JPH08208372A - 単結晶引上げ用黒鉛部品 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【構成】縦に分割された黒鉛ルツボ１１とこの黒鉛ルツ
ボの底部に嵌合された黒鉛受け台１３とで構成される単
結晶引上げ用黒鉛部品１０であって、黒鉛ルツボの少な
くとも分割面１２を含む底部側面１６と黒鉛受け台との
嵌合部１５に空隙部１８が形成されている単結晶引上げ
用黒鉛部品。空隙部に黒鉛片または黒鉛シ−トが収納さ
れていれば、一層効果的である。 【効果】黒鉛表面のＳｉＣ化に起因する黒鉛ルツボと黒
鉛受け台との摩擦の増大が生じにくく、単結晶引上げ後
の冷却の際に黒鉛ルツボに発生する引張り応力が緩和さ
れ、黒鉛ルツボの変形または破損を防止し、繰返し使用
寿命を大幅に向上できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は単結晶引上げ用黒鉛部品
に関し、より詳細には、チョクラルスキ−法（以下、
「ＣＺ法」と記す）等によりシリコン等の半導体物質の
単結晶を製造する際に用いられる単結晶引上げ用黒鉛部
品に関する。

【０００２】

【従来の技術】結晶成長法には種々の方法があるが、そ
の一つとして、例えばＣＺ法に代表される単結晶引上げ
法が挙げられる。

【０００３】図５はＣＺ法で用いられる結晶製造装置の
要部を模式的に示した断面図で、図中の５１が単結晶引
上げ用黒鉛部品である。この黒鉛部品５１は有底円筒状
をなし、その内側には同じく有底円筒状の石英ルツボ５
２が嵌合されており、この石英ルツボ５２と黒鉛部品５
１とで単結晶引上げ用ルツボ５０（以下、単に「引上げ
用ルツボ」と記す）が構成されている。単結晶引上げ用
黒鉛部品５１は矢印ＡまたはＢ方向に所定の速度で回転
する支持軸５７で支持されており、黒鉛部品５１の外側
には抵抗加熱式のヒ−タ−５４が、さらにその外側には
保温筒５５が同心円状に配置されている。また、石英ル
ツボ５２の中心軸上には、矢印方向に所定の速度で回転
する引上げ棒５８が配設されている。そして、これら全
体がチャンバ５３内に収容されている。

【０００４】この装置を用い、引上げ用ルツボ５０内に
所定量の原料を入れてヒ−タ−５４により加熱、溶融
し、シ−ドチャック５８ａを介して引上げ棒５８の下端
部に取り付けられた種結晶５９ａを溶融液５６の表面に
接触させ、結晶の成長に合せて回転させつつ上方に引上
げていくことにより、単結晶５９を成長させる。

【０００５】ところで、上記の単結晶製造装置で高温に
加熱されている溶融液５６から単結晶の引上げを行う
際、石英ルツボ５２が軟化して単結晶引上げ用黒鉛部品
５１に密着する。単結晶引上げ後、引上げ用ルツボ５０
は冷却されるが、黒鉛の熱膨張係数は石英の１０倍程度
であるため、石英ルツボ５２が黒鉛部品５１に密着した
状態で冷却されると、単結晶引上げ用黒鉛部品５１の収
縮が石英ルツボ５２により妨げられるので、黒鉛部品５
１は石英ルツボ５２により内側から押し広げる方向の圧
力を受け、その結果、黒鉛部品５１に円周方向の引張り
応力が発生する。

【０００６】近年、単結晶ウエハーの大形化にともなっ
て引上げられる単結晶の直径が大きくなってきており、
それとともに引上げ用ルツボ５０の大形化が進んでいる
が、これに伴い、単結晶引上げ後の冷却時に黒鉛と石英
の熱膨張係数の差に起因して単結晶引上げ用黒鉛部品５
１に発生する前記の引張り応力が増大し、黒鉛部品５１
に変形、割れ、欠損等（以下、割れおよび欠損を「破
損」と記す）が生じやすくなり、単結晶引上げ用黒鉛部
品５１の耐用回数が減少しているという問題がクローズ
アップされてきた。

【０００７】この問題に対処するため、縦に２分割また
は３分割された黒鉛ルツボを黒鉛受け台で保持した単結
晶引上げ用黒鉛部品が用いられている。図６は縦に２分
割された単結晶引上げ用黒鉛部品６０を有する引上げ用
ルツボを模式的に示す図で、（ａ）は縦断面図、（ｂ）
はＤ₅ −Ｄ₅ ′線横断面図である。単結晶引上げ用黒鉛
部品６０は分割面６２で２分割された黒鉛ルツボ６１と
支持軸５７により支持された黒鉛受け台６３とで構成さ
れている。石英ルツボ５２は黒鉛ルツボ６１内に嵌合さ
れている。黒鉛受け台６３の上面には凹状の嵌合部６５
が形成されており、この嵌合部６５に黒鉛ルツボの底部
に設けられた凸部の側面（これを「底部側面」という）
６６が嵌合されることにより黒鉛ルツボ６１の分割面６
２が密接し、石英ルツボ５２が保持されるようになって
いる。

【０００８】図７は、前記図６に示した単結晶引上げ用
黒鉛部品６０の単結晶引き上げ後の冷却の際の状態を模
式的に示した図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は縦断面図
である。この場合も、図５に示した引上げ用ルツボ５０
の場合と同様に、黒鉛ルツボ６１は石英ルツボ５２によ
り内側から押し広げる方向の圧力を受け、黒鉛ルツボ６
１には引張り応力が生じるが、黒鉛ルツボ６１が分割さ
れているため前記圧力により黒鉛ルツボ６１の底部外周
６４を支点とする矢印Ｃ方向への回転運動が生じ、分割
面６２が開口して圧力は開放される。これにより、黒鉛
ルツボ６１に発生していた前記引張り応力も開放され
る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】上記の単結晶引上げ用
黒鉛部品６０を用いることによって黒鉛ルツボ６１の変
形・破損率は減少したが、単に黒鉛部品６０を分割した
だけでは依然として下記の課題が残されていた。

【００１０】すなわち、単結晶を引上げる際、単結晶引
上げ用黒鉛部品６０および石英ルツボ５２は高温に加熱
されているため、黒鉛ルツボ６１と石英ルツボ５２とが
その接触面で反応してＳｉＯ、ＣＯ等を発生し、このＳ
ｉＯが黒鉛ルツボ６１と反応して黒鉛ルツボ６１の表面
部分をＳｉＣに変質させる。このような黒鉛のＳｉＣ化
は、図６に示すように、比較的高温となる黒鉛ルツボ６
１の内側底部６１ａ、分割面底部６２ａで顕著であり、
さらに、ＳｉＯが通りやすい分割面に近い黒鉛ルツボの
底部側面６６ａおよび底部側面６６ａと黒鉛受け台との
嵌合部６５ａでも生じ易い。また、黒鉛ルツボ６１の使
用回数が増えるにしたがってＳｉＣ形成領域が拡大し、
多量のＳｉＣが形成される。

【００１１】前記のようなＳｉＣ化によってルツボを構
成する黒鉛の体積が膨張し、黒鉛ルツボ６１と黒鉛受け
台６３の嵌合度がしだいに強くなり、黒鉛ルツボ６１は
受け台６３によって一層強く拘束される。さらに、前記
の黒鉛ルツボの底部側面６６ａと、黒鉛受け台６３との
嵌合部６５ａのＳｉＣ化により黒鉛ルツボ６１と受け台
６３との摩擦係数が増大し、前記の黒鉛ルツボ６１の底
部外周６４を支点とする矢印Ｃ方向への回転運動が阻害
され、分割面の開口による応力の開放が抑制される結
果、黒鉛ルツボ６１が破損するという問題があった。

【００１２】また、前記の黒鉛ルツボ６１の回転運動が
阻害され、黒鉛ルツボ６１の底部と受け台６３が密着し
た状態になると、黒鉛ルツボ６１と受け台６３とを嵌合
させるために設けられている黒鉛ルツボ６１のくびれ部
６７に応力集中が発生しやすく、黒鉛ルツボ６１の破損
が一層助長される。

【００１３】本発明はこのような問題を解決するために
なされたもので、単結晶引上げの際に黒鉛ルツボや受け
台の表面部にＳｉＣが形成された場合でも、冷却時にお
ける黒鉛ルツボの破損を防止することができる単結晶引
上げ用黒鉛部品を提供することを目的とする。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明の要旨は、下記
（１）および（２）の単結晶引上げ用黒鉛部品にある。

【００１５】（１）縦に分割された黒鉛ルツボとこの黒
鉛ルツボの底部に嵌合された黒鉛受け台とで構成される
単結晶引上げ用黒鉛部品であって、黒鉛ルツボの少なく
とも分割面を含む底部側面と黒鉛受け台との嵌合部に空
隙部が形成されていることを特徴とする単結晶引上げ用
黒鉛部品。

【００１６】（２）縦に分割された黒鉛ルツボとこの黒
鉛ルツボの底部に嵌合された黒鉛受け台とで構成される
単結晶引上げ用黒鉛部品であって、黒鉛ルツボの少なく
とも分割面を含む底部側面と黒鉛受け台との嵌合部に空
隙部が形成され、この空隙部に黒鉛片または黒鉛シ−ト
が収納されていることを特徴とする単結晶引上げ用黒鉛
部品。

【００１７】

【作用】以下、本発明に係る単結晶引上げ用黒鉛部品
を、図面に基づいて詳細に説明する。

【００１８】図１は本発明に係る単結晶引上げ用黒鉛部
品の一例を模式的に示す図で、（ａ）は縦断面図、
（ｂ）は（ａ）のＤ₁ −Ｄ₁ ′線横断面図である。

【００１９】図１に示すように、本発明の単結晶引上げ
用黒鉛部品１０は、分割面１２で縦に分割された黒鉛ル
ツボ１１とその下方に配置された黒鉛受け台１３とで構
成されており、黒鉛ルツボ１１と黒鉛受け台１３とは、
黒鉛ルツボ１１の底部に設けられた底部側面１６を黒鉛
受け台１３の上面に設けられた嵌合部１５に嵌合させる
ことにより結合されている。そして、空隙部１８がＳｉ
ＯによりＳｉＣ化されやすい分割面１２を含む黒鉛ルツ
ボの底部側面１６ａとこの底部側面１６ａに対応する黒
鉛受け台１３の嵌合部１５ａの黒鉛ルツボ側に形成され
ている。なお、図示していないが、黒鉛ルツボ１１内に
は石英ルツボが嵌合される。

【００２０】空隙部１８が上記の位置に設けられている
ので、黒鉛ルツボの底部側面１６ａと黒鉛受け台１３の
嵌合部１５ａとは互いに接触せず、黒鉛ルツボの底部側
面１６ａおよび嵌合部１５ａがＳｉＣ化しても黒鉛ルツ
ボ１１と黒鉛受け台１３とが密着して摩擦が増大すると
いうことは起こらない。そのため、単結晶引上げ後の冷
却時における前記の黒鉛ルツボ１１の回転運動は阻害さ
れず、分割面１２が開口して前記の石英ルツボ（図示せ
ず）が黒鉛ルツボ１１を押し広げる圧力により黒鉛ルツ
ボ１１内に発生する引張り応力が開放されるので、黒鉛
ルツボ１１の破損を防止することができる。また、黒鉛
ルツボ１１の底部に設けられた凸部のくびれ部１７にお
ける応力集中も起こりにくい。なお、空隙部１８は、前
記のようにＳｉＯが通過しやすい黒鉛ルツボ１１の分割
面１２を含む嵌合部に設けられていることが必要で、こ
れは、後述する他の例においても同様である。

【００２１】空隙部１８の厚さ（嵌合部１５ａから黒鉛
ルツボ１１の直径方向への幅）ｔは、分割面１２に近い
黒鉛ルツボの底部側面１６ａと黒鉛受け台１３の嵌合部
１５ａとの接触が防止できる厚さであればよく、厚さｔ
が約２ｍｍ以上で十分に効果がある。空隙部１８の幅ｗ
は大きい方が望ましいが、黒鉛ルツボの底部側面１６ａ
でのＳｉＣ化は分割面１２から近いほど顕著で、特に分
割面１２から１０ｍｍ以内の部分で顕著なので、空隙部
１８の幅ｗは２０ｍｍ以上あることが好ましい。空隙部
１８の高さｈは、図に示すように、黒鉛受け台１３の嵌
合部１５の深さ以上であることが好ましい。

【００２２】空隙部の形状は図１（ｂ）に示す長方形状
に限定されるものではなく、例えば、断面形状が図１
（ｃ）に示すように円の一部が直線的に切りとられた形
状、図１（ｄ）に示すように三か月形等であっても同様
の効果が認められる。

【００２３】図２は、同じく本発明に係る単結晶引上げ
用黒鉛部品の他の例を模式的に示す図で、図１に示した
ものとは逆に、黒鉛受け台２３側に空隙部２８が設けら
れた例である。（ａ）は断面図であり、（ｂ）は（ａ）
のＤ₂ −Ｄ₂ ′線横断面図である。この場合も前記した
図１の引上げ用黒鉛部品の場合と同様に、分割面２２を
含む黒鉛ルツボの底部側面２６ａとこの底部側面２６ａ
と対応する黒鉛受け台２３の嵌合部２５ａに空隙部２８
が設けられることにより両者は互いに接触せず、黒鉛ル
ツボの底部側面２６ａおよび嵌合部２５ａがＳｉＣ化し
ても黒鉛ルツボ２１と黒鉛受け台２３とが密着して摩擦
が増大するということはなく、黒鉛ルツボ２１の破損は
起こらない。

【００２４】空隙部２８の寸法についても、前記図１に
示した黒鉛部品の場合と同様である。また、空隙部２８
の形状も、図２（ｂ）に示す長方形状に限定されるもの
ではなく、例えば、図２（ｃ）に示す三か月形等であっ
ても同様の効果がある。

【００２５】また、図３に示すように、黒鉛ルツボ３１
と黒鉛受け台３３の両方に加工が施されて空隙部３８が
設けられたものにあっても、前記図１および図２に示し
た引上げ用黒鉛部品におけると同様に黒鉛ルツボ３１の
破損が防止される。

【００２６】図４は、本発明に係る単結晶引上げ用黒鉛
部品のさらに他の例を模式的に示す図で、（ａ）は縦断
面図であり、（ｂ）は（ａ）のＤ₄ −Ｄ₄ ′線横断面図
である。図４に示した単結晶引上げ用黒鉛部品４０は、
図１に示したものと同形状の黒鉛ルツボ４１と黒鉛受け
台４３を有し、さらに空隙部４８に黒鉛片あるいは黒鉛
シ−ト（以下、「空隙部収納黒鉛片」という）４９が収
納されたものである。

【００２７】空隙部４８に空隙部収納黒鉛片４９が収納
されることにより、分割面４２を通って流れるＳｉＯが
黒鉛ルツボの底部側面４６ａおよびこの底部側面４６ａ
に対応する黒鉛受け台４３の嵌合部４５ａと接触しにく
く、その部分のＳｉＣ化が生じにくくなる。従って、前
記の黒鉛ルツボ４１の底部外周４４を支点とする回転運
動が阻害されず、黒鉛ルツボ４１の破損を防止する上か
ら一層効果的である。

【００２８】また、黒鉛ルツボ４１と黒鉛受け台４３を
嵌合させるために底部に設けられた凸部のくびれ部４７
における応力集中も起こりにくく、黒鉛ルツボ４１の破
損は生じない。

【００２９】空隙部４８に収納される空隙部収納黒鉛片
４９は、ＳｉＯによるＳｉＣ化を防止するという観点か
ら、空隙部４８と同一形状のものが最も好ましいが、空
隙部４８の寸法より小さくても、黒鉛ルツボ４１の破損
防止効果は大きい。これは、空隙部収納黒鉛片４９の寸
法が小さくてもＳｉＯによるＳｉＣ化をある程度防止で
きるとともに、たとえ片面がＳｉＣ化してもそれに対応
する面がＳｉＣ化しなければ黒鉛ルツボの底部側面４６
ａと嵌合部４５ａとが密着するのを抑制し、黒鉛ルツボ
４１と黒鉛受け台４３との摩擦の増大を防止する効果が
期待できるからである。

【００３０】図４に示した単結晶引上げ用黒鉛部品４０
は、黒鉛ルツボ４１側に加工が施されて空隙部４８が設
けられ、その空隙部４８に黒鉛片４９が収納された黒鉛
部品であるが、図２に示したように、黒鉛受け台に加工
が加えられて空隙部が設けられ、あるいは図３のように
黒鉛ルツボと黒鉛受け台の両方に加工が施されて空隙部
が設けられ、その空隙部に空隙部収納黒鉛片が収納され
た黒鉛部品であっても、同様の効果が得られる。

【００３１】上記の単結晶引上げ用黒鉛部品はいずれも
２分割された黒鉛ルツボと黒鉛受け台により構成された
黒鉛部品の例であるが、黒鉛ルツボは３分割以上に分割
されたものであっても良い。

【００３２】

【実施例】以下、本発明に係る単結晶引上げ用黒鉛部品
の実施例および比較例を図面に基づいて説明する。

【００３３】前記図１〜図４に示した形状の単結晶引上
げ用黒鉛部品を用い、図５に示した結晶成長装置により
加熱冷却操作を繰り返し行った後の黒鉛ルツボの状態を
調査した。また、比較例として、前記図６に示した空隙
部が設けられていない単結晶引上げ用黒鉛部品を用いて
同様の調査を行った。

【００３４】表１に用いた単結晶引上げ用黒鉛部品の形
状および空隙部の寸法（厚さおよび幅）、ならびに空隙
部に空隙部収納黒鉛片を収納した場合はその形状を示
す。なお、空隙部の高さｈは黒鉛受け台の上面に形成さ
れた嵌合部の深さと同じ１５ｍｍとした。また、黒鉛ル
ツボの内径は約３１０ｍｍである。

【００３５】実施例１〜３は、空隙部が黒鉛ルツボ側に
形成されている場合、実施例４および５は空隙部が黒鉛
受け台側に設けられている場合、実施例６は空隙部が黒
鉛ルツボおよび黒鉛受け台の両側にわたって設けられて
いる場合、実施例７〜９は空隙部に空隙部収納黒鉛片が
収納されている場合である。また、比較例は空隙部が設
けられていない場合である。なお、実施例７〜９で用い
た空隙部収納黒鉛片は、実施例７にあっては黒鉛ルツボ
および黒鉛受け台と同じ材質で、空隙部の大きさとまっ
たく同じ寸法の黒鉛片であり、実施例８では黒鉛ルツボ
および黒鉛受け台と同じ材質で、寸法は空隙部の厚さよ
り２ｍｍ薄い長方形の黒鉛片である。実施例９では天然
黒鉛を主成分とする柔軟な黒鉛フェルトで、空隙部の厚
さより２ｍｍ薄い長方形の黒鉛シートを用いた。

【００３６】これらの単結晶引上げ用黒鉛部品の黒鉛ル
ツボに嵌合させた石英ルツボ内に、多結晶シリコンを、
融液面が石英ルツボの深さの略１／３の高さになるよう
に装入し、加熱、溶融し、単結晶の引上げは行わずにそ
のまま保持した後、冷却・凝固させた。単結晶の引上げ
を行わない他は通常の単結晶引上げの場合と同様の条件
とし、この工程を繰返し行った後の黒鉛ルツボにおける
破損の発生状態を調査した。

【００３７】調査結果を表１にまとめて示す。この結果
から明らかなように、比較例の空隙部が形成されていな
い黒鉛部品を用いた場合は、繰返し回数５回で黒鉛ルツ
ボに割れが発生し、破損したため、使用不能となった
が、実施例１〜６の黒鉛部品の場合は、繰返し数１５回
以上で黒鉛ルツボのくびれ部に小規模な欠けが発生した
ものの、さらに継続使用が可能であった。また、実施例
７〜９の空隙部に黒鉛片または黒鉛フェルトを収納した
単結晶引上げ用黒鉛部品を用いた場合は、繰返し数２０
回でも破損は発生せず、さらに継続使用が可能であっ
た。

【００３８】

【表１】

【００３９】

【発明の効果】以上詳述したように、本発明に係る単結
晶引上げ用黒鉛部品にあっては、黒鉛ルツボの分割面を
含む底部側面と黒鉛受け台との嵌合部に空隙部が形成さ
れ、あるいは更に空隙部に黒鉛片あるいは黒鉛シ−トが
収納されているので、黒鉛表面のＳｉＣ化に起因する黒
鉛ルツボと黒鉛受け台のとの摩擦の増大が生じにくく、
単結晶引上げ後の冷却の際に黒鉛ルツボに発生する引張
り応力が緩和される。その結果、黒鉛ルツボの変形また
は破損を防止し、繰返し使用寿命を大幅に向上させるこ
とができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１〜３で用いた本発明に係る単結晶引上
げ用黒鉛部品の例を模式的に示す図で、（ａ）は縦断面
図、（ｂ）は（ａ）のＤ₁ −Ｄ₁ ′線横断面図、（ｃ）
及び（ｄ）は、前記黒鉛部品に形成された空隙部の形状
がそれぞれ（ｂ）に示した黒鉛部品に形成された空隙部
の形状とは異なる場合の横断面図である。

【図２】実施例４及び５で用いた本発明に係る単結晶引
上げ用黒鉛部品の他の例を模式的に示す図で、（ａ）は
縦断面図、（ｂ）は（ａ）のＤ₂ −Ｄ₂ ′線横断面図、
（ｃ）は、前記黒鉛部品に形成された空隙部の形状が
（ｂ）に示した黒鉛部品に形成された空隙部の形状とは
異なる場合の横断面図である。

【図３】実施例６で用いた本発明に係る単結晶引上げ用
黒鉛部品のさらに他の例を模式的に示す図で、（ａ）は
縦断面図、（ｂ）は（ａ）のＤ₃ −Ｄ₃ ′線横断面図で
ある。

【図４】実施例７〜９で用いた本発明に係る単結晶引上
げ用黒鉛部品のさらに他の例を模式的に示す図で、
（ａ）は縦断面図であり、（ｂ）は（ａ）のＤ₄ −
Ｄ₄ ′線横断面図である。

【図５】ＣＺ法に用いられる従来の結晶成長装置の要部
を模式的に示す断面図である。

【図６】縦に２分割される従来の単結晶引上げ用黒鉛部
品に石英ルツボがセットされた状態を模式的に示す図
で、（ａ）は縦断面図、（ｂ）は（ａ）のＤ₅ −Ｄ₅ ′
線横断面図である。

【図７】従来の単結晶引上げ用黒鉛部品の単結晶引上げ
後の冷却の際の状態を模式的に示す図で、（ａ）は平面
図、（ｂ）は縦断面図である。

【符号の説明】

１０、２０、３０、４０、５１、６０：単結晶引上げ用
黒鉛部品 １１、２１、３１、４１、６１：単結晶引上げ用黒鉛ル
ツボ １２、２２、３２、４２、６２：分割面 １３、２３、３３、４３、６３：黒鉛受け台 １５、１５ａ、２５、２５ａ、４５、４５ａ、６５、６
５ａ：嵌合部 １６、１６ａ、２６、２６ａ、４６、４６ａ、６６、６
６ａ：黒鉛ルツボの底部側面 １７、４７、６７：くびれ部 １８、２８、３８、４８：空隙部 ４９：空隙部収納黒鉛片 ５０：単結晶引上げ用ルツボ ５２：石英ルツボ ５３：チャンバ ５４：ヒーター ５５：保温筒 ５６：溶融液 ５７：支持軸 ５８：引上げ棒 ５８ａ：シードチャック ５９：単結晶 ５９ａ：種結晶 ６１ａ：黒鉛ルツボの内側底部 ６２ａ：分割面底部 ６４：底部外周

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】縦に分割された黒鉛ルツボとこの黒鉛ルツ
   ボの底部に嵌合された黒鉛受け台とで構成される単結晶
   引上げ用黒鉛部品であって、黒鉛ルツボの少なくとも分
   割面を含む底部側面と黒鉛受け台との嵌合部に空隙部が
   形成されていることを特徴とする単結晶引上げ用黒鉛部
   品。
2. 【請求項２】縦に分割された黒鉛ルツボとこの黒鉛ルツ
   ボの底部に嵌合された黒鉛受け台とで構成される単結晶
   引上げ用黒鉛部品であって、黒鉛ルツボの少なくとも分
   割面を含む底部側面と黒鉛受け台との嵌合部に空隙部が
   形成され、この空隙部に黒鉛片または黒鉛シ−トが収納
   されていることを特徴とする単結晶引上げ用黒鉛部品。