JPH0157822U - - Google Patents

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JPH0157822U
JPH0157822U JP15352387U JP15352387U JPH0157822U JP H0157822 U JPH0157822 U JP H0157822U JP 15352387 U JP15352387 U JP 15352387U JP 15352387 U JP15352387 U JP 15352387U JP H0157822 U JPH0157822 U JP H0157822U
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JP
Japan
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input
channel mos
input terminal
power supply
transistor
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JP15352387U
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【図面の簡単な説明】
第１図はこの発明の一実施例による半導体集積
回路装置の回路図、第２図は従来の半導体集積回
路装置の回路図である。 図において、１は入力端子、２はＰチヤネルＭ
ＯＳトランジスタ８およびｎチヤネルＭＯＳトラ
ンジスタ９からなるインバータの出力端子、３お
よび４は入力クランプダイオード、５，７，９は
ｎチヤネルＭＯＳトランジスタ、６，８はＰチヤ
ネルＭＯＳトランジスタ、１０は抵抗、１１は電
源端子（第一電源）、１２はＧＮＤ端子（第二電
源）である。なお、図中、同一符号は同一、また
は相当部分を示す。

Claims (1)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 入力端子と入力トランジスタのゲートとの間に
    ｎチヤネルＭＯＳトランジスタと抵抗成分を直列
    に接続しこのｎチヤネルＭＯＳトランジスタはド
    レインを入力端子、ソースおよびバルクを上記抵
    抗成分の一端、ゲートを第一電源にそれぞれ接続
    し、第１の入力クランプダイオードはカソードを
    第一電源に、アノードを上記ｎチヤネルＭＯＳト
    ランジスタのソースに接続し、第２の入力クラン
    プダイオードはカソードを入力端子、アノードを
    第２電源に接続し、入力端子に印加される信号と
    同相の信号を出力する入力次段のトランジスタの
    出力は上記ｎチヤネルＭＯＳのソースに接続した
    ことを特徴とする半導体集積回路装置。
JP15352387U 1987-10-07 1987-10-07 Pending JPH0157822U (ja)

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JP15352387U JPH0157822U (ja) 1987-10-07 1987-10-07

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JPH0157822U true JPH0157822U (ja) 1989-04-11

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JP (1) JPH0157822U (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07326958A (ja) * 1994-05-31 1995-12-12 Nec Corp 半導体集積回路装置
JP2009284463A (ja) * 2008-01-14 2009-12-03 Exar Corp 単一電圧源ｃｍｏｓのための自動検出入力回路

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07326958A (ja) * 1994-05-31 1995-12-12 Nec Corp 半導体集積回路装置
JP2009284463A (ja) * 2008-01-14 2009-12-03 Exar Corp 単一電圧源ｃｍｏｓのための自動検出入力回路

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