JPH0157511B2 - - Google Patents
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- JPH0157511B2 JPH0157511B2 JP56101183A JP10118381A JPH0157511B2 JP H0157511 B2 JPH0157511 B2 JP H0157511B2 JP 56101183 A JP56101183 A JP 56101183A JP 10118381 A JP10118381 A JP 10118381A JP H0157511 B2 JPH0157511 B2 JP H0157511B2
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
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Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気記録媒体に記録された情報を読み
出すための磁気電気変換素子の改良に関する。
出すための磁気電気変換素子の改良に関する。
磁気抵抗効果を利用した磁気電気変換素子はパ
ーマロイ等の金属薄膜で実現でき、ホール効果を
利用した素子に比べ製造が容易、動作温度が広い
特徴を有する。したがつて、ホール効果を利用し
た素子に比べ安価で信頼性の高い素子を実現でき
る。
ーマロイ等の金属薄膜で実現でき、ホール効果を
利用した素子に比べ製造が容易、動作温度が広い
特徴を有する。したがつて、ホール効果を利用し
た素子に比べ安価で信頼性の高い素子を実現でき
る。
ところで、磁気抵抗効果（以下FMR効果と略
す）は磁化ベクトルＭと電流ベクトルＪのなす角
度θにより次式で表わせる。
す）は磁化ベクトルＭと電流ベクトルＪのなす角
度θにより次式で表わせる。
RM＝RO−ΔR×cos2θ …(1)
但し、ROは初期抵抗、ΔRは抵抗値の変化幅で
ある。(1)式から明らかなごとく、θが雰付近では
抵抗値RMの変化率（dRM／dθ）が小さいため、
θが45゜の近辺で動作するごとく該Ｍあるいは該
Ｊに偏倚を与える必要がある。偏倚を与える方法
としては、次の２種が知られている。
ある。(1)式から明らかなごとく、θが雰付近では
抵抗値RMの変化率（dRM／dθ）が小さいため、
θが45゜の近辺で動作するごとく該Ｍあるいは該
Ｊに偏倚を与える必要がある。偏倚を与える方法
としては、次の２種が知られている。
(1) MR効果を利用した素子の近傍に薄膜永久磁
石、あるいは電流により磁界源を設ける方法。
石、あるいは電流により磁界源を設ける方法。
(2) MR効果を利用した素子に電流を与える電極
の形状を適当に定め、電流の方向を偏倚させる
方法。この方法は、前者の方法に比較して製造
工程数を著しく抵減できる利点を有する。
の形状を適当に定め、電流の方向を偏倚させる
方法。この方法は、前者の方法に比較して製造
工程数を著しく抵減できる利点を有する。
後者の方法による磁気電気変換素子は、第１図
に示すように、単一磁区構造を有するMR効果素
片１の両端に電流源に接続するための接点２，３
を設け、かつ素片の両接点間に素片の長手方向に
対し一定の傾斜角をなす偏倚電極４を設けた構造
が知られている。かかる構造の磁気電気変換素子
は、自発磁化の方向が素片内で同一（この場合長
手方向）であるいわゆる単一磁区構造を前提とし
たものであるが、単一磁区構造の素片の端部には
磁極が存在するため不安定で、素片の厚み、形状
或いは磁気的な履歴によつて、第１図に点線で示
すようなより安定な還流磁区構造となり易い。素
片が単一磁区構造から還流磁区構造に変わると、
磁気電気変換素子の感度は著しく低下する。
に示すように、単一磁区構造を有するMR効果素
片１の両端に電流源に接続するための接点２，３
を設け、かつ素片の両接点間に素片の長手方向に
対し一定の傾斜角をなす偏倚電極４を設けた構造
が知られている。かかる構造の磁気電気変換素子
は、自発磁化の方向が素片内で同一（この場合長
手方向）であるいわゆる単一磁区構造を前提とし
たものであるが、単一磁区構造の素片の端部には
磁極が存在するため不安定で、素片の厚み、形状
或いは磁気的な履歴によつて、第１図に点線で示
すようなより安定な還流磁区構造となり易い。素
片が単一磁区構造から還流磁区構造に変わると、
磁気電気変換素子の感度は著しく低下する。
すなわち、接点２から接点３に向うごとく電流
を与えると、接点２，３と偏倚電極４により電流
ベクトルＪは接点及び偏倚電極の辺にほぼ直角に
向く。自発磁化ベクトルMoは素片１の長手方向
とほぼ平行をなす方向に向き、外部磁界Hextが零
のときは該ＪとMoはθoなる角度で交わる。外部
磁界Hextが第１図矢印に示すごとき向に与えられ
ると磁化ペクトルはそれに応じてMoの向からθ1
だけ回転してM1の向となる。従つて、回転した
磁化ベクトルM1と電流ベクトルＪのなす角度は
左半分で（θ0＋θ1）、右半分では（θ0−θ1）とな
り、MR効果が相殺され、磁気電気変換素子全体
としては感度が著しく低下することになる。
を与えると、接点２，３と偏倚電極４により電流
ベクトルＪは接点及び偏倚電極の辺にほぼ直角に
向く。自発磁化ベクトルMoは素片１の長手方向
とほぼ平行をなす方向に向き、外部磁界Hextが零
のときは該ＪとMoはθoなる角度で交わる。外部
磁界Hextが第１図矢印に示すごとき向に与えられ
ると磁化ペクトルはそれに応じてMoの向からθ1
だけ回転してM1の向となる。従つて、回転した
磁化ベクトルM1と電流ベクトルＪのなす角度は
左半分で（θ0＋θ1）、右半分では（θ0−θ1）とな
り、MR効果が相殺され、磁気電気変換素子全体
としては感度が著しく低下することになる。
本発明の目的は、MR効果を利用し安定でかつ
高感度の磁気電気変換素子を提供することにあ
る。
高感度の磁気電気変換素子を提供することにあ
る。
かかる目的を奏する本発明磁気電気変換素子の
特徴とするところは、還流磁区構造のMR効果素
片を使用し、偏倚電極を自発磁化方向の異なる領
域に跨つて設けかつ素片の長手方向に対する傾斜
方向を自発磁化方向の異なる領域で逆にした点に
ある。具体的には、自発磁化方向の異なる領域に
跨つて設けた偏倚電極の傾斜方向を、各領域にお
ける偏倚電極によつて偏倚された電流の流通方向
と外部磁界によつて偏倚された自発磁化方向との
交差角を共に大きく或いは小さくするようにした
点に本発明の特徴がある。
特徴とするところは、還流磁区構造のMR効果素
片を使用し、偏倚電極を自発磁化方向の異なる領
域に跨つて設けかつ素片の長手方向に対する傾斜
方向を自発磁化方向の異なる領域で逆にした点に
ある。具体的には、自発磁化方向の異なる領域に
跨つて設けた偏倚電極の傾斜方向を、各領域にお
ける偏倚電極によつて偏倚された電流の流通方向
と外部磁界によつて偏倚された自発磁化方向との
交差角を共に大きく或いは小さくするようにした
点に本発明の特徴がある。
以下、本発明を実施例として示した図面により
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第２図は本発明の磁気電気変換素子の一実施例
を示すもので、２１は自発磁化方向（白軸矢印）
が還流（図で時計方向）をなすいわゆる還流磁区
構造を有するMR効果素片、２２及び２３はMR
効果素片２１の両端に設けられ電流源（図示せ
ず）に接続される接点、２４はMR効果素片２１
上へ自発磁化方向の異なる領域に跨るように設け
た偏倚電極で、自発磁化方向の異なる領域でその
素片の長手方向に対する傾斜方向が逆となるよう
に形成されている。即ち、図で自発磁化方向が上
部から下部に向う素片２１の右側の領域に設けら
れる偏倚電極部分２４ａの傾斜方向は右下り、自
発磁化方向が下部から上部に向う素片２１の左側
の領域に設けられる偏倚電極部分２４ｂの傾斜方
向は左下り、となるように形成される。偏倚電極
を複数個設ける場合には、自発磁化方向の同じ領
域に設ける偏倚電極部分を同じ角度で同じ方向へ
傾斜、即ち略平行に配置する。接点２２及び２３
の偏倚電極２４に対向する部分端部は、対向する
偏倚電極部分と同じ方向に同じ角度傾斜させてあ
る。偏倚電極２４及び接点２２，２３をこのよう
に形成することにより、電流ベクトルＪは接点２
２から素片２１、偏倚電極２４を経て接点２３へ
流れる電流の素片２１内の流通方向によつて決る
ことから、黒軸矢印で示すように自発磁化方向の
異なる領域で素片の長手方向に対する傾斜方向を
逆にすることができる。この状態で、外部磁界
Hextを図の矢印で示す方向に与えれば、磁化ベク
トルM0は偏倚されてM1の方向に向き、素片のす
べての部分で偏倚された磁化ベクトルM1と電流
ベクトルＪのなす角度は大きくなる。外部磁界
Hextを図の矢印で示す方向と逆方向とすれば、
M1とＪのなす角度はすべての部分で小さくなる。
を示すもので、２１は自発磁化方向（白軸矢印）
が還流（図で時計方向）をなすいわゆる還流磁区
構造を有するMR効果素片、２２及び２３はMR
効果素片２１の両端に設けられ電流源（図示せ
ず）に接続される接点、２４はMR効果素片２１
上へ自発磁化方向の異なる領域に跨るように設け
た偏倚電極で、自発磁化方向の異なる領域でその
素片の長手方向に対する傾斜方向が逆となるよう
に形成されている。即ち、図で自発磁化方向が上
部から下部に向う素片２１の右側の領域に設けら
れる偏倚電極部分２４ａの傾斜方向は右下り、自
発磁化方向が下部から上部に向う素片２１の左側
の領域に設けられる偏倚電極部分２４ｂの傾斜方
向は左下り、となるように形成される。偏倚電極
を複数個設ける場合には、自発磁化方向の同じ領
域に設ける偏倚電極部分を同じ角度で同じ方向へ
傾斜、即ち略平行に配置する。接点２２及び２３
の偏倚電極２４に対向する部分端部は、対向する
偏倚電極部分と同じ方向に同じ角度傾斜させてあ
る。偏倚電極２４及び接点２２，２３をこのよう
に形成することにより、電流ベクトルＪは接点２
２から素片２１、偏倚電極２４を経て接点２３へ
流れる電流の素片２１内の流通方向によつて決る
ことから、黒軸矢印で示すように自発磁化方向の
異なる領域で素片の長手方向に対する傾斜方向を
逆にすることができる。この状態で、外部磁界
Hextを図の矢印で示す方向に与えれば、磁化ベク
トルM0は偏倚されてM1の方向に向き、素片のす
べての部分で偏倚された磁化ベクトルM1と電流
ベクトルＪのなす角度は大きくなる。外部磁界
Hextを図の矢印で示す方向と逆方向とすれば、
M1とＪのなす角度はすべての部分で小さくなる。
かかるごとく、自発磁化の方向に応じて電流の
偏倚方向を互いに逆となすことにより還流磁区構
造を有するMR効果素片を利用した磁気電気変換
素子磁気―電気変換感度を高くすることができ
る。
偏倚方向を互いに逆となすことにより還流磁区構
造を有するMR効果素片を利用した磁気電気変換
素子磁気―電気変換感度を高くすることができ
る。
かかる磁気電気変換素子の出力電圧最大値
Vnaxは次式で与えられる。
Vnaxは次式で与えられる。
ΔVnax＝ΔR× …(2)
ここで、ΔRは(1)式と同じ、は接点２から３
に流れる全電流である。
に流れる全電流である。
第(2)式から明らかなごとく、Vnaxを大きくす
るためにはΔRとを増せば良い。ところが、電
流は該素片の温度上昇等の面から上限が定ま
る。そこで該素片の有効長さを大きくして出力
Vnaxを大きくすれば良い。
るためにはΔRとを増せば良い。ところが、電
流は該素片の温度上昇等の面から上限が定ま
る。そこで該素片の有効長さを大きくして出力
Vnaxを大きくすれば良い。
第３図ａ，ｂは本発明磁気電気変換素子の異な
る実施例を示すもので、MR効果素片の長手方向
の寸法を大きくした場合にも安定でかつ高感度を
呈する素子構造に関する。素子の出力電圧の最大
値Vnaxを大きくするための望ましい手段として、
素片の有効即ち長手方向の寸法を大きくする点が
あることは前述した通りである。素片の長手方向
の寸法を大きくすれば、３図ｃに示すように複数
の還流磁区構造に分れることがある。第３図ａ，
ｂは、このような場合に適した構造で、ａは素片
３１の長手方向に沿つて存在する自発磁化方向の
異なる領域３１ａ，３１ｂの境界に沿つて溝３２
を形成し、これによつて単一の還流磁区構造を強
制的に保持するものであり、ｂは素片３１を長手
方向に複数の素片部分３１１，３１２に分け、両
部分の境界に切欠３３，３４を形成すると共に両
部分の長手方向に沿つて存在する自発磁化方向の
異なる領域３１１ａと３１１ｂ及び３１２ａと３
１２ｂの境界に沿つて溝３５及び３６を形成し、
これによつて還流磁区構造が複数個に分れても本
発明の効果が発揮できるように、それぞれ独立の
還流磁区構造に分けるものである。第３図の白軸
矢印は自発磁化方向を示す。
る実施例を示すもので、MR効果素片の長手方向
の寸法を大きくした場合にも安定でかつ高感度を
呈する素子構造に関する。素子の出力電圧の最大
値Vnaxを大きくするための望ましい手段として、
素片の有効即ち長手方向の寸法を大きくする点が
あることは前述した通りである。素片の長手方向
の寸法を大きくすれば、３図ｃに示すように複数
の還流磁区構造に分れることがある。第３図ａ，
ｂは、このような場合に適した構造で、ａは素片
３１の長手方向に沿つて存在する自発磁化方向の
異なる領域３１ａ，３１ｂの境界に沿つて溝３２
を形成し、これによつて単一の還流磁区構造を強
制的に保持するものであり、ｂは素片３１を長手
方向に複数の素片部分３１１，３１２に分け、両
部分の境界に切欠３３，３４を形成すると共に両
部分の長手方向に沿つて存在する自発磁化方向の
異なる領域３１１ａと３１１ｂ及び３１２ａと３
１２ｂの境界に沿つて溝３５及び３６を形成し、
これによつて還流磁区構造が複数個に分れても本
発明の効果が発揮できるように、それぞれ独立の
還流磁区構造に分けるものである。第３図の白軸
矢印は自発磁化方向を示す。
また、第３図ａ，ｂに示す磁気電気変換素子を
複数個組合せてブリツジ回路として、例えば温度
変化の影響を除去した磁気電気変換装置を得るこ
とができる。この場合には、各磁気電気変換素子
の自発磁化ベクトルの方向を所望の方向にそろえ
る必要があるが、それは第３図ａ，ｂに示す磁気
電気変換素子の溝３２，３５，３６及び切欠３
５，３６を素片３１の中心軸よりわずかにずらせ
て形成することにより達成することができる。
複数個組合せてブリツジ回路として、例えば温度
変化の影響を除去した磁気電気変換装置を得るこ
とができる。この場合には、各磁気電気変換素子
の自発磁化ベクトルの方向を所望の方向にそろえ
る必要があるが、それは第３図ａ，ｂに示す磁気
電気変換素子の溝３２，３５，３６及び切欠３
５，３６を素片３１の中心軸よりわずかにずらせ
て形成することにより達成することができる。
第４図は差動々作をさせるように構成した本発
明磁気電気変換素子の他の実施例を示すものであ
る。図において、３１は第３図ｂと同じ構造の
MR効果素片で、溝３５，３６及び切欠３３，３
４によりそれぞれ還流磁区構造を有する２個の素
片部分３１１，３１２から構成されている。４
１，４２，４３は素片３１の両端及び中央部に設
けた接点、４４，４５は各素片部分３１１，３１
２に設けた偏倚電極で、一方の素片部分３１１に
おける偏倚電極４４及び接点４１，４３の偏倚電
極４４に対向する部分の傾斜方向は、他方の素片
部分３１２における偏倚電極４５及び接点４２，
４３の偏倚電極４５に対向する部分の傾斜方向に
対し図示するように逆となるように構成されてい
る。この構成によつて、接点４１，４３間の磁気
抵抗が増加するときは、接点４２，４３間の磁気
抵抗が減少するごとく動作する。従つて、かかる
構成の磁気電気変換素子によれば、磁区構造の回
帰性が高まり、MR効果の外部磁界に対する履歴
を小さくできる効果がある。
明磁気電気変換素子の他の実施例を示すものであ
る。図において、３１は第３図ｂと同じ構造の
MR効果素片で、溝３５，３６及び切欠３３，３
４によりそれぞれ還流磁区構造を有する２個の素
片部分３１１，３１２から構成されている。４
１，４２，４３は素片３１の両端及び中央部に設
けた接点、４４，４５は各素片部分３１１，３１
２に設けた偏倚電極で、一方の素片部分３１１に
おける偏倚電極４４及び接点４１，４３の偏倚電
極４４に対向する部分の傾斜方向は、他方の素片
部分３１２における偏倚電極４５及び接点４２，
４３の偏倚電極４５に対向する部分の傾斜方向に
対し図示するように逆となるように構成されてい
る。この構成によつて、接点４１，４３間の磁気
抵抗が増加するときは、接点４２，４３間の磁気
抵抗が減少するごとく動作する。従つて、かかる
構成の磁気電気変換素子によれば、磁区構造の回
帰性が高まり、MR効果の外部磁界に対する履歴
を小さくできる効果がある。
以上の説明は還流磁区構造を有するMR効果素
片を一体の強磁性体によつて形成する場合につい
て説明したが、本発明はこれに限定されるもので
はない。第５図は還流磁区構造を有するMR効果
素片を２個の部材から構成する場合の一実施例を
示すものである。図において、５１は第３図ａに
示すMR効果素片と同じ形状で溝５２が長軸方向
の一方端に開放し、これによつて一対の脚部分５
１１ａ，５１１ｂが形成された長Ｕ字形部材５１
１と、長Ｕ字形部材５１１の一対の脚部分端相互
を磁気的に接続する接続部材５１２とから構成さ
れた全体として還流磁区構造を有すMR効果素
片、５１３は接続部材５１２と長Ｕ字形部材５１
１の一対の脚部分とを電気的に絶縁する絶縁部材
である。５３及び５４は長Ｕ字形部材５１１の一
対の脚部分５１１ａ，５１１ｂの端部付近に設け
た接点、５５は長Ｕ字形状部材５１１の長軸方向
の他方端に設けた接点、５６及び５７は長Ｕ字形
状部材５１１の接点５３，５５間及び接点５４，
５５間に設けた偏倚電極で、これら偏倚電極及び
偏倚電極に対向する接点の端部は他の実施例と同
様に長軸方向に対して傾斜している。この実施例
によれば、脚部分をそれぞれ電気的に独立して使
用できるので、MR効果素片の有効長を大きくす
るに等しい効果を有する。例えば、MR効果素片
の長さと幅を同一として第２図の実施例と第５図
の実施例とを比較すると、第５図の接点５３，５
４間の磁気抵抗は第２図の接点２２，２３間の磁
気抵抗の４倍となり、磁気電気変換素子としての
出力が４倍にできる。
片を一体の強磁性体によつて形成する場合につい
て説明したが、本発明はこれに限定されるもので
はない。第５図は還流磁区構造を有するMR効果
素片を２個の部材から構成する場合の一実施例を
示すものである。図において、５１は第３図ａに
示すMR効果素片と同じ形状で溝５２が長軸方向
の一方端に開放し、これによつて一対の脚部分５
１１ａ，５１１ｂが形成された長Ｕ字形部材５１
１と、長Ｕ字形部材５１１の一対の脚部分端相互
を磁気的に接続する接続部材５１２とから構成さ
れた全体として還流磁区構造を有すMR効果素
片、５１３は接続部材５１２と長Ｕ字形部材５１
１の一対の脚部分とを電気的に絶縁する絶縁部材
である。５３及び５４は長Ｕ字形部材５１１の一
対の脚部分５１１ａ，５１１ｂの端部付近に設け
た接点、５５は長Ｕ字形状部材５１１の長軸方向
の他方端に設けた接点、５６及び５７は長Ｕ字形
状部材５１１の接点５３，５５間及び接点５４，
５５間に設けた偏倚電極で、これら偏倚電極及び
偏倚電極に対向する接点の端部は他の実施例と同
様に長軸方向に対して傾斜している。この実施例
によれば、脚部分をそれぞれ電気的に独立して使
用できるので、MR効果素片の有効長を大きくす
るに等しい効果を有する。例えば、MR効果素片
の長さと幅を同一として第２図の実施例と第５図
の実施例とを比較すると、第５図の接点５３，５
４間の磁気抵抗は第２図の接点２２，２３間の磁
気抵抗の４倍となり、磁気電気変換素子としての
出力が４倍にできる。
以上は本発明を代表的な実施例を例に採つて説
明したが、本発明はこれに限定されることなく
種々の変形が可能である。例えば、第２図、第３
図ａ，ｂ及び第４図の実施例における偏倚電極は
自発磁化方向の異なる領域に跨つて形成されてい
るが、これを自発磁化方向の異なる領域の境界付
近で分離した構造とすること、第３図ａで溝３２
を長軸方向に沿つて複数個に分割すること、第３
図ｂで素片部分を３個以上形成すること、等の変
形が可能である。
明したが、本発明はこれに限定されることなく
種々の変形が可能である。例えば、第２図、第３
図ａ，ｂ及び第４図の実施例における偏倚電極は
自発磁化方向の異なる領域に跨つて形成されてい
るが、これを自発磁化方向の異なる領域の境界付
近で分離した構造とすること、第３図ａで溝３２
を長軸方向に沿つて複数個に分割すること、第３
図ｂで素片部分を３個以上形成すること、等の変
形が可能である。
第１図は従来の磁気電気変換素子を示す概略
図、第２図は本発明磁気電気変換素子の一実施例
を示す概略図、第３図は本発明の異なる実施例を
説明するための概略図、第４図は本発明の更に異
なる実施例を示す概略図、第５図は本発明の他の
実施例を示す斜視図である。 ２１…MR効果素片、２２，２３…接点、２４
…偏倚電極。
図、第２図は本発明磁気電気変換素子の一実施例
を示す概略図、第３図は本発明の異なる実施例を
説明するための概略図、第４図は本発明の更に異
なる実施例を示す概略図、第５図は本発明の他の
実施例を示す斜視図である。 ２１…MR効果素片、２２，２３…接点、２４
…偏倚電極。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 長手方向に沿つて自発磁化方向が逆となる領
域を有する還流磁区構造の磁気抵抗効果素片と、
該素片の長手方向の少なくとも両端に設けた電流
源に接続するための接点と、該素片の両接点間の
自発磁化方向の異なる両領域上へ該素片の長手方
向に対し一定の傾斜角を有して設けられ、これに
よつて接点間に流れる電流の方向を偏倚させる偏
倚電極とを具備すると共に、偏倚電極の傾斜方向
を自発磁化方向の異なる領域で逆にしたことを特
徴とする磁気電気変換素子。 ２ 特許請求の範囲第１項において、偏倚電極
は、磁気抵抗効果素片の各領域において偏倚電極
によつて偏倚された電流の流通方向と外部磁界に
よつて偏倚された自発磁化方向との交差角を共に
大きく或いは小さくするように該素片の長手方向
に対して傾斜させたことを特徴とする磁気電気変
換素子。 ３ 特許請求の範囲第１項或いは第２項におい
て、磁気抵抗効果素片の長手方向に沿つて存在す
る自発磁化方向の異なる領域の境界に沿う少なく
とも１個の溝を形成したことを特徴とする磁気電
気変換素子。 ４ 特許請求の範囲第１項から第３項において、
偏倚電極を自発磁化方向の異なる領域の境界付近
で分離したことを特徴とする磁気電気変換素子。 ５ 特許請求の範囲第３項において、１個の溝が
磁気抵抗効果素片の長手方向の一方端に開放し、
これによつて該素片が一対の脚部分を有す長Ｕ字
形状をなし、一対の脚部分にはそれぞれ接点が設
けられると共に脚部分相互間は接続部材により電
気的絶縁を保ちながら磁気的に接続されているこ
とを特徴とする磁気電気変換素子。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56101183A JPS584992A (ja) | 1981-07-01 | 1981-07-01 | 磁気電気変換素子 |
| US06/390,882 US4503394A (en) | 1981-07-01 | 1982-06-22 | Magnetoresistive sensor having a closed domain structure and electrode biasing |
| GB08218795A GB2109992B (en) | 1981-07-01 | 1982-06-29 | Magnetoelectric conversion element |
| NL8202634A NL8202634A (nl) | 1981-07-01 | 1982-06-29 | Magneto-elektrisch omzettingselement. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56101183A JPS584992A (ja) | 1981-07-01 | 1981-07-01 | 磁気電気変換素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS584992A JPS584992A (ja) | 1983-01-12 |
| JPH0157511B2 true JPH0157511B2 (ja) | 1989-12-06 |
Family
ID=14293870
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56101183A Granted JPS584992A (ja) | 1981-07-01 | 1981-07-01 | 磁気電気変換素子 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4503394A (ja) |
| JP (1) | JPS584992A (ja) |
| GB (1) | GB2109992B (ja) |
| NL (1) | NL8202634A (ja) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3390321T1 (de) * | 1982-11-11 | 1985-01-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka | Dünnfilm-Magnetkopf |
| US4580175A (en) * | 1983-01-14 | 1986-04-01 | Magnetic Peripherals, Inc. | Endless, folded magnetoresistive head |
| US4535375A (en) * | 1983-01-14 | 1985-08-13 | Magnetic Peripherals, Inc. | Magnetoresistive head |
| JPH0756508B2 (ja) * | 1984-09-14 | 1995-06-14 | 富士通株式会社 | 磁気検出器 |
| JPS61199684A (ja) * | 1985-03-01 | 1986-09-04 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型素子 |
| US4802043A (en) * | 1985-03-25 | 1989-01-31 | Hitachi, Ltd. | Magneto-resistive head for protecting against output spike noises |
| NL8601371A (nl) * | 1986-05-29 | 1987-12-16 | Philips Nv | Magneetkop. |
| US5019461A (en) * | 1986-12-08 | 1991-05-28 | Honeywell Inc. | Resistive overlayer for thin film devices |
| US4857418A (en) * | 1986-12-08 | 1989-08-15 | Honeywell Inc. | Resistive overlayer for magnetic films |
| US4754431A (en) * | 1987-01-28 | 1988-06-28 | Honeywell Inc. | Vialess shorting bars for magnetoresistive devices |
| US4841398A (en) * | 1987-02-17 | 1989-06-20 | Magnetic Peripherals Inc. | Non linear magnetoresistive sensor |
| US4967298A (en) * | 1987-02-17 | 1990-10-30 | Mowry Greg S | Magnetic head with magnetoresistive sensor, inductive write head, and shield |
| JPS63202979A (ja) * | 1987-02-18 | 1988-08-22 | Alps Electric Co Ltd | エンコ−ダ用磁気センサ |
| JPH01178816A (ja) * | 1988-01-11 | 1989-07-17 | Alps Electric Co Ltd | 磁気センサ |
| US4918655A (en) * | 1988-02-29 | 1990-04-17 | Honeywell Inc. | Magnetic device integrated circuit interconnection system |
| US4914538A (en) * | 1988-08-18 | 1990-04-03 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive read transducer |
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| JPH0434713A (ja) * | 1990-05-30 | 1992-02-05 | Sony Corp | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド |
| US5268806A (en) * | 1992-01-21 | 1993-12-07 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive transducer having tantalum lead conductors |
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| US5669133A (en) * | 1992-08-25 | 1997-09-23 | Seagate Technology, Inc. | Method of making a magnetoresistive sensor |
| US5435070A (en) * | 1993-07-26 | 1995-07-25 | Honeywell Inc. | Simplified compass with multiple segment display capability |
| US5747997A (en) * | 1996-06-05 | 1998-05-05 | Regents Of The University Of Minnesota | Spin-valve magnetoresistance sensor having minimal hysteresis problems |
| US6166539A (en) * | 1996-10-30 | 2000-12-26 | Regents Of The University Of Minnesota | Magnetoresistance sensor having minimal hysteresis problems |
| US6201466B1 (en) * | 2000-03-29 | 2001-03-13 | Delphi Technologies, Inc. | Magnetoresistor array |
| WO2014059110A1 (en) * | 2012-10-12 | 2014-04-17 | Memsic, Inc. | Monolithic three-axis magnetic field sensor |
| JP2016186476A (ja) * | 2015-03-27 | 2016-10-27 | Tdk株式会社 | 磁気センサ及び磁気式エンコーダ |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3899341A (en) * | 1973-04-30 | 1975-08-12 | Didier Werke Ag | Refractory fired shaped element and process of its manufacture |
| US4052748A (en) * | 1974-04-01 | 1977-10-04 | U.S. Philips Corporation | Magnetoresistive magnetic head |
| CA1076252A (en) * | 1975-04-14 | 1980-04-22 | Frederik W. Gorter | Magnetoresistive head |
| US4024489A (en) * | 1975-11-18 | 1977-05-17 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive sandwich including sensor electrically parallel with electrical shunt and magnetic biasing layers |
| NL7804377A (nl) * | 1978-04-25 | 1979-10-29 | Philips Nv | Magnetoweerstandkop. |
| NL7901578A (nl) * | 1979-02-28 | 1980-09-01 | Philips Nv | Magnetoweerstandkop. |
-
1981
- 1981-07-01 JP JP56101183A patent/JPS584992A/ja active Granted
-
1982
- 1982-06-22 US US06/390,882 patent/US4503394A/en not_active Expired - Lifetime
- 1982-06-29 GB GB08218795A patent/GB2109992B/en not_active Expired
- 1982-06-29 NL NL8202634A patent/NL8202634A/nl not_active Application Discontinuation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS584992A (ja) | 1983-01-12 |
| NL8202634A (nl) | 1983-02-01 |
| US4503394A (en) | 1985-03-05 |
| GB2109992A (en) | 1983-06-08 |
| GB2109992B (en) | 1985-07-10 |
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