JPH0151825B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0151825B2
JPH0151825B2 JP63095824A JP9582488A JPH0151825B2 JP H0151825 B2 JPH0151825 B2 JP H0151825B2 JP 63095824 A JP63095824 A JP 63095824A JP 9582488 A JP9582488 A JP 9582488A JP H0151825 B2 JPH0151825 B2 JP H0151825B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
mask
halftone
resolution
image
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP63095824A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS63304257A (ja
Inventor
Jengu Rin Baan
Marii Moruzui An
Edowaado Roozenburatsushu Aren
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of JPS63304257A publication Critical patent/JPS63304257A/ja
Publication of JPH0151825B2 publication Critical patent/JPH0151825B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058—Mask illumination systems
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/50—Mask blanks not covered by G03F1/20 - G03F1/34; Preparation thereof
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216—Mask projection systems
    • G03F7/70283—Mask effects on the imaging process
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70425—Imaging strategies, e.g. for increasing throughput or resolution, printing product fields larger than the image field or compensating lithography- or non-lithography errors, e.g. proximity correction, mix-and-match, stitching or double patterning
    • G03F7/70433—Layout for increasing efficiency or for compensating imaging errors, e.g. layout of exposure fields for reducing focus errors; Use of mask features for increasing efficiency or for compensating imaging errors

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
Ａ 産業上の利用分野 本発明は、イメージ品質の向上したリソグラフ
イ・プロセスに関するものである。具体的に言う
と、本発明は、リソグラフイ・プロセス自体によ
つて生じるイメージの劣化の少なくとも一部を補
償する領域をもたらすリソグラフイ・マスクに関
するものである。本発明にもとづくリソグラフ
イ・マスクは、化学線露光域の透過率を制御する
ための解像度以下のハーフトーンがマスク・パタ
ーン内部に組み込まれている。 Ｂ 従来技術 集積回路チツプを含む集積回路の製造におい
て、最も重要で決定的なステツプの１つは、所期
の回路パターンを設けるためのリソグラフイ処理
である。 たとえば、リソグラフイ・プロセスは、結像レ
ンズを用いてフオトリソグラフイ・マスクからフ
オトレジスト被覆にパターンを転写するために、
紫外線などの化学線を用いることを含んでいる。
マスクは、所期のまたは所定のパターンのレジス
ト被覆の開口の形状と一致するような不透明領域
と透明領域を含んでいる。 ポジテイブ・レジスト被覆の場合、マスクの透
明な部分が、レジスト被覆に設けるべき所期のパ
ターンまたはイメージに対応する。フオトレジス
ト被覆がネガテイブ・レジストの場合は、マスク
の不透明な部分または領域がフオトレジスト被覆
に設けるべき後の開口領域に対応する。 Ｃ 発明が解決しようとする課題 しかし、所期のパターンの微細形状の寸法が、
使用するフオトリソグラフイ装置の解像度に近づ
くにつれて、現像される領域の輪郭が所期の理想
的パターンの輪郭から大幅にずれていく。このパ
ターンからの偏差または誤差は、パターンに依存
することが多く、したがつて現像手順の全体的変
更によつて矯正することが難しい。こうした問題
は、たとえばリン（Lin）の米国特許第4456371
号で考察されている。 Ｄ 課題を解決するための手段 本発明は、改良されたフオトリソグラフイおよ
び改良されたイメージ品質を提供する。具体的に
言うと、本発明は、フオトリソグラフイ・プロセ
スによつて生じるイメージの劣化をほぼ補償す
る。本発明は、フオトリソグラフイ・プロセス中
のパターンに依存する誤差の矯正に関するもので
ある。 具体的には、本発明によれば、ハーフトーンを
含むマスクの使用によつて改良されたフオトリソ
グラフイ・プロセスが得られる。フオトリソグラ
フイ・マスクのハーフトーン領域により、フオト
リソグラフイ・プロセス自体によつて生じるイメ
ージの劣化が補償できる。ハーフトーン領域は、
不透明なまたは透明な解像度以下の要素の配列か
ら形成される。 具体的には、本発明は、イメージ品質が向上し
たリソグラフイ・プロセスに関するものである。
このプロセスは、化学線を受ける区域を画定する
ためのフオトリソグラフイ・マスクのイメージを
受け取る部材を位置決めすることを含んでいる。
この部材は、マスクに隣接させても、またマスク
と部材の間にレンズを置いてマスクから約500mm
あるいはそれ以上の所定の距離だけ離してもよ
い。フオトリソグラフイ・マスクは、それぞれ結
像に使用するフオトリソグラフイの解像度よりも
小さな、複数の不透明要素または透明要素または
半透明要素を含んでいる。こうした不透明要素ま
たは透明要素は、化学線露光域の透過率を制御す
る。どのタイプのハーフトーンを用いるか（たと
えば透明が不透明か）は、マスクの書込み時間
（すなわちハーフトーンの数）と最小寸法の製造
の難しさ（すなわち極性−レジストがネガテイブ
かポジテイブか）の間の実際的なトレードオフに
よつて決まる。 Ｅ 実施例 本発明は、ハーフトーンを含むマスクの使用に
よつて改良されたフオトリソグラフイを得ること
に関するものである。 本発明にもとづいて使用するフオトリソグラフ
イ・マスク中に存在するハーフトーン領域は、フ
オトリソグラフイ・プロセス自体によつて生じる
イメージの劣化をほぼ補償する。 ハーフトーン領域は、幾何形状に依存する劣化
を含む露光およびパターンを矯正する手段とな
る。 具体的には、使用するフオトリソグラフイの解
像度よりも小さな不透明要素または透明要素がフ
オトリソグラフイ・マスク中に存在するので、対
応するマスク開口またはその一部分の透過率を調
節することにより、化学線に対する露光を補正す
ることができる。具体的には、使用するフオトリ
ソグラフイの解像度より小さな不透明要素を使用
するとき、これらの不透明要素は個別には再生さ
れず、単に形状の露光量を減少させるだけとな
る。これに対応して、使用するフオトリソグラフ
イの解像度よりも小さな不透明要素をマスク被覆
から選択的に削除することにより、通常なら不透
明なマスク・パターンに有限の透過率を導入する
ことができる。 第２図には、２つの対象物を含む従来のフオト
リソグラフイ用マスクを示す。黒色域１はマスク
の不透明区域を表わし、白色域２はマスクの透明
部分を表わす。このマスクは、倍率が約10倍であ
る。点を打つた円３は、ここに示した特定の例の
凡そのリソグラフイ解像度を示す。 第１図は、本発明にもとづくハーフトーン・マ
スクを表わしたもので、その黒色部分１はマスク
の不透明部分を表わし、白色部分２はマスクの透
明部分、黒色部分４は使用するフオトリソグラフ
イの解像度よりも小さな不透明部分を表わす。点
を打つた円３は、この例の凡そのリソグラフイ解
像度を示す。 第３Ａ図ないし第３Ｄ図に示した通り、全体的
な微細形状の露光の調節により、フオトリソグラ
フイ・イメージの品質が大幅に改善される。 具体的に言うと、図に示した特定のフオトリソ
グラフイでは、マスクとウエハの間にウエハをレ
ンズの像側にして、回折制限（diffraction
limited）レンズを使つた、3/4ミクロンの光学フ
オトリソグラフイが使われている。レンズの開口
数（NA（ウエハ））は約0.28、波長は約436nm、
縮小率は約１／10、ひとみ充填比（pupil filling
ratio）σは約0.7である。この系の大体の解像度
はｒ（マスク）＝10×ｒ（ウエハ）＝10×（0.5λ／
NA（ウエハ））＝7.8ミクロンである。第２図に示
したような所期のパターンは、7.5ミクロン平方
の開口（コンタクト・ホール）と7.5×25ミクロ
ンの長方形開口（線）の２つの対象物からなる。
対応するウエハ平面寸法は、約１／10に縮小され
る。 この例では、レンズの解像度Ｖ（マスク）（第１
図および第２図に点線の円３で示す）は、7.5ミ
クロンという微細形状の最小寸法と同程度であ
る。解像度が限られているため、両方の微細形状
に対する露光寛容度の鮮明さが失われる。また、
実際にマスクの下にあるウエハまで透過する露光
強度が低下する。さらに、コンタクト・ホールの
形状が両方の寸法で解像度限界に近づくことに留
意されたい。そのため、コンタクト・ホールの露
出が、従来のマスクを使つたときの線の露出より
も低くなる。 第３Ａ図および第３Ｂ図は、従来のマスクを用
いて第２図からプリントしたイメージを示したも
のである。ローゼンブルート（Rosenbluth）等
が“シミユレート投映イメージを使つたサブミク
ロン級光学リソグラフイの臨界検査（Ａ
Critical Examination of Sub−micron Optical
Lithography Using Simulated Projection
Images”）、Journal of Vacuum Science
Technology）B1(4)、1983年、1190ページで論じ
ているような、部分コヒーレント・レンズ系で投
映したイメージのコンピユータ・シミユレーシヨ
ンを用いて、各プリント回路の輪郭を計算する。
コンタクト・ホールの直径が所期の0.75ミクロン
になるのに充分なだけレジストを現像すると、臨
界の0.75ミクロンの寸法で線が約35％現像され過
ぎる。一方、従来のマスクを用いて、線を正しい
幅に現像すると、第３Ｂ図に示すように、露出が
低いためコンタクト・ホールの露出不足またはプ
リント不足となる。 第３Ｃ図および第３Ｄ図は、第１図に示したよ
うな本発明のハーフトーン・マスクを用いて得ら
れるイメージのシミユレーシヨンを示したもので
ある。１／10倍マスクの開口が、0.8×0.8ミクロ
ンの解像度未満の画素に分割されている。線の画
素は８個のうち５個が不透明であり、コンタク
ト・ホールの場合は４個が不透明である。第３Ｃ
図および第３Ｄ図は、どちらか一方の微細形状を
正しい幅に現像したとき、もう一方の微細形状に
ほとんど誤差が生じないことを示している。たと
えば、線用開口のオープン・ハーフトーンの割合
を小さくすると、線イメージの露出がコンタク
ト・ホールの露出と一致するように低下する。こ
の露出補正は、露出時間の増加によつて得られ
る。 不透明ハーフトーンは、標準の製造工程を用い
てマスク上に生成でき、使用するフオトリソグラ
フイの解像度は、後のフオトリソグラフイでマス
クを使つて所期のパターンを現像するときに使う
解像度より大きい。しかし、通常、現況技術のリ
ソグラフイを用いるとき、マスクを作成するのに
必要な解像度は、必ずしもウエハにプリントする
ときに用いる解像度よりも細かくはない。マスク
がたとえば約1/5ないし１／10倍に縮小されるた
めである。たとえば、透明なガラス基板に約500
Åのたとえばクロムの層を載せ、次にフオトレジ
スト材料の層を載せてハーフトーン・マスクを作
成することができる。次にフオトレジストを現像
して所期のハーフトーン・パターンを得、フオト
レジストの下のクロムをエツチングで除去する。
次いで残つたフオトレジストを除去する。 さらに、マスク中にハーフトーン画素を作成す
ることができ、後でそれらの画素を縮小ステツパ
などのリソグラフイ手段で縮小する。２次元マス
ク・パターンをフーリエ変換する場合、こうした
縮小光学系はｒ（マスク）＝0.5Mλ／NA（ウエハ）
より細かい周期をもつ空間周波数を再生しない。
ただし、Ｍは拡大率である。しかしハーフトーン
要素が充分に小さくはない場合、解像可能な空間
周波数で大きなフーリエ成分を生成し、したがつ
てイメージ中に容認できないノイズが入る。たと
えば、希望するなら、ハーフトーンを格子状のパ
ターンに配列することができる。格子中の空間周
波数は、使用するフオトリソグラフイ装置のイメ
ージング帯域幅の外側にくるように選定しなけれ
ばならない。理想としては、線形または双線形
（bilinear）縮小光学系で投射したイメージは、
グレイ・レベルのDC成分のみからなる。しかし、
補正されたマスクは、未補正パターンと高周波数
の格子との積から構成される。具体的に言うと、
第４Ａ図に示すように、非線形の積によつて生じ
る低周波数のハーモニツクスからノイズが生じ
る。このノイズは、微細形状の近傍に局在し、実
際にイメージの位置の小さなずれによつて生じる
強度変化と同等である。イメージのずれによる残
留ノイズまたは強度変化は、未補正の光学的近接
効果に比べて小さくすることができ、微細形状の
最小寸法がフオトリソグラフイ・ツールで使用さ
れるレンズの解像度に近づく場合にはとくにそう
である。そうした場合、ハーフトーン画素はレン
ズの解像度に比べて小さくなる。 第４Ａ図は、ハーフトーンの格子状配列に含ま
れる空間周波数のスペクトルを示したものであ
る。帯域が制限された光学系は、中央のDCハー
モニツクスのみを捕捉し、次いで所期の均一なイ
メージの露光を生じる。第４Ｂ図は、２進リソグ
ラフイ・パターンの帯域が制限できない、未補正
のマスク・パターンのスペクトルを示したもので
ある。一方、第４Ｃ図は、第４Ａ図と第４Ｂ図の
たたみ込みからなる補正マスクのスペクトルを示
している。第４Ｃ図を第４Ｂ図と比較すると、解
像可能な周波数でパターン中に誤差成分が含まれ
ていることがわかる。 本発明およびハーフトーンを用いて、相異なる
パターンの露出を等しくすることもできるだけで
なく、本発明にもとづくマスク構造を設けて、パ
ターン自体の内部で均一な補正を行なうことがで
きる。たとえば、有効グレイ・レベルを個々のマ
スク開口内部で変化させて、個々のマスクの隅部
および縁部で有効透過率を高めることができる。
こうすると、イメージの品質をさらに全体的に向
上させることが可能になる。 本発明の技術は、上記に詳しく説明したハーフ
トーン・マスクの作成に使われる２進マスク作成
工程で使用できるだけでなく、より一般的なマス
クのクラス（たとえば、負または虚数の透過率を
もつマスク）を作成するためのレーベンソン位相
層法などのより精巧なマスク作成工程と一緒に使
用することもできる。この位相層法は、レーベン
ソン（Levenson）等の論文“位相シフト・マス
クを用いた改良された解像度とフオトリソグラフ
イ（Improved Resolation and
Photolithography with ａ Phase−Shifting
Mask）”、IEEE Transaction on Electron
Devices、ED−29、1982年、1828ページに開示
されている。たとえば、その第５図を参照のこ
と。この技法は、４つの基本振幅を重ね合わせ
て、複素平面内で任意の振幅を合成することがて
きる。たとえば、マスク中の各解像度要素に対し
て任意の正味複素透過率を定義するのに、４種の
異なるハーフトーン要素があれば充分である。た
とえば、この４つの要素は、光学的厚さが1/3波
長の透明な被覆をもつ画素１１、厚さが2/3波長
の被覆をもつ画素１２、未被覆画素１３および未
被覆の基板上の不透明な画素１４を含むことがで
きる。第５図で、番号１３は未被覆の基板を表わ
す。その領域が１画素を表わす。未被覆の領域は
白で示してある。得られるマスクの位相透過率と
振幅透過率は、レンズの解像度の範囲内で任意に
空間的に変化させることができる。こうしたマス
クは、２次元の光学的物体の最も一般的なクラス
を形成する。したがつて、リソグラフイ工程での
品質低下を最も完全に補正するようなマスク・パ
ターンを選ぶことができる。 第５図は、有効マスク透過率がｙ方向では変化
するがｘ方向では変化しないハーフトーンを含む
マスクの概略図である。ｘ方向の各ストリツプの
正味振幅透過率Ｔ（ｙ）をグラフにｘで示す。図
に示した負の透過率は、不透明ハーフトーンだけ
では得ることができない。位相ハーフトーンを使
うと、一般的複素透過率が可能になる。 さらに、本発明によれば、最大許容要素寸法と
その判定基準を決定する方法が提供される。 マスク開口内にハーフトーン要素を配置するた
めの単純な方式は、ハーフトーンの存在可能部位
を確率ｐでランダムに充填するものである（ｐは
減衰率）。その場合、有限の画素寸法ではイメー
ジがランダムなシヨツト・ノイズを含むことにな
る。信号対雑音比は、大体レンズの１解像度要素
内のハーフトーン微細形状の数の平方根となる。
各チツプに多数の解像度要素が含まれる場合、ま
れに起こる異常な大きさのノイズの揺らぎを排除
するように、各目上ランダムな配置手順を修正す
べきである。 もう一つのより好ましい手法は、ハーフトーン
要素を２次元格子中で系統的に配列するものであ
る。 パターンの縁部付近での強度誤差は、下記の程
度のピークをもつ。 〔１〕 △Ｉ／I0〜ａ（マスク）／8r（マスク） ただし、ａ（マスク）＝Ma（ウエハ）は１個の
ハーフトーン要素の寸法、Ｍは拡大率、ｒ（マス
ク）＝Mr（ウエハ）は解像度（この場合0.5λ／
NAと定義）、I0は大きな物体のイメージ内部の強
度として定義される基本露光レベルである。 補正を加えない場合、臨界寸法がｄの微細形状
相互間の相互作用の程度は、下記の程度となる。 〔２〕△Ｉ〜sin2（πd／2r（ウエハ））／（πd／2r（
ウエハ））2 式２は、ある微細形状の幾何的境界の外ｄの距
離での残留レンズ応答と考えることができる。一
方、式１は基本的に幅がａの解像度未満の微細形
状に対するピーク・レンズ応答である。したがつ
て、（ｄとｒ（ウエハ）が同程度の場合）ａ（マス
ク）がｒ（マスク）に比べて小さいとき、式１は
式２よりもかなり小さくなる。 式１で表わされる増分は、ランダムに分散され
たハーフトーン微細形状の場合のような揺らぎを
示さない。さらに、式１はハーフトーン格子によ
つて導入される誤差の上限を表わしている。 真のグレイ・レベルを含むマスクの代わりにハ
ーフトーン・マスクを使つたときに導入される誤
差を推定するため、半平面を非コヒーレント照明
で結像させる単純な１次元の場合を考える。領域
ｘ＜０は不透明とみなされ、領域ｘ＞０は透過率
が50％の連続膜またはピツチが2aの等線間隔格
子とみなされる。 こうした条件のもとでは、グツドマン
（Goodman）が“フーリエ光学入門
（Introduction to Fourier Optics）”、マグロー
ヒル社、1986年、第６章で論じているように、イ
メージ強度は次式で与えられる。 〔３〕Ｉ（xi）＝I0dx0h（xi−xp）ｇ（xp） ただし、ｇ（xp）はマスクの透過率であり、非
コヒーレントな１次元結像であると仮定して、強
度応答関数は次式で与えられるものとする。 〔４〕ｈ（xi）＝１／2r（ウエハ） sin2（πxi／2r（ウエハ））／（πxi／2r（ウエハ
））2 真のグレイ・レベルのイメージとハーフトーン
を用いて得られるイメージの強度の差は次のよう
になる。 〔５〕ΔI／Ｉ＝0.5［∫a pdxpｈ（xi−xp）−∫2a adxp
ｈ（xi−xp）＋∫3a 2adxpｈ（xi−xp）−∫4a 3adxpｈ（
xi−xp）……］ 〔６〕−ａ／４∫∞ pdxpｄ／dxpｈ（xi−xp） 〔７〕＝ａ／8r（ウエハ） sin2（πxi／2r（ウエハ））／（πxi／2r（ウエ
ハ））2 これから上記の式１が得られる。式６では、各
画素内で２項のテイラー展開でｈが近似できるほ
ど、ハーフトーン画素が小さいものと仮定してい
る。 上記の手法が、照明が部分的にコヒーレントで
ありうる一般の２次元の計算の基礎となる。任意
の形のマスク開口を充填する一般の２次元ハーフ
トーン格子が解析できる。 単一の点光源からハーフトーン物体を通つて投
射されるイメージの振幅は、ボルン（Born）等
が“光学の原理（Principles of Optics）”、第５
版、パーガモン社、オツクスフオード、1985年10
章で論じているように、下記のようになる。 〔８〕ｖ（ｘ→i：ｘ→s）＝∫dApｈ（ｘ→i−ｘ
→p）ｐ（ｘ→p；ｘ→s）Ｓ（ｘ→s）ｇ（ｘ→p） 開口領域 ただし、Ｓ（xs）はxsでの点光源の強さ、ｈ
（xi）は振幅パルス応答、Ｐ（xp；xs）は１個の点
光源による対象平面を照射する振幅、ｇ（xp）は
上記と同様に周期的ハーフトーン透過率関数であ
る。ハーフトーン格子の第ｊ周期の透過率関数を
下記のように置く。
〔９〕ｇ（ｘ→p）＝△ｇ（△ｘ→p）＋ ただし、 〔10〕△ｘ→p≡ｘ→p−ｘ→pj かつ かつ、式10のxpjは次式で暗示的に定義される。 （すなわち、xpはｊ番目のハーフトーン周期の幾
何学的中心である。） ハーフトーン周期は、各周期内の像側および光
源側で２項のテイラー展開が可能なほど小さいと
仮定する。次に式８の積分変数をxpからxpjに変
えると、 これから、（式９と12を使つて、ハーフトーン
項全体について積分し、得られるｈ項とｐ項の和
を積分で近似すると）、次式が得られる。 dsが開口の縁部に沿つた方向の微分ベクトルで
あり、ｚが対象平面に垂直な向きである場合、グ
ラツドシユトリン（Gradshtlyn）他が“積分表
（Tables of Integrals）”、Series1 and Products
and Jeffrey、アカデミツク・ブレス、1980年、
＃10.723、1091ページで論じているような、スト
ークスの定理の一変形を使うと、式14は下記のよ
うになる。 ただし、 〔17〕ｄｍ→≡ｄｓ→×z^ すなわち、dmは開口縁部に垂直な向きの無限小
ベクトルである。 最後に、積VV*を形成し、光源の点xsのすべ
てにわたつて積分する。相互コヒーレンスの定義 を使い、透過率がgg*の真の連続トーン膜に対応
するイメージ強度を差し引くと、次式が得られ
る。 式19は、真の連続トーン膜イメージからの外れ
が、連続トーン膜イメージ自体と微細形状の境界
をたどるスリツト様開口によつて透過される振幅
と等価な振幅という２つの光源間の干渉と考える
ことができることを示している。このスリツトの
幅は基本的に＜ｒ＞で、１ハーフトーンの幅程度
である。上記の側のように、これは、残留誤差が
未補正の近接効果に比べて小さいことを示唆する
ものである。 同じことであるが、このハーフトーン開口を、
位置が距離＜ｒ＞だけずれた連続トーン膜開口と
みなすこともできる。というのは、こうしたずれ
によつて、式16の場合と同じ縁部様の寄与分だけ
透過振幅が変化するからである。開口が周期の整
数倍でないときも同様の寄与が生じる。 より一般的な非周期的ハーフトーン物体も同様
に、小さな内部変形を受けた可変透過率の物体と
みなすことができる。非周期的な場合、変形は不
均一である。 同様に、イメージを受ける部材が間にレンズを
置かずにマスクの近傍に置かれている場合に、解
像度未満の要素の分布を決定することができる。
この場合、ｈ（xi−xp）を次式で置き換える。 〔20〕ｈ（xi−xp） ＝ｅi2π／λ〔（xi−xo）２＋z2〕１／２／2π／λ
〔（xi−xp）2＋z2〕1/2 ただし、λは化学線の波長、ｚはマスクと部材
の間の距離である。この関数ｈ（xi−xp）の詳細
およびそれより優れた関数の詳細については、
Lin、Polymer Engineering and Science、
Vol.14、1975年、1317ページ、およびJ.Opt.Soc.
Am.、Vol.62、1972年、977ページに出ている。
したがつて、近接プリントの場合の解像度未満の
要素の寸法は、√1/2より小さくなる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明にもとづくハーフトーン・マ
スクの概略図である。第２図は、２個の物体を含
む従来のマスクの約10倍の概略図である。第３Ａ
図および第３Ｂ図は、第２図の従来のマスクで作
成されるイメージを示す。第３Ｃ図および第３Ｄ
図は、第１図に示した本発明によるハーフトー
ン・マスクで作成されるイメージを示す。第４Ａ
図は、ハーフトーンの格子状配列に含まれる空間
周波数のスペクトルを示す。第４Ｂ図は、未補正
のマスク・パターンのスペクトルを示す。第４Ｃ
図は、補正マスクのスペクトルを示す。第５図
は、本発明にもとづく位相ハーフトーンを含むマ
スクの概略図である。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 １ リソグラフイ・マスクを部材に対して位置付
    け、上記リソグラフイ・マスクに光を照射するこ
    とにより、上記部材のパターン形成部に露光領域
    を形成するリソグラフイ方法において、 上記部材のパターン形成部に対応する上記リソ
    グラフイ・マスクの部分が、リソグラフイの分解
    能よりも小さな複数の透明要素および不透明要素
    を含むことを特徴とするリソグラフイ方法。
JP63095824A 1987-06-01 1988-04-20 リソグラフイ方法 Granted JPS63304257A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US56161 1979-07-10
US07/056,161 US4902899A (en) 1987-06-01 1987-06-01 Lithographic process having improved image quality

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS63304257A JPS63304257A (ja) 1988-12-12
JPH0151825B2 true JPH0151825B2 (ja) 1989-11-06

Family

ID=22002573

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63095824A Granted JPS63304257A (ja) 1987-06-01 1988-04-20 リソグラフイ方法

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4902899A (ja)
EP (1) EP0293643B1 (ja)
JP (1) JPS63304257A (ja)
CA (1) CA1285664C (ja)
DE (1) DE3854211T2 (ja)

Families Citing this family (103)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2710967B2 (ja) 1988-11-22 1998-02-10 株式会社日立製作所 集積回路装置の製造方法
NL8903108A (nl) * 1989-12-20 1991-07-16 Philips Nv Werkwijze voor de vervaardiging van een inrichting en maskergroep voor de werkwijze.
SE465899B (sv) * 1990-01-29 1991-11-11 Misomex Ab Utbraenningsram foer kopiering av en genomlyslig originalfilm
JP2634289B2 (ja) * 1990-04-18 1997-07-23 三菱電機株式会社 位相シフトマスクの修正方法
JP2697946B2 (ja) * 1990-04-24 1998-01-19 三菱電機株式会社 フォトマスク
JP2892765B2 (ja) * 1990-04-27 1999-05-17 株式会社日立製作所 パターン構造を有する素子の製造方法
US5328807A (en) * 1990-06-11 1994-07-12 Hitichi, Ltd. Method of forming a pattern
JP3245882B2 (ja) * 1990-10-24 2002-01-15 株式会社日立製作所 パターン形成方法、および投影露光装置
JPH04242734A (ja) * 1990-12-28 1992-08-31 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 製版カメラの露光制御方法及び露光制御装置
KR960010023B1 (ko) * 1991-02-19 1996-07-25 후지쓰 가부시끼가이샤 투영노광(投影露光) 방법 및 투영노광용 광학 마스크
US5673102A (en) * 1991-02-22 1997-09-30 Canon Kabushiki Kaisha Image farming and microdevice manufacturing method and exposure apparatus in which a light source includes four quadrants of predetermined intensity
US5305054A (en) * 1991-02-22 1994-04-19 Canon Kabushiki Kaisha Imaging method for manufacture of microdevices
US5208124A (en) * 1991-03-19 1993-05-04 Hewlett-Packard Company Method of making a mask for proximity effect correction in projection lithography
US5194344A (en) * 1991-03-26 1993-03-16 Micron Technology, Inc. Method of fabricating phase shift reticles including chemically mechanically planarizing
US5217830A (en) * 1991-03-26 1993-06-08 Micron Technology, Inc. Method of fabricating phase shifting reticles using ion implantation
US5194346A (en) * 1991-04-15 1993-03-16 Micron Technology, Inc. Method of fabricating phase shifting reticles with an accurate phase shift layer
US5194345A (en) * 1991-05-14 1993-03-16 Micron Technology, Inc. Method of fabricating phase shift reticles
US5240796A (en) * 1991-07-09 1993-08-31 Micron Technology, Inc. Method of fabricating a chromeless phase shift reticle
JPH0536586A (ja) * 1991-08-02 1993-02-12 Canon Inc 像投影方法及び該方法を用いた半導体デバイスの製造方法
US5246800A (en) * 1991-09-12 1993-09-21 Etec Systems, Inc. Discrete phase shift mask writing
US5328785A (en) * 1992-02-10 1994-07-12 Litel Instruments High power phase masks for imaging systems
JP3210123B2 (ja) * 1992-03-27 2001-09-17 キヤノン株式会社 結像方法及び該方法を用いたデバイス製造方法
JP3278896B2 (ja) * 1992-03-31 2002-04-30 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
KR0131192B1 (en) * 1992-04-22 1998-04-14 Toshiba Corp Exposed mask, fabrication method of exposed mask substrate and patterning method based on exposed mask
JP2667940B2 (ja) * 1992-04-27 1997-10-27 三菱電機株式会社 マスク検査方法およびマスク検出装置
US5310623A (en) * 1992-11-27 1994-05-10 Lockheed Missiles & Space Company, Inc. Method for fabricating microlenses
JPH06188270A (ja) * 1992-12-15 1994-07-08 Mitsubishi Electric Corp 電界効果トランジスタの製造方法及びパターン転写マスク
AU5681194A (en) * 1993-01-21 1994-08-15 Sematech, Inc. Phase shifting mask structure with multilayer optical coating for improved transmission
US5418095A (en) * 1993-01-21 1995-05-23 Sematech, Inc. Method of fabricating phase shifters with absorbing/attenuating sidewalls using an additive process
US5411824A (en) * 1993-01-21 1995-05-02 Sematech, Inc. Phase shifting mask structure with absorbing/attenuating sidewalls for improved imaging
US5593801A (en) * 1993-02-12 1997-01-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Attenuating type phase shifting mask, method of manufacturing thereof and semiconductor device manufactured by using the mask
KR0135729B1 (en) * 1993-02-12 1998-04-24 Mitsubishi Electric Corp Attenuating type phase shifting mask and method of manufacturing thereof
US5362584A (en) * 1993-04-02 1994-11-08 International Business Machines Corporation Phase-shifting transparent lithographic mask for writing contiguous structures from noncontiguous mask areas
GB2277998A (en) * 1993-05-13 1994-11-16 Marconi Gec Ltd Mask and apparatus for producing microlenses
JP2718893B2 (ja) * 1993-06-04 1998-02-25 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション 移相マスクの移相欠陥を修復する方法
KR970007822B1 (ko) * 1993-11-15 1997-05-17 현대전자산업 주식회사 반도체 장치의 제조 방법
US6159641A (en) * 1993-12-16 2000-12-12 International Business Machines Corporation Method for the repair of defects in lithographic masks
US5523580A (en) * 1993-12-23 1996-06-04 International Business Machines Corporation Reticle having a number of subfields
KR0138297B1 (ko) * 1994-02-07 1998-06-01 김광호 포토 마스크 및 그 제조 방법
US5539175A (en) * 1994-03-21 1996-07-23 Litel Instruments Apparatus and process for optically ablated openings having designed profile
US5465859A (en) * 1994-04-28 1995-11-14 International Business Machines Corporation Dual phase and hybrid phase shifting mask fabrication using a surface etch monitoring technique
US5537648A (en) * 1994-08-15 1996-07-16 International Business Machines Corporation Geometric autogeneration of "hard" phase-shift designs for VLSI
JPH08297692A (ja) * 1994-09-16 1996-11-12 Mitsubishi Electric Corp 光近接補正装置及び方法並びにパタン形成方法
US5477058A (en) * 1994-11-09 1995-12-19 Kabushiki Kaisha Toshiba Attenuated phase-shifting mask with opaque reticle alignment marks
US5565286A (en) * 1994-11-17 1996-10-15 International Business Machines Corporation Combined attenuated-alternating phase shifting mask structure and fabrication methods therefor
KR0158904B1 (ko) * 1994-12-02 1999-02-01 김주용 콘택마스크
US5679483A (en) * 1994-12-20 1997-10-21 Siemens Aktiengesellschaft Embedded phase shifting photomasks and method for manufacturing same
US5508803A (en) * 1994-12-20 1996-04-16 International Business Machines Corporation Method and apparatus for monitoring lithographic exposure
KR100190762B1 (ko) * 1995-03-24 1999-06-01 김영환 사입사용 노광마스크
JPH09167753A (ja) * 1995-08-14 1997-06-24 Toshiba Corp 半導体基板の表面の平坦化方法とその装置
US5866913A (en) * 1995-12-19 1999-02-02 International Business Machines Corporation Proximity correction dose modulation for E-beam projection lithography
US5869212A (en) * 1996-05-31 1999-02-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Integrated circuit photofabrication masks and methods for making same
US5747817A (en) * 1996-09-09 1998-05-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. One-step method for on-line lithographic pattern inspection
US5821013A (en) * 1996-12-13 1998-10-13 Symbios, Inc. Variable step height control of lithographic patterning through transmitted light intensity variation
US6440644B1 (en) 1997-10-15 2002-08-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Planarization method and system using variable exposure
US6534242B2 (en) 1997-11-06 2003-03-18 Canon Kabushiki Kaisha Multiple exposure device formation
US6377337B1 (en) 1998-05-02 2002-04-23 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus
US6218089B1 (en) 1998-05-22 2001-04-17 Micron Technology, Inc. Photolithographic method
JP3347670B2 (ja) * 1998-07-06 2002-11-20 キヤノン株式会社 マスク及びそれを用いた露光方法
JP3352405B2 (ja) 1998-09-10 2002-12-03 キヤノン株式会社 露光方法及びそれを用いたデバイス製造方法並びに半導体デバイス
JP2000206671A (ja) 1999-01-13 2000-07-28 Mitsubishi Electric Corp フォトマスク、フォトマスクの製造方法、および半導体集積回路装置の製造方法
US6373975B1 (en) 1999-01-25 2002-04-16 International Business Machines Corporation Error checking of simulated printed images with process window effects included
US6467076B1 (en) * 1999-04-30 2002-10-15 Nicolas Bailey Cobb Method and apparatus for submicron IC design
US6425112B1 (en) 1999-06-17 2002-07-23 International Business Machines Corporation Auto correction of error checked simulated printed images
US6258490B1 (en) 1999-07-09 2001-07-10 International Business Machines Corporation Transmission control mask utilized to reduce foreshortening effects
US6704695B1 (en) 1999-07-16 2004-03-09 International Business Machines Corporation Interactive optical proximity correction design method
US6569574B2 (en) 1999-10-18 2003-05-27 Micron Technology, Inc. Methods of patterning radiation, methods of forming radiation-patterning tools, and radiation-patterning tools
US6090528A (en) * 1999-10-27 2000-07-18 Gordon; Michael S. Spot-to-spot stitching in electron beam lithography utilizing square aperture with serrated edge
US6584609B1 (en) 2000-02-28 2003-06-24 Numerical Technologies, Inc. Method and apparatus for mixed-mode optical proximity correction
US6303253B1 (en) 2000-03-16 2001-10-16 International Business Machines Corporation Hierarchy and domain-balancing method and algorithm for serif mask design in microlithography
EP1150171A3 (en) * 2000-04-28 2003-08-27 Infineon Technologies North America Corp. Group connection of reticle sub-shapes to reduce line shortening and improve pattern fidelity
TW512424B (en) 2000-05-01 2002-12-01 Asml Masktools Bv Hybrid phase-shift mask
US6404970B1 (en) * 2000-05-22 2002-06-11 Jds Uniphase Inc. Variable optical attenuator
KR100494683B1 (ko) * 2000-05-31 2005-06-13 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 4-마스크를 이용한 박막 트랜지스터 액정표시장치의제조시에 사용하는 할프톤 노광 공정용 포토 마스크
US6777141B2 (en) 2000-07-05 2004-08-17 Numerical Technologies, Inc. Phase shift mask including sub-resolution assist features for isolated spaces
US6541165B1 (en) 2000-07-05 2003-04-01 Numerical Technologies, Inc. Phase shift mask sub-resolution assist features
US6523162B1 (en) 2000-08-02 2003-02-18 Numerical Technologies, Inc. General purpose shape-based layout processing scheme for IC layout modifications
US6792590B1 (en) * 2000-09-29 2004-09-14 Numerical Technologies, Inc. Dissection of edges with projection points in a fabrication layout for correcting proximity effects
US6453457B1 (en) 2000-09-29 2002-09-17 Numerical Technologies, Inc. Selection of evaluation point locations based on proximity effects model amplitudes for correcting proximity effects in a fabrication layout
US6625801B1 (en) 2000-09-29 2003-09-23 Numerical Technologies, Inc. Dissection of printed edges from a fabrication layout for correcting proximity effects
US6665856B1 (en) 2000-12-01 2003-12-16 Numerical Technologies, Inc. Displacing edge segments on a fabrication layout based on proximity effects model amplitudes for correcting proximity effects
US6653026B2 (en) 2000-12-20 2003-11-25 Numerical Technologies, Inc. Structure and method of correcting proximity effects in a tri-tone attenuated phase-shifting mask
JP4267245B2 (ja) 2001-03-14 2009-05-27 エーエスエムエル マスクツールズ ビー．ブイ． 解像度以下の補助フィーチャとして罫線ラダー・バーを利用した光近接補正方法
US6551750B2 (en) 2001-03-16 2003-04-22 Numerical Technologies, Inc. Self-aligned fabrication technique for tri-tone attenuated phase-shifting masks
US6516452B2 (en) * 2001-05-01 2003-02-04 Chipdata, Inc. Method and apparatus for verifying design data
US6789237B1 (en) * 2001-05-11 2004-09-07 Northwestern University Efficient model order reduction via multi-point moment matching
CN1216285C (zh) * 2001-08-10 2005-08-24 Hoya株式会社 灰调掩模缺陷检查方法及装置和光掩模缺陷检查方法及装置
US6684382B2 (en) 2001-08-31 2004-01-27 Numerical Technologies, Inc. Microloading effect correction
JP2003173015A (ja) * 2001-09-28 2003-06-20 Hoya Corp グレートーンマスクの製造方法
US6670082B2 (en) * 2001-10-09 2003-12-30 Numerical Technologies, Inc. System and method for correcting 3D effects in an alternating phase-shifting mask
US6649452B2 (en) 2002-02-28 2003-11-18 Motorola, Inc. Method for manufacturing a lithographic reticle for transferring an integrated circuit design to a semiconductor wafer
US7651821B2 (en) * 2002-03-04 2010-01-26 Massachusetts Institute Of Technology Method and system of lithography using masks having gray-tone features
US6884551B2 (en) * 2002-03-04 2005-04-26 Massachusetts Institute Of Technology Method and system of lithography using masks having gray-tone features
US6887629B2 (en) * 2002-08-21 2005-05-03 Micron Technology, Inc. Radiation-patterning tool
US7172838B2 (en) * 2002-09-27 2007-02-06 Wilhelm Maurer Chromeless phase mask layout generation
US7480891B2 (en) * 2005-04-29 2009-01-20 Cadence Design Systems, Inc. Method and apparatus of model-based photomask synthesis
US7506300B2 (en) * 2005-04-29 2009-03-17 Cadence Design Systems, Inc. Apparatus and method for breaking up and merging polygons
JP4742700B2 (ja) * 2005-06-29 2011-08-10 凸版印刷株式会社 画素形成方法
US7919231B2 (en) * 2007-09-04 2011-04-05 Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. Photolithographic method and mask devices utilized for multiple exposures in the field of a feature
US20090311615A1 (en) * 2008-06-13 2009-12-17 Deming Tang Method of photolithographic patterning
US8283111B2 (en) * 2008-09-17 2012-10-09 Tokyo Electron Limited Method for creating gray-scale features for dual tone development processes
US9341961B2 (en) 2013-03-15 2016-05-17 Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. Cross technology reticle (CTR) or multi-layer reticle (MLR) CDU, registration, and overlay techniques
IL234655B (en) * 2014-09-15 2018-10-31 Zeiss Carl Sms Ltd Apparatus and method for imparting direction-selective light attenuation

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB557132A (en) * 1942-02-10 1943-11-05 Benjamin Liebowitz "drop-out" half-tone negatives and positives and processes of producing the same
DE1622341A1 (de) * 1968-01-18 1970-10-29 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von Kontaktbelichtungsmasken fuer Halbleiterzwecke
DD126361A1 (ja) * 1976-04-30 1977-07-13
US4278755A (en) * 1978-04-10 1981-07-14 Lumin, Inc. Halftone screen and method of using same
US4308326A (en) * 1979-03-28 1981-12-29 Wirth John L Halftone contact screen and photographic method of making the screen
US4231811A (en) * 1979-09-13 1980-11-04 Intel Corporation Variable thickness self-aligned photoresist process
JPS5689742A (en) * 1979-12-22 1981-07-21 Fujitsu Ltd Mask for exposure
US4262070A (en) * 1980-04-18 1981-04-14 Liu Hua Kuang Method of making halftone contact screens
JPS58102939A (ja) * 1981-12-15 1983-06-18 Canon Inc マスクアライナ−用マスク及びマスクアライナ−
US4456371A (en) * 1982-06-30 1984-06-26 International Business Machines Corporation Optical projection printing threshold leveling arrangement
US4417948A (en) * 1982-07-09 1983-11-29 International Business Machines Corporation Self developing, photoetching of polyesters by far UV radiation
US4600666A (en) * 1983-01-12 1986-07-15 Zink Edmund S Integrated photoscreen for making a halftone reproduction printing plate from a photograph
JPS59202632A (ja) * 1983-04-30 1984-11-16 Fuji Electric Corp Res & Dev Ltd フオトマスク
JPS61117544A (ja) * 1984-11-14 1986-06-04 Hitachi Ltd ホトマスク
GB8519910D0 (en) * 1985-08-08 1985-09-18 Secr Defence Photolithographic masks

Also Published As

Publication number Publication date
JPS63304257A (ja) 1988-12-12
EP0293643B1 (en) 1995-07-26
US4902899A (en) 1990-02-20
DE3854211D1 (de) 1995-08-31
EP0293643A2 (en) 1988-12-07
DE3854211T2 (de) 1996-02-29
EP0293643A3 (en) 1990-10-31
CA1285664C (en) 1991-07-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0151825B2 (ja)
USRE44792E1 (en) Rapid scattering simulation of objects in imaging using edge domain decomposition
US6818389B2 (en) Method of design and fabrication of integrated circuits using regular arrays and gratings
US6534242B2 (en) Multiple exposure device formation
US6233044B1 (en) Methods and apparatus for integrating optical and interferometric lithography to produce complex patterns
US7266800B2 (en) Method and system for designing manufacturable patterns that account for the pattern- and position-dependent nature of patterning processes
US8479125B2 (en) Lithography modeling and applications
US5644390A (en) Intensity distribution simulating method
US6828068B2 (en) Binary half tone photomasks and microscopic three-dimensional devices and method of fabricating the same
US20100203430A1 (en) Methods for performing model-based lithography guided layout design
US9870612B2 (en) Method for repairing a mask
JP5048801B2 (ja) 光学および干渉リソグラフィを統合して複雑なパターンを生成する方法および装置
Henke et al. Simulation and experimental study of gray-tone lithography for the fabrication of arbitrarily shaped surfaces
EP0401795A2 (en) Phase-shifting photomask for negative resist and process for forming isolated, negative resist pattern using the phaseshifting photomask
EP0938031B1 (en) A process for integrated circuit device fabrication using a variable transmission aperture
US5764342A (en) Method and system for controlling the relative size of images formed in light-sensitive media
US5789117A (en) Transfer method for non-critical photoresist patterns
US6180293B1 (en) Mask pattern preparing method and photomask
Henke et al. Simulation and process design of gray-tone lithography for the fabrication of arbitrarily shaped surfaces
US6686100B2 (en) Optical proximity correction method
JP3644041B2 (ja) 露光方法及び露光装置
Sato et al. Coma aberration measurement by relative shift of displacement with pattern dependence
JPH0844039A (ja) ハーフトーン方式位相シフトマスク及びレジスト露光方法
Xiao Wavefront engineering: Design of optimized illumination and masks for sub-0.25 micron X-ray lithography
CN1936701A (zh) 改进的cpl掩模及其制造方法和程序产品