JPH0154929B2 - - Google Patents
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- JPH0154929B2 JPH0154929B2 JP60173954A JP17395485A JPH0154929B2 JP H0154929 B2 JPH0154929 B2 JP H0154929B2 JP 60173954 A JP60173954 A JP 60173954A JP 17395485 A JP17395485 A JP 17395485A JP H0154929 B2 JPH0154929 B2 JP H0154929B2
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- JP
- Japan
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- circuit
- transistor
- temperature
- voltage
- resistor
- Prior art date
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F1/00—Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
- H03F1/52—Circuit arrangements for protecting such amplifiers
-
- H—ELECTRICITY
- H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
- H02H—EMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
- H02H5/00—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal non-electric working conditions with or without subsequent reconnection
- H02H5/04—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal non-electric working conditions with or without subsequent reconnection responsive to abnormal temperature
- H02H5/044—Emergency protective circuit arrangements for automatic disconnection directly responsive to an undesired change from normal non-electric working conditions with or without subsequent reconnection responsive to abnormal temperature using a semiconductor device to sense the temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K17/082—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit
- H03K17/0826—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage by feedback from the output to the control circuit in bipolar transistor switches
-
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- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/08—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage
- H03K2017/0806—Modifications for protecting switching circuit against overcurrent or overvoltage against excessive temperature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S323/00—Electricity: power supply or regulation systems
- Y10S323/907—Temperature compensation of semiconductor
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Amplifiers (AREA)
- Protection Of Static Devices (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、温度に無関係な参照電圧を供給する
バンドギヤツプ回路と、参照電圧を増幅し且つ負
帰還回路網を介して負帰還されている増幅器回路
と、温度決定回路部分と熱的に結合されており、
負帰還されている増幅器回路により増幅された参
照電圧を温度に関係する電圧と比較し、また比較
規範が満足される際には温度決定回路部分を制御
するための手段を能動化するセンサ回路とを含ん
でいる温度保護用回路装置に関する。
バンドギヤツプ回路と、参照電圧を増幅し且つ負
帰還回路網を介して負帰還されている増幅器回路
と、温度決定回路部分と熱的に結合されており、
負帰還されている増幅器回路により増幅された参
照電圧を温度に関係する電圧と比較し、また比較
規範が満足される際には温度決定回路部分を制御
するための手段を能動化するセンサ回路とを含ん
でいる温度保護用回路装置に関する。
電力用エレクトロニクス構成要素、特に電力用
集積回路は、その損傷を惹起し得る不十分な冷却
状態での許容し得ない高い温度に対する保護とし
て温度保護を必要とする。温度センサとしては一
般に、温度に無関係な電圧を順方向にバイアス電
圧として与えられたトランジスタのベース−エミ
ツタ接合が用いられる。このトランジスタはその
しきい電圧の負の温度係数またはベース電流の正
の温度係数に基づいて１つの特定の温度から能動
化され、また保護すべき構成要素内の損失電力を
減少する。温度センサおよび電力用構成要素の熱
的結合により制御ループが形成されており、その
際に損失電力の調節は一般に電力用構成要素に対
する供給電圧のスイツチオフまたはスイツチオン
により行われる。
集積回路は、その損傷を惹起し得る不十分な冷却
状態での許容し得ない高い温度に対する保護とし
て温度保護を必要とする。温度センサとしては一
般に、温度に無関係な電圧を順方向にバイアス電
圧として与えられたトランジスタのベース−エミ
ツタ接合が用いられる。このトランジスタはその
しきい電圧の負の温度係数またはベース電流の正
の温度係数に基づいて１つの特定の温度から能動
化され、また保護すべき構成要素内の損失電力を
減少する。温度センサおよび電力用構成要素の熱
的結合により制御ループが形成されており、その
際に損失電力の調節は一般に電力用構成要素に対
する供給電圧のスイツチオフまたはスイツチオン
により行われる。
このアナログ調節、いわゆるパルス幅調節で
は、高い周波数の振動が重畳している低い周波数
の弛張振動を生ずることが多い。低い周波数の振
動は、温度センサへの熱的帰還に基づいて制御ル
ープが非常にゆつくりと動作することにより生
じ、また高い周波数の振動は調節器、すなわち温
度センサとして使用されているトランジスタのス
イツチング過程の際に生ずる。
は、高い周波数の振動が重畳している低い周波数
の弛張振動を生ずることが多い。低い周波数の振
動は、温度センサへの熱的帰還に基づいて制御ル
ープが非常にゆつくりと動作することにより生
じ、また高い周波数の振動は調節器、すなわち温
度センサとして使用されているトランジスタのス
イツチング過程の際に生ずる。
特にオーデイオ増幅器用の集積回路では、低い
周波数の弛張振動は可聴範囲内にあるので有害で
ある。集積電力増幅器において好んで利用される
Ｂ級出力段の（供給電位の半分の電位にある）出
力端は大きなキヤパシタンスを有する１つの電解
コンデンサを介してスピーカーと接続されてお
り、このスピーカーに調節器のスイツチング過程
で高い電流パルスが生じ、スピーカーを損傷する
おそれがある。高い周波数の振動は一般にＢ級出
力段内の分路電流に通じ、その際にその出力トラ
ンジスタが、いわゆる“ホツト・スポツト”を生
ずるほど大きな電力を受け、第２種の局部的ブレ
ークダウンに通じ、またはトランジスタを損傷す
るおそれがある。
周波数の弛張振動は可聴範囲内にあるので有害で
ある。集積電力増幅器において好んで利用される
Ｂ級出力段の（供給電位の半分の電位にある）出
力端は大きなキヤパシタンスを有する１つの電解
コンデンサを介してスピーカーと接続されてお
り、このスピーカーに調節器のスイツチング過程
で高い電流パルスが生じ、スピーカーを損傷する
おそれがある。高い周波数の振動は一般にＢ級出
力段内の分路電流に通じ、その際にその出力トラ
ンジスタが、いわゆる“ホツト・スポツト”を生
ずるほど大きな電力を受け、第２種の局部的ブレ
ークダウンに通じ、またはトランジスタを損傷す
るおそれがある。
本発明の目的は、一層高い信頼性を有する温度
保護のための回路装置を提供することである。
保護のための回路装置を提供することである。
この目的は、本発明によれば、特許請求の範囲
第１項に記載の回路装置により達成される。
第１項に記載の回路装置により達成される。
本発明の好ましい実施態様は特許請求の範囲第
２項ないし第１１項に示されている。
２項ないし第１１項に示されている。
本発明による回路装置は正帰還により寄生的な
振動の生起を回避し、また電力用構成要素、特に
電力用集積回路のスイツチオンおよびスイツチオ
フをヒステリシス特性曲線に従つて行う。電力用
構成要素は最高許容温度においてスイツチオフさ
れ、また所与の温度だけ冷却後に再びスイツチオ
ンされる。温度ヒステリシスにより損失電力のア
プレーゲルン（Abregeln）は行われず、その際
にスイツチオフ過程とスイツチオン過程との間の
時間は電力用構成要素の全熱容量と設定されたヒ
ステリシスとに応じて数秒ないし数分間継続す
る。
振動の生起を回避し、また電力用構成要素、特に
電力用集積回路のスイツチオンおよびスイツチオ
フをヒステリシス特性曲線に従つて行う。電力用
構成要素は最高許容温度においてスイツチオフさ
れ、また所与の温度だけ冷却後に再びスイツチオ
ンされる。温度ヒステリシスにより損失電力のア
プレーゲルン（Abregeln）は行われず、その際
にスイツチオフ過程とスイツチオン過程との間の
時間は電力用構成要素の全熱容量と設定されたヒ
ステリシスとに応じて数秒ないし数分間継続す
る。
以下、図面に示されている実施例により本発明
を一層詳細に説明する。
を一層詳細に説明する。
第１図によれば、それ自体は公知のバンドギヤ
ツプ回路BGが第１近似で温度に無関係な参照電
圧UBGを供給する。出力端から入力端へ負帰還回
路網GKにより負帰還されている増幅器回路Ｖは
参照電圧UBGを電圧URに増幅する。保護すべき電
力用構成要素、特に電力増幅器LVと熱的に結合
されたセンサ回路TSは、増幅された参照電圧UR
を温度に関係する電圧UTと比較する。比較規範
が満足されれば、センサ回路TSは、増幅された
参照電圧URに対する正帰還の意味で増幅器回路
Ｖの増幅率を変化させるように負帰還回路網GK
に作用する。同時に、センサ回路TSは電力増幅
器LVをたとえばそのスイツチオフ（禁止）入力
端を介してスイツチオフまたはスイツチオンす
る。
ツプ回路BGが第１近似で温度に無関係な参照電
圧UBGを供給する。出力端から入力端へ負帰還回
路網GKにより負帰還されている増幅器回路Ｖは
参照電圧UBGを電圧URに増幅する。保護すべき電
力用構成要素、特に電力増幅器LVと熱的に結合
されたセンサ回路TSは、増幅された参照電圧UR
を温度に関係する電圧UTと比較する。比較規範
が満足されれば、センサ回路TSは、増幅された
参照電圧URに対する正帰還の意味で増幅器回路
Ｖの増幅率を変化させるように負帰還回路網GK
に作用する。同時に、センサ回路TSは電力増幅
器LVをたとえばそのスイツチオフ（禁止）入力
端を介してスイツチオフまたはスイツチオンす
る。
増幅された参照電圧URに対する正帰還および
変更された増幅率により比較規範は確実に満足さ
れており、また電力増幅器LVに対するセンサ回
路TSのスイツチング状態は、電力増幅器LVから
センサ回路TSに帰還される温度に関係する電圧
UTが負帰還の意味で再び比較規範が満足される
ように変化し終わるまで、確実に保たれている。
しかしながら、温度に関係する電圧UTの温度係
数の符号と、この電圧UTと増幅された参照電圧
URとの間の差が最初の状態にくらべて反転して
いるので、この場合、比較規範への接近は同じく
反転した符号で行われる。センサ回路TSはいま
再び、増幅された参照電圧URに対する正帰還の
意味で、負帰還されている増幅器回路Ｖに対する
最初の増幅率が再び生ずるように、負帰還回路網
GKにスイツチオンされる。それによつて比較規
範が同じく確実に満足されており、また同時にセ
ンサ回路TSが電力増幅器LVを最初の作動状態に
スイツチバツクする。
変更された増幅率により比較規範は確実に満足さ
れており、また電力増幅器LVに対するセンサ回
路TSのスイツチング状態は、電力増幅器LVから
センサ回路TSに帰還される温度に関係する電圧
UTが負帰還の意味で再び比較規範が満足される
ように変化し終わるまで、確実に保たれている。
しかしながら、温度に関係する電圧UTの温度係
数の符号と、この電圧UTと増幅された参照電圧
URとの間の差が最初の状態にくらべて反転して
いるので、この場合、比較規範への接近は同じく
反転した符号で行われる。センサ回路TSはいま
再び、増幅された参照電圧URに対する正帰還の
意味で、負帰還されている増幅器回路Ｖに対する
最初の増幅率が再び生ずるように、負帰還回路網
GKにスイツチオンされる。それによつて比較規
範が同じく確実に満足されており、また同時にセ
ンサ回路TSが電力増幅器LVを最初の作動状態に
スイツチバツクする。
センサ回路TSの作動状態に応じて、負帰還さ
れている増幅器回路Ｖは参照電圧UBGに対する２
つの増幅率を有し、従つてまた増幅された参照電
圧URは２つの異なる値を有する。従つて、比較
規範が同一に保たれていれば、温度に関係する電
圧UTの温度係数の符号または比較規範へのこの
電圧UTの接近の方向はセンサ回路TSの出力量の
変化を決定する。こうして、温度に関係するヒス
テリシス特性が生じ、その切換点は増幅された参
照電圧URの値により設定される。センサ回路TS
から負帰還回路網GKおよび増幅器回路Ｖを介し
て閉じられている正帰還ループに基づいて、特に
電力増幅器LVに作用するセンサ回路TSの出力量
は、寄生的振動が生じないように迅速に変化す
る。
れている増幅器回路Ｖは参照電圧UBGに対する２
つの増幅率を有し、従つてまた増幅された参照電
圧URは２つの異なる値を有する。従つて、比較
規範が同一に保たれていれば、温度に関係する電
圧UTの温度係数の符号または比較規範へのこの
電圧UTの接近の方向はセンサ回路TSの出力量の
変化を決定する。こうして、温度に関係するヒス
テリシス特性が生じ、その切換点は増幅された参
照電圧URの値により設定される。センサ回路TS
から負帰還回路網GKおよび増幅器回路Ｖを介し
て閉じられている正帰還ループに基づいて、特に
電力増幅器LVに作用するセンサ回路TSの出力量
は、寄生的振動が生じないように迅速に変化す
る。
第２図には、第１図に概要を示した回路の詳細
な実施例が示されている。第１図中の要素と同一
の要素には同一の参照符号が付されている。
な実施例が示されている。第１図中の要素と同一
の要素には同一の参照符号が付されている。
バンドギヤツプ回路は公知であり、たとえば図
書「半導体回路技術（Halbleiter−
Schaltungstechnik）」、ウー．テイーツエ（U.
Tietze）およびツエーハー．シエンク（Ch.
Schenk）著、第５改訂版、スプリンガー出版
（Springer−Verlag）、ベルリン、ハイデルベル
グ、ニユーヨーク、1980年、第387頁以降に記載
されている。このようなバンドギヤツプ回路BG
は第１近似で温度に無関係な電圧UBGを供給し、
この電圧は増幅器回路内に含まれている演算増幅
器OPの非反転入力端に与えられている。
書「半導体回路技術（Halbleiter−
Schaltungstechnik）」、ウー．テイーツエ（U.
Tietze）およびツエーハー．シエンク（Ch.
Schenk）著、第５改訂版、スプリンガー出版
（Springer−Verlag）、ベルリン、ハイデルベル
グ、ニユーヨーク、1980年、第387頁以降に記載
されている。このようなバンドギヤツプ回路BG
は第１近似で温度に無関係な電圧UBGを供給し、
この電圧は増幅器回路内に含まれている演算増幅
器OPの非反転入力端に与えられている。
演算増幅器OPの出力端における増幅された参
照電圧URは抵抗Ｒ１を介して演算増幅器OPの反
転入力端に帰還される。抵抗Ｒ１は負帰還回路網
に属する。この負帰還回路網はさらに、Ｒ１に対
して直列に接続されている抵抗Ｒ２およびＲ３を
含んでおり、基準電位を基準として増幅された参
照電圧URに対する分圧器としての役割をする。
その際、バンドギヤツプ回路の参照電圧UBGも同
じく基準電位を基準としている。
照電圧URは抵抗Ｒ１を介して演算増幅器OPの反
転入力端に帰還される。抵抗Ｒ１は負帰還回路網
に属する。この負帰還回路網はさらに、Ｒ１に対
して直列に接続されている抵抗Ｒ２およびＲ３を
含んでおり、基準電位を基準として増幅された参
照電圧URに対する分圧器としての役割をする。
その際、バンドギヤツプ回路の参照電圧UBGも同
じく基準電位を基準としている。
負帰還回路網Ｒ１ないしＲ３に対して並列に、
抵抗Ｒ４およびＲ５から成るもう１つの抵抗分圧
器が演算増幅器OPの出力電圧URと基準電位との
間に接続されている。一方の端子で基準電位に接
続されている抵抗Ｒ５の他方の端子と基準電位と
の間にそれぞれ１つの抵抗Ｒ６またはＲ７と１つ
のnpnトランジスタＴ１またはＴ２のベース−エ
ミツタ間パスとが直列に接続されている。トラン
ジスタＴ１のコレクタは負帰還回路網GKの抵抗
Ｒ２およびＲ３の接続点と接続されており、抵抗
Ｒ４ないしＲ７ならびにトランジスタＴ１および
Ｔ２から成るセンサ回路から負帰還回路網への帰
還路を成している。トランジスタＴ２のコレクタ
は開いた状態に留まり、またその端子Ｉで、第２
図中に破線で示されているように、たとえば１つ
の電力増幅器LVの禁止入力端に接続されていて
よい。
抵抗Ｒ４およびＲ５から成るもう１つの抵抗分圧
器が演算増幅器OPの出力電圧URと基準電位との
間に接続されている。一方の端子で基準電位に接
続されている抵抗Ｒ５の他方の端子と基準電位と
の間にそれぞれ１つの抵抗Ｒ６またはＲ７と１つ
のnpnトランジスタＴ１またはＴ２のベース−エ
ミツタ間パスとが直列に接続されている。トラン
ジスタＴ１のコレクタは負帰還回路網GKの抵抗
Ｒ２およびＲ３の接続点と接続されており、抵抗
Ｒ４ないしＲ７ならびにトランジスタＴ１および
Ｔ２から成るセンサ回路から負帰還回路網への帰
還路を成している。トランジスタＴ２のコレクタ
は開いた状態に留まり、またその端子Ｉで、第２
図中に破線で示されているように、たとえば１つ
の電力増幅器LVの禁止入力端に接続されていて
よい。
保護すべき電力用構成要素、たとえば電力増幅
器LVはトランジスタＴ１と熱的に結合されてお
り、その温度変化により、トランジスタＴ１のベ
ース・エミツタ接合の第１図でUTで示されてい
る温度に関係するしきい電圧を決定する。
器LVはトランジスタＴ１と熱的に結合されてお
り、その温度変化により、トランジスタＴ１のベ
ース・エミツタ接合の第１図でUTで示されてい
る温度に関係するしきい電圧を決定する。
トランジスタＴ１の出力回路は抵抗Ｒ３に並列
に接続され、また負帰還回路網の抵抗Ｒ１および
Ｒ２により、増幅された参照電圧URに対する演
算増幅器OPの増幅率を決定する。分圧器Ｒ４お
よびＲ５によりトランジスタＴ１およびＴ２のベ
ースはバイアス電圧を与えられており、その際に
抵抗Ｒ６およびＲ７は対称化の役割をする。
に接続され、また負帰還回路網の抵抗Ｒ１および
Ｒ２により、増幅された参照電圧URに対する演
算増幅器OPの増幅率を決定する。分圧器Ｒ４お
よびＲ５によりトランジスタＴ１およびＴ２のベ
ースはバイアス電圧を与えられており、その際に
抵抗Ｒ６およびＲ７は対称化の役割をする。
温度保護が応動しない場合には電力増幅器LV
はスイツチオンされており、またトランジスタＴ
１およびＴ２は遮断状態にある。電力増幅器LV
の損失電力の増大に伴い、電力増幅器LVと熱的
に結合されているトランジスタＴ１のpn接合の
温度が上昇する。トランジスタＴ１のpn接合の
しきい電圧の負の温度係数に基づいてしきい電圧
UTは温度Ｔに上昇に伴い低下する。抵抗Ｒ４な
いしＲ６により設定されるトランジスタＴ１のベ
ースバイアス電圧を、保護すべき電力用構成要素
の最高許容温度においてしきい電圧UTがこのベ
ースバイアス電圧にまさに到達するような大きさ
に選定すれば、トランジスタＴ１は導通する。負
帰還回路網の抵抗Ｒ３における電圧降下は、トラ
ンジスタＴ１の出力回路が次いで並列に接続され
ることにより減少する。
はスイツチオンされており、またトランジスタＴ
１およびＴ２は遮断状態にある。電力増幅器LV
の損失電力の増大に伴い、電力増幅器LVと熱的
に結合されているトランジスタＴ１のpn接合の
温度が上昇する。トランジスタＴ１のpn接合の
しきい電圧の負の温度係数に基づいてしきい電圧
UTは温度Ｔに上昇に伴い低下する。抵抗Ｒ４な
いしＲ６により設定されるトランジスタＴ１のベ
ースバイアス電圧を、保護すべき電力用構成要素
の最高許容温度においてしきい電圧UTがこのベ
ースバイアス電圧にまさに到達するような大きさ
に選定すれば、トランジスタＴ１は導通する。負
帰還回路網の抵抗Ｒ３における電圧降下は、トラ
ンジスタＴ１の出力回路が次いで並列に接続され
ることにより減少する。
同時に、両抵抗Ｒ１およびＲ２の接続点から取
り出され演算増幅器OPの反転入力端に帰還され
る電圧および演算増幅器OPの増幅率が増大する。
それによつて、出力電圧URが上昇し、また分圧
器Ｒ４ないしＲ６を介してトランジスタＴ１のベ
ース−エミツタ間電圧が上昇する。この正帰還
は、トランジスタＴ１が飽和状態に達するまで、
増幅された参照電圧URを高める。
り出され演算増幅器OPの反転入力端に帰還され
る電圧および演算増幅器OPの増幅率が増大する。
それによつて、出力電圧URが上昇し、また分圧
器Ｒ４ないしＲ６を介してトランジスタＴ１のベ
ース−エミツタ間電圧が上昇する。この正帰還
は、トランジスタＴ１が飽和状態に達するまで、
増幅された参照電圧URを高める。
増幅された参照電圧URの増大に伴い同じくト
ランジスタＴ２のベース電圧が上昇し、従つてト
ランジスタＴ２は導通し、その出力端Ｉを介して
電力増幅器LVを、たとえばその禁止入力端を介
してスイツチオフする。ベースバイアス抵抗Ｒ６
またはＲ７のデイメンジヨニングにより、電力増
幅器LVと熱的に結合されていないトランジスタ
Ｔ２がトランジスタＴ１の前にスイツチされるこ
とがないように取り計らわれている。増幅された
参照電圧URの上昇は正帰還により、電力増幅器
LVのスイツチオフの際に寄生的振動が生ずるこ
となく両トランジスタＴ１およびＴ２が対称に駆
動され得るように迅速に行われる。特に、しか
し、温度保護が応動しない場合、トランジスタＴ
２がトランジスタＴ１よりも低いベースバイアス
電圧を有し、トランジスタＴ１よりもわずかに遅
く導通することは有利である。
ランジスタＴ２のベース電圧が上昇し、従つてト
ランジスタＴ２は導通し、その出力端Ｉを介して
電力増幅器LVを、たとえばその禁止入力端を介
してスイツチオフする。ベースバイアス抵抗Ｒ６
またはＲ７のデイメンジヨニングにより、電力増
幅器LVと熱的に結合されていないトランジスタ
Ｔ２がトランジスタＴ１の前にスイツチされるこ
とがないように取り計らわれている。増幅された
参照電圧URの上昇は正帰還により、電力増幅器
LVのスイツチオフの際に寄生的振動が生ずるこ
となく両トランジスタＴ１およびＴ２が対称に駆
動され得るように迅速に行われる。特に、しか
し、温度保護が応動しない場合、トランジスタＴ
２がトランジスタＴ１よりも低いベースバイアス
電圧を有し、トランジスタＴ１よりもわずかに遅
く導通することは有利である。
いま電力増幅器LVがスイツチオフされている
時に温度が低下すると、それによつて結合された
トランジスタＴ１のしきい電圧UTが上昇する。
増大するしきい電圧UTが増幅された参照電圧UR
に到達すると直ちに、トランジスタＴ１が阻止し
初め、また負帰還回路網Ｒ１ないしＲ３およびそ
の後は一層強く負帰還される演算増幅器OPを介
して、増幅された参照電圧URが減少する。新た
な正帰還により、増幅された参照電圧URは非常
に迅速に、温度保護が応動しない場合に存在する
一層低い電圧値に到達し、またトランジスタＴ１
およびＴ２は確実に遮断する。正帰還により達成
されるトランジスタＴ１またはＴ２の迅速なスイ
ツチオフに基づいて電力増幅器LVの再スイツチ
オンの際にも寄生的振動は生じない。
時に温度が低下すると、それによつて結合された
トランジスタＴ１のしきい電圧UTが上昇する。
増大するしきい電圧UTが増幅された参照電圧UR
に到達すると直ちに、トランジスタＴ１が阻止し
初め、また負帰還回路網Ｒ１ないしＲ３およびそ
の後は一層強く負帰還される演算増幅器OPを介
して、増幅された参照電圧URが減少する。新た
な正帰還により、増幅された参照電圧URは非常
に迅速に、温度保護が応動しない場合に存在する
一層低い電圧値に到達し、またトランジスタＴ１
およびＴ２は確実に遮断する。正帰還により達成
されるトランジスタＴ１またはＴ２の迅速なスイ
ツチオフに基づいて電力増幅器LVの再スイツチ
オンの際にも寄生的振動は生じない。
増幅された参照電圧UR自体は演算増幅器OPの
寄生的性質に基づいて温度に関係している。オフ
セツト量は確かに１つの作動点に対して補償され
得るが、その温度ドリフトは補償され得ない。し
かしながら、この量は実際上役割を演じない。な
ぜならば、この量はセンサトランジスタＴ１の温
度係数よりも少なくとも１桁低く、また演算増幅
器OPの増幅率が低く保たれているからである。
増幅された参照電圧URのヒステリシス特性値は
負帰還回路網Ｒ１ないしＲ３と、トランジスタＴ
１の導通または遮断状態における抵抗Ｒ３の電圧
降下とを介して設定し得る。回路のデイメンジヨ
ニングの際、導通状態に切換えられたトランジス
タＴ１が飽和に達しなければならないことは無条
件に必要ではない。
寄生的性質に基づいて温度に関係している。オフ
セツト量は確かに１つの作動点に対して補償され
得るが、その温度ドリフトは補償され得ない。し
かしながら、この量は実際上役割を演じない。な
ぜならば、この量はセンサトランジスタＴ１の温
度係数よりも少なくとも１桁低く、また演算増幅
器OPの増幅率が低く保たれているからである。
増幅された参照電圧URのヒステリシス特性値は
負帰還回路網Ｒ１ないしＲ３と、トランジスタＴ
１の導通または遮断状態における抵抗Ｒ３の電圧
降下とを介して設定し得る。回路のデイメンジヨ
ニングの際、導通状態に切換えられたトランジス
タＴ１が飽和に達しなければならないことは無条
件に必要ではない。
特別な場合には、温度センサとしての役割をす
るpn接合と負帰還回路網Ｒ１ないしＲ３に対す
るトランジスタＴ１との組み合わせは必要でな
い。その代わりに、トランジスタＴ１およびＴ２
に追加して、たとえば抵抗Ｒ４に直列に接続され
ており且つ負極で抵抗Ｒ５ないしＲ７の接続点と
接続されている１つのダイオードを設けることが
できる。これは特にトランジスタＴ１およびＴ２
の対称駆動の際に有意義である。しかし、温度保
護の応動に対する他の規模では、ダイオードは抵
抗Ｒ６またはＲ７およびその共通接続点に直列に
接続されていてよい。１つのダイオードが抵抗Ｒ
４ないしＲ７の共通接続点と抵抗Ｒ５との間に接
続されている場合には、トランジスタＴ１および
Ｔ２の駆動に対する符号が変化し、従つてこの場
合には正帰還を達成するために１つの追加的なイ
ンバータまたは他の形式のトランジスタを設ける
必要がある。１つのダイオードに対する前記の接
続方法の代わりに、１つのツエナーダイオードを
使用することもできる。しかし、その際には他の
極性方向およびツエナー電圧に留意しなければな
らない。
るpn接合と負帰還回路網Ｒ１ないしＲ３に対す
るトランジスタＴ１との組み合わせは必要でな
い。その代わりに、トランジスタＴ１およびＴ２
に追加して、たとえば抵抗Ｒ４に直列に接続され
ており且つ負極で抵抗Ｒ５ないしＲ７の接続点と
接続されている１つのダイオードを設けることが
できる。これは特にトランジスタＴ１およびＴ２
の対称駆動の際に有意義である。しかし、温度保
護の応動に対する他の規模では、ダイオードは抵
抗Ｒ６またはＲ７およびその共通接続点に直列に
接続されていてよい。１つのダイオードが抵抗Ｒ
４ないしＲ７の共通接続点と抵抗Ｒ５との間に接
続されている場合には、トランジスタＴ１および
Ｔ２の駆動に対する符号が変化し、従つてこの場
合には正帰還を達成するために１つの追加的なイ
ンバータまたは他の形式のトランジスタを設ける
必要がある。１つのダイオードに対する前記の接
続方法の代わりに、１つのツエナーダイオードを
使用することもできる。しかし、その際には他の
極性方向およびツエナー電圧に留意しなければな
らない。
5.7V以下のツエナー電圧では温度係数はダイ
オードの場合と同様に負であり、それを越える
と、その後に有効なアバランシエ効果に基づいて
温度係数は正である。
オードの場合と同様に負であり、それを越える
と、その後に有効なアバランシエ効果に基づいて
温度係数は正である。
第３図には本発明による回路装置の別の実施例
がバンドギヤツプ回路、参照回路および増幅器回
路の詳細回路図を含めて示されている。鎖線で囲
まれている回路部分内に示されているバンドギヤ
ツプ回路BGはトランジスタＴ１０ないしＴ１
６、抵抗Ｒ１０ないしＲ１２およびキヤパシタン
スＣ１を含んでいる。トランジスタＴ１０ないし
Ｔ１３はnpn形式であり、トランジスタＴ１４な
いしＴ１６はpnp形式である。ダイオードとして
接続されており且つエミツタで基準電位たとえば
接地点と接続されているトランジスタＴ１０のベ
ースは、この端子と供給電位USとの間に接続さ
れている抵抗Ｒ１０を介して１つの電流を与えら
れる。Ｔ１０のベースはそのコレクタおよび抵抗
Ｒ１０と接続されているほか、トランジスタＴ１
２と共に１つの差動増幅器を形成するトランジス
タＴ１１のベースと接続されている。この差動増
幅器段のエミツタ抵抗としては、直列に基準電位
に接続されている両抵抗Ｒ１１およびＲ１２が用
いられている。
がバンドギヤツプ回路、参照回路および増幅器回
路の詳細回路図を含めて示されている。鎖線で囲
まれている回路部分内に示されているバンドギヤ
ツプ回路BGはトランジスタＴ１０ないしＴ１
６、抵抗Ｒ１０ないしＲ１２およびキヤパシタン
スＣ１を含んでいる。トランジスタＴ１０ないし
Ｔ１３はnpn形式であり、トランジスタＴ１４な
いしＴ１６はpnp形式である。ダイオードとして
接続されており且つエミツタで基準電位たとえば
接地点と接続されているトランジスタＴ１０のベ
ースは、この端子と供給電位USとの間に接続さ
れている抵抗Ｒ１０を介して１つの電流を与えら
れる。Ｔ１０のベースはそのコレクタおよび抵抗
Ｒ１０と接続されているほか、トランジスタＴ１
２と共に１つの差動増幅器を形成するトランジス
タＴ１１のベースと接続されている。この差動増
幅器段のエミツタ抵抗としては、直列に基準電位
に接続されている両抵抗Ｒ１１およびＲ１２が用
いられている。
トランジスタＴ１２のベースはトランジスタＴ
１３のベースと接続されており、そのエミツタは
両抵抗Ｒ１１およびＲ１２の接続点に接続されて
いる。キヤパシタンスＣ１はトランジスタＴ１３
のベース−コレクタ区間を橋絡している。差動増
幅器トランジスタＴ１１およびＴ１２のコレクタ
は相互に且つトランジスタＴ１４のコレクタと接
続されている。トランジスタＴ１４はトランジス
タＴ１５と一緒に１つの電流ミラーを形成してお
り、その際にトランジスタＴ１５のコレクタはト
ランジスタＴ１３のコレクタに接続されている。
両トランジスタＴ１４およびＴ１５のエミツタは
電圧USを供給される。また、トランジスタＴ１
４のベース−コレクタ区間と並列にトランジスタ
Ｔ１６のエミツタ−ベース区間が接続されてお
り、そのコレクタは基準電位に接続されている。
１３のベースと接続されており、そのエミツタは
両抵抗Ｒ１１およびＲ１２の接続点に接続されて
いる。キヤパシタンスＣ１はトランジスタＴ１３
のベース−コレクタ区間を橋絡している。差動増
幅器トランジスタＴ１１およびＴ１２のコレクタ
は相互に且つトランジスタＴ１４のコレクタと接
続されている。トランジスタＴ１４はトランジス
タＴ１５と一緒に１つの電流ミラーを形成してお
り、その際にトランジスタＴ１５のコレクタはト
ランジスタＴ１３のコレクタに接続されている。
両トランジスタＴ１４およびＴ１５のエミツタは
電圧USを供給される。また、トランジスタＴ１
４のベース−コレクタ区間と並列にトランジスタ
Ｔ１６のエミツタ−ベース区間が接続されてお
り、そのコレクタは基準電位に接続されている。
トランジスタＴ１３のコレクタがバンドギヤツ
プ回路BGの出力端を形成しており、この出力端
はトランジスタＴ１７およびＴ１８から成る１つ
のダーリントン増幅器段の入力端に通じている。
npn形式の両トランジスタはそれらのコレクタで
供給電圧USに接続されており、またトランジス
タＴ１７のエミツタはトランジスタＴ１８のベー
スに通じている。トランジスタＴ１８のエミツタ
がダーリンントン増幅器段の出力端を形成してお
り、この出力端から増幅され参照電圧URが取り
出される。第３図による回路の負帰還回路網は、
トランジスタＴ１８のエミツタと基準電位との間
に直列に接続されている抵抗Ｒ１３ないしＲ１６
により形成されている。抵抗Ｒ１４およびＲ１５
の接続点はバンドギヤツプ回路BGのトランジス
タＴ１２およびＴ１３の共通ベースと接続されて
おり、またバンドギヤツプ電圧UBGを有する。
プ回路BGの出力端を形成しており、この出力端
はトランジスタＴ１７およびＴ１８から成る１つ
のダーリントン増幅器段の入力端に通じている。
npn形式の両トランジスタはそれらのコレクタで
供給電圧USに接続されており、またトランジス
タＴ１７のエミツタはトランジスタＴ１８のベー
スに通じている。トランジスタＴ１８のエミツタ
がダーリンントン増幅器段の出力端を形成してお
り、この出力端から増幅され参照電圧URが取り
出される。第３図による回路の負帰還回路網は、
トランジスタＴ１８のエミツタと基準電位との間
に直列に接続されている抵抗Ｒ１３ないしＲ１６
により形成されている。抵抗Ｒ１４およびＲ１５
の接続点はバンドギヤツプ回路BGのトランジス
タＴ１２およびＴ１３の共通ベースと接続されて
おり、またバンドギヤツプ電圧UBGを有する。
トランジスタＴ１８のエミツタおよびＲ１３の
接続点は端子URと、温度センサとしての役割を
するトランジスタＴ１９のエミツタとに接続され
ている。トランジスタＴ１９のベースは両抵抗Ｒ
１３およびＲ１４の接続点に接続されている。ト
ランジスタＴ１９のコレクタは抵抗Ｒ１７ないし
Ｒ１９の接続点に通じている。抵抗Ｒ１７および
Ｒ１８はそれぞれ、エミツタで基準電位に接続さ
れているトランジスタＴ２０およびＴ２１のベー
ス直列抵抗である。
接続点は端子URと、温度センサとしての役割を
するトランジスタＴ１９のエミツタとに接続され
ている。トランジスタＴ１９のベースは両抵抗Ｒ
１３およびＲ１４の接続点に接続されている。ト
ランジスタＴ１９のコレクタは抵抗Ｒ１７ないし
Ｒ１９の接続点に通じている。抵抗Ｒ１７および
Ｒ１８はそれぞれ、エミツタで基準電位に接続さ
れているトランジスタＴ２０およびＴ２１のベー
ス直列抵抗である。
これらのトランジスタのベース−エミツタ区間
およびそれらのベース直列抵抗と並列に抵抗Ｒ１
９が接続されている。トランジスタＴ２０のコレ
クタは抵抗Ｒ１５およびＲ１６の接続点と接続さ
れており、他方トランジスタＴ２１のコレクタは
端子Ｉに通じており、たとえば電力増幅器LVの
スイツチオフ（禁止）入力端を駆動するため通常
は開いている。電力増幅器LVはトランジスタＴ
１９と熱的に結合されている。
およびそれらのベース直列抵抗と並列に抵抗Ｒ１
９が接続されている。トランジスタＴ２０のコレ
クタは抵抗Ｒ１５およびＲ１６の接続点と接続さ
れており、他方トランジスタＴ２１のコレクタは
端子Ｉに通じており、たとえば電力増幅器LVの
スイツチオフ（禁止）入力端を駆動するため通常
は開いている。電力増幅器LVはトランジスタＴ
１９と熱的に結合されている。
トランジスタＴ１０およびＴ１１は抵抗Ｒ１０
と共に始動回路としての役割をする。供給電圧
USのスイツチオンの際に電流が抵抗Ｒ１０を通
つて流れ、トランジスタＴ１０およびＴ１１のベ
ース−エミツタ区間に分流する。トランジスタＴ
１１と共に電流ミラートランジスタＴ１４も導通
し、その電流はトランジスタＴ１５内に鏡像化さ
れ、またトランジスタＴ１７およびＴ１８から成
り高い電流増幅率を有するダーリントン増幅器を
駆動する。抵抗Ｒ１３ないしＲ１６とトランジス
タＴ１２またはＴ１３のベースに帰還される抵抗
Ｒ１４およびＲ１５の接続点とにおける電圧降下
を介して、端子UBGと接続されているこの接続点
における電位が上昇する。トランジスタＴ１２お
よびＴ１３のしきい電圧が超過されると直ちに、
トランジスタＴ１２がトランジスタＴ１１の電流
を引き受け、またトランジスタＴ１３が部分的に
トランジスタＴ１５の電流を引き受ける。ダーリ
ントン増幅器段Ｔ１７およびＴ１８ならびに負帰
還回路網を介してトランジスタＴ１３のコレクタ
電流をトランジスタＴ１３のベースに負帰還する
ことにより、一定のベース電圧がトランジスタＴ
１３に生ずる。
と共に始動回路としての役割をする。供給電圧
USのスイツチオンの際に電流が抵抗Ｒ１０を通
つて流れ、トランジスタＴ１０およびＴ１１のベ
ース−エミツタ区間に分流する。トランジスタＴ
１１と共に電流ミラートランジスタＴ１４も導通
し、その電流はトランジスタＴ１５内に鏡像化さ
れ、またトランジスタＴ１７およびＴ１８から成
り高い電流増幅率を有するダーリントン増幅器を
駆動する。抵抗Ｒ１３ないしＲ１６とトランジス
タＴ１２またはＴ１３のベースに帰還される抵抗
Ｒ１４およびＲ１５の接続点とにおける電圧降下
を介して、端子UBGと接続されているこの接続点
における電位が上昇する。トランジスタＴ１２お
よびＴ１３のしきい電圧が超過されると直ちに、
トランジスタＴ１２がトランジスタＴ１１の電流
を引き受け、またトランジスタＴ１３が部分的に
トランジスタＴ１５の電流を引き受ける。ダーリ
ントン増幅器段Ｔ１７およびＴ１８ならびに負帰
還回路網を介してトランジスタＴ１３のコレクタ
電流をトランジスタＴ１３のベースに負帰還する
ことにより、一定のベース電圧がトランジスタＴ
１３に生ずる。
トランジスタＴ１２およびＴ１３のコレクタ回
路内に流れる電流は互いに高度に等しい。なぜな
らば、トランジスタＴ１４を通るコレクタ電流は
非常に正確にトランジスタＴ１５内に鏡像化され
るからである。そのために、ベース−エミツタ区
間がトランジスタＴ１４のコレクタ−ベース区間
と並列に接続されており且つベース電流がほぼト
ランジスタＴ１６の電流増幅率だけトランジスタ
Ｔ１４およびＴ１５のベース電流よりも低いトラ
ンジスタＴ１６が用いられている。そのために、
横形pnpトランジスタにくらべて電流増幅率が約
２倍である縦形pnpトランジスタをトランジスタ
Ｔ１６として使用することは有利である。
路内に流れる電流は互いに高度に等しい。なぜな
らば、トランジスタＴ１４を通るコレクタ電流は
非常に正確にトランジスタＴ１５内に鏡像化され
るからである。そのために、ベース−エミツタ区
間がトランジスタＴ１４のコレクタ−ベース区間
と並列に接続されており且つベース電流がほぼト
ランジスタＴ１６の電流増幅率だけトランジスタ
Ｔ１４およびＴ１５のベース電流よりも低いトラ
ンジスタＴ１６が用いられている。そのために、
横形pnpトランジスタにくらべて電流増幅率が約
２倍である縦形pnpトランジスタをトランジスタ
Ｔ１６として使用することは有利である。
トランジスタＴ１２のエミツタ面積はトランジ
スタＴ１３のエミツタ面積よりも何倍も大きく、
たとえば７倍であり、従つて同一のコレクタ電流
においてトランジスタＴ１２におけるしきい電圧
はトランジスタＴ１３におけるしきい電圧よりも
低い。その際、トランジスタＴ１３のベース−エ
ミツタ区間における電圧降下はトランジスタＴ１
２のベース−エミツタ区間および直列に接続され
ている抵抗Ｒ１１における電圧降下と同じ大きさ
である。トランジスタＴ１２およびＴ１３の両ベ
ース−エミツタ間電圧の差は増幅されて抵抗Ｒ１
２に現れる。電圧UBGの温度係数は、たとえば
1.16Vのバンドギヤツプ電圧が生ずるようにトラ
ンジスタＴ１２およびＴ１３のエミツタ面積の比
および抵抗Ｒ１１およびＲ１２を選定すれば、第
１近似で零に等しくなる。増幅器および帰還回路
はこの電位を一定に保持する。
スタＴ１３のエミツタ面積よりも何倍も大きく、
たとえば７倍であり、従つて同一のコレクタ電流
においてトランジスタＴ１２におけるしきい電圧
はトランジスタＴ１３におけるしきい電圧よりも
低い。その際、トランジスタＴ１３のベース−エ
ミツタ区間における電圧降下はトランジスタＴ１
２のベース−エミツタ区間および直列に接続され
ている抵抗Ｒ１１における電圧降下と同じ大きさ
である。トランジスタＴ１２およびＴ１３の両ベ
ース−エミツタ間電圧の差は増幅されて抵抗Ｒ１
２に現れる。電圧UBGの温度係数は、たとえば
1.16Vのバンドギヤツプ電圧が生ずるようにトラ
ンジスタＴ１２およびＴ１３のエミツタ面積の比
および抵抗Ｒ１１およびＲ１２を選定すれば、第
１近似で零に等しくなる。増幅器および帰還回路
はこの電位を一定に保持する。
増幅された参照電圧URはたとえば3.8Vである。
この低い増幅率のために必要な強い負帰還に基づ
いて、この回路の帯域幅は、場合によつては生じ
得る振動傾向を抑制するため、制限されなければ
ならない。そのために、トランジスタＴ１３のコ
レクタをそのベースに帰還結合するキヤパシタン
スＣ１が用いられている。
この低い増幅率のために必要な強い負帰還に基づ
いて、この回路の帯域幅は、場合によつては生じ
得る振動傾向を抑制するため、制限されなければ
ならない。そのために、トランジスタＴ１３のコ
レクタをそのベースに帰還結合するキヤパシタン
スＣ１が用いられている。
負帰還回路網の抵抗分圧器として接続されてい
る抵抗Ｒ１３ないしＲ１６を通つて流れる電流は
抵抗Ｒ１３に分圧された電圧降下を生じ、この電
圧降下がpnpトランジスタＴ１９のエミツタ−ベ
ース区間に順方向のバイアス電圧を与える。トラ
ンジスタＴ１９のエミツタ−ベース間しきい電圧
は、トランジスタＴ１９と熱的に結合されている
保護すべき電力用構成要素、たとえば電力増幅器
LVの温度が上昇すると、低下する。
る抵抗Ｒ１３ないしＲ１６を通つて流れる電流は
抵抗Ｒ１３に分圧された電圧降下を生じ、この電
圧降下がpnpトランジスタＴ１９のエミツタ−ベ
ース区間に順方向のバイアス電圧を与える。トラ
ンジスタＴ１９のエミツタ−ベース間しきい電圧
は、トランジスタＴ１９と熱的に結合されている
保護すべき電力用構成要素、たとえば電力増幅器
LVの温度が上昇すると、低下する。
増幅された参照電圧UR以下にしきい電圧が低
下すると直ちに、このトランジスタＴ１９の出力
回路と、そのコレクタの後に接続されているトラ
ンジスタＴ２０の入力回路とがこのトランジスタ
を導通状態に切換える。トランジスタＴ２０の出
力回路は抵抗Ｒ１６と並列に接続されているの
で、この抵抗における電圧降下が低下する。他方
において、増幅器が両抵抗Ｒ１４およびＲ１５の
接続点におけるバンドギヤツプ参照電圧UBGを一
定に保持し、また抵抗Ｒ１３ないしＲ１５と抵抗
Ｒ１６およびトランジスタＴ２０の出力回路から
成る並列回路とを通る電流は上昇する。それによ
つて、抵抗Ｒ１３における電圧降下およびトラン
ジスタＴ１９のエミツタ−ベース区間における電
圧降下は上昇する。
下すると直ちに、このトランジスタＴ１９の出力
回路と、そのコレクタの後に接続されているトラ
ンジスタＴ２０の入力回路とがこのトランジスタ
を導通状態に切換える。トランジスタＴ２０の出
力回路は抵抗Ｒ１６と並列に接続されているの
で、この抵抗における電圧降下が低下する。他方
において、増幅器が両抵抗Ｒ１４およびＲ１５の
接続点におけるバンドギヤツプ参照電圧UBGを一
定に保持し、また抵抗Ｒ１３ないしＲ１５と抵抗
Ｒ１６およびトランジスタＴ２０の出力回路から
成る並列回路とを通る電流は上昇する。それによ
つて、抵抗Ｒ１３における電圧降下およびトラン
ジスタＴ１９のエミツタ−ベース区間における電
圧降下は上昇する。
トランジスタＴ１９の出力電流は、トランジス
タＴ２０が飽和に達するまで、トランジスタＴ１
９のエミツタ−ベース区間に対する正帰還の意味
でトランジスタＴ２０に作用する。出力端でたと
えば電力増幅器LVのスイツチオフ入力端に作用
するトランジスタＴ２１のスイツチング動作につ
いては、第２図での説明と類似のことが成り立
つ。その際、トランジスタＴ２１はトランジスタ
Ｔ２０と同時に切換わつてよいが、先に切換わら
ないことが有利である。
タＴ２０が飽和に達するまで、トランジスタＴ１
９のエミツタ−ベース区間に対する正帰還の意味
でトランジスタＴ２０に作用する。出力端でたと
えば電力増幅器LVのスイツチオフ入力端に作用
するトランジスタＴ２１のスイツチング動作につ
いては、第２図での説明と類似のことが成り立
つ。その際、トランジスタＴ２１はトランジスタ
Ｔ２０と同時に切換わつてよいが、先に切換わら
ないことが有利である。
正帰還に基づくセンサ回路の迅速なスイツチオ
フにより、トランジスタＴ１９が飽和に達するか
否かは重要な役割を演じない。同様にトランジス
タＴ１９は第２図の実施例に相応して１つのダイ
オードまたはツエナーダイオードにより置換され
得る。しかしながら、第３図によればダイオード
バイアス電圧はトランジスタＴ１９および抵抗Ｒ
１３により、負帰還回路網への帰還を重要とする
ことなく、一層簡単に得られている。
フにより、トランジスタＴ１９が飽和に達するか
否かは重要な役割を演じない。同様にトランジス
タＴ１９は第２図の実施例に相応して１つのダイ
オードまたはツエナーダイオードにより置換され
得る。しかしながら、第３図によればダイオード
バイアス電圧はトランジスタＴ１９および抵抗Ｒ
１３により、負帰還回路網への帰還を重要とする
ことなく、一層簡単に得られている。
保護すべき電力用構成要素、たとえば電力増幅
器LVの温度が低下し、またトランジスタＴ１９
のしきい電圧が上昇すると、スイツチオフ過程が
逆方向に繰り返される。先ずトランジスタＴ２０
が飽和状態から不飽和状態へ移行し、それにより
抵抗Ｒ１６における電圧降下が上昇し、負帰還回
路網を通る電流が減少し、またトランジスタＴ１
９のエミツタ−ベース間電圧が同様に減少する。
新たな正帰還によりトランジスタＴ２０およびＴ
２１が非常に迅速にスイツチオフするので、電力
増幅器LVは、寄生的振動を生ずることなく、再
び接続され得る。抵抗Ｒ１９は、トランジスタＴ
１９のスイツチオフ後にトランジスタＴ２０およ
びＴ２１のベースをスタテイツクに基準電位にお
くデイスチヤージ抵抗としての役割をする。50ｍ
ＶのトランジスタＴ１９のベース−エミツタ間電
圧の典型的な変化および−２ｍＶ／Ｋのpnp接合
の温度係数の際、たとえば電力増幅器LVのスイ
ツチオフまたはスイツチオンに対する温度差は
25Kである。スイツチングヒステリシスは負帰還
回路網Ｒ１３ないしＲ１６を通る電流および抵抗
Ｒ１３の選定により設定され得る。
器LVの温度が低下し、またトランジスタＴ１９
のしきい電圧が上昇すると、スイツチオフ過程が
逆方向に繰り返される。先ずトランジスタＴ２０
が飽和状態から不飽和状態へ移行し、それにより
抵抗Ｒ１６における電圧降下が上昇し、負帰還回
路網を通る電流が減少し、またトランジスタＴ１
９のエミツタ−ベース間電圧が同様に減少する。
新たな正帰還によりトランジスタＴ２０およびＴ
２１が非常に迅速にスイツチオフするので、電力
増幅器LVは、寄生的振動を生ずることなく、再
び接続され得る。抵抗Ｒ１９は、トランジスタＴ
１９のスイツチオフ後にトランジスタＴ２０およ
びＴ２１のベースをスタテイツクに基準電位にお
くデイスチヤージ抵抗としての役割をする。50ｍ
ＶのトランジスタＴ１９のベース−エミツタ間電
圧の典型的な変化および−２ｍＶ／Ｋのpnp接合
の温度係数の際、たとえば電力増幅器LVのスイ
ツチオフまたはスイツチオンに対する温度差は
25Kである。スイツチングヒステリシスは負帰還
回路網Ｒ１３ないしＲ１６を通る電流および抵抗
Ｒ１３の選定により設定され得る。
第１図はヒステリシスを有する温度保護のため
の１つの回路の概要接続図、第２図は本発明によ
る１つの回路装置の接続図、第３図は本発明によ
る１つの回路装置のもう１つの接続図である。 BG……バンドギヤツプ回路、GK……負帰還
回路網、LV……電力増幅器、OP……演算増幅
器、TS……センサ回路、Ｖ……増幅器回路、
UBG……バンドギヤツプ参照電圧、UR……参照電
圧、US……供給電圧、UT……温度に関係する電
圧。
の１つの回路の概要接続図、第２図は本発明によ
る１つの回路装置の接続図、第３図は本発明によ
る１つの回路装置のもう１つの接続図である。 BG……バンドギヤツプ回路、GK……負帰還
回路網、LV……電力増幅器、OP……演算増幅
器、TS……センサ回路、Ｖ……増幅器回路、
UBG……バンドギヤツプ参照電圧、UR……参照電
圧、US……供給電圧、UT……温度に関係する電
圧。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 温度に無関係な参照電圧を供給するバンドギ
ヤツプ回路と、参照電圧を増幅し且つ負帰還回路
網を介して負帰還されている増幅器回路と、温度
決定回路部分と熱的に結合されているセンサ回路
とを備え、センサ回路は、負帰還されている増幅
器回路により増幅された参照電圧を温度に関係す
る電圧と比較し、比較規範が満足される際には温
度決定回路部分を制御するための手段を能動化す
る温度保護用回路装置において、負帰還回路網
GKが抵抗分圧器Ｒ１〜Ｒ３；Ｒ１３〜Ｒ１６を
含み、増幅器回路Ｖにより増幅された参照電圧
URがセンサ回路TSの入力電圧となつており、セ
ンサ回路TSがその構成要素として、ほぼ温度に
無関係な電圧をバイアス電圧として与えられてお
り且つ温度決定回路部分と熱的に結合されている
１つのpn半導体接合と、このpn半導体接合によ
り制御される少なくとも２つのトランジスタＴ
１，Ｔ２；Ｔ１９〜Ｔ２１と、予充電および放電
抵抗Ｒ４〜Ｒ７；Ｒ１７〜Ｒ１９とを有し、pn
半導体接合により制御される１つのトランジスタ
Ｔ１；Ｔ２０がその出力回路で負帰還回路網GK
の一つの抵抗Ｒ３；Ｒ１６に並列に接続されるこ
とにより負帰還回路網GKに帰還結合され、また
pn半導体接合により制御される少なくとも１つ
の第２のトランジスタＴ２；Ｔ２０がその出力回
路で温度決定回路部分LVの少なくとも１つのス
イツチオフ／スイツチオン制御回路を制御するよ
うになつており、pn半導体接合が、出力回路で
負帰還回路網GKに帰還結合されている１つのト
ランジスタＴ１；Ｔ１９の順方向にバイアス電圧
を与えられたベース−エミツタ区間であることを
特徴とする温度保護用回路装置。 ２ pn半導体接合が、順方向にバイアス電圧を
与えられた１つの半導体ダイオードであることを
特徴とする特許請求の範囲第１項記載の回路装
置。 ３ pn半導体接合により制御されるトランジス
タＴ１，Ｔ２；Ｔ２０，Ｔ２１がそれぞれベース
直列抵抗Ｒ６，Ｒ７；Ｒ１７，Ｒ１８を有するこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２
項記載の回路装置。 ４ pn半導体接合により制御されるトランジス
タＴ１，Ｔ２；Ｔ２０，Ｔ２１のベース直列抵抗
Ｒ６，Ｒ７；Ｒ１７，Ｒ１８が等しい大きさであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし
第３項のいずれか１項に記載の回路装置。 ５ pn半導体接合により制御されるトランジス
タＴ１，Ｔ２；Ｔ２０，Ｔ２１のベース・エミツ
タ区間とそれらのベース直列抵抗Ｒ６，Ｒ７；Ｒ
１７，Ｒ１８とがそれぞれ並列に接続されている
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第
４項のいずれか１項に記載の回路装置。 ６ pn半導体接合により制御されるトランジス
タＴ１，Ｔ２；Ｔ２０，Ｔ２１のベース・エミツ
タ区間およびそれらのベース直列抵抗Ｒ６，Ｒ
７；Ｒ１７，Ｒ１８に対して並列に１つの並列抵
抗Ｒ５；Ｒ１９が接続されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれか
１項に記載の回路装置。 ７ 並列抵抗Ｒ５に対して直列に１つの抵抗Ｒ４
が接続されており、この抵抗が並列抵抗Ｒ５と共
に１つの分圧器を形成していることを特徴とする
特許請求の範囲第１項ないし第６項のいずれか１
項に記載の回路装置。 ８ 並列抵抗Ｒ５；Ｒ１９に対して直列に、pn
半導体接合を形成する１つの半導体ダイオードが
接続されていることを特徴とする特許請求の範囲
第１項ないし第６項のいずれか１項に記載の回路
装置。 ９ 並列抵抗Ｒ１９に対して直列に１つのトラン
ジスタＴ１９の出力回路が接続されており、その
ベース・エミツタ区間に対して並列に負帰還回路
網Ｒ１３〜Ｒ１６の１つの抵抗Ｒ１３が接続され
ていることを特徴とする特許請求の範囲第１項な
いし第６項のいずれか１項に記載の回路装置。 １０ 増幅器回路Ｖが高い無負荷増幅率において
は強く負帰還されていることを特徴とする特許請
求の範囲第１項ないし第９項のいずれか１項に記
載の回路装置。 １１ 増幅器回路Ｖが１つの広帯域リミタ要素Ｃ
１を含んでいることを特徴とする特許請求の範囲
第１項ないし第１０項のいずれか１項に記載の回
路装置。
Applications Claiming Priority (2)
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