JPH0157537B2 - - Google Patents
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- JPH0157537B2 JPH0157537B2 JP58073827A JP7382783A JPH0157537B2 JP H0157537 B2 JPH0157537 B2 JP H0157537B2 JP 58073827 A JP58073827 A JP 58073827A JP 7382783 A JP7382783 A JP 7382783A JP H0157537 B2 JPH0157537 B2 JP H0157537B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- bias
- light emitting
- burst
- semiconductor light
- Prior art date
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06835—Stabilising during pulse modulation or generation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/06825—Protecting the laser, e.g. during switch-on/off, detection of malfunctioning or degradation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の属する技術分野］
本発明は、光ネツトワークに於ける光出力安定
化方式に係り、特に半導体発光素子のバースト光
出力安定化方式に関する。
化方式に係り、特に半導体発光素子のバースト光
出力安定化方式に関する。
［従来技術とその問題点］
オフイス事務効率の向上は、社会の生産性向上
に重要である。この様な要請を担う、いわゆるオ
フイスオートメーシヨンシステムではパーソナル
コンピユータ等の安価な端末装置が、データフア
イルサーバ等の比較的高価なリースを分割若しく
は分散利用するために安価なネツトワークシステ
ムを実現すべく、バス型或いはスター型ネツトワ
ークの開発報告がなされている。
に重要である。この様な要請を担う、いわゆるオ
フイスオートメーシヨンシステムではパーソナル
コンピユータ等の安価な端末装置が、データフア
イルサーバ等の比較的高価なリースを分割若しく
は分散利用するために安価なネツトワークシステ
ムを実現すべく、バス型或いはスター型ネツトワ
ークの開発報告がなされている。
この様なネツトワーク上で扱う信号は、例えば
10MHz以上の高速データが一定期間のみ伝送され
るいわゆるバースト信号とするのが普通である。
10MHz以上の高速データが一定期間のみ伝送され
るいわゆるバースト信号とするのが普通である。
しかしこのような光伝送技術では、同軸ケーブ
ルを用いた伝送技術では生じなかつた問題がバー
スト信号を扱う場合特に生じてきている。これ
は、例えば半導体レーザ（以下LDと略称する）
からなる半導体発光素子の発光効率が温度に非常
に敏感であることからも明らかである。
ルを用いた伝送技術では生じなかつた問題がバー
スト信号を扱う場合特に生じてきている。これ
は、例えば半導体レーザ（以下LDと略称する）
からなる半導体発光素子の発光効率が温度に非常
に敏感であることからも明らかである。
即ち、半導体発光素子は、バースト信号送信中
に半導体発光素子自身の発熱の影響を受けて、例
えばLDではしきい値電流の上昇により出力が低
下し、バースト信号送信中の熱サグ現象を生じる
原因となつている。
に半導体発光素子自身の発熱の影響を受けて、例
えばLDではしきい値電流の上昇により出力が低
下し、バースト信号送信中の熱サグ現象を生じる
原因となつている。
このような半導体発光素子による熱サグ現象を
抑制する方法として、従来半導体発光素子の駆動
電流を微妙に増加或いは減少して制御する、いわ
ゆるアナログ制御が開発されている。
抑制する方法として、従来半導体発光素子の駆動
電流を微妙に増加或いは減少して制御する、いわ
ゆるアナログ制御が開発されている。
しかしながら、このようなアナログ制御では、
数ＭHz以上のバースト信号の負帰還ループ応答を
要する為に、高価な高速回路素子を必要とし、又
半導体発光素子の駆動電流の増加及び減少の２作
用を行う為に回路内の光検出素子やトランジスタ
等の遅延による発振現象が生じて回路自体が不安
定になるという問題点があつた。
数ＭHz以上のバースト信号の負帰還ループ応答を
要する為に、高価な高速回路素子を必要とし、又
半導体発光素子の駆動電流の増加及び減少の２作
用を行う為に回路内の光検出素子やトランジスタ
等の遅延による発振現象が生じて回路自体が不安
定になるという問題点があつた。
［発明の目的］
本発明は上述の問題を考慮してなされたもの
で、半導体発光素子のバースト信号送信に適合す
る帰還ループの安定化を図つたバースト光出力安
定化方式を提供することにある。
で、半導体発光素子のバースト信号送信に適合す
る帰還ループの安定化を図つたバースト光出力安
定化方式を提供することにある。
［発明の概要］
半導体発光素子のバースト光出力の一部を半導
体光検出素子で光検出し、この光検出信号により
バースト光出力を安定化制御するバースト光出力
安定化駆動方式に於いて、光検出信号を半導体発
光素子の入力信号に対応した所定の参照信号と比
較し、光検出信号が参照信号に比し小なる場合は
半導体発光素子の入力信号を増加させ、光検出信
号が参照信号に比し大なる場合は入力信号の増加
を停止するようにした光出力安定化方式を得るよ
うにしたものである。
体光検出素子で光検出し、この光検出信号により
バースト光出力を安定化制御するバースト光出力
安定化駆動方式に於いて、光検出信号を半導体発
光素子の入力信号に対応した所定の参照信号と比
較し、光検出信号が参照信号に比し小なる場合は
半導体発光素子の入力信号を増加させ、光検出信
号が参照信号に比し大なる場合は入力信号の増加
を停止するようにした光出力安定化方式を得るよ
うにしたものである。
［発明の効果］
本発明による半導体光検出素子の光検出信号と
半導体発光素子の入力信号に対応した所定の参照
信号とを比較した出力で半導体発光素子の入力信
号を増加させ或いは増加を停止させるという制御
を行う為、帰還ループとしての安定度が向上し、
又安定化制御ループとしての設計も非常に容易と
なる。
半導体発光素子の入力信号に対応した所定の参照
信号とを比較した出力で半導体発光素子の入力信
号を増加させ或いは増加を停止させるという制御
を行う為、帰還ループとしての安定度が向上し、
又安定化制御ループとしての設計も非常に容易と
なる。
さらに、半導体発光素子のバイアスに関して
は、このバイアス信号を増加するのみの手段で済
むことから回路構成が容易となる。従つて、本発
明により安価でかつ安定性に優れたバースト光出
力安定化方式を得ることができる。
は、このバイアス信号を増加するのみの手段で済
むことから回路構成が容易となる。従つて、本発
明により安価でかつ安定性に優れたバースト光出
力安定化方式を得ることができる。
［発明の実施例］
以下、本発明の一実施例を第１図乃至第３図を
参照して説明する。
参照して説明する。
第１図は、この実施例に用いる回路の構成図を
示したものである。即ち、バーストデータ入力端
子１を有するパルス駆動部２と、送信要求信号入
力端子３を有するバイアス印加部４とが設けら
れ、このパルス駆動部２とバイアス印加部４との
出力を重畳した信号が入力される、例えばLDか
らなる半導体発光素子５が設けられている。ま
た、このLD５の光出力を検出する、例えばPIN
フオトダイオードからなる半導体光検出素子（以
下PDと略称する）６と、このPD６の出力と参照
信号入力端子７から入力される信号とを比較する
比較器８が設けられている。
示したものである。即ち、バーストデータ入力端
子１を有するパルス駆動部２と、送信要求信号入
力端子３を有するバイアス印加部４とが設けら
れ、このパルス駆動部２とバイアス印加部４との
出力を重畳した信号が入力される、例えばLDか
らなる半導体発光素子５が設けられている。ま
た、このLD５の光出力を検出する、例えばPIN
フオトダイオードからなる半導体光検出素子（以
下PDと略称する）６と、このPD６の出力と参照
信号入力端子７から入力される信号とを比較する
比較器８が設けられている。
この比較器８の出力は、バイアス印加部４に入
力されバイアス印加部４の出力を制御している。
力されバイアス印加部４の出力を制御している。
次に、本発明による動作を上述の回路構成に於
ける各部の動作により説明する。
ける各部の動作により説明する。
第２図ａ乃至ｅは、第１図に於ける各部乃至
の動作時の信号波形及びLD５の出力波形をタ
イムチヤートにより示している。
の動作時の信号波形及びLD５の出力波形をタ
イムチヤートにより示している。
まず、バーストデータ入力端子１からパルス駆
動部２にバーストデータ信号（第２図ａが入力さ
れるが、このバーストデータ入力の際には、バー
ストテータ入力に先立ち送信要求信号入力端子３
からバイアス印加部４に送信要求信号（第２図
ｂ）が入力される。
動部２にバーストデータ信号（第２図ａが入力さ
れるが、このバーストデータ入力の際には、バー
ストテータ入力に先立ち送信要求信号入力端子３
からバイアス印加部４に送信要求信号（第２図
ｂ）が入力される。
バイアス印加部４は、送信要求信号の他の比較
器８の出力が入力される。比較器８は、PD６の
光検出信号と第１若しくは第２の参照信号７と比
較した後、光検出信号が参照信号より小なるとき
はLow、大なるときはHighの出力を行なう。こ
の場合、第１及び第２の参照信号は、半導体発光
素子の入力信号に対応している。すなわち、第１
の参照信号は、半導体発光素子のバイアス信号に
対応しており、第２の参照信号は、このバイアス
信号にバースト信号を重畳した信号に対応してい
る。バイアス印加部４は、送信要求信号（第２図
ｂ）を受け、かつ比較器８のLowなる出力を受
けたときのみ動作し、LD５をバイアスする。
器８の出力が入力される。比較器８は、PD６の
光検出信号と第１若しくは第２の参照信号７と比
較した後、光検出信号が参照信号より小なるとき
はLow、大なるときはHighの出力を行なう。こ
の場合、第１及び第２の参照信号は、半導体発光
素子の入力信号に対応している。すなわち、第１
の参照信号は、半導体発光素子のバイアス信号に
対応しており、第２の参照信号は、このバイアス
信号にバースト信号を重畳した信号に対応してい
る。バイアス印加部４は、送信要求信号（第２図
ｂ）を受け、かつ比較器８のLowなる出力を受
けたときのみ動作し、LD５をバイアスする。
通常、バーストデータ信号（第２図ａ）入力
前、厳密に言うと送信要求信号（第２図ｂ）入力
前には、LD５は発光していない為、光検出信号
はLD５の入力信号（しきい値）に対応した第１
の参照信号より小となり、比較器８の出力は
Lowとなつている。
前、厳密に言うと送信要求信号（第２図ｂ）入力
前には、LD５は発光していない為、光検出信号
はLD５の入力信号（しきい値）に対応した第１
の参照信号より小となり、比較器８の出力は
Lowとなつている。
従つて、バイアス印加部４は、送信要求信号
（第２図ｂ）が入力されたときに初めて動作し、
LD５のバイアスは、バイアス印加部４に送信要
求信号（第２図ｂ）及び比較器８のLowなる出
力が入力される限り続けられるが、印加バイアス
の増大によりLD５のバイアス光も増大し、これ
に伴ないPD６の光検出電流は増大し、LD５のし
きい値に対応している第１の参照信号より大とな
り比較器８の出力はHighとなる。
（第２図ｂ）が入力されたときに初めて動作し、
LD５のバイアスは、バイアス印加部４に送信要
求信号（第２図ｂ）及び比較器８のLowなる出
力が入力される限り続けられるが、印加バイアス
の増大によりLD５のバイアス光も増大し、これ
に伴ないPD６の光検出電流は増大し、LD５のし
きい値に対応している第１の参照信号より大とな
り比較器８の出力はHighとなる。
従つて、バイアス印加部４は、送信要求信号
（第２図ｂ）が入力されていても比較器８の出力
がHighとなつている為動作せずLDQへのバイア
ス増加は無い。これによりLD５はしきい値にバ
イアスされるわけであるが、このバイアス時に
LD５の熱サグ現象が生じPD６の光検出信号が第
１の参照信号より小となるときは、比較器８の出
力がLowとなりバイアス印加部４が動作し、LD
５のバイアスはしきい値に保持される。
（第２図ｂ）が入力されていても比較器８の出力
がHighとなつている為動作せずLDQへのバイア
ス増加は無い。これによりLD５はしきい値にバ
イアスされるわけであるが、このバイアス時に
LD５の熱サグ現象が生じPD６の光検出信号が第
１の参照信号より小となるときは、比較器８の出
力がLowとなりバイアス印加部４が動作し、LD
５のバイアスはしきい値に保持される。
このようにLD５は、送信要求信号（第２図ｂ）
の入力によりしきい値にバイアスされる。その
後、データ信号（第２図ａ）がパルス駆動部４を
経てLD５に入力され、LD５はバーストデータ信
号（第２図ａ）に対応して発光を行なう。バース
トデータ信号は、第２図ａに示すごとく、例えば
32MHz程度の高速のバースト信号である。
の入力によりしきい値にバイアスされる。その
後、データ信号（第２図ａ）がパルス駆動部４を
経てLD５に入力され、LD５はバーストデータ信
号（第２図ａ）に対応して発光を行なう。バース
トデータ信号は、第２図ａに示すごとく、例えば
32MHz程度の高速のバースト信号である。
また、比較器８に入力する参照信号は、LD５
へのバーストデータ信号（第２図ａ）の入力と同
時に、第１の参照信号から第２の参照信号（バイ
アス信号にバースト信号を重畳した信号に対応し
た信号）に切り変わる。この第２の参照信号は、
バーストデータ信号（第２図ａ）によるLD５の
熱サグ現象が生じない場合の光出力に対応した信
号である。LD５は、バーストデータ信号（第２
図ａ）に対応して発光を行なうが、LD５の熱サ
グ現象によりLD５の光出力は減少する。
へのバーストデータ信号（第２図ａ）の入力と同
時に、第１の参照信号から第２の参照信号（バイ
アス信号にバースト信号を重畳した信号に対応し
た信号）に切り変わる。この第２の参照信号は、
バーストデータ信号（第２図ａ）によるLD５の
熱サグ現象が生じない場合の光出力に対応した信
号である。LD５は、バーストデータ信号（第２
図ａ）に対応して発光を行なうが、LD５の熱サ
グ現象によりLD５の光出力は減少する。
尚、バーストデータ信号（第２図ａ）は、バイ
アス印加部４からのバイアス信号に重畳してLD
５に入力される。しかしながら、この場合、LD
５の光出力の減少に伴ないPD６の光検出電流が
減少し、従つて第２の参照信号より小となり比較
器８の出力はLowとなる。
アス印加部４からのバイアス信号に重畳してLD
５に入力される。しかしながら、この場合、LD
５の光出力の減少に伴ないPD６の光検出電流が
減少し、従つて第２の参照信号より小となり比較
器８の出力はLowとなる。
従つて、バイアス印加部４が動作し、LD５は
バイアスされ、LD５の光出力が、LD５の熱サグ
現象により減少するのを防止している。
バイアスされ、LD５の光出力が、LD５の熱サグ
現象により減少するのを防止している。
尚、送信要求信号（第２図ｂ）は、バーストデ
ータ信号（第２図ａ）の送信が終わるまで送信さ
れている。LD５は一般に発光時では、LD５の温
度上昇に伴ないLD５の光出力は減少する傾向に
ある。
ータ信号（第２図ａ）の送信が終わるまで送信さ
れている。LD５は一般に発光時では、LD５の温
度上昇に伴ないLD５の光出力は減少する傾向に
ある。
即ち、PD６、比較器８、バイアス印加部４か
らなる制御ループにより、LD５の光出力は、第
２図ｃに示すようにバーストデータ信号（第２図
ａ）に極めて正確に対応したものとなる。
らなる制御ループにより、LD５の光出力は、第
２図ｃに示すようにバーストデータ信号（第２図
ａ）に極めて正確に対応したものとなる。
次に、バイアス印加部４の動作を第３図に示す
バイアス印加部４の一例を示す回路図を参照して
説明する。
バイアス印加部４の一例を示す回路図を参照して
説明する。
バイアス印加部４には、定電流源１０と第１の
トランジスタ１１及び第２のトランジスタ１２か
らなる定電流源スイツチが設けられている。
トランジスタ１１及び第２のトランジスタ１２か
らなる定電流源スイツチが設けられている。
第１及び第２のトランジスタ１１，１２は、論
理ゲート１３により比較器８の出力がLowの場
合、第１のトランジスタ１１がOFF、第２のト
ランジスタ１２がONとなりコンデンサ１４をチ
ヤージする。
理ゲート１３により比較器８の出力がLowの場
合、第１のトランジスタ１１がOFF、第２のト
ランジスタ１２がONとなりコンデンサ１４をチ
ヤージする。
また、比較器８の出力がHighの場合、第１の
トランジスタ１１がON、第２のトランジスタ１
２がOFFとなり、コンデンサ１４はチヤージさ
れない。
トランジスタ１１がON、第２のトランジスタ１
２がOFFとなり、コンデンサ１４はチヤージさ
れない。
即ち、比較器８の出力がLowの場合はコンデ
ンサ１４をチヤージし、このコンデンサ１４の上
昇電圧でLD６のバイアス電流を増し光出力を増
大する。また、比較器８の出力がHighの場合は
コンデンサ１４のチヤージを止め、LD５のバイ
アス電流を一定に保つ。
ンサ１４をチヤージし、このコンデンサ１４の上
昇電圧でLD６のバイアス電流を増し光出力を増
大する。また、比較器８の出力がHighの場合は
コンデンサ１４のチヤージを止め、LD５のバイ
アス電流を一定に保つ。
従つて、第２図ｄに示すような比較器８出力に
よりコンデンサ１４をチヤージする場合、コンデ
ンサ１４の端子出力は、第２図ｅに示すように比
較器ｄの出力のlowレベル若しくはHighレベル
に応じてチヤージ若しくはホールドを繰り返して
上昇を続けるようになる。
よりコンデンサ１４をチヤージする場合、コンデ
ンサ１４の端子出力は、第２図ｅに示すように比
較器ｄの出力のlowレベル若しくはHighレベル
に応じてチヤージ若しくはホールドを繰り返して
上昇を続けるようになる。
以上、本発明の一実施例を示したが、本発明の
特徴とするところは、LD５のバイアス制御ルー
プが、LD５のバイアスを増加させる機能のみを
有することである。
特徴とするところは、LD５のバイアス制御ルー
プが、LD５のバイアスを増加させる機能のみを
有することである。
即ち、従来の増減機能を有するループに比し、
発振現象等が生じず極めて安定性が高くなる。こ
れは、高速のバーストデータ信号（第２図ａ）に
よるLD５は熱によるLD５のバースト光出力（第
２図ｃ）期間内では、LD５は熱による単調出力
低下現象のみが生ずることに基づいている。高速
のバースト光出力（第２図ｃ）期間は、高々数
msであり、従つてこの期間内では外部環境によ
るLD５の温度の急激な変動は考えられないから
である。
発振現象等が生じず極めて安定性が高くなる。こ
れは、高速のバーストデータ信号（第２図ａ）に
よるLD５は熱によるLD５のバースト光出力（第
２図ｃ）期間内では、LD５は熱による単調出力
低下現象のみが生ずることに基づいている。高速
のバースト光出力（第２図ｃ）期間は、高々数
msであり、従つてこの期間内では外部環境によ
るLD５の温度の急激な変動は考えられないから
である。
尚、コンデンサ１４の放電は、データ信号（第
２図ａ）断の情報を得てシヨートするスイツチ１
５を付加すれば良い。LD５のバイアス制御ルー
プ内に、デイジタル系を含み、しかもLD５のバ
イアスの単一方向のみを制御することで、アナロ
グ増減制御系の問題であつたループ全体のレベル
設計が容易となり、又ループの安定化が図れる。
２図ａ）断の情報を得てシヨートするスイツチ１
５を付加すれば良い。LD５のバイアス制御ルー
プ内に、デイジタル系を含み、しかもLD５のバ
イアスの単一方向のみを制御することで、アナロ
グ増減制御系の問題であつたループ全体のレベル
設計が容易となり、又ループの安定化が図れる。
即ち、回路が安価、高性能でLD７のバースト
光出力の安定化駆動を行うことができる。
光出力の安定化駆動を行うことができる。
尚、以上に於いては半導体発光素子が半導体レ
ーザLD５の場合を説明したが、これは発光ダイ
オードLEDの場合でも本発明は適用できること
は明らかである。
ーザLD５の場合を説明したが、これは発光ダイ
オードLEDの場合でも本発明は適用できること
は明らかである。
第１図は本発明の一実施例に用いる回路の構成
図、第２図ａ乃至第２図ｅは第１図に示す回路構
成図の各部の動作時の信号波形及び出力波形をタ
イムチヤートで示す図、第３図は第１図で示すバ
イアス印加部の一例を示す回路図である。 １…バーストデータ入力端子、２…パルス駆動
部、３…送信要求入力端子、４…バイアス印加
部、５…半導体発光素子、６…半導体光検出素
子、７…参照信号入力端子、８…比較器、１０…
定電流源、１１，１２…トランジスタ、１３…論
理ゲート、１４…コンデンサ、１５…スイツチ。
図、第２図ａ乃至第２図ｅは第１図に示す回路構
成図の各部の動作時の信号波形及び出力波形をタ
イムチヤートで示す図、第３図は第１図で示すバ
イアス印加部の一例を示す回路図である。 １…バーストデータ入力端子、２…パルス駆動
部、３…送信要求入力端子、４…バイアス印加
部、５…半導体発光素子、６…半導体光検出素
子、７…参照信号入力端子、８…比較器、１０…
定電流源、１１，１２…トランジスタ、１３…論
理ゲート、１４…コンデンサ、１５…スイツチ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 半導体発光素子のバースト光出力の一部を半
導体光検出素子で光検出し、この光検出信号によ
り前記バースト光出力を安定化制御する際に、前
記光検出信号を前記半導体発光素子の入力信号に
対応した所定の参照信号と比較し、前記光検出信
号が前記参照信号に比し小なる場合は前記半導体
発光素子の前記入力信号を増加させ、前記光検出
信号が前記参照信号に比し大なる場合は前記入力
信号の増加を停止するようにしたことを特徴とす
る光出力安定化方式。 ２ 前記半導体発光素子の入力信号は、バイアス
信号にバースト信号を重畳した信号からなり、前
記入力信号の増加は前記バイアス信号の増加によ
り行なうことを特徴とする特許請求の範囲第１項
記載の光出力安定化方式。 ３ 前記半導体発光素子には、前記バースト信号
の入力に先立ち前記バイアス信号を入力すること
を特徴とする特許請求の範囲第２項記載の光出力
安定化方式。 ４ 前記バースト信号を前記バイアス信号に重畳
して前記半導体発光素子に入力する際に、前記参
照信号は前記バイアス信号に対応した信号から前
記バイアス信号に前記バースト信号を重畳した信
号に対応する信号に切り変わることを特徴とする
特許請求の範囲第３項記載の光出力安定化方式。 ５ 前記バイアス信号は前記半導体発光素子のし
きい値に対応した信号であることを特徴とする特
許請求の範囲第２項記載の光出力安定化方式。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58073827A JPS59200539A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 光出力安定化方式 |
| US06/603,893 US4621376A (en) | 1983-04-28 | 1984-04-25 | Driving apparatus for stabilizing burst light output |
| EP84302826A EP0125823B1 (en) | 1983-04-28 | 1984-04-26 | Driving apparatus for stabilizing burst light output |
| DE8484302826T DE3465848D1 (en) | 1983-04-28 | 1984-04-26 | Driving apparatus for stabilizing burst light output |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58073827A JPS59200539A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 光出力安定化方式 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59200539A JPS59200539A (ja) | 1984-11-13 |
| JPH0157537B2 true JPH0157537B2 (ja) | 1989-12-06 |
Family
ID=13529364
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58073827A Granted JPS59200539A (ja) | 1983-04-28 | 1983-04-28 | 光出力安定化方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59200539A (ja) |
-
1983
- 1983-04-28 JP JP58073827A patent/JPS59200539A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59200539A (ja) | 1984-11-13 |
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