JPH0154319B2 - - Google Patents
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- JPH0154319B2 JPH0154319B2 JP10247382A JP10247382A JPH0154319B2 JP H0154319 B2 JPH0154319 B2 JP H0154319B2 JP 10247382 A JP10247382 A JP 10247382A JP 10247382 A JP10247382 A JP 10247382A JP H0154319 B2 JPH0154319 B2 JP H0154319B2
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- Japan
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- graphite
- quartz crucible
- graphite frame
- frame
- pedestal
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- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 63
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims description 58
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims description 58
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 28
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 28
- NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N novaluron Chemical compound C1=C(Cl)C(OC(F)(F)C(OC(F)(F)F)F)=CC=C1NC(=O)NC(=O)C1=C(F)C=CC=C1F NJPPVKZQTLUDBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 10
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 description 7
- 241000143432 Daldinia concentrica Species 0.000 description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000006903 response to temperature Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/10—Crucibles or containers for supporting the melt
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
本発明は単結晶の半導体物質の引上げ等に用い
られる石英ルツボを支持する支持部材に関する。 半導体装置の製造に用いられる結晶質半導体物
質、例えば単結晶シリコンを製造する方法として
はチヨコラルスキー法(CZ法)が知られている。
この方法はチヤンバー内に石英ルツボ回転自在に
支持し、この石英ルツボ内のシリコン原料をカー
ボンヒータ等により溶融し、この溶融シリコンに
浸した種結晶を引上げることにより単結晶シリコ
ンを製造するものである。上述したCZ法に用い
られる単結晶シリコン引上装置において、前記石
英ルツボは黒鉛製の枠体によつて保護されてお
り、この黒鉛枠体は回転軸上に支持された黒鉛製
受台に係合されている。 ところで、黒鉛枠体と石英ルツボとは熱膨張係
数が異なるので、単結晶シリコンの引上げ操作が
終了した後、冷却している間に黒鉛枠体と石英ル
ツボとが密着して石英ルツボの抜去が困難となつ
たり、黒鉛枠体にクラツクが発生して再度使用す
ることが不可能になるという問題点があつた。 そこで、上述したような問題点を解消するため
に、従来、黒鉛枠体は2つ以上に分割できる構造
のものが用いられており、これらの分割体を組立
てて構成された黒鉛枠体を凹凸あるいは傾斜面が
形成された黒鉛製受台に係合することにより支持
していた。 上述したような分割型の黒鉛枠体を用いれば、
黒鉛枠体の繰返し使用回数は増加する。しかし、
繰返して使用しているうちに黒鉛枠体は石英ルツ
ボ内の溶融シリコンから発生する珪素化合物ガス
と反応し、炭化珪素に変化してその表面が粗くな
る。こうした炭化珪素への変化が黒鉛枠体と黒鉛
製受台との係合面で起きると、黒鉛枠体と受台と
のすべりが悪くなるため応力の集中する箇所が生
じ、温度変化に伴つて黒鉛枠体が膨張・収縮しに
くくなる。このため、石英ルツボと黒鉛枠体との
熱膨張係数の差により黒鉛枠体が破損して多数回
繰返して使用できないという欠点があつた。 本発明は上記欠点を解消するためになされたも
のであり、分割型の黒鉛枠体及び黒鉛製受台の表
面が炭化珪素に変化しても黒鉛枠体と受台とのす
べりをよくし、温度変化に伴つて黒鉛枠体が膨
張・収縮しやすくなるようにして黒鉛枠体を破損
しにくくし、多数繰返して使用し得る石英ルツボ
支持部材を提供しようとするものである。 以下、本発明の実施例を第1図〜第3図を参照
して説明する。 図中1は3分割型の黒鉛枠体であり、3つの分
割体1a,1b,1cは内面がルツボ形状をなす
ように組立てられている。この黒鉛枠体1内部に
は図示しない石英ルツボが嵌合される。また、こ
の黒鉛枠体1の底面周辺部には中央部から上に向
かう傾斜面が形成されている。一方、図中2は黒
鉛製受台であり、その上面周辺部には前記黒鉛枠
体1の底面周辺部の傾斜面に対応する傾斜面が形
成されているとともに、上面中央部には凹陥部が
形成されている。また、この受台2の上面中央部
の凹陥部にはこの凹陥部の深さとほぼ同一の径を
有する多数の高純度カーボンボール3,……が充
填されている。そして、前記黒鉛枠体1と受台2
とは両者の傾斜面において接触するとともに中央
部で前記カーボンボール3,……を介して係合さ
れている。 上述した石英ルツボ支持部材を用いた単結晶シ
リコンの引上げは以下のようにして行われる。ま
ず、前記黒鉛枠体1内に図示しない石英ルツボを
嵌合し、前記受台2底面の凹陥部に図示しない回
転軸を嵌装して、チヤンバー内に石英ルツボ支持
部材及び石英ルツボを回転自在に支持する。次
に、石英ルツボ内にシリコン原料を入れ、黒鉛枠
体1外周に配設された簡状のカーボンヒータによ
りシリコン原料を溶融させる。この溶融シリコン
に種結晶を浸し、種結晶及び前記回転軸を互いに
逆方向に回転しながら種結晶を引上げる。所定長
さの単結晶シリコンインゴツトを引上げた後、チ
ヤンバー内を冷却する。以上の操作を繰返して単
結晶シリコンインゴツトを製造する。 しかして、上述した石英ルツボ支持部材によれ
ば、繰返して使用している間に黒鉛枠体1と黒鉛
製受台2との係合面が溶融シリコンからの珪素化
合物ガスとの反応により炭化珪素に変化してその
表面が粗くなつても、黒鉛枠体1と受台2とがカ
ーボンボール3……を介して係合されているの
で、両者の間のすべりがよく、黒鉛枠体1に応力
が中心するのを防止できる。したがつて、黒鉛枠
体1が温度変化に対応して膨張・収縮することが
でき、黒鉛枠体1が破損しにくくなり、多数回繰
返して使用することができる。 なお、上記実施例では耐熱性回転体として単結
晶シリコンに悪影響を及ぼさないように高純度
で、単結晶シリコン引上げ時の高温に耐えられる
カーボンボールを用いたが、これに限らず炭化珪
素、窒化珪素または高純度基材表面にカーボン、
炭化珪素あるいは窒化珪素をコーテイングした球
状体あるいは棒状体等でもよい。 また、上記実施例では黒鉛枠体は3分割型のも
のを用いたが、これに限らず分割数、分割方法及
び組立て方法等は黒鉛枠体の大きさ、形状等によ
り適宜選択できる。 事実、本発明の石英ルツボ支持部材を用いれば
多数回繰返し使用できることが以下の実験例によ
り確められた。 実験例 1〜3 3分割型の黒鉛枠体を下記表に示す材質、形状
及び寸法の高純度耐熱性回転体を介して黒鉛製受
台と係合した3種の石英ルツボ支持部材を用いて
単結晶シリコンを引上げた時の繰返し使用回数を
下記表に併記する。なお、下記表中比較例は黒鉛
枠体と黒鉛製受台間に高純度耐熱性回転体を介さ
ずに係合した従来の石英ルツボ支持部材を用いた
場合である。
られる石英ルツボを支持する支持部材に関する。 半導体装置の製造に用いられる結晶質半導体物
質、例えば単結晶シリコンを製造する方法として
はチヨコラルスキー法(CZ法)が知られている。
この方法はチヤンバー内に石英ルツボ回転自在に
支持し、この石英ルツボ内のシリコン原料をカー
ボンヒータ等により溶融し、この溶融シリコンに
浸した種結晶を引上げることにより単結晶シリコ
ンを製造するものである。上述したCZ法に用い
られる単結晶シリコン引上装置において、前記石
英ルツボは黒鉛製の枠体によつて保護されてお
り、この黒鉛枠体は回転軸上に支持された黒鉛製
受台に係合されている。 ところで、黒鉛枠体と石英ルツボとは熱膨張係
数が異なるので、単結晶シリコンの引上げ操作が
終了した後、冷却している間に黒鉛枠体と石英ル
ツボとが密着して石英ルツボの抜去が困難となつ
たり、黒鉛枠体にクラツクが発生して再度使用す
ることが不可能になるという問題点があつた。 そこで、上述したような問題点を解消するため
に、従来、黒鉛枠体は2つ以上に分割できる構造
のものが用いられており、これらの分割体を組立
てて構成された黒鉛枠体を凹凸あるいは傾斜面が
形成された黒鉛製受台に係合することにより支持
していた。 上述したような分割型の黒鉛枠体を用いれば、
黒鉛枠体の繰返し使用回数は増加する。しかし、
繰返して使用しているうちに黒鉛枠体は石英ルツ
ボ内の溶融シリコンから発生する珪素化合物ガス
と反応し、炭化珪素に変化してその表面が粗くな
る。こうした炭化珪素への変化が黒鉛枠体と黒鉛
製受台との係合面で起きると、黒鉛枠体と受台と
のすべりが悪くなるため応力の集中する箇所が生
じ、温度変化に伴つて黒鉛枠体が膨張・収縮しに
くくなる。このため、石英ルツボと黒鉛枠体との
熱膨張係数の差により黒鉛枠体が破損して多数回
繰返して使用できないという欠点があつた。 本発明は上記欠点を解消するためになされたも
のであり、分割型の黒鉛枠体及び黒鉛製受台の表
面が炭化珪素に変化しても黒鉛枠体と受台とのす
べりをよくし、温度変化に伴つて黒鉛枠体が膨
張・収縮しやすくなるようにして黒鉛枠体を破損
しにくくし、多数繰返して使用し得る石英ルツボ
支持部材を提供しようとするものである。 以下、本発明の実施例を第1図〜第3図を参照
して説明する。 図中1は3分割型の黒鉛枠体であり、3つの分
割体1a,1b,1cは内面がルツボ形状をなす
ように組立てられている。この黒鉛枠体1内部に
は図示しない石英ルツボが嵌合される。また、こ
の黒鉛枠体1の底面周辺部には中央部から上に向
かう傾斜面が形成されている。一方、図中2は黒
鉛製受台であり、その上面周辺部には前記黒鉛枠
体1の底面周辺部の傾斜面に対応する傾斜面が形
成されているとともに、上面中央部には凹陥部が
形成されている。また、この受台2の上面中央部
の凹陥部にはこの凹陥部の深さとほぼ同一の径を
有する多数の高純度カーボンボール3,……が充
填されている。そして、前記黒鉛枠体1と受台2
とは両者の傾斜面において接触するとともに中央
部で前記カーボンボール3,……を介して係合さ
れている。 上述した石英ルツボ支持部材を用いた単結晶シ
リコンの引上げは以下のようにして行われる。ま
ず、前記黒鉛枠体1内に図示しない石英ルツボを
嵌合し、前記受台2底面の凹陥部に図示しない回
転軸を嵌装して、チヤンバー内に石英ルツボ支持
部材及び石英ルツボを回転自在に支持する。次
に、石英ルツボ内にシリコン原料を入れ、黒鉛枠
体1外周に配設された簡状のカーボンヒータによ
りシリコン原料を溶融させる。この溶融シリコン
に種結晶を浸し、種結晶及び前記回転軸を互いに
逆方向に回転しながら種結晶を引上げる。所定長
さの単結晶シリコンインゴツトを引上げた後、チ
ヤンバー内を冷却する。以上の操作を繰返して単
結晶シリコンインゴツトを製造する。 しかして、上述した石英ルツボ支持部材によれ
ば、繰返して使用している間に黒鉛枠体1と黒鉛
製受台2との係合面が溶融シリコンからの珪素化
合物ガスとの反応により炭化珪素に変化してその
表面が粗くなつても、黒鉛枠体1と受台2とがカ
ーボンボール3……を介して係合されているの
で、両者の間のすべりがよく、黒鉛枠体1に応力
が中心するのを防止できる。したがつて、黒鉛枠
体1が温度変化に対応して膨張・収縮することが
でき、黒鉛枠体1が破損しにくくなり、多数回繰
返して使用することができる。 なお、上記実施例では耐熱性回転体として単結
晶シリコンに悪影響を及ぼさないように高純度
で、単結晶シリコン引上げ時の高温に耐えられる
カーボンボールを用いたが、これに限らず炭化珪
素、窒化珪素または高純度基材表面にカーボン、
炭化珪素あるいは窒化珪素をコーテイングした球
状体あるいは棒状体等でもよい。 また、上記実施例では黒鉛枠体は3分割型のも
のを用いたが、これに限らず分割数、分割方法及
び組立て方法等は黒鉛枠体の大きさ、形状等によ
り適宜選択できる。 事実、本発明の石英ルツボ支持部材を用いれば
多数回繰返し使用できることが以下の実験例によ
り確められた。 実験例 1〜3 3分割型の黒鉛枠体を下記表に示す材質、形状
及び寸法の高純度耐熱性回転体を介して黒鉛製受
台と係合した3種の石英ルツボ支持部材を用いて
単結晶シリコンを引上げた時の繰返し使用回数を
下記表に併記する。なお、下記表中比較例は黒鉛
枠体と黒鉛製受台間に高純度耐熱性回転体を介さ
ずに係合した従来の石英ルツボ支持部材を用いた
場合である。
【表】
【表】
上記表から明らかなように比較例は繰返し使用
回数が13回と少ないのに対して、実験例1〜3の
場合はいづれも繰返し使用回数が35回以上と多く
なつている。これは従来の石英ルツボ支持部材で
は黒鉛枠体と受台との係合面が炭化珪素に変化し
て表面が粗くなると、黒鉛枠体が温度変化に伴つ
て膨張・収縮しにくくなるため、黒鉛枠体が破損
しやすいのに対して、実験例1〜3の石英ルツボ
支持部材は黒鉛枠体及び黒鉛枠体の表面が炭化珪
素に変化して表面が粗くなつても、黒鉛枠体と受
台とが高純度耐熱性回転体を介して係合されてい
るため、黒鉛枠体が温度変化に伴つて膨張・収縮
しやすく、黒鉛枠体が破損しにくいからである。 以上詳述した如く本発明によれば、黒鉛枠体を
破損しにくくし、多数回繰返して使用し得る石英
ルツボ支持部材を提供できるものである。
回数が13回と少ないのに対して、実験例1〜3の
場合はいづれも繰返し使用回数が35回以上と多く
なつている。これは従来の石英ルツボ支持部材で
は黒鉛枠体と受台との係合面が炭化珪素に変化し
て表面が粗くなると、黒鉛枠体が温度変化に伴つ
て膨張・収縮しにくくなるため、黒鉛枠体が破損
しやすいのに対して、実験例1〜3の石英ルツボ
支持部材は黒鉛枠体及び黒鉛枠体の表面が炭化珪
素に変化して表面が粗くなつても、黒鉛枠体と受
台とが高純度耐熱性回転体を介して係合されてい
るため、黒鉛枠体が温度変化に伴つて膨張・収縮
しやすく、黒鉛枠体が破損しにくいからである。 以上詳述した如く本発明によれば、黒鉛枠体を
破損しにくくし、多数回繰返して使用し得る石英
ルツボ支持部材を提供できるものである。
第1図は本発明の実施例における石英ルツボ支
持部材の断面図、第2図は黒鉛枠体の平面図、第
3図は黒鉛製受台にカーボンボールを充填した状
態を示す平面図である。 1…黒鉛枠体、1a,1b,1c…分割体、2
…黒鉛製受台、3…カーボンボール。
持部材の断面図、第2図は黒鉛枠体の平面図、第
3図は黒鉛製受台にカーボンボールを充填した状
態を示す平面図である。 1…黒鉛枠体、1a,1b,1c…分割体、2
…黒鉛製受台、3…カーボンボール。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 石英ルツボを保護するための分割された黒鉛
枠体と、該枠体を支持する黒鉛製受台とからなる
石英ルツボ支持部材において、前記黒鉛枠体と受
台とを多数の耐熱性回転体を介して係合したこと
を特徴とする石英ルツボ支持部材。 2 耐熱性回転体が球状あるいは棒状のカーボ
ン、炭化珪素もしくは窒化珪素又はこれらの物質
をコーテイングした基材のうち少なくとも一種で
あることを特徴とする特許請求の範囲第1項記載
の石英ルツボ支持部材。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10247382A JPS58223689A (ja) | 1982-06-15 | 1982-06-15 | 石英ルツボ支持部材 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10247382A JPS58223689A (ja) | 1982-06-15 | 1982-06-15 | 石英ルツボ支持部材 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58223689A JPS58223689A (ja) | 1983-12-26 |
| JPH0154319B2 true JPH0154319B2 (ja) | 1989-11-17 |
Family
ID=14328416
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10247382A Granted JPS58223689A (ja) | 1982-06-15 | 1982-06-15 | 石英ルツボ支持部材 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58223689A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0633218B2 (ja) * | 1987-12-08 | 1994-05-02 | 日本鋼管株式会社 | シリコン単結晶の製造装置 |
| JPH02145496A (ja) * | 1988-11-25 | 1990-06-04 | Komatsu Denshi Kinzoku Kk | 半導体単結晶引上装置 |
-
1982
- 1982-06-15 JP JP10247382A patent/JPS58223689A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58223689A (ja) | 1983-12-26 |
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