JPH0156598B2 - - Google Patents
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- JPH0156598B2 JPH0156598B2 JP10272281A JP10272281A JPH0156598B2 JP H0156598 B2 JPH0156598 B2 JP H0156598B2 JP 10272281 A JP10272281 A JP 10272281A JP 10272281 A JP10272281 A JP 10272281A JP H0156598 B2 JPH0156598 B2 JP H0156598B2
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- Japan
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- switch
- npn transistor
- transistor
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- zener
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- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 8
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- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/60—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being bipolar transistors
- H03K17/62—Switching arrangements with several input- output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
Landscapes
- Selective Calling Equipment (AREA)
Description
本発明は、親器としての主制御器と子器として
の複数の端末器との間で信号伝送を行なう信号伝
送回路に関する。 従来からの信号伝送回路において、複数のスイ
ツチを備えそれらのスイツチのスイツチング態様
に応じて親器に信号を伝送するようにした子器で
は、複数のスイツチを同時に押圧して導通するこ
とが起り得る。そうすると、電源からの電流が導
通している複数のスイツチを介して流れるので、
消費電流が大となる。 本発明は上述の技術的課題を解決し、消費電流
を低減した信号伝送回路を提供することを主な目
的とする。 本発明は、複数のスイツチをNPNトランジス
タに直列に接続するとともに各NPNトランジス
タのベースにツエナー電圧の異なるツエナーダイ
オードをそれぞれ接続し、各スイツチの導通時に
その導通したスイツチに対応する前記NPNトラ
ンジスタを導通させることにより異なる電圧の信
号を発生させるようにした信号発生回路におい
て、 前記ツエナー電圧の一番高いツエナーダイオー
ドＺ１に対応した１つのスイツチＳ１を除く残余
のスイツチＳ２，Ｓ３と、各NPNトランジスタ
１０，１４との間には、PNPトランジスタ９，
１３がそれぞれ介在され、 各PNPトランジスタ９，１３のベースには、
前記１つのスイツチＳ１と、その１つのスイツチ
Ｓ１に接続されるNPNトランジスタ６との間の
接続点が、接続されるとともに、 ツエナー電圧が低い方のツエナーダイオードＺ
３に対応する各PNPトランジスタ１３のベース
には、ツエナー電圧が高い方のツエナーダイオー
ドＺ２に対応する前記残余の各スイツチＳ２と、
その残余の各スイツチＳ２に接続されるPNPト
ランジスタ９との間の接続点が、接続されること
を特徴とする信号発生回路である。 以下、図面によつて本発明の実施例を説明す
る。第１図は本発明の一実施例の電気回路図であ
る。親器１と子器２とは、伝送ライン３を介して
接続されており、子器２に備えられた複数（図示
３つ）のスイツチＳ１，Ｓ２，Ｓ３のスイツチン
グ態様に応じた信号が子器２から親器１に伝送さ
れる。親器１は子器２から入力された信号に応じ
て負荷（図示せず）を制御する。また親器１の制
御状態は伝送ライン３を介して子器２に伝送され
る。このような信号発生回路は、たとえば調光器
の信号発生回路として用いられる。 子器２において、各スイツチＳ１，Ｓ２，Ｓ３
は直流電源４のプラス端子に接続されたライン５
に共通に接続される。スイツチＳ１はたとえば照
明器具の点灯、消灯を操作するスイツチであり、
スイツチＳ２はたとえば前記照明器具の光量を増
加するためのスイツチであり、スイツチＳ３はた
とえば前記照明器具の光量を減少させるためのス
イツチである。 スイツチＳ１はNPNトランジスタ６および順
方向のダイオード７を介して伝送ライン３に接続
される。スイツチＳ２は順方向のダイオード８、
PNPトランジスタ９、NPNトランジスタ１０お
よび順方向のダイオード１１を介して伝送ライン
３に接続される。スイツチＳ３は順方向のダイオ
ード１２、PNPトランジスタ１３、NPNトラン
ジスタ１４および順方向のダイオード１５を介し
て伝送ライン３に接続される。 NPNトランジスタ６のベースはツエナーダイ
オードＺ１を介して接地され、NPNトランジス
タ６のベースおよびツエナーダイオードＺ１間、
ならびにスイツチＳ１およびNPNトランジスタ
６間には抵抗１６が接続される。PNPトランジ
スタ９のベースは抵抗１７を介して接地され、
NPNトランジスタ１０のベースはツエナーダイ
オードＺ２を介して接地される。NPNトランジ
スタ１０のベースおよびツエナーダイオードＺ２
間ならびにPNPトランジスタ９およびNPNトラ
ンジスタ１０間には抵抗１８が接続される。
PNPトランジスタ１３のベースは抵抗１９を介
して接地され、NPNトランジスタ１４のベース
はツエナーダイオードＺ３を介して接地される。
NPNトランジスタ１４のベースおよびツエナー
ダイオードＺ３間、ならびにPNPトランジスタ
１３およびトランジスタ１４間には抵抗２０が接
続される。 スイツチＳ１およびNPNトランジスタ６間は、
順方向のダイオード２１を介して、PNPトラン
ジスタ９のベースおよび抵抗１７間に接続される
とともに、順方向のダイオード２２を介して、
PNPトランジスタ１３のベースおよび抵抗１９
間に接続される。またスイツチＳ２およびダイオ
ード８間は、順方向のダイオード２３を介して、
PNPトランジスタ１３のベースおよび抵抗１９
間に接続される。 ライン５は抵抗２４およびNPNトランジスタ
２５を介して接地される。また伝送ライン３は抵
抗２６およびツエナーダイオードＺ４ａを介して
NPNトランジスタ２５のベースに接続される。
また抵抗２４とNPNトランジスタ２５との間は
表示器３９に接続される。 親器１において、伝送ライン３は、抵抗２８お
よびツエナーダイオードＺ１ａを介してNPNト
ランジスタ２９のベースに接続され、抵抗３０お
よびツエナーダイオードＺ２ａを介してNPNト
ランジスタ３１のベースに接続され、抵抗３２お
よびツエナーダイオードＺ３ａを介してNPNト
ランジスタ３３のベースに接続される。またライ
ン５の途中に接続されたライン３７は抵抗３４，
３５，３６をそれぞれ介してNPNトランジスタ
２９，３１，３３に並列に接続される。ライン３
７は返送信号検出回路３８に接続されており、こ
の返送信号検出回路３８から出力される信号は
NPNトランジスタ４０および順方向のダイオー
ド４１を介して伝送ライン３に与えられる。
NPNトランジスタ４０のベースはツエナーダイ
オードＺ４を介して接地される。 なお、各ツエナーダイオードＺ１〜Ｚ４，Ｚ１
ａ〜Ｚ４ａのツエナー電圧VZ1〜VZ4、VZ1a〜
VZ4aは、VZ1＞VZ1a＞VZ2＞VZ2a＞VZ3＞
VZ3a＞VZ4＞VZ4aとなるように定められてい
る。 抵抗３４およびNPNトランジスタ２９間に接
続されたラインＡは、NANDゲート４３，４６
の一方の入力端およびNOTゲート４５に接続さ
れる。また抵抗３５およびNPNトランジスタ３
１間に接続されたラインＢはNANDゲート４３
の他方の入力端およびNORゲート４４の一方の
入力端に接続される。さらに抵抗３６および
NPNトランジスタ３３間に接続されたラインＣ
は、NORゲート４２の一方の入力端に接続され
るとともに、NORゲート４４の他方の入力端に
接続される。NANDゲート４３の出力ＤはNOR
ゲート４２の他方の入力端に入力される。NOR
ゲート４４の出力ＥはNANDゲート４６の他方
の入力端およびNANDゲート４７の一方の入力
端に入力される。NOTゲート４５の出力Ｆは
NANDゲート４７の他方の入力端に入力される。
NANDゲート４６の出力ＨはNOTゲート４８に
入力され、NANDゲート４７の出力ＩはNOTゲ
ート４９に入力される。NORゲート４２の出力
ＧはスイツチＳ３が押圧されたかどうかを示す制
御信号であり、NOTゲート４８の出力Ｊはスイ
ツチＳ２が押圧されたかどうかを示す制御信号で
あり、NOTゲート４９の出力ＫはスイツチＳ１
が押圧されたかどうかを示す制御信号である。 このような信号伝送回路において、スイツチＳ
１を押圧して導通すると、NPNトランジスタ６
が導通し、ツエナー電圧VZ1からNPNトランジ
スタ６のベース、エミツタ間およびダイオード７
によるわずかな電圧降下分を減じた電圧信号が伝
送ライン３を介してツエナーダイオードＺ１ａ，
Ｚ２ａ，Ｚ３ａに作用する。ここでVZ1＞VZ1a
＞VZ2a＞VZ3aであるので、各ツエナーダイオー
ドＺ１ａ，Ｚ２ａ，Ｚ３ａはブレークダウンし、
NPNトランジスタ２９，３１，３３が導通する。
そのため、ラインＡ，Ｂ，Ｃに導出される信号は
ローレベルとなる。それに応じて、NANDゲー
ト４３の出力Ｄがハイレベルとなり、NORゲー
ト４４の出力Ｅがハイレベルとなり、NOTゲー
ト４５の出力がハイレベルとなる。そのため
NORゲート４２の出力Ｇがローレベルとなり、
NANDゲート４６の出力Ｈがハイレベルとなり、
NANDゲート４７の出力Ｉがローレベルとなる。
したがつてNOTゲート４８の出力Ｊがローレベ
ルとなり、NOTゲート４９の出力Ｋがハイレベ
ルとなる。 このようにしてNOTゲート４９の出力Ｋがハ
イレベルとなるとともに、NORゲート４２の出
力ＧおよびNOTゲート４８の出力Ｊがローレベ
ルとなり、スイツチＳ１が導通したことを示す制
御信号が出力される。 このようなスイツチＳ１の導通時において、ス
イツチＳ２に対応したNPNトランジスタ９およ
びスイツチＳ３に対応したNPNトランジスタ１
３のベースには抵抗１７，１９による電圧分だけ
の電圧が作用し、、そのため各NPNトランジスタ
９，１３は遮断したままである。この状態でスイ
ツチＳ２を押したとしてもPNPトランジスタ１
０に電流は流れず、したがつてスイツチＳ１，Ｓ
２を同時に押したとしても、NPNトランジスタ
６を流れる電流以外に増加するのは、抵抗１７，
１９を流れる電流のみである。 なお、PNPトランジスタ９のコレクタ電流、
ベース電流、増幅率をそれぞれIC、IB、hfeとす
ると、コレクタ電流は第１式で表わされる。 IC＝IB・hfe ……(1) またNPNトランジスタ１０のコレクタ電流、
ツエナーダイオードＺ２の電流をそれぞれIC′、
IZ２とすれば、 IC＝IC′＋IZ2＝IB・hfe ……(2) と表わされる。したがつてIB≪ICの関係が成り
立ち、抵抗１７を流れる電流は無視できる程小さ
い。また同様にして抵抗１９を流れる電流も無視
することができる。 また、ダイオード８，１２は、ダイオード２
１，２２，２３の電圧降下を保障するものであ
り、第３式〜第５式の関係が成り立つ。すなわち
各ダイオード８，１２，２１，２２，２３の順電
圧降下をVF8、VF12、VF21、VF22、VF23と
し、PNPトランジスタ９，１３のベース、エミ
ツタ間の電圧降下をVBE9、VBE13とすると、 VF8＋VBE9＞VF21 ……(3) VF12＋VBE13＞VF22 ……(4) VF12＋VBE13＞VF23 ……(5) である。 スイツチＳ１が押圧されたことによる電圧信号
はツエナーダイオードＺ４ａを介してNPNトラ
ンジスタ２５のベースに与えられ、したがつて該
トランジスタ２５が導通する。それによつて表示
器３９にはローレベルの信号が与えられ、そのロ
ーレベルの信号に応じて表示器３９が表示動作す
る。なお、子器２の操作を行なわない状態で親器
１の制御状態は返送信号検出回路３８からNPN
トランジスタ４０を介して子器１に返送され、そ
れによつて表示器３９が表示作動する。 スイツチＳ１，Ｓ２，Ｓ３を押圧したときの、
ラインＡ，Ｂ，Ｃおよび出力Ｄ，Ｅ，Ｆ，Ｇ，
Ｈ，Ｉ，Ｊ，Ｋの信号は第１表に示される。
の複数の端末器との間で信号伝送を行なう信号伝
送回路に関する。 従来からの信号伝送回路において、複数のスイ
ツチを備えそれらのスイツチのスイツチング態様
に応じて親器に信号を伝送するようにした子器で
は、複数のスイツチを同時に押圧して導通するこ
とが起り得る。そうすると、電源からの電流が導
通している複数のスイツチを介して流れるので、
消費電流が大となる。 本発明は上述の技術的課題を解決し、消費電流
を低減した信号伝送回路を提供することを主な目
的とする。 本発明は、複数のスイツチをNPNトランジス
タに直列に接続するとともに各NPNトランジス
タのベースにツエナー電圧の異なるツエナーダイ
オードをそれぞれ接続し、各スイツチの導通時に
その導通したスイツチに対応する前記NPNトラ
ンジスタを導通させることにより異なる電圧の信
号を発生させるようにした信号発生回路におい
て、 前記ツエナー電圧の一番高いツエナーダイオー
ドＺ１に対応した１つのスイツチＳ１を除く残余
のスイツチＳ２，Ｓ３と、各NPNトランジスタ
１０，１４との間には、PNPトランジスタ９，
１３がそれぞれ介在され、 各PNPトランジスタ９，１３のベースには、
前記１つのスイツチＳ１と、その１つのスイツチ
Ｓ１に接続されるNPNトランジスタ６との間の
接続点が、接続されるとともに、 ツエナー電圧が低い方のツエナーダイオードＺ
３に対応する各PNPトランジスタ１３のベース
には、ツエナー電圧が高い方のツエナーダイオー
ドＺ２に対応する前記残余の各スイツチＳ２と、
その残余の各スイツチＳ２に接続されるPNPト
ランジスタ９との間の接続点が、接続されること
を特徴とする信号発生回路である。 以下、図面によつて本発明の実施例を説明す
る。第１図は本発明の一実施例の電気回路図であ
る。親器１と子器２とは、伝送ライン３を介して
接続されており、子器２に備えられた複数（図示
３つ）のスイツチＳ１，Ｓ２，Ｓ３のスイツチン
グ態様に応じた信号が子器２から親器１に伝送さ
れる。親器１は子器２から入力された信号に応じ
て負荷（図示せず）を制御する。また親器１の制
御状態は伝送ライン３を介して子器２に伝送され
る。このような信号発生回路は、たとえば調光器
の信号発生回路として用いられる。 子器２において、各スイツチＳ１，Ｓ２，Ｓ３
は直流電源４のプラス端子に接続されたライン５
に共通に接続される。スイツチＳ１はたとえば照
明器具の点灯、消灯を操作するスイツチであり、
スイツチＳ２はたとえば前記照明器具の光量を増
加するためのスイツチであり、スイツチＳ３はた
とえば前記照明器具の光量を減少させるためのス
イツチである。 スイツチＳ１はNPNトランジスタ６および順
方向のダイオード７を介して伝送ライン３に接続
される。スイツチＳ２は順方向のダイオード８、
PNPトランジスタ９、NPNトランジスタ１０お
よび順方向のダイオード１１を介して伝送ライン
３に接続される。スイツチＳ３は順方向のダイオ
ード１２、PNPトランジスタ１３、NPNトラン
ジスタ１４および順方向のダイオード１５を介し
て伝送ライン３に接続される。 NPNトランジスタ６のベースはツエナーダイ
オードＺ１を介して接地され、NPNトランジス
タ６のベースおよびツエナーダイオードＺ１間、
ならびにスイツチＳ１およびNPNトランジスタ
６間には抵抗１６が接続される。PNPトランジ
スタ９のベースは抵抗１７を介して接地され、
NPNトランジスタ１０のベースはツエナーダイ
オードＺ２を介して接地される。NPNトランジ
スタ１０のベースおよびツエナーダイオードＺ２
間ならびにPNPトランジスタ９およびNPNトラ
ンジスタ１０間には抵抗１８が接続される。
PNPトランジスタ１３のベースは抵抗１９を介
して接地され、NPNトランジスタ１４のベース
はツエナーダイオードＺ３を介して接地される。
NPNトランジスタ１４のベースおよびツエナー
ダイオードＺ３間、ならびにPNPトランジスタ
１３およびトランジスタ１４間には抵抗２０が接
続される。 スイツチＳ１およびNPNトランジスタ６間は、
順方向のダイオード２１を介して、PNPトラン
ジスタ９のベースおよび抵抗１７間に接続される
とともに、順方向のダイオード２２を介して、
PNPトランジスタ１３のベースおよび抵抗１９
間に接続される。またスイツチＳ２およびダイオ
ード８間は、順方向のダイオード２３を介して、
PNPトランジスタ１３のベースおよび抵抗１９
間に接続される。 ライン５は抵抗２４およびNPNトランジスタ
２５を介して接地される。また伝送ライン３は抵
抗２６およびツエナーダイオードＺ４ａを介して
NPNトランジスタ２５のベースに接続される。
また抵抗２４とNPNトランジスタ２５との間は
表示器３９に接続される。 親器１において、伝送ライン３は、抵抗２８お
よびツエナーダイオードＺ１ａを介してNPNト
ランジスタ２９のベースに接続され、抵抗３０お
よびツエナーダイオードＺ２ａを介してNPNト
ランジスタ３１のベースに接続され、抵抗３２お
よびツエナーダイオードＺ３ａを介してNPNト
ランジスタ３３のベースに接続される。またライ
ン５の途中に接続されたライン３７は抵抗３４，
３５，３６をそれぞれ介してNPNトランジスタ
２９，３１，３３に並列に接続される。ライン３
７は返送信号検出回路３８に接続されており、こ
の返送信号検出回路３８から出力される信号は
NPNトランジスタ４０および順方向のダイオー
ド４１を介して伝送ライン３に与えられる。
NPNトランジスタ４０のベースはツエナーダイ
オードＺ４を介して接地される。 なお、各ツエナーダイオードＺ１〜Ｚ４，Ｚ１
ａ〜Ｚ４ａのツエナー電圧VZ1〜VZ4、VZ1a〜
VZ4aは、VZ1＞VZ1a＞VZ2＞VZ2a＞VZ3＞
VZ3a＞VZ4＞VZ4aとなるように定められてい
る。 抵抗３４およびNPNトランジスタ２９間に接
続されたラインＡは、NANDゲート４３，４６
の一方の入力端およびNOTゲート４５に接続さ
れる。また抵抗３５およびNPNトランジスタ３
１間に接続されたラインＢはNANDゲート４３
の他方の入力端およびNORゲート４４の一方の
入力端に接続される。さらに抵抗３６および
NPNトランジスタ３３間に接続されたラインＣ
は、NORゲート４２の一方の入力端に接続され
るとともに、NORゲート４４の他方の入力端に
接続される。NANDゲート４３の出力ＤはNOR
ゲート４２の他方の入力端に入力される。NOR
ゲート４４の出力ＥはNANDゲート４６の他方
の入力端およびNANDゲート４７の一方の入力
端に入力される。NOTゲート４５の出力Ｆは
NANDゲート４７の他方の入力端に入力される。
NANDゲート４６の出力ＨはNOTゲート４８に
入力され、NANDゲート４７の出力ＩはNOTゲ
ート４９に入力される。NORゲート４２の出力
ＧはスイツチＳ３が押圧されたかどうかを示す制
御信号であり、NOTゲート４８の出力Ｊはスイ
ツチＳ２が押圧されたかどうかを示す制御信号で
あり、NOTゲート４９の出力ＫはスイツチＳ１
が押圧されたかどうかを示す制御信号である。 このような信号伝送回路において、スイツチＳ
１を押圧して導通すると、NPNトランジスタ６
が導通し、ツエナー電圧VZ1からNPNトランジ
スタ６のベース、エミツタ間およびダイオード７
によるわずかな電圧降下分を減じた電圧信号が伝
送ライン３を介してツエナーダイオードＺ１ａ，
Ｚ２ａ，Ｚ３ａに作用する。ここでVZ1＞VZ1a
＞VZ2a＞VZ3aであるので、各ツエナーダイオー
ドＺ１ａ，Ｚ２ａ，Ｚ３ａはブレークダウンし、
NPNトランジスタ２９，３１，３３が導通する。
そのため、ラインＡ，Ｂ，Ｃに導出される信号は
ローレベルとなる。それに応じて、NANDゲー
ト４３の出力Ｄがハイレベルとなり、NORゲー
ト４４の出力Ｅがハイレベルとなり、NOTゲー
ト４５の出力がハイレベルとなる。そのため
NORゲート４２の出力Ｇがローレベルとなり、
NANDゲート４６の出力Ｈがハイレベルとなり、
NANDゲート４７の出力Ｉがローレベルとなる。
したがつてNOTゲート４８の出力Ｊがローレベ
ルとなり、NOTゲート４９の出力Ｋがハイレベ
ルとなる。 このようにしてNOTゲート４９の出力Ｋがハ
イレベルとなるとともに、NORゲート４２の出
力ＧおよびNOTゲート４８の出力Ｊがローレベ
ルとなり、スイツチＳ１が導通したことを示す制
御信号が出力される。 このようなスイツチＳ１の導通時において、ス
イツチＳ２に対応したNPNトランジスタ９およ
びスイツチＳ３に対応したNPNトランジスタ１
３のベースには抵抗１７，１９による電圧分だけ
の電圧が作用し、、そのため各NPNトランジスタ
９，１３は遮断したままである。この状態でスイ
ツチＳ２を押したとしてもPNPトランジスタ１
０に電流は流れず、したがつてスイツチＳ１，Ｓ
２を同時に押したとしても、NPNトランジスタ
６を流れる電流以外に増加するのは、抵抗１７，
１９を流れる電流のみである。 なお、PNPトランジスタ９のコレクタ電流、
ベース電流、増幅率をそれぞれIC、IB、hfeとす
ると、コレクタ電流は第１式で表わされる。 IC＝IB・hfe ……(1) またNPNトランジスタ１０のコレクタ電流、
ツエナーダイオードＺ２の電流をそれぞれIC′、
IZ２とすれば、 IC＝IC′＋IZ2＝IB・hfe ……(2) と表わされる。したがつてIB≪ICの関係が成り
立ち、抵抗１７を流れる電流は無視できる程小さ
い。また同様にして抵抗１９を流れる電流も無視
することができる。 また、ダイオード８，１２は、ダイオード２
１，２２，２３の電圧降下を保障するものであ
り、第３式〜第５式の関係が成り立つ。すなわち
各ダイオード８，１２，２１，２２，２３の順電
圧降下をVF8、VF12、VF21、VF22、VF23と
し、PNPトランジスタ９，１３のベース、エミ
ツタ間の電圧降下をVBE9、VBE13とすると、 VF8＋VBE9＞VF21 ……(3) VF12＋VBE13＞VF22 ……(4) VF12＋VBE13＞VF23 ……(5) である。 スイツチＳ１が押圧されたことによる電圧信号
はツエナーダイオードＺ４ａを介してNPNトラ
ンジスタ２５のベースに与えられ、したがつて該
トランジスタ２５が導通する。それによつて表示
器３９にはローレベルの信号が与えられ、そのロ
ーレベルの信号に応じて表示器３９が表示動作す
る。なお、子器２の操作を行なわない状態で親器
１の制御状態は返送信号検出回路３８からNPN
トランジスタ４０を介して子器１に返送され、そ
れによつて表示器３９が表示作動する。 スイツチＳ１，Ｓ２，Ｓ３を押圧したときの、
ラインＡ，Ｂ，Ｃおよび出力Ｄ，Ｅ，Ｆ，Ｇ，
Ｈ，Ｉ，Ｊ，Ｋの信号は第１表に示される。
【表】
第１表に従つて、スイツチＳ２，Ｓ３をそれぞ
れ単独に押圧したときには、出力Ｊがハイレベル
となり、また出力Ｇがハイレベルになる。しかも
スイツチＳ２，Ｓ３を同時に押したときには、前
述のスイツチＳ１，Ｓ２の場合と同様に、スイツ
チＳ３に対応したPNPトランジスタ１３は遮断
したままであり、電流消費量が低減される。 第２図は本発明の他の実施例の電気回路図であ
り、第１図に対応する部分には同一の参照符を付
す。この実施例では、PNPトランジスタ９，１
３のベースが、抵抗１７，１９を介して、NPN
トランジスタ２５および抵抗２４間に接続され
る。このようにすると、子器２でスイツチＳ１を
押圧操作して親器１が動作しその制御状態に応じ
た返送信号が子器２に返送されてNPNトランジ
スタ２５が導通しない間は、スイツチＳ２，Ｓ３
をそれぞれ単独に押圧操作しても、各PNPトラ
ンジスタ９，１３は導通しない。したがつて、優
先順位が定まつており、不要なスイツチを押圧操
作しても動作しないので、電流消費量が低減され
る。なお、複数のスイツチＳ１〜Ｓ３を２つある
いは３つ同時に押圧したときにも、第１図の実施
例と同様に電流消費量を低減させる効果がある。 上述のごとく本発明によれば複数のスイツチを
同時に押圧しても、電圧信号の大なるスイツチに
対応したNPNトランジスタのみが導通するよう
にしているので、電流消費量が低減される。
れ単独に押圧したときには、出力Ｊがハイレベル
となり、また出力Ｇがハイレベルになる。しかも
スイツチＳ２，Ｓ３を同時に押したときには、前
述のスイツチＳ１，Ｓ２の場合と同様に、スイツ
チＳ３に対応したPNPトランジスタ１３は遮断
したままであり、電流消費量が低減される。 第２図は本発明の他の実施例の電気回路図であ
り、第１図に対応する部分には同一の参照符を付
す。この実施例では、PNPトランジスタ９，１
３のベースが、抵抗１７，１９を介して、NPN
トランジスタ２５および抵抗２４間に接続され
る。このようにすると、子器２でスイツチＳ１を
押圧操作して親器１が動作しその制御状態に応じ
た返送信号が子器２に返送されてNPNトランジ
スタ２５が導通しない間は、スイツチＳ２，Ｓ３
をそれぞれ単独に押圧操作しても、各PNPトラ
ンジスタ９，１３は導通しない。したがつて、優
先順位が定まつており、不要なスイツチを押圧操
作しても動作しないので、電流消費量が低減され
る。なお、複数のスイツチＳ１〜Ｓ３を２つある
いは３つ同時に押圧したときにも、第１図の実施
例と同様に電流消費量を低減させる効果がある。 上述のごとく本発明によれば複数のスイツチを
同時に押圧しても、電圧信号の大なるスイツチに
対応したNPNトランジスタのみが導通するよう
にしているので、電流消費量が低減される。
第１図は本発明の一実施例の電気回路図、第２
図は本発明の他の実施例の電気回路図である。 ６，１０，１４……NPNトランジスタ、９，
１３……PNPトランジスタ、Ｓ１〜Ｓ３……ス
イツチ。
図は本発明の他の実施例の電気回路図である。 ６，１０，１４……NPNトランジスタ、９，
１３……PNPトランジスタ、Ｓ１〜Ｓ３……ス
イツチ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 複数のスイツチをNPNトランジスタに直列
に接続するとともに各NPNトランジスタのベー
スにツエナー電圧の異なるツエナーダイオードを
それぞれ接続し、各スイツチの導通時にその導通
したスイツチに対応する前記NPNトランジスタ
を導通させることにより異なる電圧の信号を発生
させるようにした信号発生回路において、 前記ツエナー電圧の一番高いツエナーダイオー
ドＺ１に対応した１つのスイツチＳ１を除く残余
のスイツチＳ２，Ｓ３と、各NPNトランジスタ
１０，１４との間には、PNPトランジスタ９，
１３がそれぞれ介在され、 各PNPトランジスタ９，１３のベースには、
前記１つのスイツチＳ１と、その１つのスイツチ
Ｓ１に接続されるNPNトランジスタ６との間の
接続点が、接続されるとともに、 ツエナー電圧が低い方のツエナーダイオードＺ
３に対応する各PNPトランジスタ１３のベース
には、ツエナー電圧が高い方のツエナーダイオー
ドＺ２に対応する前記残余の各スイツチＳ２と、
その残余の各スイツチＳ２に接続されるPNPト
ランジスタ９との間の接続点が、接続されること
を特徴とする信号発生回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10272281A JPS583495A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 信号発生回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10272281A JPS583495A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 信号発生回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS583495A JPS583495A (ja) | 1983-01-10 |
| JPH0156598B2 true JPH0156598B2 (ja) | 1989-11-30 |
Family
ID=14335153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10272281A Granted JPS583495A (ja) | 1981-06-30 | 1981-06-30 | 信号発生回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS583495A (ja) |
-
1981
- 1981-06-30 JP JP10272281A patent/JPS583495A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS583495A (ja) | 1983-01-10 |
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