JPS60148182A - バ−スト光出力安定化駆動方式 - Google Patents
バ−スト光出力安定化駆動方式Info
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- JPS60148182A JPS60148182A JP59004449A JP444984A JPS60148182A JP S60148182 A JPS60148182 A JP S60148182A JP 59004449 A JP59004449 A JP 59004449A JP 444984 A JP444984 A JP 444984A JP S60148182 A JPS60148182 A JP S60148182A
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- Japan
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- burst
- bias
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- Granted
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/06—Arrangements for controlling the laser output parameters, e.g. by operating on the active medium
- H01S5/068—Stabilisation of laser output parameters
- H01S5/0683—Stabilisation of laser output parameters by monitoring the optical output parameters
- H01S5/06835—Stabilising during pulse modulation or generation
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Optical Communication System (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は、光ネツトワークシステムにおける光出力安定
化駆動方式に関し、特に半導体発光素子から発生される
バースト光出力安定化駆動方式に関する。
化駆動方式に関し、特に半導体発光素子から発生される
バースト光出力安定化駆動方式に関する。
オフィスオートメーションシステム等の安価な構成方法
として、パーソナルコンピュータ等の端末機器を共通の
バスに並列接続したバス型ネットワークシステム、ある
いは端末機器を樹枝状に接続したスター型ネットワーク
システムが開発されている。
として、パーソナルコンピュータ等の端末機器を共通の
バスに並列接続したバス型ネットワークシステム、ある
いは端末機器を樹枝状に接続したスター型ネットワーク
システムが開発されている。
このようなネットワークシステムで扱う信号は。
例えば10 M Hz以上のデータパルス列が一定期間
のみ伝送されるバースト信号とするのが一般的である。
のみ伝送されるバースト信号とするのが一般的である。
しかし、このようなネットワークシステムに用いる光伝
送技術では、旧来の同軸ケーブルを用いた伝送技術で生
じなかった問題がバースト信号を伝送する場合に生じて
きている。これは、例えば半導体レーザ(以下、LDと
略記)からなる半導体発光素子の発光効率が温度に非常
に敏感に反応することも1つの要因となっている。
送技術では、旧来の同軸ケーブルを用いた伝送技術で生
じなかった問題がバースト信号を伝送する場合に生じて
きている。これは、例えば半導体レーザ(以下、LDと
略記)からなる半導体発光素子の発光効率が温度に非常
に敏感に反応することも1つの要因となっている。
すなわち、半導体発光素子は、パース信号送信中に素子
自身の発熱の影響を受け1例えばLDではしきい値電流
の上昇により光出力が低下し、ノく一スト信号送信中の
熱サグ現象を生じる原因となっている。
自身の発熱の影響を受け1例えばLDではしきい値電流
の上昇により光出力が低下し、ノく一スト信号送信中の
熱サグ現象を生じる原因となっている。
このような半導体発光素子による熱サグ現象を抑制する
方法として、従来において半導体発光素子の駆動電流を
バースト光出力のフィードバックループによって増減し
、バースト光出力を安定化するアナログ制御方式が提案
されている。
方法として、従来において半導体発光素子の駆動電流を
バースト光出力のフィードバックループによって増減し
、バースト光出力を安定化するアナログ制御方式が提案
されている。
しかしながら、このようなアナログ制御方式では、半導
体発光素子への駆動電流の増加および減少の2作用を行
うために回路内の光検出素子やトランジスタ等の遅延に
よる発根現象が生じて回路自体が不安定になるという問
題があった。
体発光素子への駆動電流の増加および減少の2作用を行
うために回路内の光検出素子やトランジスタ等の遅延に
よる発根現象が生じて回路自体が不安定になるという問
題があった。
本発明は上記の問題点を解決し、安定に動作し、ピーク
値の一定なバースト光出力が得られるバースト光出力安
定化駆動方式を提供することにある。
値の一定なバースト光出力が得られるバースト光出力安
定化駆動方式を提供することにある。
本発明は、半導体発光素子のバースト光出力の一部を半
導体光検出素子で検出し、この光検出信号と参照信号と
を比較し、その比較結果に応じて半導体発光素子のバイ
アス印加部を制御する際に、バースト光出力を発生させ
るためのノく−スト信号の各パルス毎に前記参照信号と
光検出信号との差に対応したレベルを有する三角波状の
誤差信号を発生させ、この誤差信号に対応したパルス幅
の、N6ルス信号で前記バイアス電流を制御することに
より、上記目的を達成している。
導体光検出素子で検出し、この光検出信号と参照信号と
を比較し、その比較結果に応じて半導体発光素子のバイ
アス印加部を制御する際に、バースト光出力を発生させ
るためのノく−スト信号の各パルス毎に前記参照信号と
光検出信号との差に対応したレベルを有する三角波状の
誤差信号を発生させ、この誤差信号に対応したパルス幅
の、N6ルス信号で前記バイアス電流を制御することに
より、上記目的を達成している。
第1図は本発明の一実施例を示すブロック図であって、
バースト信号入力端子1を有するパルス駆動部2と、送
信要求入力端子3を有するバイアス印加部4とが設けら
れ、例えばLDから成る半導体発光素子5にはこのパル
ス駆動部2とバイアス印加部4との出力を型費した信号
が入力される。
バースト信号入力端子1を有するパルス駆動部2と、送
信要求入力端子3を有するバイアス印加部4とが設けら
れ、例えばLDから成る半導体発光素子5にはこのパル
ス駆動部2とバイアス印加部4との出力を型費した信号
が入力される。
また、半導体発光素子5の光出力を検出する例えばPI
Nフォトダイオードから成る半導体光検出素子(以下、
PDと略記)6と、バースト光出力を安定化させるため
の参照信号を発生する参照信号発生部7と、PD6の光
検出信号と参照信号発生部7から発生される参照信号と
の偏差信号を所定の基準レベルと比較し、偏差信号に対
応したパルス幅の制御信号を出力する比較検出部8が設
けられている。比較検出部8から出力される制御信号は
バイアス印加部4に入力され、バイアス印加部4の出力
信号を制御している。
Nフォトダイオードから成る半導体光検出素子(以下、
PDと略記)6と、バースト光出力を安定化させるため
の参照信号を発生する参照信号発生部7と、PD6の光
検出信号と参照信号発生部7から発生される参照信号と
の偏差信号を所定の基準レベルと比較し、偏差信号に対
応したパルス幅の制御信号を出力する比較検出部8が設
けられている。比較検出部8から出力される制御信号は
バイアス印加部4に入力され、バイアス印加部4の出力
信号を制御している。
第2図は、バイアス印加部4の要部を拡大して示した図
であり、2つの定電流源40 、41および高速差動ス
イッチ42 、43とが設けられ、これらの高速差動ス
イッチ42 、43の差動動作によりバイアス制御用コ
ンデンサ44の充放電を制御し、このコンデンサ44の
充電電圧に応じてLD5へのバイアス電流を制御するよ
うに構成されている。この場合、高速差動スイッチ42
、43はバイアス信号制御用信号Aおよびバースト信
号制御用信号Bによりスイッチングされる。
であり、2つの定電流源40 、41および高速差動ス
イッチ42 、43とが設けられ、これらの高速差動ス
イッチ42 、43の差動動作によりバイアス制御用コ
ンデンサ44の充放電を制御し、このコンデンサ44の
充電電圧に応じてLD5へのバイアス電流を制御するよ
うに構成されている。この場合、高速差動スイッチ42
、43はバイアス信号制御用信号Aおよびバースト信
号制御用信号Bによりスイッチングされる。
このような構成に?いて、バースト信号入力端子1から
パルス駆動部2に対し、第3図(a)に示すようなバー
スト信号が入力されるが、このバースト信号の入力に際
してはこのバースト信号に先立って送信要求入力端子3
からバイアス印加部4に第3図(b)に示すような送信
要求信号が入力される。
パルス駆動部2に対し、第3図(a)に示すようなバー
スト信号が入力されるが、このバースト信号の入力に際
してはこのバースト信号に先立って送信要求入力端子3
からバイアス印加部4に第3図(b)に示すような送信
要求信号が入力される。
バイアス印加部4には、送信要求信号の他に比較検出部
8の出力信号が入力される。この比較検出部8は、バー
スト信号入力時には参照信号発生部7から出力される参
照信号とPD6から出力される光検出信号とを比較し、
両信号の偏差に比例したパルス幅の出力信号を送出する
が、バースト信号入力前の送信要求信号入力時には例え
ば、光検出信号が参照信号より小さく両者の偏差が基準
レベルより大きければ1Lmの出力信号を送出し、光検
出信号が参照信号より大きく両者の偏差が基準レベルよ
り小さければ1H#の出力信号を送出する。
8の出力信号が入力される。この比較検出部8は、バー
スト信号入力時には参照信号発生部7から出力される参
照信号とPD6から出力される光検出信号とを比較し、
両信号の偏差に比例したパルス幅の出力信号を送出する
が、バースト信号入力前の送信要求信号入力時には例え
ば、光検出信号が参照信号より小さく両者の偏差が基準
レベルより大きければ1Lmの出力信号を送出し、光検
出信号が参照信号より大きく両者の偏差が基準レベルよ
り小さければ1H#の出力信号を送出する。
一方、参照信号発生部7は、バースト信号が入力される
前の送信要求信号の入力時には、LD5のしきい値に対
応した第1の参照信号を発生している。また、LD5は
送信要求信号の入力前には発光していない。
前の送信要求信号の入力時には、LD5のしきい値に対
応した第1の参照信号を発生している。また、LD5は
送信要求信号の入力前には発光していない。
このため、送信要求信号の入力時において光検出信号は
、LD5のしきい値に対応した第1の参照信号より小さ
くなり、比較検出部8の出力信号は@L”となる。
、LD5のしきい値に対応した第1の参照信号より小さ
くなり、比較検出部8の出力信号は@L”となる。
比較検出部8から1L″の出力信号が出力され、かつ送
信要求信号がバイアス印加部4に入力されることにより
、バイアス印加部4内においては、高速差動スイッチ4
2をオンとするバイアス信号制御用信号人と一方の高速
差動スイッチ43をオフとするバースト信号制御信号B
が形成される。これにより、高速差動スイッチ42はオ
ン、一方の高速差動スイッチ43はオフとされ、コンデ
ンサ44に対して充電が行われ、このコンデンサ44の
充4電圧によってトランジスタ45が制4Hされ、LD
5にノマイアス電流が印加される。LD5のバイアス電
流はコンデンサ伺の充’It電圧の上昇に伴って順次増
加スルが、このバイアス電流の増大に伴ってLD5のバ
イアス光も増大する。バイアス光の増大に伴いPD6の
光検出電流はLD5のしきい値に対応した第1の参照信
号より大きくなる。すると、比較検出部8の出力信号は
II L IIから@H″′ζこ9ノ換わる。これによ
り、コンデンサ44に対する充電は停止され、LD5に
対するバイアス電流の増加はこの時点で停止される。こ
の結果、L D 50.)/−eイアスミ流はしきい値
に制御されるO ここで、このようなバイアス電流印加時にLD5の熱サ
グ現象が生じ、PD6の光検出信号が第1の参照信号よ
り小さくなった場合には、比較検出部8の出力信号が再
び@L”となってノ々イアス印加部4が動作し、LD5
のバイアス電流はしきい値に保持される。
信要求信号がバイアス印加部4に入力されることにより
、バイアス印加部4内においては、高速差動スイッチ4
2をオンとするバイアス信号制御用信号人と一方の高速
差動スイッチ43をオフとするバースト信号制御信号B
が形成される。これにより、高速差動スイッチ42はオ
ン、一方の高速差動スイッチ43はオフとされ、コンデ
ンサ44に対して充電が行われ、このコンデンサ44の
充4電圧によってトランジスタ45が制4Hされ、LD
5にノマイアス電流が印加される。LD5のバイアス電
流はコンデンサ伺の充’It電圧の上昇に伴って順次増
加スルが、このバイアス電流の増大に伴ってLD5のバ
イアス光も増大する。バイアス光の増大に伴いPD6の
光検出電流はLD5のしきい値に対応した第1の参照信
号より大きくなる。すると、比較検出部8の出力信号は
II L IIから@H″′ζこ9ノ換わる。これによ
り、コンデンサ44に対する充電は停止され、LD5に
対するバイアス電流の増加はこの時点で停止される。こ
の結果、L D 50.)/−eイアスミ流はしきい値
に制御されるO ここで、このようなバイアス電流印加時にLD5の熱サ
グ現象が生じ、PD6の光検出信号が第1の参照信号よ
り小さくなった場合には、比較検出部8の出力信号が再
び@L”となってノ々イアス印加部4が動作し、LD5
のバイアス電流はしきい値に保持される。
このように11.D5は送信要求信号の入力によりしき
い値にバイアスされる。その後、バースト信号がパルス
駆動部2を経てLD5に入力されると、LD5はバース
ト信号に対応して発光する。この場合、バースト信号は
バイアス印加部4からのバイアス信号に重畳してLD5
に印加される。
い値にバイアスされる。その後、バースト信号がパルス
駆動部2を経てLD5に入力されると、LD5はバース
ト信号に対応して発光する。この場合、バースト信号は
バイアス印加部4からのバイアス信号に重畳してLD5
に印加される。
一方、バースト信号の人力により参照信号発生部7は、
しきい値に対応した第1の参照信号にあわせてバースト
信号によるLD5の熱サグ現象が生じない場合の光出力
に対した第2の参照信号を出力するようになる。
しきい値に対応した第1の参照信号にあわせてバースト
信号によるLD5の熱サグ現象が生じない場合の光出力
に対した第2の参照信号を出力するようになる。
これにより、比較検出部8ではバースト光の検出信号(
!:第2の参照信号との比較が行われるようになり、L
D5の熱サグ現象により、バースト光出力が低下してく
ると、PD6による光検出信号が第2の参照信号より小
さくなるために比較検出部8.0)らは1L#の出力信
号が送出されるようになる。この結果、比較検出部8が
再び動作し、LD5に対するバイアス電流は熱サグ現象
により生じた光出力の減少分に応じて増加される。これ
により、LD5の熱サグ現象によるバースト光出力の低
ドが防止される。
!:第2の参照信号との比較が行われるようになり、L
D5の熱サグ現象により、バースト光出力が低下してく
ると、PD6による光検出信号が第2の参照信号より小
さくなるために比較検出部8.0)らは1L#の出力信
号が送出されるようになる。この結果、比較検出部8が
再び動作し、LD5に対するバイアス電流は熱サグ現象
により生じた光出力の減少分に応じて増加される。これ
により、LD5の熱サグ現象によるバースト光出力の低
ドが防止される。
ここで、比較検出部8から出力する”L’または@H″
の出力信号は、第2の参照信号とバースト光検出信号と
の偏差に比例したパルス幅の信号として出力するように
構成されている。これは、バースト光を一定にするため
の制御をさらに精度よく行うためである。すなわち、バ
ースト光検出信号と第2の参照信号との大小間係を単純
に比較し、第4図(b) ?ご示すような偏差信号を取
出し、この偏差信号の大きさが所定の基準値を越えてい
るか否かにより第4図(C)に示すようなバイアス制御
係号を作り、このバイアス制御係号によりLD5に印加
するバイアス電流を制御するようにした場合、バースト
光出力が僅かに小さい場合でもかなり大きい場合と同等
のバイアス電流が増加されるものとなり、バースト光出
力はフィードバックループの応答により第4図(d)に
示すように鋸歯状になってしまう。
の出力信号は、第2の参照信号とバースト光検出信号と
の偏差に比例したパルス幅の信号として出力するように
構成されている。これは、バースト光を一定にするため
の制御をさらに精度よく行うためである。すなわち、バ
ースト光検出信号と第2の参照信号との大小間係を単純
に比較し、第4図(b) ?ご示すような偏差信号を取
出し、この偏差信号の大きさが所定の基準値を越えてい
るか否かにより第4図(C)に示すようなバイアス制御
係号を作り、このバイアス制御係号によりLD5に印加
するバイアス電流を制御するようにした場合、バースト
光出力が僅かに小さい場合でもかなり大きい場合と同等
のバイアス電流が増加されるものとなり、バースト光出
力はフィードバックループの応答により第4図(d)に
示すように鋸歯状になってしまう。
これに対し、例えばバースト信号入力に同期して参照信
号発生部7から発生させる第2の参照信号を積分回路等
を通して積分したり、あるいはPD6に応答周波数が低
いものを用いるなどして、第2の参照イも号とバースト
光検出信号との偏差信号を第3図(C)に示すように両
者の偏差に比例したレベルを有する三角波状の信号とし
、この偏差信号を所定の基準レベルと比較することによ
り、第3図(d)に示すような偏差に比例したパルス幅
のバイアス制御信号をバースト信号入力の各パルス毎に
形成し、これによりLD13に対するバイアス電流の増
減を制御するようにすれば、第3図(g)に示すように
一定のバースト光出力が得られるようになる。すなわち
、初めのうちは熱サグ現象によるバースト光の減少に対
する補償を大きくし、第2の参照信号とバースト光出力
信号との偏差が少なくなるに従ってパルス幅の小さな出
力信号を比較検出部8から発生させ、この信号によって
バイアス印加部4のコンデンサIを充電する。これによ
り、LD6に印加されるバイアス電流は第3図(f)に
示すように変化するものとなり、バイアス電流のフィー
ドバック制御を行わない場合の第3図(e)に示すよう
なバースト光出力特性を加味すると、結果的に第3 I
I (g)に示すようtこピーク値が一定のバースト光
出力が得られるようになる。
号発生部7から発生させる第2の参照信号を積分回路等
を通して積分したり、あるいはPD6に応答周波数が低
いものを用いるなどして、第2の参照イも号とバースト
光検出信号との偏差信号を第3図(C)に示すように両
者の偏差に比例したレベルを有する三角波状の信号とし
、この偏差信号を所定の基準レベルと比較することによ
り、第3図(d)に示すような偏差に比例したパルス幅
のバイアス制御信号をバースト信号入力の各パルス毎に
形成し、これによりLD13に対するバイアス電流の増
減を制御するようにすれば、第3図(g)に示すように
一定のバースト光出力が得られるようになる。すなわち
、初めのうちは熱サグ現象によるバースト光の減少に対
する補償を大きくし、第2の参照信号とバースト光出力
信号との偏差が少なくなるに従ってパルス幅の小さな出
力信号を比較検出部8から発生させ、この信号によって
バイアス印加部4のコンデンサIを充電する。これによ
り、LD6に印加されるバイアス電流は第3図(f)に
示すように変化するものとなり、バイアス電流のフィー
ドバック制御を行わない場合の第3図(e)に示すよう
なバースト光出力特性を加味すると、結果的に第3 I
I (g)に示すようtこピーク値が一定のバースト光
出力が得られるようになる。
要約すれば、第2の参照信号とバースト光検出信号との
単なる大小比較によってバイアス電流を規定量だけ増減
するのでなく、第2の参照信号との偏差に比例したレベ
ルの三角波状の偏差信号を形成し、この偏差信号の大き
さに比例した期間だけバイアス信号制御用のコンデンサ
44を充電し、この充電電圧によってバイアス電流を制
御するものである。
単なる大小比較によってバイアス電流を規定量だけ増減
するのでなく、第2の参照信号との偏差に比例したレベ
ルの三角波状の偏差信号を形成し、この偏差信号の大き
さに比例した期間だけバイアス信号制御用のコンデンサ
44を充電し、この充電電圧によってバイアス電流を制
御するものである。
これにより、ピーク値が一定のバースト光出力を得るも
のである。
のである。
一方、この実施例においてバイアス印加部4はバイアス
電流を増加させる方向のみ動作する。このため、増減機
能を有する従来の負帰禮ループで問題となっていた発根
現象が生じず、極めて安定的にバイアス電流を制御する
ことができる。
電流を増加させる方向のみ動作する。このため、増減機
能を有する従来の負帰禮ループで問題となっていた発根
現象が生じず、極めて安定的にバイアス電流を制御する
ことができる。
なお、上述の実施例においては半導体レーザを用いた場
合を説明したが、発光ダイオードを用いた場合でも同様
に適用できるものである。
合を説明したが、発光ダイオードを用いた場合でも同様
に適用できるものである。
以上の説明から明らかなように本発明によれば、バース
ト光検出信号と参照信号との偏Mtζ比例した期間だけ
、半導体発光素子に対するバイアス電流を増加方向に制
御するようにしたため、バースト光検出信号と参照信号
との大小比較結果信号によりバイアス電流を制御する場
合に比べて高精度のバイアス電流制御を安定的に行うこ
とができ、ピーク値が一定のバースト光出力を得ること
ができる。
ト光検出信号と参照信号との偏Mtζ比例した期間だけ
、半導体発光素子に対するバイアス電流を増加方向に制
御するようにしたため、バースト光検出信号と参照信号
との大小比較結果信号によりバイアス電流を制御する場
合に比べて高精度のバイアス電流制御を安定的に行うこ
とができ、ピーク値が一定のバースト光出力を得ること
ができる。
第1図は本発明の一実施例を示すブロック図、第2図は
バイアス印加部の要部の構成を示す図、第3図は実施例
における各部の出力波形を示す図、第4図は従来方式に
よる問題点を説明するための波形図である。 1・・・バースト信号入力端子、2・・・パルス原動部
、3・・・送信要求信号入力端子、4・・・バイアス印
加部、−5・・・半導体発光素子、6・・・半導体光検
出素子、7・・・参照信号発生部、8・・・比較検出部
、40 、41・・・定電流源、42 、43・・・高
速差動スイッチ、44・・・バイアス信号制御用コンデ
ンサ、45・・・トランジスタ。 第1図 第2図 (d) 第3図
バイアス印加部の要部の構成を示す図、第3図は実施例
における各部の出力波形を示す図、第4図は従来方式に
よる問題点を説明するための波形図である。 1・・・バースト信号入力端子、2・・・パルス原動部
、3・・・送信要求信号入力端子、4・・・バイアス印
加部、−5・・・半導体発光素子、6・・・半導体光検
出素子、7・・・参照信号発生部、8・・・比較検出部
、40 、41・・・定電流源、42 、43・・・高
速差動スイッチ、44・・・バイアス信号制御用コンデ
ンサ、45・・・トランジスタ。 第1図 第2図 (d) 第3図
Claims (2)
- (1)半導体発光素子のバースト光出力の一部を半導体
光検出素子で検出し、該光検出信号と参照信号とを比較
し、前記光検出信号が前記参照信号に比べて小さいとき
は前記半導体発光素子のバイアス信号を増加させ、かつ
前記光検出信号が前記参照信号に比べて大きいときは前
記バイアス信号を一定値に保持することにより前記バー
スト光出力を安定化するバースト光出力安定化駆動方式
において、バースト光出力を発生させるためのバースト
信号の各パルズ毎に、前記参照信号と前記光検出信号と
の差に対応したレベルを有する三角波状の誤差信号を発
生させ、この誤差信号に基づき前記バイアス信号を制御
することを特徴とするバースト光出力安定化駆動方式。 - (2)参照信号はバースト光出力を発生させるためのバ
ースト信号ならびにバイアス信号に対応していることを
特徴とする特許請求の範囲第1項記載のバースト光出力
安定化駆動方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59004449A JPS60148182A (ja) | 1984-01-13 | 1984-01-13 | バ−スト光出力安定化駆動方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59004449A JPS60148182A (ja) | 1984-01-13 | 1984-01-13 | バ−スト光出力安定化駆動方式 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60148182A true JPS60148182A (ja) | 1985-08-05 |
| JPH0584073B2 JPH0584073B2 (ja) | 1993-11-30 |
Family
ID=11584484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59004449A Granted JPS60148182A (ja) | 1984-01-13 | 1984-01-13 | バ−スト光出力安定化駆動方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60148182A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008515218A (ja) * | 2005-01-06 | 2008-05-08 | インフラ−コム リミテッド | 通信ダイオード駆動回路 |
| JP2010245785A (ja) * | 2009-04-03 | 2010-10-28 | Ntt Electornics Corp | バースト光送信装置 |
-
1984
- 1984-01-13 JP JP59004449A patent/JPS60148182A/ja active Granted
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008515218A (ja) * | 2005-01-06 | 2008-05-08 | インフラ−コム リミテッド | 通信ダイオード駆動回路 |
| JP4755187B2 (ja) * | 2005-01-06 | 2011-08-24 | インフラ−コム リミテッド | 通信ダイオード駆動回路 |
| JP2010245785A (ja) * | 2009-04-03 | 2010-10-28 | Ntt Electornics Corp | バースト光送信装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0584073B2 (ja) | 1993-11-30 |
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