JPS6370461A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS6370461A JPS6370461A JP61215276A JP21527686A JPS6370461A JP S6370461 A JPS6370461 A JP S6370461A JP 61215276 A JP61215276 A JP 61215276A JP 21527686 A JP21527686 A JP 21527686A JP S6370461 A JPS6370461 A JP S6370461A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- silicon nitride
- film
- nitride film
- positive resist
- junction
- Prior art date
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- Granted
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F77/00—Constructional details of devices covered by this subclass
- H10F77/30—Coatings
- H10F77/306—Coatings for devices having potential barriers
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Light Receiving Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
本発明はＨｇＣｄＴｅ基板に形成したダイオードのｐ−
ｎ接合部周辺上に、ＥＣＲ−ＰＣＶＤ （Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎ Ｃｙｃｌ。
ｎ接合部周辺上に、ＥＣＲ−ＰＣＶＤ （Ｅｌｅｃｔｒ
ｏｎ Ｃｙｃｌ。
ｔｒｏｎ Ｒｅｓｏｎａｎｃｅ−Ｐｌａｓｍａ Ｃｈｅ
ｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎの略）
Ｓｉ、Ｎ４膜（以下窒化珪素膜と呼ぶ）を被着する
ことにより、界面の安定化と製造工程の再現性を向上し
たものである。
ｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎの略）
Ｓｉ、Ｎ４膜（以下窒化珪素膜と呼ぶ）を被着する
ことにより、界面の安定化と製造工程の再現性を向上し
たものである。
本発明はｌＩｇｃｄＴｅ基板を用いた半導体装置の構造
改良に係り、特にダイオードの接合部の周辺部に窒化珪
素膜を形成することによってダイオードの逆方向特性の
改善と製造工程の再現性とを向上させた半導体装置に関
する。
改良に係り、特にダイオードの接合部の周辺部に窒化珪
素膜を形成することによってダイオードの逆方向特性の
改善と製造工程の再現性とを向上させた半導体装置に関
する。
（従来の技術〕
第３図（ａｌ、 （′ｂ１は従来の半導体装置の構造例
を示す要部側断面図であって、（ａ）は標準構造を、（
ｂｌはゲート電極付設型構造を示している。図中におい
て、１はダイオード電極、２は基板のオーミック電極、
３は硫化亜鉛膜、１０はｐ型ＨｇＣｄＴｅより成る半導
体基板、１１は例えばイオン注入により形成したｎ型の
領域、１２は基板表面に露呈したｐ−ｎ接合部をそれぞ
れ示す。
を示す要部側断面図であって、（ａ）は標準構造を、（
ｂｌはゲート電極付設型構造を示している。図中におい
て、１はダイオード電極、２は基板のオーミック電極、
３は硫化亜鉛膜、１０はｐ型ＨｇＣｄＴｅより成る半導
体基板、１１は例えばイオン注入により形成したｎ型の
領域、１２は基板表面に露呈したｐ−ｎ接合部をそれぞ
れ示す。
第３図ｆａ）は半導体基板１０の界面保護膜として硫化
亜鉛膜を用いた例であり、第３図（ｂ）はｐ−ｎ接合部
１２と硫化亜鉛膜３との界面における界面電位を制御す
るためのゲート電極４が形成された例である。
亜鉛膜を用いた例であり、第３図（ｂ）はｐ−ｎ接合部
１２と硫化亜鉛膜３との界面における界面電位を制御す
るためのゲート電極４が形成された例である。
上記第３図（ａｌのように半導体基板１０の保護膜に硫
化亜鉛膜３を用いた場合は、硫化亜鉛膜３と半導体基板
１０間の密着性は良いが、硫化亜鉛膜３と半導体基板１
０との界面特性は表面準位密度が多くて界面の固定電荷
が一定しないため、ダイオードの暗電流が増大するとい
う問題点を生じていた。
化亜鉛膜３を用いた場合は、硫化亜鉛膜３と半導体基板
１０間の密着性は良いが、硫化亜鉛膜３と半導体基板１
０との界面特性は表面準位密度が多くて界面の固定電荷
が一定しないため、ダイオードの暗電流が増大するとい
う問題点を生じていた。
これを避けるため、ダイオード１の周辺部にゲート電極
４を形成して界面電位の最適化を図った例が第３図（ｂ
）である。しかしながら多数のダイオードを互いに接近
させて配置する必要のある赤外線検知器等では、ダイオ
ードの増加に伴ってゲート電極４の面積も増え、ゲート
電極４と半導体基板１０との短絡が起こり易く、結果的
に歩留まりが低下するといった問題点があった。
４を形成して界面電位の最適化を図った例が第３図（ｂ
）である。しかしながら多数のダイオードを互いに接近
させて配置する必要のある赤外線検知器等では、ダイオ
ードの増加に伴ってゲート電極４の面積も増え、ゲート
電極４と半導体基板１０との短絡が起こり易く、結果的
に歩留まりが低下するといった問題点があった。
なお、硫化亜鉛膜３に代え、保護膜に窒化珪素膜を用い
た場合は、表面準位密度ならびに界面固定電荷密度が共
に小さく、またこの特性の再現性も良いため、半導体基
板１ｏの界面保護膜として非常に有効であるが、窒化珪
素膜と半導体基板１ｏの密着性が低いため、プロセス上
の制限が多いという問題点がある。
た場合は、表面準位密度ならびに界面固定電荷密度が共
に小さく、またこの特性の再現性も良いため、半導体基
板１ｏの界面保護膜として非常に有効であるが、窒化珪
素膜と半導体基板１ｏの密着性が低いため、プロセス上
の制限が多いという問題点がある。
本発明はＨｇＣｄＴｅ基板上に形成したダイオードのｐ
−ｎ接合部Ｑ２）周辺部を覆う形で窒化珪素（ＳｉｓＮ
４）の薄膜を形成し、該窒化珪素膜上に窒化珪素以外の
絶縁膜を形成した構造になっている。
−ｎ接合部Ｑ２）周辺部を覆う形で窒化珪素（ＳｉｓＮ
４）の薄膜を形成し、該窒化珪素膜上に窒化珪素以外の
絶縁膜を形成した構造になっている。
本発明の構造によれば、ダイオード周辺の界面特性は窒
化珪素膜で決まり、接続孔の開孔等のプロセスは硫化亜
鉛膜の形成後に行われるので、窒化珪素膜の密着性が低
いために起こる剥離の問題を防止できる。
化珪素膜で決まり、接続孔の開孔等のプロセスは硫化亜
鉛膜の形成後に行われるので、窒化珪素膜の密着性が低
いために起こる剥離の問題を防止できる。
以下本発明の一実施例を図面に基づいて詳述する。
第１図は本発明の一実施例を示す要部側断面図、第２図
Ｆ８１〜（ｆ）は本発明による半導体装置の製造工程の
一実施例を示す要部側断面図であるが、前記第３図と同
一部分には同一符号を付している。
Ｆ８１〜（ｆ）は本発明による半導体装置の製造工程の
一実施例を示す要部側断面図であるが、前記第３図と同
一部分には同一符号を付している。
第１図に示すように、本発明の半導体装置は、ダイオー
ド電極１の周辺部に界面保護用の窒化珪素膜８が形成さ
れた構造になっている。
ド電極１の周辺部に界面保護用の窒化珪素膜８が形成さ
れた構造になっている。
従って本発明の場合は、窒化珪素膜８を付着後のリフト
オフは有機溶剤のみで済み、従来ダイオードの接続孔等
の穿孔（エツチング）に用いられる酸、アルカリが窒化
珪素膜８に触れないため剥離等の問題が生じない。
オフは有機溶剤のみで済み、従来ダイオードの接続孔等
の穿孔（エツチング）に用いられる酸、アルカリが窒化
珪素膜８に触れないため剥離等の問題が生じない。
また窒化珪素膜８と半導体基板１０との界面は固定電荷
が少ないためにほぼフラットバンド状態となり、ダイオ
ードの逆方向特性が改善される。
が少ないためにほぼフラットバンド状態となり、ダイオ
ードの逆方向特性が改善される。
以下第２図（ａ）〜（ｆ）を用いて製造工程の一実施例
を説明する。
を説明する。
■、ポジレジスト塗布工程〔第２図（ａ）〕ｐ−ｎ接合
を形成したｌ１ｇＣｄＴｅからなる半ユ体基板１０上に
ポジレジスト５を塗布する。
を形成したｌ１ｇＣｄＴｅからなる半ユ体基板１０上に
ポジレジスト５を塗布する。
■、開孔工程〔第２図（ｂ）〕
マスク（図示せず）を介して露光を行い、接合部１２２
周辺部上のポジレジストを除去し、開孔６を形成する。
周辺部上のポジレジストを除去し、開孔６を形成する。
■、窒化膜形成工程〔第２図（Ｃ）〕
ポジレジスト５および開孔６の上に窒化珪素膜８を形成
する。この窒化珪素膜８は、低温で堆積できるＥＣＲ−
ＰＣＶＤ法により形成した。
する。この窒化珪素膜８は、低温で堆積できるＥＣＲ−
ＰＣＶＤ法により形成した。
■、リフトオフ工程〔第２図（ｄ）〕
リフトオフにより、ポジレジスト５および該ポジレジス
ト上の窒化珪素膜８を除去する（この工程によりｐ−ｎ
接合部１２周辺部上には窒化珪素膜８のみが残ることに
なる）。
ト上の窒化珪素膜８を除去する（この工程によりｐ−ｎ
接合部１２周辺部上には窒化珪素膜８のみが残ることに
なる）。
■、硫化亜鉛膜付着工程〔第２図（ｅ）〕次に硫化亜鉛
膜３を全面にわたって形成する。
膜３を全面にわたって形成する。
この保護膜は硫化亜鉛膜に代えて、自然酸化膜を形成さ
せ、その上に酸化険阻膜を形成しても良い。
せ、その上に酸化険阻膜を形成しても良い。
■、電極形成工程〔第２図（ｆ）〕
ダイオード接続孔および基板接続孔を穿孔し、ダイオー
ド電極ｌならび乙こオーミック電極２を形成する。
ド電極ｌならび乙こオーミック電極２を形成する。
本発明によれば、ｐ−ｎ接合部周辺部を安定化でき、且
つ保護膜の剥離等の問題が解消し、またゲート電極を設
ける必要が無いため、？！！造工程の再現性１歩留まり
の向上に有効である。
つ保護膜の剥離等の問題が解消し、またゲート電極を設
ける必要が無いため、？！！造工程の再現性１歩留まり
の向上に有効である。
第１図は本発明の一実施例を示す要部側断面図、第２図
（ａ）〜（ｆ）は本発明の製造工程の一実施例を示す要
部側断面図、 第３図（ａｌ、 ０））は従来の半導体装置の構造例を
示す要部側断面図である。 図中、ｌはダイオード電極、 ２はオーミック電極、 ３は硫化亜鉛膜、 ４はゲート電極、 ５はポジレジスト、 ６は開花、 ８は窒化珪素膜、 １０は半導体基板、 １１はイオン注入領域、 １２は基板表面に露呈したｐ−ｎ接合部、８ヤビ■ｆ榎 １１ イオ〕オＬへ４匂を八゛ 滲発顛Ｙ更将ダ撞 第１図 １Ｑ３ Ｌｂｌ第？図
（ａ）〜（ｆ）は本発明の製造工程の一実施例を示す要
部側断面図、 第３図（ａｌ、 ０））は従来の半導体装置の構造例を
示す要部側断面図である。 図中、ｌはダイオード電極、 ２はオーミック電極、 ３は硫化亜鉛膜、 ４はゲート電極、 ５はポジレジスト、 ６は開花、 ８は窒化珪素膜、 １０は半導体基板、 １１はイオン注入領域、 １２は基板表面に露呈したｐ−ｎ接合部、８ヤビ■ｆ榎 １１ イオ〕オＬへ４匂を八゛ 滲発顛Ｙ更将ダ撞 第１図 １Ｑ３ Ｌｂｌ第？図
Claims (1)
- ＨｇＣｄＴｅ基板（１０）上に形成したダイオード電
極（１）のｐ−ｎ接合部（１２）周辺部を覆う形で、窒
化珪素膜（８）を形成し、該窒化珪素膜（８）上に窒化
珪素以外の絶縁膜（３）を形成してなることを特徴とす
る半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61215276A JPH0746734B2 (ja) | 1986-09-11 | 1986-09-11 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61215276A JPH0746734B2 (ja) | 1986-09-11 | 1986-09-11 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6370461A true JPS6370461A (ja) | 1988-03-30 |
| JPH0746734B2 JPH0746734B2 (ja) | 1995-05-17 |
Family
ID=16669630
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61215276A Expired - Lifetime JPH0746734B2 (ja) | 1986-09-11 | 1986-09-11 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0746734B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0286177A (ja) * | 1988-09-22 | 1990-03-27 | Fujitsu Ltd | 光電変換装置 |
| EP2213529A1 (en) * | 2009-02-03 | 2010-08-04 | Mazda Motor Corporation | Seatbelt device of a vehicle, arranging structure of seatbelt device, method of providing a seatbelt device in a vehicle, and vehicle equipped therewith |
| CN102778818A (zh) * | 2012-06-25 | 2012-11-14 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种用于碲镉汞深孔台面芯片薄膜制备的光刻方法 |
-
1986
- 1986-09-11 JP JP61215276A patent/JPH0746734B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0286177A (ja) * | 1988-09-22 | 1990-03-27 | Fujitsu Ltd | 光電変換装置 |
| EP2213529A1 (en) * | 2009-02-03 | 2010-08-04 | Mazda Motor Corporation | Seatbelt device of a vehicle, arranging structure of seatbelt device, method of providing a seatbelt device in a vehicle, and vehicle equipped therewith |
| US8336914B2 (en) | 2009-02-03 | 2012-12-25 | Mazda Motor Corporation | Seatbelt device of vehicle |
| CN102778818A (zh) * | 2012-06-25 | 2012-11-14 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种用于碲镉汞深孔台面芯片薄膜制备的光刻方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0746734B2 (ja) | 1995-05-17 |
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