JPH02202219A - 温度検出回路 - Google Patents
温度検出回路Info
- Publication number
- JPH02202219A JPH02202219A JP2168989A JP2168989A JPH02202219A JP H02202219 A JPH02202219 A JP H02202219A JP 2168989 A JP2168989 A JP 2168989A JP 2168989 A JP2168989 A JP 2168989A JP H02202219 A JPH02202219 A JP H02202219A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- voltage
- transistor
- temperature
- temperature detection
- ambient temperature
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、たとえば電力用半導体集積回路の発熱による
昇温を検出して、半導体集積回路の熱破壊を防止する温
度検出１ｃ１１路に関する。
昇温を検出して、半導体集積回路の熱破壊を防止する温
度検出１ｃ１１路に関する。
たとえば電源回路などの電力用集積回路では、発熱によ
り回路が熱破壊される場合があり、これを防止するため
に、集積回路の温度を検出して、昇温時にはたとえば電
流を遮断して発熱を抑制する技術が用いられている。第
５図はこのような従来例の温度検出回路１の電気的構成
を示すブロック図であり、第６図はその具体例を示す電
気回路図である。第５図および第６図を参照して、温度
検出回路１について説明する。
り回路が熱破壊される場合があり、これを防止するため
に、集積回路の温度を検出して、昇温時にはたとえば電
流を遮断して発熱を抑制する技術が用いられている。第
５図はこのような従来例の温度検出回路１の電気的構成
を示すブロック図であり、第６図はその具体例を示す電
気回路図である。第５図および第６図を参照して、温度
検出回路１について説明する。
温度検出回路１は、予め定める周囲温度に対応し９、周
囲温度の変化に依存することなく基準電圧ｖＲＥＧを発
生する基準電圧発生回路２と、基準電圧発生回路２内で
基準電圧Ｖ と接地間に直列ＥＧ に接続された抵抗Ｒ１，Ｒ２間にベースが接続され、コ
レクタには定電流源３が接続され、エミッタは接地され
たトランジスタＱ７と、トランジスタＱ７のコレクタに
ベースが接続され、エミッタは接地され、コレクタから
温度検出出力ＴＳＤが取出されるトランジスタＱ８とを
含んで構成される。
囲温度の変化に依存することなく基準電圧ｖＲＥＧを発
生する基準電圧発生回路２と、基準電圧発生回路２内で
基準電圧Ｖ と接地間に直列ＥＧ に接続された抵抗Ｒ１，Ｒ２間にベースが接続され、コ
レクタには定電流源３が接続され、エミッタは接地され
たトランジスタＱ７と、トランジスタＱ７のコレクタに
ベースが接続され、エミッタは接地され、コレクタから
温度検出出力ＴＳＤが取出されるトランジスタＱ８とを
含んで構成される。
基準電圧発生回路２には電源電圧Ｖ。０が入力される。
電源電圧■。０はトランジスタＱ３のコレクタに接続さ
れ、トランジスタＱ３のエミッタは抵抗Ｒ１と基準電圧
Ｖ との接続点に接続される。
れ、トランジスタＱ３のエミッタは抵抗Ｒ１と基準電圧
Ｖ との接続点に接続される。
ＲＥＧ
トランジスタＱ３のコレクタは、定電流除４を介してコ
レクタ接地のトランジスタＱ１のエミッタに接続される
。トランジスタＱ３のベースは抵抗Ｒ３、およびトラン
ジスタＱ１のベースを介してエミッタ接地のトランジス
タＱ２のコレクタに接続される。
レクタ接地のトランジスタＱ１のエミッタに接続される
。トランジスタＱ３のベースは抵抗Ｒ３、およびトラン
ジスタＱ１のベースを介してエミッタ接地のトランジス
タＱ２のコレクタに接続される。
トランジスタＱ３のエミッタは抵抗Ｒ７を介して、ベー
スとコレクタとが導通されたトランジスタＱ６のコレク
タに接続され、トランジスタＱ６のエミッタは、並列抵
抗Ｒ４，Ｒ５を介してカレントミラー回路５を構成する
トランシタＱ４．Ｑ５のコレクタにそれぞれ接続される
。トランジスタＱ４．Ｑ５のエミッタはそれぞれ、抵抗
Ｒ６を介しておよび直接に接地される。トランジスタＱ
４のコレクタはコンデンサＣ１を介しておよび直接に、
トランジスタＱ２のコレクタおよびベースにそれぞれ接
続される。
スとコレクタとが導通されたトランジスタＱ６のコレク
タに接続され、トランジスタＱ６のエミッタは、並列抵
抗Ｒ４，Ｒ５を介してカレントミラー回路５を構成する
トランシタＱ４．Ｑ５のコレクタにそれぞれ接続される
。トランジスタＱ４．Ｑ５のエミッタはそれぞれ、抵抗
Ｒ６を介しておよび直接に接地される。トランジスタＱ
４のコレクタはコンデンサＣ１を介しておよび直接に、
トランジスタＱ２のコレクタおよびベースにそれぞれ接
続される。
この従来技術では、基準電圧Ｖ ＲＥＧが抵抗Ｒ１゜Ｒ
２で分圧されたトランジスタ０７Φベース電圧と、トラ
ンジスタＱ７のベース・エミッタ間電圧Ｖ とを比較
し、周囲温度に依存する前記べ一Ｅ７ ス・エミッタ間電圧ＶＢＥ７の大きさを計測するように
している。
２で分圧されたトランジスタ０７Φベース電圧と、トラ
ンジスタＱ７のベース・エミッタ間電圧Ｖ とを比較
し、周囲温度に依存する前記べ一Ｅ７ ス・エミッタ間電圧ＶＢＥ７の大きさを計測するように
している。
以下、従来の技術の動作について説明する。トランジス
タＱ４はトランジスタＱ５に対してＮｍのエミッタ面積
を有していると想定すると、抵抗Ｒ６の両端に発生ずる
電圧Ｖ１は、 ｋ：ボルツマン定数 ｑ：電子の電荷 Ｔ：絶対温度 でホされる。したがって抵抗Ｒ４，Ｒ５の接続点６の電
圧ｖ２は、トランジスタＱ２を流れる電流を１２とすれ
ば、 Ｒ６ｑ ｑ ｌＳ ・・・（２） Ｉ、：逆方向飽和電流 となる。上記第（２）式の右辺第１項は抵抗Ｒ４での電
圧降下、第２項はトランジスタＱ２のベース・エミッタ
間電圧を表す。上記第（２）式の右辺第１項は温度に比
例し、また第２項は１．が温度に比例することにより、
温度に反比例するので、第（２）式右辺仝体の値は周知
のバンドギ１！ツブ定電圧（約１．２５Ｖ）どなる。ま
た抵抗Ｒ７およびトランジスタＱ６による電圧降下もほ
ぼ１６１様の（直となる。したがって、基準゛電圧■１
，６は温度変化によっては値の変化することのない約２
．５ｖの定電圧となる。
タＱ４はトランジスタＱ５に対してＮｍのエミッタ面積
を有していると想定すると、抵抗Ｒ６の両端に発生ずる
電圧Ｖ１は、 ｋ：ボルツマン定数 ｑ：電子の電荷 Ｔ：絶対温度 でホされる。したがって抵抗Ｒ４，Ｒ５の接続点６の電
圧ｖ２は、トランジスタＱ２を流れる電流を１２とすれ
ば、 Ｒ６ｑ ｑ ｌＳ ・・・（２） Ｉ、：逆方向飽和電流 となる。上記第（２）式の右辺第１項は抵抗Ｒ４での電
圧降下、第２項はトランジスタＱ２のベース・エミッタ
間電圧を表す。上記第（２）式の右辺第１項は温度に比
例し、また第２項は１．が温度に比例することにより、
温度に反比例するので、第（２）式右辺仝体の値は周知
のバンドギ１！ツブ定電圧（約１．２５Ｖ）どなる。ま
た抵抗Ｒ７およびトランジスタＱ６による電圧降下もほ
ぼ１６１様の（直となる。したがって、基準゛電圧■１
，６は温度変化によっては値の変化することのない約２
．５ｖの定電圧となる。
成る設定温度ｔでトランジスタＱ７が導通したときのト
ランジスタＱ７のベース・エミッタ間電圧ＶＢ［７は、 ’Ｊ Ｉｓ で定められる。このときトランジスタＱ８は遮断状態と
なり、温度検出信号ＴＳＤはハイレベルまたはハイイン
ピーダンス状態となり、この意味で温度検出信号ＴＳＤ
が取出されることになる。このとぎ、前記トランジスタ
Ｑ７のベース電圧は基準電圧ＶＲＥ。が抵抗Ｒ１，［で
２で分Ｆ〔された値であって第（２）式より回路毎のば
らつぎはほとんどなく一定であるが、第（３）式の逆方
向飽和電流Ｉ、は拡散されるキャリア濃度と少数キレリ
アの濃度に依存し集積回路の製造条件で決まるものであ
り、これにより基準電圧ＶＲＥＧの精度をいくら上げて
も温度検出回路１の温度設定はトランジスタＱ７のベー
ス・エミッタ間電圧Ｖ８［７に依存することになる。
ランジスタＱ７のベース・エミッタ間電圧ＶＢ［７は、 ’Ｊ Ｉｓ で定められる。このときトランジスタＱ８は遮断状態と
なり、温度検出信号ＴＳＤはハイレベルまたはハイイン
ピーダンス状態となり、この意味で温度検出信号ＴＳＤ
が取出されることになる。このとぎ、前記トランジスタ
Ｑ７のベース電圧は基準電圧ＶＲＥ。が抵抗Ｒ１，［で
２で分Ｆ〔された値であって第（２）式より回路毎のば
らつぎはほとんどなく一定であるが、第（３）式の逆方
向飽和電流Ｉ、は拡散されるキャリア濃度と少数キレリ
アの濃度に依存し集積回路の製造条件で決まるものであ
り、これにより基準電圧ＶＲＥＧの精度をいくら上げて
も温度検出回路１の温度設定はトランジスタＱ７のベー
ス・エミッタ間電圧Ｖ８［７に依存することになる。
（発明が解決しようとする課題〕
従来の温度検出回路１は以上のように構成されているの
で、上記第（３）式に示される逆方向飽和電流Ｉ８が製
造条件によりばらついてしまい、温度検出回路１が検出
する温度にばらつきを生じ、このような温度検出回路１
が説けられる集積回路の熱破壊を防止する作用を実現で
きない場合がある。
で、上記第（３）式に示される逆方向飽和電流Ｉ８が製
造条件によりばらついてしまい、温度検出回路１が検出
する温度にばらつきを生じ、このような温度検出回路１
が説けられる集積回路の熱破壊を防止する作用を実現で
きない場合がある。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たものであり、検出する温度にばらつきが生じるＩｓ！
を防ぎ、かつ回路構成を複雑にする必要を解消した温度
検出回路を得ることを目的とする。
たものであり、検出する温度にばらつきが生じるＩｓ！
を防ぎ、かつ回路構成を複雑にする必要を解消した温度
検出回路を得ることを目的とする。
この発明に係る温度検出回路は、予め定める周囲温度に
対応しかつ周囲温度の変化に関係なく一定な第１の電圧
を発生する第１の電圧発生手段と、周囲温度に対応した
第２の電圧を発生する第２の電圧発生手段と、第１の電
圧発生手段からの第１の電圧と第２の電圧発生手段から
の第２の電圧とを比較し、予め定める大小関係が成立し
たときに温度検出信号を導出する比較器とを設けたもの
である。
対応しかつ周囲温度の変化に関係なく一定な第１の電圧
を発生する第１の電圧発生手段と、周囲温度に対応した
第２の電圧を発生する第２の電圧発生手段と、第１の電
圧発生手段からの第１の電圧と第２の電圧発生手段から
の第２の電圧とを比較し、予め定める大小関係が成立し
たときに温度検出信号を導出する比較器とを設けたもの
である。
この発明における比較器は、予め定める周囲温度に対応
しかつ周囲温度に関係なく一定な第１の電圧と、周囲温
度に対応した第２の電圧とを比較し、予め定める大小関
係が成立したときに温度検出信号を導出する。
しかつ周囲温度に関係なく一定な第１の電圧と、周囲温
度に対応した第２の電圧とを比較し、予め定める大小関
係が成立したときに温度検出信号を導出する。
（実施例）
第１図は本発明の一実施例の温度検出回路１１の基本的
構成を示すブロック図ｔあり、第２図はその具体例を示
す電気回路図である。第１図および第２図を参照して、
本実施例について説明する。
構成を示すブロック図ｔあり、第２図はその具体例を示
す電気回路図である。第１図および第２図を参照して、
本実施例について説明する。
温度検出回路１１は、たとえば電源回路などの電力用集
積回路に設けられ、集積回路素子の発熱などによる熱破
壊を防止するために周囲温度を検出するようにしている
。
積回路に設けられ、集積回路素子の発熱などによる熱破
壊を防止するために周囲温度を検出するようにしている
。
温度検出回路１１は、予め定める周囲温度に対応し、か
つ周ｌｌＯ温度の変化に関わりのない基準電圧ｖＲＥＧ
を発生する基準電圧発生回路１２と、基準電圧ｖＲＥＧ
と接地間に直列に接続される抵抗Ｒ１１、Ｒ１２と、温
度依存電圧Ｖ１゜と抵抗Ｒ１１、Ｒ１２の接続点１７の
電圧とを比較する比較器Ａ１とを含む。
つ周ｌｌＯ温度の変化に関わりのない基準電圧ｖＲＥＧ
を発生する基準電圧発生回路１２と、基準電圧ｖＲＥＧ
と接地間に直列に接続される抵抗Ｒ１１、Ｒ１２と、温
度依存電圧Ｖ１゜と抵抗Ｒ１１、Ｒ１２の接続点１７の
電圧とを比較する比較器Ａ１とを含む。
基準電圧発生回路１２には電源電圧Ｖ。０が入力される
。電源電圧■ＣＣはトランジスタＱ１３のコレクタに接
続され、トランジスタＱ１３のエミッタは抵抗Ｒ１１と
ＩＱ！電圧Ｖ との接続点に接ＩＧ 続される。トランジスタＱ１３のコレクタは、定電流源
１４を介してコレクタ接地のトランジスタＱ１１のエミ
ッタに接続される。トランジスタＱ１３のベースは抵抗
Ｒ１３、およびトランジスタＱ１１のベースを介してエ
ミッタ接地のトランジスタＱ１２のコレクタに接続され
る。
。電源電圧■ＣＣはトランジスタＱ１３のコレクタに接
続され、トランジスタＱ１３のエミッタは抵抗Ｒ１１と
ＩＱ！電圧Ｖ との接続点に接ＩＧ 続される。トランジスタＱ１３のコレクタは、定電流源
１４を介してコレクタ接地のトランジスタＱ１１のエミ
ッタに接続される。トランジスタＱ１３のベースは抵抗
Ｒ１３、およびトランジスタＱ１１のベースを介してエ
ミッタ接地のトランジスタＱ１２のコレクタに接続され
る。
トランジスタＱ１３のエミッタは抵抗Ｒ１７を介して、
ベースとコレクタが導通されたトランジスタＱ１６のコ
レクタに接続され、トランジスタＱ１６のエミッタは、
並列抵抗Ｒ１４，Ｒ１５を介してカレントミラー回路１
５を構成するトランジスタＱ１４．Ｑ１５のコレクタに
それぞれ接続される。トランジスタＱ１４．Ｑ１５のエ
ミッタはそれぞれ、抵抗Ｒ１６を介しておよび直接に接
地される。トランジスタＱ１４のコレクタはコンデンサ
Ｃ１１を介しておよび直接に、トランジスタＱ１２のコ
レクタおよびベースにそれぞれ接続される。
ベースとコレクタが導通されたトランジスタＱ１６のコ
レクタに接続され、トランジスタＱ１６のエミッタは、
並列抵抗Ｒ１４，Ｒ１５を介してカレントミラー回路１
５を構成するトランジスタＱ１４．Ｑ１５のコレクタに
それぞれ接続される。トランジスタＱ１４．Ｑ１５のエ
ミッタはそれぞれ、抵抗Ｒ１６を介しておよび直接に接
地される。トランジスタＱ１４のコレクタはコンデンサ
Ｃ１１を介しておよび直接に、トランジスタＱ１２のコ
レクタおよびベースにそれぞれ接続される。
トランジスタＱ１４．Ｑ１５のベースはトランジスタＱ
２１のベースにも接続され、トランジスタＱ２１のエミ
ッタは抵抗Ｒ２０を介して接地され、コレクタは抵抗１
８を介して基準電圧■ＲＥ６に接続される。
２１のベースにも接続され、トランジスタＱ２１のエミ
ッタは抵抗Ｒ２０を介して接地され、コレクタは抵抗１
８を介して基準電圧■ＲＥ６に接続される。
比較器Ａ１には、トランジスタＱ２１のコレクタと抵抗
Ｒ１８との間の接続点１６にベースが接続されたトラン
ジスタＱ１９と、抵抗Ｒ１１とＲ１２との間の接続点１
７にベースが接続されたトランジスタＱ２０と、抵抗Ｒ
１９を介して接地されるトランジスタＱ２０のコレクタ
がベースに接続されるトランジスタＱ１８とが含まれる
。前記トランジスタＱ１９．Ｑ２０のエミッタには定電
流源１３が接続される。
Ｒ１８との間の接続点１６にベースが接続されたトラン
ジスタＱ１９と、抵抗Ｒ１１とＲ１２との間の接続点１
７にベースが接続されたトランジスタＱ２０と、抵抗Ｒ
１９を介して接地されるトランジスタＱ２０のコレクタ
がベースに接続されるトランジスタＱ１８とが含まれる
。前記トランジスタＱ１９．Ｑ２０のエミッタには定電
流源１３が接続される。
以下、温度検出回路１１の動作について説明する。接続
点１６の電圧を、ある温度ｔでの基準電圧ｖＲＥＧから
の電圧降下分Ｖ３として表すと、上記第（１）式より、 ｋ（Ｔ＋ｔ） Ｒ１８ ａ Ｒ２０ となる。また接続点１７の電圧は、上記第２式から、温
度に無関係に一定値となる。この一定値は抵抗Ｒ１１，
Ｒ１２の分圧比により自在に設定できる。いま、接続点
１７の電圧が、上記のある温度ｔとして予め定める設定
温度ｔ。を採用した場合の上記第（４）式の電圧３と等
しくなるように抵抗Ｒ１１，Ｒ１２の分圧比を設定して
おく。
点１６の電圧を、ある温度ｔでの基準電圧ｖＲＥＧから
の電圧降下分Ｖ３として表すと、上記第（１）式より、 ｋ（Ｔ＋ｔ） Ｒ１８ ａ Ｒ２０ となる。また接続点１７の電圧は、上記第２式から、温
度に無関係に一定値となる。この一定値は抵抗Ｒ１１，
Ｒ１２の分圧比により自在に設定できる。いま、接続点
１７の電圧が、上記のある温度ｔとして予め定める設定
温度ｔ。を採用した場合の上記第（４）式の電圧３と等
しくなるように抵抗Ｒ１１，Ｒ１２の分圧比を設定して
おく。
検出温度ｔが設定温度ｔ。未満では、トランジスタＱ１
９．Ｑ２０のベース電位は接地電位側から見て、トラン
ジスタＱ１９の方が高く、したがって定電流源１３の電
流【４はトランジスタＱ２０を介して流れ、トランジス
タ０１８は導通状態となり、温度検出信号ＴＳＤが出力
される。また検出温度ｔが設定温度ｔ。以上であれば、
電流Ｉ４はトランジスタＱ１９を通って接地側に流れト
ランジスタ０１８は遮断状態になる。このようにして、
温度検出回路１１の基本的動作が実現される。
９．Ｑ２０のベース電位は接地電位側から見て、トラン
ジスタＱ１９の方が高く、したがって定電流源１３の電
流【４はトランジスタＱ２０を介して流れ、トランジス
タ０１８は導通状態となり、温度検出信号ＴＳＤが出力
される。また検出温度ｔが設定温度ｔ。以上であれば、
電流Ｉ４はトランジスタＱ１９を通って接地側に流れト
ランジスタ０１８は遮断状態になる。このようにして、
温度検出回路１１の基本的動作が実現される。
一方、このような温度検出回路１１には、素子毎にばら
つきがある。従来例では、−第（３）式に示すように逆
方向飽和電流ＩＳのばらつきが、温度検出動作のＭｉ差
を発生させているが、本実施例では抵抗Ｒ１８の両端に
表われる電圧は、第（４）式に示すように上記逆方向飽
和電流Ｉ、と関わりなく決定される。したがって上記ば
らつきが存在する場合でも、温度検出動作上の誤差とな
る事態が防がれる。
つきがある。従来例では、−第（３）式に示すように逆
方向飽和電流ＩＳのばらつきが、温度検出動作のＭｉ差
を発生させているが、本実施例では抵抗Ｒ１８の両端に
表われる電圧は、第（４）式に示すように上記逆方向飽
和電流Ｉ、と関わりなく決定される。したがって上記ば
らつきが存在する場合でも、温度検出動作上の誤差とな
る事態が防がれる。
第３図は本発明の他の実施例の温度検出回路２１の基本
的構成を示すブロック図であり、第４図は温度検出回路
２］の具体例を示″ｒｊ電気回路図である。第３図およ
び第４図を参照して本実施例について説明する。本実施
例は前述の実施例に類似し、対応する部分には同一の参
照符を付す。本実施例の注目すべき点は比較器Ａ１にヒ
ステリシスを設定して、温度検出動作に安定性を与える
ようにしたことである。
的構成を示すブロック図であり、第４図は温度検出回路
２］の具体例を示″ｒｊ電気回路図である。第３図およ
び第４図を参照して本実施例について説明する。本実施
例は前述の実施例に類似し、対応する部分には同一の参
照符を付す。本実施例の注目すべき点は比較器Ａ１にヒ
ステリシスを設定して、温度検出動作に安定性を与える
ようにしたことである。
比較器Ａ１のトランジスタＱ１９のコレクタは抵抗Ｒ２
１を介して接地される。抵抗Ｒ１１と基準電圧Ｖ と
の間に抵抗Ｒ２４が接続されるとＥＧ ともに、この抵抗Ｒ２４の両端にエミッタおよびコレク
タが接続されたトランジスタＱ２３が設けられる。また
トランジスタＱ１９のコレクタにベースが接続されたト
ランジスタＱ２２のコレクタには、抵抗Ｒ２２，Ｒ２３
をこの順に介して基準電圧ｖＲＥｏが接続される。前記
トランジスタＱ２３のベースは抵抗Ｒ２２とＲ２３間に
接続される。
１を介して接地される。抵抗Ｒ１１と基準電圧Ｖ と
の間に抵抗Ｒ２４が接続されるとＥＧ ともに、この抵抗Ｒ２４の両端にエミッタおよびコレク
タが接続されたトランジスタＱ２３が設けられる。また
トランジスタＱ１９のコレクタにベースが接続されたト
ランジスタＱ２２のコレクタには、抵抗Ｒ２２，Ｒ２３
をこの順に介して基準電圧ｖＲＥｏが接続される。前記
トランジスタＱ２３のベースは抵抗Ｒ２２とＲ２３間に
接続される。
前記トランジスタＱ２２のエミッタは接地される。
このような温度検出回路２１において、検出温度ｔが設
定温度ｔ。以上となると、前述したようにトランジスタ
Ｑ１８は導通状態から遮断状態に切換ねるが、このとき
電流１４はトランジスタＱ１９および抵抗Ｒ２１を経て
流れ、トランジスタＱ２２は導通状態になる。これによ
り、トランジスタＱ２３のベース電位は降下し、トラン
ジスタ０２３は導通状態になる。このとき、接続点１７
の電圧の変化分ΔＶは、トランジスタＱ２３の飽和電圧
をＶ とすれば、 Ｃ［２３ ・・・（４） と表される。また、抵抗Ｒ１８の両端に発生する電圧の
温度係数には、 ・・・（５） となる。ここで変数ｔ。は前述した設定温度である。し
たがって第４式および第５式から、ΔＶ／Ｋが本実施例
の温度検出回路２１の温度換算でのヒステリシス幅とな
る。
定温度ｔ。以上となると、前述したようにトランジスタ
Ｑ１８は導通状態から遮断状態に切換ねるが、このとき
電流１４はトランジスタＱ１９および抵抗Ｒ２１を経て
流れ、トランジスタＱ２２は導通状態になる。これによ
り、トランジスタＱ２３のベース電位は降下し、トラン
ジスタ０２３は導通状態になる。このとき、接続点１７
の電圧の変化分ΔＶは、トランジスタＱ２３の飽和電圧
をＶ とすれば、 Ｃ［２３ ・・・（４） と表される。また、抵抗Ｒ１８の両端に発生する電圧の
温度係数には、 ・・・（５） となる。ここで変数ｔ。は前述した設定温度である。し
たがって第４式および第５式から、ΔＶ／Ｋが本実施例
の温度検出回路２１の温度換算でのヒステリシス幅とな
る。
本実施例では、前述の実施例で述べた効果と同様の効果
を実現できると共に、検出動作に関してヒステリシスを
設定したので温度検出出力１〜ＳＤがむやみに変化する
事態を防ぐことができ温度検出動作が安定する。
を実現できると共に、検出動作に関してヒステリシスを
設定したので温度検出出力１〜ＳＤがむやみに変化する
事態を防ぐことができ温度検出動作が安定する。
上記各実施例では温度に比例して変化するトランジスタ
Ｑ１９のベース電圧を、温度に影響されない一定の電圧
と比較するようにしたが、他の実施例として比較器Ａ１
の位相を反転し、温度と反比例するトランジスタＱ１２
のベース・エミッタ間電圧を、前記温度にｖｅ響されな
い一定の電圧と比較して温度検出動作を行うようにして
もよい。
Ｑ１９のベース電圧を、温度に影響されない一定の電圧
と比較するようにしたが、他の実施例として比較器Ａ１
の位相を反転し、温度と反比例するトランジスタＱ１２
のベース・エミッタ間電圧を、前記温度にｖｅ響されな
い一定の電圧と比較して温度検出動作を行うようにして
もよい。
この場合、基準電圧Ｖ は第（２）式で示されるＥＧ
ように第２項目にトランジスタＱ１２のベース・エミッ
タ間電圧より成る項を含み、トランジスタＱ１２のベー
ス・エミッタ閤電圧がばらつくときは基準電圧ＶＲＥＧ
もばらついてそのばらつきは相殺され、温度検出出力Ｔ
ＳＤは一定となる。
タ間電圧より成る項を含み、トランジスタＱ１２のベー
ス・エミッタ閤電圧がばらつくときは基準電圧ＶＲＥＧ
もばらついてそのばらつきは相殺され、温度検出出力Ｔ
ＳＤは一定となる。
以−り説明したように、この発明によれば、予め定める
周囲温度に対応しかつ周囲温度の変化に関係なく一定な
第１の電圧と、周囲温度に対応した第２の電圧とを比較
器を用いて直接比較するようにしたので、温度検出信号
が導出される周囲温度の設定にばらつきを生じる事態が
防がれ、本発明が実施されるたとえば半導体集積回路な
どが熱破壊される危険を確実に回避できるという効果が
ある。
周囲温度に対応しかつ周囲温度の変化に関係なく一定な
第１の電圧と、周囲温度に対応した第２の電圧とを比較
器を用いて直接比較するようにしたので、温度検出信号
が導出される周囲温度の設定にばらつきを生じる事態が
防がれ、本発明が実施されるたとえば半導体集積回路な
どが熱破壊される危険を確実に回避できるという効果が
ある。
第１図は本発明の一実施例の温度検出回路の基本的構成
を示すブロック図、第２図はその温度検出回路の具体例
を示す電気回路図、第３図は本発明の他の実施例の温度
検出回路の基本的構成を示すブロック図、第４図はその
温度検出回路の具体例を示す電気回路図、第５図は従来
の温度検出回路の基本的構成を示すブロック図、第６図
はその温度検出回路の具体例を示す電気回路図である。 図において、１１．２１は温度検出回路、１２は基準電
圧発生回路、Ａ１は比較器、■ は基ＥＧ 準電圧である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
を示すブロック図、第２図はその温度検出回路の具体例
を示す電気回路図、第３図は本発明の他の実施例の温度
検出回路の基本的構成を示すブロック図、第４図はその
温度検出回路の具体例を示す電気回路図、第５図は従来
の温度検出回路の基本的構成を示すブロック図、第６図
はその温度検出回路の具体例を示す電気回路図である。 図において、１１．２１は温度検出回路、１２は基準電
圧発生回路、Ａ１は比較器、■ は基ＥＧ 準電圧である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）予め定める周囲温度に対応し、かつ周囲温度の変
化に関係なく一定な第１の電圧を発生する第１の電圧発
生手段と、 周囲温度に対応した第２の電圧を発生する第２の電圧発
生手段と、 前記第１の電圧発生手段からの第１の電圧と、前記第２
の電圧発生手段からの第２の電圧とを比較し、予め定め
る大小関係が成立したときに温度検出信号を導出する比
較器とを備える温度検出回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2168989A JPH02202219A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | 温度検出回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2168989A JPH02202219A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | 温度検出回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02202219A true JPH02202219A (ja) | 1990-08-10 |
Family
ID=12062035
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2168989A Pending JPH02202219A (ja) | 1989-01-31 | 1989-01-31 | 温度検出回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02202219A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100508073B1 (ko) * | 1997-08-26 | 2005-10-27 | 삼성전자주식회사 | 온도검출회로및이를구비한스태틱램장치 |
| KR100816150B1 (ko) * | 2007-02-14 | 2008-03-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 온도 감지 장치 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6149616A (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-11 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 温度保護用回路装置 |
| JPS6170805A (ja) * | 1984-09-14 | 1986-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 熱保護回路 |
| JPS62210215A (ja) * | 1986-03-08 | 1987-09-16 | Sanden Corp | 自動車のオ−バ−ヒ−ト防止装置 |
| JPS63309008A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電力増幅装置 |
-
1989
- 1989-01-31 JP JP2168989A patent/JPH02202219A/ja active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6149616A (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-11 | シーメンス、アクチエンゲゼルシヤフト | 温度保護用回路装置 |
| JPS6170805A (ja) * | 1984-09-14 | 1986-04-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 熱保護回路 |
| JPS62210215A (ja) * | 1986-03-08 | 1987-09-16 | Sanden Corp | 自動車のオ−バ−ヒ−ト防止装置 |
| JPS63309008A (ja) * | 1987-06-10 | 1988-12-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電力増幅装置 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100508073B1 (ko) * | 1997-08-26 | 2005-10-27 | 삼성전자주식회사 | 온도검출회로및이를구비한스태틱램장치 |
| KR100816150B1 (ko) * | 2007-02-14 | 2008-03-21 | 주식회사 하이닉스반도체 | 온도 감지 장치 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2003076886A1 (en) | Semiconductor device, temperature sensor, and electronic apparatus comprising it | |
| JPH07248342A (ja) | 過電流検出回路 | |
| JPS59195718A (ja) | 電流安定化回路 | |
| JP2704245B2 (ja) | 基準電圧発生回路 | |
| TW432785B (en) | Electronic circuit | |
| US5789906A (en) | Reference voltage generating circuit and method | |
| JPH02202219A (ja) | 温度検出回路 | |
| JP2985766B2 (ja) | 温度独立型の電圧監視回路 | |
| JP3403054B2 (ja) | 温度特性補正回路 | |
| JPH0544042B2 (ja) | ||
| JP2729071B2 (ja) | 定電流回路 | |
| JP3727788B2 (ja) | 電流検出回路 | |
| JPH0534028Y2 (ja) | ||
| JPH05306958A (ja) | 温度検出回路 | |
| KR0158636B1 (ko) | 얼리전압 변동에 대한 오차 보상회로를 구비한 전류반복기회로 | |
| JPS5821569A (ja) | バツテリ−チエツカ−回路 | |
| JP2988858B2 (ja) | 温度検出回路 | |
| JP2974304B1 (ja) | タイマ回路 | |
| JP2849086B2 (ja) | 集積化バイアス回路 | |
| JP2551179B2 (ja) | 基準電圧発生回路 | |
| JPH0511268B2 (ja) | ||
| JPH0546096Y2 (ja) | ||
| JPH0229450Y2 (ja) | ||
| JPS6235268A (ja) | 電流検出回路 | |
| JPH022545B2 (ja) |