JPH0157897B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0157897B2 JPH0157897B2 JP5872882A JP5872882A JPH0157897B2 JP H0157897 B2 JPH0157897 B2 JP H0157897B2 JP 5872882 A JP5872882 A JP 5872882A JP 5872882 A JP5872882 A JP 5872882A JP H0157897 B2 JPH0157897 B2 JP H0157897B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- temperature
- layer
- alloy
- photoconductive layer
- selenium
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はトナーの転写性、転写紙の分離性およ
びクリーニング性の良好な光導電層を有する電子
写真用感光体の製造方法に関する。
びクリーニング性の良好な光導電層を有する電子
写真用感光体の製造方法に関する。
電子写真用感光体は、光導電層表面の帯電、露
光工程による画像形成後の現像、転写工程による
画像形成に使用される。この一連の工程終了後な
お光導電層に残つている電荷を除去する工程と、
光導電層表面上に画像形成に供されないで残留す
るトナーを除去するクリーニング工程が含まれ
る。クリーニング性の良否は次の画像形成の際に
高品質の画像が得られるかどうかを左右するの
で、クリーニング性のすぐれた光導電層が要求さ
れる。従来の電子写真用感光体では、画像形成特
性あるいは信頼性等の点から光導電層表面は平滑
でなければならないとされ、光沢を有する鏡面と
して形成されていた。しかしこのような光導電層
は転写紙あるいはトナーとの付着力が大きく、転
写性、転写紙の分離性、トナーのクリーニング性
等が損われる欠点があつた。このため残留トナー
除去のために光導電層表面に過度の力をかける機
械的トナー除去装置が使用され、その結果光導電
層表面を損傷するなど感光体の寿命を低下させ、
画質低下を招く一因となつていた。最近、このよ
うな欠点に対し光導電層の表面を適度に粗くする
方が有効であることがわかつてきた。
光工程による画像形成後の現像、転写工程による
画像形成に使用される。この一連の工程終了後な
お光導電層に残つている電荷を除去する工程と、
光導電層表面上に画像形成に供されないで残留す
るトナーを除去するクリーニング工程が含まれ
る。クリーニング性の良否は次の画像形成の際に
高品質の画像が得られるかどうかを左右するの
で、クリーニング性のすぐれた光導電層が要求さ
れる。従来の電子写真用感光体では、画像形成特
性あるいは信頼性等の点から光導電層表面は平滑
でなければならないとされ、光沢を有する鏡面と
して形成されていた。しかしこのような光導電層
は転写紙あるいはトナーとの付着力が大きく、転
写性、転写紙の分離性、トナーのクリーニング性
等が損われる欠点があつた。このため残留トナー
除去のために光導電層表面に過度の力をかける機
械的トナー除去装置が使用され、その結果光導電
層表面を損傷するなど感光体の寿命を低下させ、
画質低下を招く一因となつていた。最近、このよ
うな欠点に対し光導電層の表面を適度に粗くする
方が有効であることがわかつてきた。
本発明はこのような適度の粗面を有する光導電
層を備えた電子写真用感光体を容易に製造するこ
とができる方法を提供することを目的とする。
層を備えた電子写真用感光体を容易に製造するこ
とができる方法を提供することを目的とする。
この目的は、セレン系材料をその材料のガラス
転移温度付近より上の温度に保持した導電性基体
上に蒸着し、次いでその基体を25〜130℃に保持
してセレン−ひ素合金を蒸着することによつて達
成される。
転移温度付近より上の温度に保持した導電性基体
上に蒸着し、次いでその基体を25〜130℃に保持
してセレン−ひ素合金を蒸着することによつて達
成される。
一般にセレンあるいはセレン合金はガラス転移
温度(Tg)付近で粘性率が急変し、流動性が変
動する。すなわち、Tg付近より上の温度では流
動性が増大し、それより下では流動性が低減す
る。従つて真空蒸着法により感光体の光導電層を
セレン系材料で形成する際の基体温度により流動
性が変動し、温度がある程度低くなると基体表面
の性状に影響されずに蒸着層表面に微細な凹凸を
付与することができることが分かつた。しかし従
来の感光体のセレン系光導電層として多く用いら
れるセレーテルル合金はTgが低く、低温度基体
上への蒸着によつて粗面を形成しても、感光体と
して使用中の温度上昇により流動して表面が平滑
になつてしまう。これを避けるため本発明では表
面側の層をTgの高いSe−As合金により形成す
る。しかし基体上に直接低温蒸着層を被着すると
基体との付着性が充分でないので、基体上にはセ
レン系材料の蒸着層をそのガラス転移温度以上で
形成し、平滑な表面を形成したのち低温でSe−
As合金の表面層を形成する。このことにより、
低温蒸着層のみよりなる光導電層において交流除
電時に表面が負に帯電する現象も避けることがで
きた。
温度(Tg)付近で粘性率が急変し、流動性が変
動する。すなわち、Tg付近より上の温度では流
動性が増大し、それより下では流動性が低減す
る。従つて真空蒸着法により感光体の光導電層を
セレン系材料で形成する際の基体温度により流動
性が変動し、温度がある程度低くなると基体表面
の性状に影響されずに蒸着層表面に微細な凹凸を
付与することができることが分かつた。しかし従
来の感光体のセレン系光導電層として多く用いら
れるセレーテルル合金はTgが低く、低温度基体
上への蒸着によつて粗面を形成しても、感光体と
して使用中の温度上昇により流動して表面が平滑
になつてしまう。これを避けるため本発明では表
面側の層をTgの高いSe−As合金により形成す
る。しかし基体上に直接低温蒸着層を被着すると
基体との付着性が充分でないので、基体上にはセ
レン系材料の蒸着層をそのガラス転移温度以上で
形成し、平滑な表面を形成したのち低温でSe−
As合金の表面層を形成する。このことにより、
低温蒸着層のみよりなる光導電層において交流除
電時に表面が負に帯電する現象も避けることがで
きた。
以下図を引用して本発明の実施例について説明
する。第1図において導電性支持体1の上にSe
−As合金の高温蒸着層2、低温蒸着層3が積層
されている。支持体1は円筒状、シート状等のも
のが使用され、一面に導電処理をしたポリカーボ
ネート、ポリ塩化ビニール、ポリエチレン、ガラ
スなどの絶縁体も使用できる。導電材料として
は、例えばアルミニウム、鉄、銅などの金属ある
いは合金が使用される。蒸着層2は支持体1と障
壁層を介して被着されてもよい。障壁層は、例え
ばAl表面の酸化処理などで行われる。支持体1
の表面が図示のように粗面であつても、蒸着層2
はガラス転移温度以上の、例えばAs2Se3の場合
には180〜300℃、好適には200〜250℃の温度に加
熱された支持体1の上に流動性の大きい状態で数
10μmの厚さに設けられるので、支持体1の表面
性状に左右されずに平滑な表面を有する。この蒸
着層2が被着した支持体1を、続いて蒸着される
Se−As合金のガラス転移温度より低い25〜130℃
に、例えば100℃に保持して5μmの厚さに蒸着し
て表面側の蒸着層3を形成すると流動性が低いた
めに表面に島状あるいは粒状部が形成される。そ
の際、前述の支持体保持温度を選択することによ
り所望の表面粗度とすることができる。例えばそ
の合金がAs2Se3合金の場合ガラス転移温度は約
180℃なので、それより低い80〜100℃に支持体を
保持すると適切な表面粗度となる。ところが前記
25〜130℃の範囲外の、支持体の温度が25℃より
低温では次にする説明のように凹凸が大きく成り
過ぎて画像上の欠陥が生じ、130℃より高温にな
ると層表面の凹凸が0.1μm以下となつてしまうの
で、同様にこの発明の効果が得られない。付与さ
れる表面の凹凸としては0.1〜2μmの範囲が使用
でき、特に0.2〜1μmの範囲が望ましく、表面方
向では凹凸の寸法が使用トナーの粒径より小さい
ことが望ましい。これより凹凸が大きい場合はス
ポツト状の帯電むらが生じ、画像上の欠陥の原因
となる。また凹凸が0.1μmより小さいと、本発明
よる所望のクリーニング性の改善が得られない。
する。第1図において導電性支持体1の上にSe
−As合金の高温蒸着層2、低温蒸着層3が積層
されている。支持体1は円筒状、シート状等のも
のが使用され、一面に導電処理をしたポリカーボ
ネート、ポリ塩化ビニール、ポリエチレン、ガラ
スなどの絶縁体も使用できる。導電材料として
は、例えばアルミニウム、鉄、銅などの金属ある
いは合金が使用される。蒸着層2は支持体1と障
壁層を介して被着されてもよい。障壁層は、例え
ばAl表面の酸化処理などで行われる。支持体1
の表面が図示のように粗面であつても、蒸着層2
はガラス転移温度以上の、例えばAs2Se3の場合
には180〜300℃、好適には200〜250℃の温度に加
熱された支持体1の上に流動性の大きい状態で数
10μmの厚さに設けられるので、支持体1の表面
性状に左右されずに平滑な表面を有する。この蒸
着層2が被着した支持体1を、続いて蒸着される
Se−As合金のガラス転移温度より低い25〜130℃
に、例えば100℃に保持して5μmの厚さに蒸着し
て表面側の蒸着層3を形成すると流動性が低いた
めに表面に島状あるいは粒状部が形成される。そ
の際、前述の支持体保持温度を選択することによ
り所望の表面粗度とすることができる。例えばそ
の合金がAs2Se3合金の場合ガラス転移温度は約
180℃なので、それより低い80〜100℃に支持体を
保持すると適切な表面粗度となる。ところが前記
25〜130℃の範囲外の、支持体の温度が25℃より
低温では次にする説明のように凹凸が大きく成り
過ぎて画像上の欠陥が生じ、130℃より高温にな
ると層表面の凹凸が0.1μm以下となつてしまうの
で、同様にこの発明の効果が得られない。付与さ
れる表面の凹凸としては0.1〜2μmの範囲が使用
でき、特に0.2〜1μmの範囲が望ましく、表面方
向では凹凸の寸法が使用トナーの粒径より小さい
ことが望ましい。これより凹凸が大きい場合はス
ポツト状の帯電むらが生じ、画像上の欠陥の原因
となる。また凹凸が0.1μmより小さいと、本発明
よる所望のクリーニング性の改善が得られない。
支持体1の表面が第1図に示すような粗面でな
くて第2図に示すように平滑である場合にも同様
に高温蒸着層2、低温蒸着槽3を積層して所望の
表面粗度を得ることができる。
くて第2図に示すように平滑である場合にも同様
に高温蒸着層2、低温蒸着槽3を積層して所望の
表面粗度を得ることができる。
蒸着層2,3は同一真空室内で連続して形成す
ることも、あるいは蒸着層2を形成したのち、常
圧ふん囲気にさらし引つづき別の真空室へ移して
蒸着層3を形成することもできる。蒸着層2は
Se−As合金でなく、純SeあるいはSe−Te合金な
ど他のSe系材料をそれぞれのガラス転移温度以
上で蒸着して形成しててもよい。本発明により形
成された光導電層の電子写真特性は従来の平滑な
表面をもつ光導電層のそれに劣らないことが確か
められたが、各層に光導電特性改善の目的でCl、
I、S、Sb等の公知の物質を添加する事も可能
である。またAs−Se合金はAs2Se3の組成の化合
物であつてもよい。
ることも、あるいは蒸着層2を形成したのち、常
圧ふん囲気にさらし引つづき別の真空室へ移して
蒸着層3を形成することもできる。蒸着層2は
Se−As合金でなく、純SeあるいはSe−Te合金な
ど他のSe系材料をそれぞれのガラス転移温度以
上で蒸着して形成しててもよい。本発明により形
成された光導電層の電子写真特性は従来の平滑な
表面をもつ光導電層のそれに劣らないことが確か
められたが、各層に光導電特性改善の目的でCl、
I、S、Sb等の公知の物質を添加する事も可能
である。またAs−Se合金はAs2Se3の組成の化合
物であつてもよい。
本発明により光導電層表面に0.2〜0.4μmのほぼ
均一で微細な凹凸を有する感光体を製作し、この
感光体を市販の複写機に装着して繰返し画像試験
を行つた。比較のため、光導電体表面が光沢を持
つ平滑面である感光体を用いて同時に試験を行つ
た結果、平滑面を有する感光体においては2万枚
コピー後リフアイニングが必要となる程度に画像
上に汚れを生じたが、本発明に基づく感光体の場
合には2万枚コピー後も画質の低下が見られず、
クリーニング性の向上および光導電層表面の無損
傷が認められた。
均一で微細な凹凸を有する感光体を製作し、この
感光体を市販の複写機に装着して繰返し画像試験
を行つた。比較のため、光導電体表面が光沢を持
つ平滑面である感光体を用いて同時に試験を行つ
た結果、平滑面を有する感光体においては2万枚
コピー後リフアイニングが必要となる程度に画像
上に汚れを生じたが、本発明に基づく感光体の場
合には2万枚コピー後も画質の低下が見られず、
クリーニング性の向上および光導電層表面の無損
傷が認められた。
以上述べたように、本発明は真空蒸着時の基体
温度を高、低の二段にすることにより光導電層表
面を粗面化して転写性、転写紙の分離性、クリー
ニング性の向上をもたらすものであり、従来の装
置と従来の材料のみを用いて容易に実施でき、電
子写真特性の遜色のない光導電層を有する長寿命
の電子写真用感光体が得られ、複写機、プリンタ
などに極めて有効に適用できる。
温度を高、低の二段にすることにより光導電層表
面を粗面化して転写性、転写紙の分離性、クリー
ニング性の向上をもたらすものであり、従来の装
置と従来の材料のみを用いて容易に実施でき、電
子写真特性の遜色のない光導電層を有する長寿命
の電子写真用感光体が得られ、複写機、プリンタ
などに極めて有効に適用できる。
第1図は本発明の一実施例による電子写真用感
光体の断面図、第2図は別の実施例による感光体
の断面図である。 1:導電性基体、2:高温蒸着層、3:低温蒸
着層。
光体の断面図、第2図は別の実施例による感光体
の断面図である。 1:導電性基体、2:高温蒸着層、3:低温蒸
着層。
Claims (1)
- 1 セレン系材料をその材料のガラス転移温度以
上の温度に保持した導電性基体上に蒸着し、次い
でその基体をセレンひ素合金のガラス転移温度よ
り低い25〜130℃に保持して当該セレン−ひ素合
金を蒸着することを特徴とする電子写真用感光体
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5872882A JPS58174955A (ja) | 1982-04-08 | 1982-04-08 | 電子写真用感光体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5872882A JPS58174955A (ja) | 1982-04-08 | 1982-04-08 | 電子写真用感光体の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58174955A JPS58174955A (ja) | 1983-10-14 |
| JPH0157897B2 true JPH0157897B2 (ja) | 1989-12-07 |
Family
ID=13092558
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5872882A Granted JPS58174955A (ja) | 1982-04-08 | 1982-04-08 | 電子写真用感光体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58174955A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62163058A (ja) * | 1986-01-13 | 1987-07-18 | Canon Inc | 電子写真感光体 |
-
1982
- 1982-04-08 JP JP5872882A patent/JPS58174955A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58174955A (ja) | 1983-10-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US2886434A (en) | Protected photoconductive element and method of making same | |
| US4609605A (en) | Multi-layered imaging member comprising selenium and tellurium | |
| US4554230A (en) | Electrophotographic imaging member with interface layer | |
| US4430404A (en) | Electrophotographic photosensitive material having thin amorphous silicon protective layer | |
| JPH0157897B2 (ja) | ||
| US3697265A (en) | Vitreous selenium alloy matrix containing isolated particles and particle networks of resin | |
| JPH01219754A (ja) | 感光体 | |
| CA1197128A (en) | Electrophotographic recording material | |
| US4415642A (en) | Electrophotographic member of Se-Te-As with halogen | |
| JPS58174956A (ja) | 電子写真用感光体の製造方法 | |
| JPH0151182B2 (ja) | ||
| JPH0426107B2 (ja) | ||
| JP3011184B2 (ja) | 電子写真用セレン感光体 | |
| JPH021299B2 (ja) | ||
| JPH0217020B2 (ja) | ||
| JP2775477B2 (ja) | 電子写真用感光体 | |
| IL32250A (en) | Electrophotography | |
| JPH0216912B2 (ja) | ||
| US3684500A (en) | Method of forming permanent electrostatic image with two-layered photoreceptor | |
| JPH0661004B2 (ja) | 感光体 | |
| JPS5882250A (ja) | 電子写真用感光体 | |
| GB2069165A (en) | Electrophotogaphic record carrier | |
| JPS63282747A (ja) | 電子写真感光体 | |
| JPS58182641A (ja) | 電子写真用光導電体 | |
| JPS63170656A (ja) | 電子写真用感光体 |