JPH0153729B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0153729B2 JPH0153729B2 JP57167251A JP16725182A JPH0153729B2 JP H0153729 B2 JPH0153729 B2 JP H0153729B2 JP 57167251 A JP57167251 A JP 57167251A JP 16725182 A JP16725182 A JP 16725182A JP H0153729 B2 JPH0153729 B2 JP H0153729B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cadmium
- tellurium
- mercury
- crystal layer
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、赤外線検出素子の構造に関するもの
である。
である。
水銀カドミウムテルル（Hg1-XCdxTe）結晶
は、水銀とカドミウムの組成比を変えることによ
り、該結晶のエネルギーギヤツプを−0.3eVから
1.6eVまで変えることができる。特にＸ＝0.2の組
成の結晶は、10μｍ帯赤外線検出素子材料として
重要である。このような赤外線検出素子では、検
出素子を一列に、または二次元的に多数個配列し
てアレイとして用いる場合が多い。
は、水銀とカドミウムの組成比を変えることによ
り、該結晶のエネルギーギヤツプを−0.3eVから
1.6eVまで変えることができる。特にＸ＝0.2の組
成の結晶は、10μｍ帯赤外線検出素子材料として
重要である。このような赤外線検出素子では、検
出素子を一列に、または二次元的に多数個配列し
てアレイとして用いる場合が多い。
まず従来の赤外線検出素子アレイの構造につい
て述べる。
て述べる。
第１図ａは光伝導型素子アレイの平面図、同図
ｂは同図ａのＡ−Ａ線における断面図を示す。こ
こで１はカドミウムテルル（CdTe）基板、２は
水銀カドミウムテルル結晶層、３はたとえばイン
ジウム／金（In／Au）のような金属多層からな
る電極、４はたとえば金線からなる金属細線、５
は該金線４の電極３への圧着部である。
ｂは同図ａのＡ−Ａ線における断面図を示す。こ
こで１はカドミウムテルル（CdTe）基板、２は
水銀カドミウムテルル結晶層、３はたとえばイン
ジウム／金（In／Au）のような金属多層からな
る電極、４はたとえば金線からなる金属細線、５
は該金線４の電極３への圧着部である。
以下、該アレイの製造方法を説明する。半絶縁
性のカドミウムテルル（CdTe）基板１上に水銀
カドミウムテルル結晶層２を、例えば周知の液相
エピタキシヤル成長法を用いてエピタキシヤル成
長を行なつて形成する。その後、素子間の分離を
行なうために、ホトレジスト膜を被着形成し、写
真蝕刻法を用いて第１図ａで示す水銀カドミウム
テルル結晶層２と電極３の形状にパターンを形成
する。該パターニングしたレジスト膜をマスクと
して、臭素とメチルアルコールの混合液で水銀カ
ドミウムテルル結晶層２をカドミウムテルル基板
１までエツチングする。この後、エツチングで残
つた水銀カドミウムテルル結晶層２の両端に電極
金属層を順次蒸着等の方法で付着させて、第１図
ａで示す電極３の形状に形成する。以上の過程が
終了した後、上記カドミウムテルル基板１を所定
の位置にセツトして、外部端子（図示せず）と電
気的に接続するため、金線４でワイヤボンデイン
グを行なう。
性のカドミウムテルル（CdTe）基板１上に水銀
カドミウムテルル結晶層２を、例えば周知の液相
エピタキシヤル成長法を用いてエピタキシヤル成
長を行なつて形成する。その後、素子間の分離を
行なうために、ホトレジスト膜を被着形成し、写
真蝕刻法を用いて第１図ａで示す水銀カドミウム
テルル結晶層２と電極３の形状にパターンを形成
する。該パターニングしたレジスト膜をマスクと
して、臭素とメチルアルコールの混合液で水銀カ
ドミウムテルル結晶層２をカドミウムテルル基板
１までエツチングする。この後、エツチングで残
つた水銀カドミウムテルル結晶層２の両端に電極
金属層を順次蒸着等の方法で付着させて、第１図
ａで示す電極３の形状に形成する。以上の過程が
終了した後、上記カドミウムテルル基板１を所定
の位置にセツトして、外部端子（図示せず）と電
気的に接続するため、金線４でワイヤボンデイン
グを行なう。
以上説明したような従来方法でアレイ素子を製
造する場合、ワイヤボンデイングの過程が最も問
題である。水銀カドミウムテルル結晶層２は非常
に脆弱で、容易に傷つき、金線４がはずれやすい
欠点がある。この欠点を改善するために、従来、
第２図ａ，ｂのような素子構造が考案された。こ
の構造は脆弱な水銀カドミウムテルル結晶層２上
ではなく、水銀カドミウムテルル結晶層２より硬
いカドミウムテルル基板１上にボンデイング用の
電極１３を形成するのを目的としている。第２図
ａはその平面図で、同図ｂは同図ａのＢ−Ｂ線に
おける断面図である。ここで、１３はたとえばイ
ンジウム／金（In／Au）のような、水銀カドミ
ウムテルル結晶層２とのオーミツク接触を兼ねた
ボンデイング用電極である。
造する場合、ワイヤボンデイングの過程が最も問
題である。水銀カドミウムテルル結晶層２は非常
に脆弱で、容易に傷つき、金線４がはずれやすい
欠点がある。この欠点を改善するために、従来、
第２図ａ，ｂのような素子構造が考案された。こ
の構造は脆弱な水銀カドミウムテルル結晶層２上
ではなく、水銀カドミウムテルル結晶層２より硬
いカドミウムテルル基板１上にボンデイング用の
電極１３を形成するのを目的としている。第２図
ａはその平面図で、同図ｂは同図ａのＢ−Ｂ線に
おける断面図である。ここで、１３はたとえばイ
ンジウム／金（In／Au）のような、水銀カドミ
ウムテルル結晶層２とのオーミツク接触を兼ねた
ボンデイング用電極である。
しかしながらこの従来構造においても、第３図
に示すように、ボンダーのキヤピラリー７で金線
４を圧着した後引き上げる時、カドミウムテルル
の脆弱さのため電極１３も一緒に引き上げてしま
う事が多く、これはカドミウムテルルと電極金属
との付着力が充分でないためと考えられる。一般
にアレイ素子では、数10個から数百個のボンデイ
ングを行なう必要があり、しかもその中の１つが
はずれてもアレイ素子として使えなくなり、上記
従来の構造では、アレイを作製することには困難
がつきまとつている。
に示すように、ボンダーのキヤピラリー７で金線
４を圧着した後引き上げる時、カドミウムテルル
の脆弱さのため電極１３も一緒に引き上げてしま
う事が多く、これはカドミウムテルルと電極金属
との付着力が充分でないためと考えられる。一般
にアレイ素子では、数10個から数百個のボンデイ
ングを行なう必要があり、しかもその中の１つが
はずれてもアレイ素子として使えなくなり、上記
従来の構造では、アレイを作製することには困難
がつきまとつている。
本発明は以上の点に鑑みてなされたもので、カ
ドミウムテルル基板上に、水銀カドミウムテルル
結晶層に隣接する硫化亜鉛又はセレン化亜鉛から
なる中間層を形成し、上記水銀カドミウムテルル
結晶層とオーミツク接触し、その一部が上記中間
層上に付着されたワイヤボンデイング用電極を設
けることにより、ボンデイング時に電極がはがれ
ることがなく、赤外線検出素子アレイを容易に製
造できる赤外線検出素子を提供することを目的と
している。
ドミウムテルル基板上に、水銀カドミウムテルル
結晶層に隣接する硫化亜鉛又はセレン化亜鉛から
なる中間層を形成し、上記水銀カドミウムテルル
結晶層とオーミツク接触し、その一部が上記中間
層上に付着されたワイヤボンデイング用電極を設
けることにより、ボンデイング時に電極がはがれ
ることがなく、赤外線検出素子アレイを容易に製
造できる赤外線検出素子を提供することを目的と
している。
第４図は、本発明の一実施例による赤外線検出
素子の断面図である。図において第１図ないし第
３図と同一符号は同一又は相当部分を示し、８は
中間層としての硫化亜鉛（ZnS）層である。
素子の断面図である。図において第１図ないし第
３図と同一符号は同一又は相当部分を示し、８は
中間層としての硫化亜鉛（ZnS）層である。
この構造では、第２図に示した従来の構造の素
子の少なくともボンデイング用電極１３の一部の
下に硫化亜鉛層８を付着させることを特徴とし、
該硫化亜鉛層８は、蒸着法、スパツタ法又は化学
的蒸着法（CVD法）のいずれでも、これを付着
させることが可能である。硫化亜鉛はカドミウム
テルルにくらべて十分に硬い材料であるうえ、カ
ドミウムテルルおよび電極金属との付着力も強
い。従つて、ワイヤボンデイング時の圧力および
張力に十分耐え得る硫化亜鉛層８を形成でき、ま
た該硫化亜鉛層８上に付着したボンデイング用電
極１３と該硫化亜鉛層８との付着力も充分である
ため、ワイヤボンデイング時の電極のはがれをな
くすることができる。
子の少なくともボンデイング用電極１３の一部の
下に硫化亜鉛層８を付着させることを特徴とし、
該硫化亜鉛層８は、蒸着法、スパツタ法又は化学
的蒸着法（CVD法）のいずれでも、これを付着
させることが可能である。硫化亜鉛はカドミウム
テルルにくらべて十分に硬い材料であるうえ、カ
ドミウムテルルおよび電極金属との付着力も強
い。従つて、ワイヤボンデイング時の圧力および
張力に十分耐え得る硫化亜鉛層８を形成でき、ま
た該硫化亜鉛層８上に付着したボンデイング用電
極１３と該硫化亜鉛層８との付着力も充分である
ため、ワイヤボンデイング時の電極のはがれをな
くすることができる。
なお、これまで光伝導型素子についてのみ説明
してきたが、本発明は光起電力型素子にも適用で
きるのは当然である。
してきたが、本発明は光起電力型素子にも適用で
きるのは当然である。
また、上記実施例で述べた中間層としての硫化
亜鉛層は、電極と水銀カドミウムテルル結晶層と
の接触部分があるかぎり、いくら広くてもよく、
また、水銀カドミウムテルル結晶層上にあつても
良い。さらに上記中間層は、セレン化亜鉛
（ZnSe）層であつてもよい。
亜鉛層は、電極と水銀カドミウムテルル結晶層と
の接触部分があるかぎり、いくら広くてもよく、
また、水銀カドミウムテルル結晶層上にあつても
良い。さらに上記中間層は、セレン化亜鉛
（ZnSe）層であつてもよい。
以上のように、本発明に係る赤外線検出素子に
よれば、硫化亜鉛又はセレン化亜鉛からなる中間
層をカドミウムテルル基板とワイヤボンデイング
用電極との間に付着形成したので、１本の失敗も
なくワイヤボンデイングを行なうことができ、数
百のアレイも容易に製造できるという大きな効果
がある。
よれば、硫化亜鉛又はセレン化亜鉛からなる中間
層をカドミウムテルル基板とワイヤボンデイング
用電極との間に付着形成したので、１本の失敗も
なくワイヤボンデイングを行なうことができ、数
百のアレイも容易に製造できるという大きな効果
がある。
第１図ａは従来の光伝導型赤外線検出素子アレ
イの平面図、第１図ｂは同図ａのＡ−Ａ線断面
図、第２図ａは他の従来の光伝導型赤外線検出素
子アレイの平面図、第２図ｂは同図ａのＢ−Ｂ線
断面図、第３図は第２図ｂにおけるワイヤボンデ
イング時の状態を示す図、第４図は本発明の一実
施例による赤外線検出素子の断面図である。 １……カドミウムテルル基板、２……水銀カド
ミウムテルル結晶層、８……中間層（硫化亜鉛
層）、１３……ワイヤボンデイング用電極。なお、
図中同一符号は同一部分又は相当部分を示す。
イの平面図、第１図ｂは同図ａのＡ−Ａ線断面
図、第２図ａは他の従来の光伝導型赤外線検出素
子アレイの平面図、第２図ｂは同図ａのＢ−Ｂ線
断面図、第３図は第２図ｂにおけるワイヤボンデ
イング時の状態を示す図、第４図は本発明の一実
施例による赤外線検出素子の断面図である。 １……カドミウムテルル基板、２……水銀カド
ミウムテルル結晶層、８……中間層（硫化亜鉛
層）、１３……ワイヤボンデイング用電極。なお、
図中同一符号は同一部分又は相当部分を示す。
Claims (1)
- １ カドミウムテルル基板上に形成された水銀カ
ドミウムテルル結晶層と、上記カドミウムテルル
基板上に上記水銀カドミウムテルル結晶層に隣接
して付着形成された硫化亜鉛又はセレン化亜鉛か
らなる中間層と、上記水銀カドミウムテルル結晶
層とオーミツク接触しその一部が上記中間層上に
付着されたワイヤボンデイング用電極とを備えた
ことを特徴とする赤外線検出素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57167251A JPS5956126A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | 赤外線検出素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57167251A JPS5956126A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | 赤外線検出素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5956126A JPS5956126A (ja) | 1984-03-31 |
| JPH0153729B2 true JPH0153729B2 (ja) | 1989-11-15 |
Family
ID=15846259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57167251A Granted JPS5956126A (ja) | 1982-09-24 | 1982-09-24 | 赤外線検出素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5956126A (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4876222A (en) * | 1987-09-25 | 1989-10-24 | Texas Instrument Incorporated | Semiconductor passivation |
| KR20030056676A (ko) * | 2001-12-28 | 2003-07-04 | 주식회사 케이이씨 | 적외선 감지기의 구조 및 그 제조방법 |
| CN115249749B (zh) * | 2021-04-25 | 2024-01-16 | 同方威视技术股份有限公司 | 碲锌镉探测器的封装结构 |
-
1982
- 1982-09-24 JP JP57167251A patent/JPS5956126A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5956126A (ja) | 1984-03-31 |
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