部で示す面積
Vβとなる。
しかして、前記光沢度Ｖ＝Ｈ（ξ）は、第１図
に示した光電素子１６の出力または光電素子１
８，１９の出力の和Ｕから後述するようにして求
められ、上記(7)、(8)式中、Vα、Vβ、ｈは既知の
値であるため、同(7)または(8)式から求めるべきｘ
位置におけるｑの値を知ることができる。
に示した光電素子１６の出力または光電素子１
８，１９の出力の和Ｕから後述するようにして求
められ、上記(7)、(8)式中、Vα、Vβ、ｈは既知の
値であるため、同(7)または(8)式から求めるべきｘ
位置におけるｑの値を知ることができる。
このｑは、第４図から明らかなように光沢度を
加算して求めたものであるため、該ｑをξ軸方向
の各ｘ位置にて求めたｑ（ξ）を積分すれば、光
沢むらを有する被測定面１１であつても幾何学的
うねりを正しく求めることができる。
加算して求めたものであるため、該ｑをξ軸方向
の各ｘ位置にて求めたｑ（ξ）を積分すれば、光
沢むらを有する被測定面１１であつても幾何学的
うねりを正しく求めることができる。
なお、前記VαおよびVβは、それぞれの光電素
子１８，１９から直接取出してもよいが、前述し
た場合と同様にVαとVβの差Ｔと和（全反射光量
であるから光電素子１６の出力でもよい）Ｕとか
ら求めることが好ましい。これらは次の(9)、(10)式
の関係があるため、同式から(11)、(12)式として求め
られる。
子１８，１９から直接取出してもよいが、前述し
た場合と同様にVαとVβの差Ｔと和（全反射光量
であるから光電素子１６の出力でもよい）Ｕとか
ら求めることが好ましい。これらは次の(9)、(10)式
の関係があるため、同式から(11)、(12)式として求め
られる。
Ｔ＝Vα−Vβ ………(9)
Ｕ＝Vα＋Vβ ………(10)
Vα＝Ｕ＋Ｔ／２ ………(11)
Vβ＝Ｕ−Ｔ／２ ………(12)
しかして、前記光沢度Ｖ＝Ｈ（ξ）は、あらか
じめ光沢むらや幾何学的うねりのない例えばブロ
ツクゲージの平面に光を当て、このときの全反射
光量をＵとし、光の巾を2hとしたときは、 2hV＝Ｕ ………（13） なる関係が成立するので、 全反射光量Ｕに１／2hを掛け合せることによ
つて求められる。
じめ光沢むらや幾何学的うねりのない例えばブロ
ツクゲージの平面に光を当て、このときの全反射
光量をＵとし、光の巾を2hとしたときは、 2hV＝Ｕ ………（13） なる関係が成立するので、 全反射光量Ｕに１／2hを掛け合せることによ
つて求められる。
なお、光沢むらが存在する場合には、そのとき
の全反射光量Ｕに１／2hを掛け合せれば、光を
当てている2h巾の範囲内の平均の光沢度が求め
られる。このように光の巾が広いと光沢度が平準
化されてしまい、修正係数を掛け合せることなど
により修正する必要が生じ、正確な光沢度が求め
られないので、前記光の巾の2hはできるだけ狭
い方がよい。しかしながら、光電素子１８，１９
にて被測定面１１の傾きを検知するための光の巾
は、この傾きによつて反射光が傾いても常に光電
素子１８，１９にまたがつて反射光が当るように
しなければならないため、被測定面１１の精度が
悪い場合にはあまり狭くできないので、別々の光
学系にて同期させつつ検出するようにしてもよ
い。しかし、本発明は、一般に圧延ロールの表面
のようにきわめてわずかで機械的な測定では測定
できないような幾何学的うねりの測定を対象とし
ているため、敢えて別々の光学系を用いなくても
実用上差支えない。
の全反射光量Ｕに１／2hを掛け合せれば、光を
当てている2h巾の範囲内の平均の光沢度が求め
られる。このように光の巾が広いと光沢度が平準
化されてしまい、修正係数を掛け合せることなど
により修正する必要が生じ、正確な光沢度が求め
られないので、前記光の巾の2hはできるだけ狭
い方がよい。しかしながら、光電素子１８，１９
にて被測定面１１の傾きを検知するための光の巾
は、この傾きによつて反射光が傾いても常に光電
素子１８，１９にまたがつて反射光が当るように
しなければならないため、被測定面１１の精度が
悪い場合にはあまり狭くできないので、別々の光
学系にて同期させつつ検出するようにしてもよ
い。しかし、本発明は、一般に圧延ロールの表面
のようにきわめてわずかで機械的な測定では測定
できないような幾何学的うねりの測定を対象とし
ているため、敢えて別々の光学系を用いなくても
実用上差支えない。
なお、前述した(7)または(8)式からｑを求める具
体的計算例を次に示す。第４図に示すように、ｘ
位置を中心として±ｈの2hのピツチで読込んだ
光沢度Ｖの値をVi、Vi+1とし、計算を簡単にす
るため、2h間は直線近似とすると、（ｘ＋ｑ）位
置における光沢度Ｖは下式で表わされる。
体的計算例を次に示す。第４図に示すように、ｘ
位置を中心として±ｈの2hのピツチで読込んだ
光沢度Ｖの値をVi、Vi+1とし、計算を簡単にす
るため、2h間は直線近似とすると、（ｘ＋ｑ）位
置における光沢度Ｖは下式で表わされる。
V′＝Vi＋（Vi+1−Vi）ｈ＋ｑ／2h ………（14）
また前記ｘ位置における測定時の面積Vαは下
式で表わされる。
式で表わされる。
Vα１／２（ｈ＋ｑ）（Vi＋V′） ………（15）
上記（14）式を（15）式に代入して整理する
と、下式となる。
と、下式となる。
Aq2＋2Bq＋ＣＯ ………（16）
たゞし
Ａ＝Vi+1−Vi
Ｂ＝ｈ（Vi＋Vi+1）
Ｃ＝（3Vi＋Vi+1）h2−4hVα
この（16）式から妥当な１つの根ｑを求めると
下式となる。
下式となる。
ｑ−Ｂ＋√B2−AC／Ａ ………（17）
このようにして各ｘ位置におけるｑすなわちｑ
（ξ）を求めてこれを積分すれば、被測定面１１
の幾何学的うねりｙ＝ｆ（ξ）が得られる。
（ξ）を求めてこれを積分すれば、被測定面１１
の幾何学的うねりｙ＝ｆ（ξ）が得られる。
以上述べたように本発明によれば、被測定面に
光沢むらがあつてもそれに関係なく該被測定面の
幾何学的うねりをより正しく検出することができ
る。
光沢むらがあつてもそれに関係なく該被測定面の
幾何学的うねりをより正しく検出することができ
る。
第１図は本発明に適用する光学式びびり測定装
置の１例を示す光学系配置を示した説明図、第２
図はスリツト板の１例を示す拡大正面図、第３図
は第１図に示した光学式びびり測定装置の光路を
短縮して示す原理図、第４図は被測定面の光沢度
と光電素子の受光量との関係を示すグラフであ
る。 １……線光源、２……絞り、３，６，１４，２
１……コンデンサーレンズ、４……水槽、５……
ピンホール、７……スリツト板、７ａ……スリツ
ト、８，１５，２０……半透明鏡、９……対物レ
ンズ、１０……円筒レンズ、１１……被測定面、
１２……較正装置、１３……反射鏡、１６，１
８，１９，２２……光電素子、１７……プリズ
ム、２３……観察窓。
置の１例を示す光学系配置を示した説明図、第２
図はスリツト板の１例を示す拡大正面図、第３図
は第１図に示した光学式びびり測定装置の光路を
短縮して示す原理図、第４図は被測定面の光沢度
と光電素子の受光量との関係を示すグラフであ
る。 １……線光源、２……絞り、３，６，１４，２
１……コンデンサーレンズ、４……水槽、５……
ピンホール、７……スリツト板、７ａ……スリツ
ト、８，１５，２０……半透明鏡、９……対物レ
ンズ、１０……円筒レンズ、１１……被測定面、
１２……較正装置、１３……反射鏡、１６，１
８，１９，２２……光電素子、１７……プリズ
ム、２３……観察窓。
１ 芯筒にシートをロール状に巻取つてなるロー
ルシートの残長を測定するに際し、 １回転以上離れた任意の２点の各点における外
周長を、各点付近で２回転以上回転させて得られ
る外周長の合計より求め、 更に前記芯筒の外周長により、任意の１点から
芯筒の外周に至るまでのターン数を算出し、 前記算出済みのロールシートの任意の１点にお
ける外周長と芯筒の外周長とを夫々対向する平行
２辺の長さとし、かつ前記算出済のターン数を高
さの関数とする台形を想定し、 この台形の面積を求めることによつて、前記任
意の１点から芯筒外周までのロールシートの残長
を算出する ことを特徴とするロールシートの残長測定方法。
ルシートの残長を測定するに際し、 １回転以上離れた任意の２点の各点における外
周長を、各点付近で２回転以上回転させて得られ
る外周長の合計より求め、 更に前記芯筒の外周長により、任意の１点から
芯筒の外周に至るまでのターン数を算出し、 前記算出済みのロールシートの任意の１点にお
ける外周長と芯筒の外周長とを夫々対向する平行
２辺の長さとし、かつ前記算出済のターン数を高
さの関数とする台形を想定し、 この台形の面積を求めることによつて、前記任
意の１点から芯筒外周までのロールシートの残長
を算出する ことを特徴とするロールシートの残長測定方法。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 被測定面にほぼ垂直に略矩形の小断面積の光
を当てつつ前記被測定面を測定方向（ξ軸）へ移
動させ、被測定面からの前記光の全反射光量Ｕを
検出して光沢度Ｖ＝Ｈ（ξ）を求めると共に、光
学系の基準位置にて前記光またはこの光と同様に
被測定面に当てた別の光の反射光を測定方向に２
分して少なくともいずれか一側の反射光量Vαま
たはVβを検出し、 Vα＝∫(x+q) (x-h)Ｈ（ξ）dξ または Vβ＝∫(x+h) (x+q)Ｈ（ξ）dξ からξ軸方向の各ｘ位置におけるｑの値すなわち
ｑ（ξ）を求め、次いで前記ｑ（ξ）を積分して前
記被測定面の幾何学的うねりを求めることを特徴
とする光学式びびり測定方法。 ただし、上式中ｈは前記の２分される光の測定
方向の巾の1/2、ｑは前記基準位置にて２分され
る反射光の被測定面上における分岐位置と前記ｘ
位置との距離。 ２ 反射光が被測定面から垂直に反射するときこ
の反射光を２等分するように基準位置を定め、こ
の基準位置にて２分された反射光量の差Ｔを検出
し、この差Ｔと全反射光量Ｕから下式によりVα
またはVβを求めるようにした特許請求の範囲第
１項記載の化学式びびり測定方法。 Vα＝Ｕ＋Ｔ／２、Vβ＝Ｕ−Ｔ／２
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12278580A JPS5746105A (en) | 1980-09-04 | 1980-09-04 | Optical chatter measurement |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12278580A JPS5746105A (en) | 1980-09-04 | 1980-09-04 | Optical chatter measurement |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5746105A JPS5746105A (en) | 1982-03-16 |
| JPH0151761B2 true JPH0151761B2 (ja) | 1989-11-06 |
Family
ID=14844545
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12278580A Granted JPS5746105A (en) | 1980-09-04 | 1980-09-04 | Optical chatter measurement |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5746105A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5036644B2 (ja) * | 2008-07-03 | 2012-09-26 | 住友重機械工業株式会社 | 表面検査方法、及びびびりマーク検査装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5065254A (ja) * | 1973-10-09 | 1975-06-02 | ||
| JPS521307U (ja) * | 1975-06-23 | 1977-01-07 | ||
| JPS521307A (en) * | 1975-06-24 | 1977-01-07 | Nissan Motor Co Ltd | Gas engine |
| JPS5948324A (ja) * | 1982-09-07 | 1984-03-19 | Taihei Mach Works Ltd | 木材削片の配向装置 |
-
1980
- 1980-09-04 JP JP12278580A patent/JPS5746105A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5746105A (en) | 1982-03-16 |
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