JPH0157731B2 - - Google Patents
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- JPH0157731B2 JPH0157731B2 JP11432882A JP11432882A JPH0157731B2 JP H0157731 B2 JPH0157731 B2 JP H0157731B2 JP 11432882 A JP11432882 A JP 11432882A JP 11432882 A JP11432882 A JP 11432882A JP H0157731 B2 JPH0157731 B2 JP H0157731B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- concentration
- self
- output
- temperature
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N27/00—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
- G01N27/02—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
- G01N27/04—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
- G01N27/12—Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid
- G01N27/122—Circuits particularly adapted therefor, e.g. linearising circuits
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- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Emergency Alarm Devices (AREA)
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Fluid Adsorption Or Reactions (AREA)
Description
この発明は自己発熱形のガス検出素子を用いた
ガス検出方法の改良に関し、とりわけ高濃度の汚
染雰囲気中で用いた場合の、自己発熱による素子
の劣化を防止し得るようにしたガス検出方法に関
する。 ここに自己発熱形のガス検出素子とは、Ｎ型金
属酸化物半導体のガス吸着による電気伝導度の変
化を用いたガス検出素子の中で、検出電流による
自己発熱が無視し得ないものを言う。 本発明者らは地下街等でのガス検出について検
討を行つた。その結果このような環境では、自己
発熱形の素子は徐々に低抵抗化しガスへの警報濃
度が低下すること、抵抗値の減少は水素やアルコ
ール等のガスに対して特に著しいことを見出し
た。 このような現象は自己発熱を抑制し、素子の加
熱温度を一定にした素子では生じない。しかし自
己発熱形の素子には多くの特徴がある。この素子
は常時は比較的低温に保たれ、ガスに触れると自
己発熱により自動的に昇温する。従つてメタンや
イソブタンのように高温で検出すべきガスを、熱
的劣化なしで検出できる。例えばSnO2系のフイ
ガロ技研株式会社製の＃109（＃109は商品名）セ
ンサの場合、通常の大気中での素子の温度は300
〜350℃であるのに対して、ガス中（メタン
4000ppm）では550℃に達する。つぎに自己発熱
形の素子は、高濃度のガス中で特に出力が大きく
なる。すなわち出力のガス濃度への依存性が高濃
度のガス中で急激に大きくなる、という特性があ
る。例えば前記の＃109センサでは、イソブタン
1000ppm中での素子の抵抗値は5.9KΩ、4000ppm
中では2.8KΩであるのに対して10000ppm中では
1.05KΩになる。この特性は警報レベルのガス中
で素子が最高加熱温度となり、かつその温度付近
でガス中での抵抗温度係数が正となるようにする
ことによつて得られる。ガス濃度が警報濃度より
大きくなると、素子の抵抗値は減少し自己発熱量
が減少する。素子の温度が下がると抵抗温度係数
が正のため、素子の抵抗値は低下し、温度低下と
抵抗値の減少との間の正のフイードバツクサイク
ルが生じる。このため本来の警報濃度での検出に
失販したとしても、実際に危険が生じるまでには
確実に警報が行われることになる。また自己発熱
形の素子はヒータによる加熱が不均一であつても
用いることができる。この理由は不明であるが、
長期間の実験を通じて既に確認されている性質で
ある。このように自己発熱形のガス検出素子には
多くの利点があり、我が国で用いられているガス
検出素子の大部分は自己発熱形のものである。 本発明者らは、地下街等の設置空間で素子が受
ける影響について検討した結果、以下の事実を確
認した。 素子の低抵抗化は自己発熱形の素子でのみ生
ずる。 低抵抗化が生ずる雰囲気中には多量の水素や
アルコールが含まれており、特に水素が多い。
またその濃度は500ppm以下である。 低抵抗化の程度は、雰囲気中の水素濃度と、
ガスへの接触時間との双方で定まり、かつ不可
逆な現象である。 低抵抗化には自己発熱による昇温が寄与して
おり、静浄大気中で印加電圧を増し自己発熱量
を人為的に増した場合にも生ずる。 結局このような問題は居住空間の汚染が予想外
に進行したことにより生じたもので、汚染の著し
い地下街からまず顕在化したものである。すなわ
ち自己発熱形のガス検出素子は、通常の雰囲気は
清浄で自己発熱は小さく、素子が不必要に過熱さ
れる恐れはないという考えを基本的な設計思想と
している。にもかかわらず環境の汚染が予想外に
著しいため素子が常時過熱されるという状況が生
じたのである。本発明はこのような問題の解決を
目的とする。 本発明の方法は、自己発熱形のガス検出素子の
電気伝導度からガス濃度を検出し、所定濃度以上
のガスが存在する場合には警報し、それ以下の濃
度のガスが存在する場合には一定の遅延時間の経
過後素子の温度を低下せしめて素子の劣化を防止
するようにしたものである。 第１図に実施例についてのフローチヤートを示
す。実施例についての数値条件を第１表に示す。 第 １ 表 事 項 内 容 自己発熱形 フイガロ技研社製＃109ガスガス検出素子 センサ負荷抵抗 3.5KΩヒータ電圧 1.1V固定ヒータ電圧530ｍ watt回路電圧 素子と負荷抵抗の直列片に印加、
100Vまたは50V自己発熱量 静浄大気中約100ｍ watt、ガス
中最高715ｍ watt警報濃度 メタン4000ppm、水素
5000ppm、イソブタン2000ppm、素
子抵抗4KΩ以下で警報 素子温度 静浄大気中 300〜350℃ ガス中最高 550℃ 電源を投入して検出を開始すると、素子はまず
通常の使用条件（回路電圧（Vc）を100V、ヒー
タ電圧（VH）を1.1V素子温度は静浄大気中で
300〜350℃）におかれる。ついで素子の電気伝導
度（σS）からガス濃度を検出し、σSが0.25ｍ以
上で警報を発する。この時のガス濃度はメタンの
場合で4000ppm、イソブタンで2000ppm、水素で
5000ppmにあたり、素子は550℃まで加熱される。
ガス濃度が警報濃度以下に低下すると、警報を停
止する。 素子が警報濃度以下のガスに触れると、すなわ
ちσSが0.031ｍ（Ａレベル）以上で0.122ｍ
（Ｂレベル）以下となると（これは水素として
50ppm以上1000ppm以下に当る。）、２分程度の遅
延時間T1の間はそのまま検出を続け、その間に
ガス濃度が警報濃度まで達しない場合は、雰囲気
の汚染と判断して、回路電圧を50Vまで低下さ
せ、検出を停止する。この場合の自己発熱量は最
大で180ｍ wattにすぎず、素子の温度は380℃
以上となる。ついで10分程度の時間T2の間、こ
の状態を保つた後、通常の使用条件（Vc＝
100V）に戻す。 この場合にＢレベルは、環境の汚染度に応じて
決定し、500ppmの水素中での電気伝導度よりも
大きくする。また遅延時間T1は、素子の温度変
化に対する過渡特性を考慮するものとし、少くと
も10秒以上とする。素子の温度を下げる時間T2
の間は、検出が停止するので、長くとも30分とす
る。T1をT2にくらべてできる限り小さくし、素
子の劣化をさける。さらにここではVcを小さく
することにより素子温度を低下させたが、Vcに
代えてVHを小さくしても良い。また回路を単純
化するためには、ＢレベルをＣレベルと一致さ
せ、さらにＡレベルを廃止しても良い。 第１図の実施例に対する回路例を第２図に示
す。 図において１は交流電源（A.C.100V）で、ト
ランスと平滑回路とを用いて、ヒータ用の交流電
源VH（1.1VAC）と制御回路用直流電源（Vcc.＋
5V）とを取りだす。交流電源１に半波整流回路
を介して直流定電圧回路２を接続し、その出力を
自己発熱形のガスセンサ３と負荷抵抗Ｒ１，
3.5KΩの直列片に印加する。なお定電圧回路２の
出力は、トランジスタTr１が導通している場合
には100V、非導通の場合には50Vになるように
回路定数を決定する。負荷抵抗Ｒ１への印加電圧
を３つのコンパレータＣ１，Ｃ２，Ｃ３により検
出する。コンパレータＣ１は、警報濃度以下のガ
スが存在するか否かを検出するもので、その出力
によりブザー４を作動させる。コンパレータＣ
２，Ｃ３は雰囲気の汚染度を検出するためのもの
である。コンパレータＣ２，Ｃ３の出力をそれぞ
れアンド素子５の入力端子に接続し、その出力を
ノアー素子６の一方の入力に接続する。ノアー素
子６の他の入力端子には、通常の出力がローレベ
ルのノアー素子７を接続する。そしてノアー素子
６の出力をオアー素子８の入力に接続する。オア
ー素子８の他の入力端は通常は出力が０のワンシ
ヨツトフリツプフロツプ回路９を接続する。オア
ー素子８の出力端ＳをFETトランジスタ１０の
ゲートに接続し、トランジスタ１０のソースを動
作時間が２分のCRタイマーＴ１に接続する。CR
タイマーＴ１にコンパレータＣ４を接続し、コン
パレータＣ４の出力側に動作時間が10分のCRタ
イマーＴ２を接続する。CRタイマーＴ２にはコ
ンパレータＣ５を接続する。コンパレータＣ４と
コンパレータＣ５の出力をそれぞれナンド素子１
１に入力する。またリセツトセツトフリツプフロ
ツプ回路１２のセツト入力にコンパレータＣ４の
出力を、リセツト入力にナンド素子１１の出力を
接続する。ノアー素子７の入力にコンパレータＣ
５の出力とリセツトセツトフリツプフロツプ回路
１２の出力とを接続する。またコンパレータＣ５
の出力をワンシヨツトフリツプフロツプ回路９へ
入力し、ノアー素子７の出力を、バツフアー１３
の出力端Ｔを介して、トランジスタTr１のベー
スへ接続する。 この回路は次のように動作する。 電源を投入すると、素子３のヒータには、
1.1Vの交流電圧が、素子３と負荷抵抗Ｒ１の直
列片には直流100Vの電圧が加えられる。雰囲気
中のガス濃度が警報濃度を越えると、コンパレー
タＣ１によりブザー４が動作する。雰囲気が汚染
されており、コンパレータＣ２およびコンパレー
タＣ３で定まる濃度の間にある時はアンド素子５
の出力がハイレベルとなり、ノアー素子６の出力
がローレベルとなる。これによりオアー素子８の
出力もローレベルとなり、FET１０が非導通状
態になり、CRタイマーＴ１が動作しはじめる。
CRタイマーＴ１が充電すると、コンパレータＣ
４の出力がハイレベルとなり、リセツトセツトフ
リツプフロツプ回路１２の出力が０となり、ノア
ー素子７の出力がハイレベルに反転し、バツフア
ー１３を介して、トランジスタTr１が非導通状
態になる。これによつて素子３と負荷抵抗Ｒ１へ
の印加電圧は50Vまで低下する。コンパレータＣ
４の出力がハイレベルとなると、CRタイマーＴ
２が作動しはじめ、CRタイマーＴ２の充電後は
コンパレータＣ５の出力がハイレベルとなる。こ
れによつてナンド素子１１の出力がローレベルと
なり、リセツトセツトフリツプフロツプ回路１２
がリセツトされる。これによつて、ノアー素子７
およびバツフアー１３を介して、トランジスタ
Tr１が再び導通し、素子３と負荷抵抗Ｒ１とへ
の印加電圧は再び100Vとなる。一方コンパレー
タＣ５の出力がハイレベルとなるとワンシヨツト
フリツプフロツプ回路９が動作し、オアー素子８
を介してFETトランジスタ１０が導通し、CRタ
イマーＴ１，Ｔ２が放電する。このようにして回
路の動作状態は最初のものに戻る。 この実施例による試験結果を以下に示す。試験
は500ppmの水素中で素子を２週間連続して通電
した際の、警報濃度の変化を調べることによつて
行つた。比較例として、回路電圧をガス濃度によ
らず100Vとした他は、実施例と同様にしたもの
を用いた。 結果を第２表に示す。
ガス検出方法の改良に関し、とりわけ高濃度の汚
染雰囲気中で用いた場合の、自己発熱による素子
の劣化を防止し得るようにしたガス検出方法に関
する。 ここに自己発熱形のガス検出素子とは、Ｎ型金
属酸化物半導体のガス吸着による電気伝導度の変
化を用いたガス検出素子の中で、検出電流による
自己発熱が無視し得ないものを言う。 本発明者らは地下街等でのガス検出について検
討を行つた。その結果このような環境では、自己
発熱形の素子は徐々に低抵抗化しガスへの警報濃
度が低下すること、抵抗値の減少は水素やアルコ
ール等のガスに対して特に著しいことを見出し
た。 このような現象は自己発熱を抑制し、素子の加
熱温度を一定にした素子では生じない。しかし自
己発熱形の素子には多くの特徴がある。この素子
は常時は比較的低温に保たれ、ガスに触れると自
己発熱により自動的に昇温する。従つてメタンや
イソブタンのように高温で検出すべきガスを、熱
的劣化なしで検出できる。例えばSnO2系のフイ
ガロ技研株式会社製の＃109（＃109は商品名）セ
ンサの場合、通常の大気中での素子の温度は300
〜350℃であるのに対して、ガス中（メタン
4000ppm）では550℃に達する。つぎに自己発熱
形の素子は、高濃度のガス中で特に出力が大きく
なる。すなわち出力のガス濃度への依存性が高濃
度のガス中で急激に大きくなる、という特性があ
る。例えば前記の＃109センサでは、イソブタン
1000ppm中での素子の抵抗値は5.9KΩ、4000ppm
中では2.8KΩであるのに対して10000ppm中では
1.05KΩになる。この特性は警報レベルのガス中
で素子が最高加熱温度となり、かつその温度付近
でガス中での抵抗温度係数が正となるようにする
ことによつて得られる。ガス濃度が警報濃度より
大きくなると、素子の抵抗値は減少し自己発熱量
が減少する。素子の温度が下がると抵抗温度係数
が正のため、素子の抵抗値は低下し、温度低下と
抵抗値の減少との間の正のフイードバツクサイク
ルが生じる。このため本来の警報濃度での検出に
失販したとしても、実際に危険が生じるまでには
確実に警報が行われることになる。また自己発熱
形の素子はヒータによる加熱が不均一であつても
用いることができる。この理由は不明であるが、
長期間の実験を通じて既に確認されている性質で
ある。このように自己発熱形のガス検出素子には
多くの利点があり、我が国で用いられているガス
検出素子の大部分は自己発熱形のものである。 本発明者らは、地下街等の設置空間で素子が受
ける影響について検討した結果、以下の事実を確
認した。 素子の低抵抗化は自己発熱形の素子でのみ生
ずる。 低抵抗化が生ずる雰囲気中には多量の水素や
アルコールが含まれており、特に水素が多い。
またその濃度は500ppm以下である。 低抵抗化の程度は、雰囲気中の水素濃度と、
ガスへの接触時間との双方で定まり、かつ不可
逆な現象である。 低抵抗化には自己発熱による昇温が寄与して
おり、静浄大気中で印加電圧を増し自己発熱量
を人為的に増した場合にも生ずる。 結局このような問題は居住空間の汚染が予想外
に進行したことにより生じたもので、汚染の著し
い地下街からまず顕在化したものである。すなわ
ち自己発熱形のガス検出素子は、通常の雰囲気は
清浄で自己発熱は小さく、素子が不必要に過熱さ
れる恐れはないという考えを基本的な設計思想と
している。にもかかわらず環境の汚染が予想外に
著しいため素子が常時過熱されるという状況が生
じたのである。本発明はこのような問題の解決を
目的とする。 本発明の方法は、自己発熱形のガス検出素子の
電気伝導度からガス濃度を検出し、所定濃度以上
のガスが存在する場合には警報し、それ以下の濃
度のガスが存在する場合には一定の遅延時間の経
過後素子の温度を低下せしめて素子の劣化を防止
するようにしたものである。 第１図に実施例についてのフローチヤートを示
す。実施例についての数値条件を第１表に示す。 第 １ 表 事 項 内 容 自己発熱形 フイガロ技研社製＃109ガスガス検出素子 センサ負荷抵抗 3.5KΩヒータ電圧 1.1V固定ヒータ電圧530ｍ watt回路電圧 素子と負荷抵抗の直列片に印加、
100Vまたは50V自己発熱量 静浄大気中約100ｍ watt、ガス
中最高715ｍ watt警報濃度 メタン4000ppm、水素
5000ppm、イソブタン2000ppm、素
子抵抗4KΩ以下で警報 素子温度 静浄大気中 300〜350℃ ガス中最高 550℃ 電源を投入して検出を開始すると、素子はまず
通常の使用条件（回路電圧（Vc）を100V、ヒー
タ電圧（VH）を1.1V素子温度は静浄大気中で
300〜350℃）におかれる。ついで素子の電気伝導
度（σS）からガス濃度を検出し、σSが0.25ｍ以
上で警報を発する。この時のガス濃度はメタンの
場合で4000ppm、イソブタンで2000ppm、水素で
5000ppmにあたり、素子は550℃まで加熱される。
ガス濃度が警報濃度以下に低下すると、警報を停
止する。 素子が警報濃度以下のガスに触れると、すなわ
ちσSが0.031ｍ（Ａレベル）以上で0.122ｍ
（Ｂレベル）以下となると（これは水素として
50ppm以上1000ppm以下に当る。）、２分程度の遅
延時間T1の間はそのまま検出を続け、その間に
ガス濃度が警報濃度まで達しない場合は、雰囲気
の汚染と判断して、回路電圧を50Vまで低下さ
せ、検出を停止する。この場合の自己発熱量は最
大で180ｍ wattにすぎず、素子の温度は380℃
以上となる。ついで10分程度の時間T2の間、こ
の状態を保つた後、通常の使用条件（Vc＝
100V）に戻す。 この場合にＢレベルは、環境の汚染度に応じて
決定し、500ppmの水素中での電気伝導度よりも
大きくする。また遅延時間T1は、素子の温度変
化に対する過渡特性を考慮するものとし、少くと
も10秒以上とする。素子の温度を下げる時間T2
の間は、検出が停止するので、長くとも30分とす
る。T1をT2にくらべてできる限り小さくし、素
子の劣化をさける。さらにここではVcを小さく
することにより素子温度を低下させたが、Vcに
代えてVHを小さくしても良い。また回路を単純
化するためには、ＢレベルをＣレベルと一致さ
せ、さらにＡレベルを廃止しても良い。 第１図の実施例に対する回路例を第２図に示
す。 図において１は交流電源（A.C.100V）で、ト
ランスと平滑回路とを用いて、ヒータ用の交流電
源VH（1.1VAC）と制御回路用直流電源（Vcc.＋
5V）とを取りだす。交流電源１に半波整流回路
を介して直流定電圧回路２を接続し、その出力を
自己発熱形のガスセンサ３と負荷抵抗Ｒ１，
3.5KΩの直列片に印加する。なお定電圧回路２の
出力は、トランジスタTr１が導通している場合
には100V、非導通の場合には50Vになるように
回路定数を決定する。負荷抵抗Ｒ１への印加電圧
を３つのコンパレータＣ１，Ｃ２，Ｃ３により検
出する。コンパレータＣ１は、警報濃度以下のガ
スが存在するか否かを検出するもので、その出力
によりブザー４を作動させる。コンパレータＣ
２，Ｃ３は雰囲気の汚染度を検出するためのもの
である。コンパレータＣ２，Ｃ３の出力をそれぞ
れアンド素子５の入力端子に接続し、その出力を
ノアー素子６の一方の入力に接続する。ノアー素
子６の他の入力端子には、通常の出力がローレベ
ルのノアー素子７を接続する。そしてノアー素子
６の出力をオアー素子８の入力に接続する。オア
ー素子８の他の入力端は通常は出力が０のワンシ
ヨツトフリツプフロツプ回路９を接続する。オア
ー素子８の出力端ＳをFETトランジスタ１０の
ゲートに接続し、トランジスタ１０のソースを動
作時間が２分のCRタイマーＴ１に接続する。CR
タイマーＴ１にコンパレータＣ４を接続し、コン
パレータＣ４の出力側に動作時間が10分のCRタ
イマーＴ２を接続する。CRタイマーＴ２にはコ
ンパレータＣ５を接続する。コンパレータＣ４と
コンパレータＣ５の出力をそれぞれナンド素子１
１に入力する。またリセツトセツトフリツプフロ
ツプ回路１２のセツト入力にコンパレータＣ４の
出力を、リセツト入力にナンド素子１１の出力を
接続する。ノアー素子７の入力にコンパレータＣ
５の出力とリセツトセツトフリツプフロツプ回路
１２の出力とを接続する。またコンパレータＣ５
の出力をワンシヨツトフリツプフロツプ回路９へ
入力し、ノアー素子７の出力を、バツフアー１３
の出力端Ｔを介して、トランジスタTr１のベー
スへ接続する。 この回路は次のように動作する。 電源を投入すると、素子３のヒータには、
1.1Vの交流電圧が、素子３と負荷抵抗Ｒ１の直
列片には直流100Vの電圧が加えられる。雰囲気
中のガス濃度が警報濃度を越えると、コンパレー
タＣ１によりブザー４が動作する。雰囲気が汚染
されており、コンパレータＣ２およびコンパレー
タＣ３で定まる濃度の間にある時はアンド素子５
の出力がハイレベルとなり、ノアー素子６の出力
がローレベルとなる。これによりオアー素子８の
出力もローレベルとなり、FET１０が非導通状
態になり、CRタイマーＴ１が動作しはじめる。
CRタイマーＴ１が充電すると、コンパレータＣ
４の出力がハイレベルとなり、リセツトセツトフ
リツプフロツプ回路１２の出力が０となり、ノア
ー素子７の出力がハイレベルに反転し、バツフア
ー１３を介して、トランジスタTr１が非導通状
態になる。これによつて素子３と負荷抵抗Ｒ１へ
の印加電圧は50Vまで低下する。コンパレータＣ
４の出力がハイレベルとなると、CRタイマーＴ
２が作動しはじめ、CRタイマーＴ２の充電後は
コンパレータＣ５の出力がハイレベルとなる。こ
れによつてナンド素子１１の出力がローレベルと
なり、リセツトセツトフリツプフロツプ回路１２
がリセツトされる。これによつて、ノアー素子７
およびバツフアー１３を介して、トランジスタ
Tr１が再び導通し、素子３と負荷抵抗Ｒ１とへ
の印加電圧は再び100Vとなる。一方コンパレー
タＣ５の出力がハイレベルとなるとワンシヨツト
フリツプフロツプ回路９が動作し、オアー素子８
を介してFETトランジスタ１０が導通し、CRタ
イマーＴ１，Ｔ２が放電する。このようにして回
路の動作状態は最初のものに戻る。 この実施例による試験結果を以下に示す。試験
は500ppmの水素中で素子を２週間連続して通電
した際の、警報濃度の変化を調べることによつて
行つた。比較例として、回路電圧をガス濃度によ
らず100Vとした他は、実施例と同様にしたもの
を用いた。 結果を第２表に示す。
【表】
以上に説明したように、この発明の方法によれ
ば汚染した雰囲気中での使用による自己発熱形の
ガス検出素子の劣化を防止できる。
ば汚染した雰囲気中での使用による自己発熱形の
ガス検出素子の劣化を防止できる。
第１図は実施例の方法でのフローチヤートを示
し、第２図は第１図の実施例を具体化した回路例
を示すものである。 １…交流電源、２…直流定電回路、３…自己発
熱形ガス検出素子、４…負荷抵抗、Ｔ１，Ｔ２…
タイマー、Tr１…トランジスタ。
し、第２図は第１図の実施例を具体化した回路例
を示すものである。 １…交流電源、２…直流定電回路、３…自己発
熱形ガス検出素子、４…負荷抵抗、Ｔ１，Ｔ２…
タイマー、Tr１…トランジスタ。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ Ｎ型金属酸化物半導体を利用したガス検出素
子を、ヒータ電力と検出電流による自己発熱とに
より加熱し、ガスへの接触時に素子の温度を自動
的に昇温させ、かつ前記ガス検出素子の電気伝導
度からガスを検出して警報するようにした方法に
おいて、 警報濃度以下のガスの存在を検出した場合に遅
延時間をおいてその後ガス検出素子の温度を所定
時間低下せしめ、低濃度のガスの存在によるガス
検出素子の劣化を防止するようにしたことを特徴
とするガス検出方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11432882A JPS593344A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | ガス検出方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11432882A JPS593344A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | ガス検出方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS593344A JPS593344A (ja) | 1984-01-10 |
| JPH0157731B2 true JPH0157731B2 (ja) | 1989-12-07 |
Family
ID=14635067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11432882A Granted JPS593344A (ja) | 1982-06-30 | 1982-06-30 | ガス検出方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS593344A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007010326A (ja) * | 2005-06-28 | 2007-01-18 | Futaba Electronics:Kk | 匂い測定装置と匂い測定方法 |
-
1982
- 1982-06-30 JP JP11432882A patent/JPS593344A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS593344A (ja) | 1984-01-10 |
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