JPH0159696B2 - - Google Patents
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- JPH0159696B2 JPH0159696B2 JP57041518A JP4151882A JPH0159696B2 JP H0159696 B2 JPH0159696 B2 JP H0159696B2 JP 57041518 A JP57041518 A JP 57041518A JP 4151882 A JP4151882 A JP 4151882A JP H0159696 B2 JPH0159696 B2 JP H0159696B2
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- Japan
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- crucible
- cesium
- ion source
- heating element
- wire
- Prior art date
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- Expired
Links
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 claims description 30
- TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N caesium atom Chemical compound [Cs] TVFDJXOCXUVLDH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- -1 cesium compound Chemical class 0.000 claims description 8
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 6
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 claims description 5
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 10
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 description 4
- NCMHKCKGHRPLCM-UHFFFAOYSA-N caesium(1+) Chemical compound [Cs+] NCMHKCKGHRPLCM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AIYUHDOJVYHVIT-UHFFFAOYSA-M caesium chloride Chemical compound [Cl-].[Cs+] AIYUHDOJVYHVIT-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BROHICCPQMHYFY-UHFFFAOYSA-N caesium chromate Chemical compound [Cs+].[Cs+].[O-][Cr]([O-])(=O)=O BROHICCPQMHYFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M caesium iodide Chemical compound [I-].[Cs+] XQPRBTXUXXVTKB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J27/00—Ion beam tubes
- H01J27/02—Ion sources; Ion guns
- H01J27/26—Ion sources; Ion guns using surface ionisation, e.g. field effect ion sources, thermionic ion sources
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、セシウム化合物を用いたイオン源に
関する。
関する。
液体金属によるイオン源は、イオン注入、イオ
ンビーム露光、イオンビーム加工用として、又、
走査イオン顕微鏡のイオンビーム発生源として用
いられる。このようなイオン源の1つにセシウム
を用いたセシウムイオン源がある。従来のセシウ
ムイオン源としては、金属セシウム蒸気を熱励起
によりイオン化する方式、金属セシウムを電界電
離によつてイオン化する方式、セシウム化合物よ
りセシウム蒸気をつくり、これを熱励起によつて
イオン化する方式等がある。しかし、これらの方
式は、何れも構成が複雑である。
ンビーム露光、イオンビーム加工用として、又、
走査イオン顕微鏡のイオンビーム発生源として用
いられる。このようなイオン源の1つにセシウム
を用いたセシウムイオン源がある。従来のセシウ
ムイオン源としては、金属セシウム蒸気を熱励起
によりイオン化する方式、金属セシウムを電界電
離によつてイオン化する方式、セシウム化合物よ
りセシウム蒸気をつくり、これを熱励起によつて
イオン化する方式等がある。しかし、これらの方
式は、何れも構成が複雑である。
本発明は、このような点に鑑みてなされたもの
で、融出した金属セシウムのみが浸透することの
できる材料で構成したるつぼを用いて極めて簡単
な構成のイオン源を実現したものである。
で、融出した金属セシウムのみが浸透することの
できる材料で構成したるつぼを用いて極めて簡単
な構成のイオン源を実現したものである。
以下、図面を参照して、本発明を詳細に説明す
る。
る。
図は、本発明の一実施例を示す断面図である。
図において、1は金属セシウムに対してのみ浸透
性を有する材料でつくられたるつぼである。該る
つぼ1は、図に示すようにパイプ状をなしてい
る。この材料としては、例えば、多孔質セラミツ
ク等が用いられる。2はるつぼ1を固定する支持
体、3はるつぼ1の内部に充填されたセシウム化
合物と還元剤とが適当な割合で混合された混合物
である。上記セシウム化合物としては、例えば、
塩化セシウム、ヨウ化セシウム、クロム酸セシウ
ム等が用いられる。一方、還元剤としては、例え
ば、カルシウム、タングステン、シリコン等が用
いられる。
図において、1は金属セシウムに対してのみ浸透
性を有する材料でつくられたるつぼである。該る
つぼ1は、図に示すようにパイプ状をなしてい
る。この材料としては、例えば、多孔質セラミツ
ク等が用いられる。2はるつぼ1を固定する支持
体、3はるつぼ1の内部に充填されたセシウム化
合物と還元剤とが適当な割合で混合された混合物
である。上記セシウム化合物としては、例えば、
塩化セシウム、ヨウ化セシウム、クロム酸セシウ
ム等が用いられる。一方、還元剤としては、例え
ば、カルシウム、タングステン、シリコン等が用
いられる。
4はるつぼ1の壁部外周に巻回された通電加熱
用のヒータ、5は該ヒータ4に外部から通電する
ための引出し端子である。図では、端子を1本し
か示していないが、2本で構成される。6はるつ
ぼ1の底部開口部に設けられた接栓、7はるつぼ
1をその内部に支持すると共に液体セシウムを取
出すための開口部をその底部に有する容器であ
る。8は容器7の底部開口部より落下する液体セ
シウムを貯留するリザーバ、9は該リザーバ8中
に貯留した液体セシウムである。又、10はリザ
ーバ8の底部に設けられた細孔より外に突き出し
たエミツタ電極用の針金である。該針金10とし
ては、例えばタングステンが用いられる。そし
て、図に示すイオン源は、真空中で動作するよう
になつている。
用のヒータ、5は該ヒータ4に外部から通電する
ための引出し端子である。図では、端子を1本し
か示していないが、2本で構成される。6はるつ
ぼ1の底部開口部に設けられた接栓、7はるつぼ
1をその内部に支持すると共に液体セシウムを取
出すための開口部をその底部に有する容器であ
る。8は容器7の底部開口部より落下する液体セ
シウムを貯留するリザーバ、9は該リザーバ8中
に貯留した液体セシウムである。又、10はリザ
ーバ8の底部に設けられた細孔より外に突き出し
たエミツタ電極用の針金である。該針金10とし
ては、例えばタングステンが用いられる。そし
て、図に示すイオン源は、真空中で動作するよう
になつている。
このように構成されたイオン源の動作を次に説
明する。
明する。
先ず、イオン源を駆動する前に大気中で接栓6
を外し、セシウム化合物と還元剤との混合物3を
るつぼ1内に詰め込む。しかる後、接栓6をはめ
込み、容器7に挿入する。ところで、このイオン
源の図に示す部分は全部真空槽内に電気的に絶縁
して置かれている。そこで、上述の作業終了後、
真空槽を真空排気する。これにより、容器7の内
部も、底部の開口を通じて排気される。真空槽内
が充分に排気された後、ヒータ4に通電し、るつ
ぼ1を加熱する。
を外し、セシウム化合物と還元剤との混合物3を
るつぼ1内に詰め込む。しかる後、接栓6をはめ
込み、容器7に挿入する。ところで、このイオン
源の図に示す部分は全部真空槽内に電気的に絶縁
して置かれている。そこで、上述の作業終了後、
真空槽を真空排気する。これにより、容器7の内
部も、底部の開口を通じて排気される。真空槽内
が充分に排気された後、ヒータ4に通電し、るつ
ぼ1を加熱する。
るつぼ1の内部が加熱されて、高温(例えば
800℃)になると、セシウム化合物と還元剤との
混合物が反応し、金属セシウムの蒸気を発生す
る。るつぼ1の壁部には、前述したようにセシウ
ムのみが通過できるような微細孔が設けられてい
るので、セシウム蒸気は、るつぼ1の壁部を透過
し、拡散する。容器7の内側壁面は、るつぼ1内
に比べて充分低い温度にあり、セシウム蒸気は、
この壁面で凝結し液体セシウムにかわる。尚、容
器7の内側壁面の温度をより低く維持するには、
熱輻射の大きい構造にするか、強制的冷却手段を
設けるようにすればよい。容器7の内側壁面にて
液化したセシウムは、壁面を伝わつて落下し、図
中矢印で示すように底部の開口より流出し、リザ
ーバ8内に移る。リザーバ8の底部には細孔があ
り、更にこの細孔を通して針金10が突き出てい
る。液体セシウムは、細孔の内壁と針金10との
間隙から少量ずつ針金の先端方向に向かつて流れ
るが、針金10の先端付近で表面張力とつり合う
ところで止まる。このような状態になつたところ
で、リザーバ8及び針金10とで構成されるエミ
ツタと、該エミツクと対向して設けられた引出し
電極(図示せず)との間に、エミツタ側を正極と
する高電圧を印加する。
800℃)になると、セシウム化合物と還元剤との
混合物が反応し、金属セシウムの蒸気を発生す
る。るつぼ1の壁部には、前述したようにセシウ
ムのみが通過できるような微細孔が設けられてい
るので、セシウム蒸気は、るつぼ1の壁部を透過
し、拡散する。容器7の内側壁面は、るつぼ1内
に比べて充分低い温度にあり、セシウム蒸気は、
この壁面で凝結し液体セシウムにかわる。尚、容
器7の内側壁面の温度をより低く維持するには、
熱輻射の大きい構造にするか、強制的冷却手段を
設けるようにすればよい。容器7の内側壁面にて
液化したセシウムは、壁面を伝わつて落下し、図
中矢印で示すように底部の開口より流出し、リザ
ーバ8内に移る。リザーバ8の底部には細孔があ
り、更にこの細孔を通して針金10が突き出てい
る。液体セシウムは、細孔の内壁と針金10との
間隙から少量ずつ針金の先端方向に向かつて流れ
るが、針金10の先端付近で表面張力とつり合う
ところで止まる。このような状態になつたところ
で、リザーバ8及び針金10とで構成されるエミ
ツタと、該エミツクと対向して設けられた引出し
電極(図示せず)との間に、エミツタ側を正極と
する高電圧を印加する。
これにより生じた高電界によつて、液体セシウ
ムは針金10の表面を流れ、針金10の先端部で
テーラーコーンを形成する。このテーラーコーン
の先端で、電界は更に強くなり、遂には液体のセ
シウムの蒸気化・イオン化を誘起する。このよう
にして発生したセシウムイオンは、エミツタと引
出し電極間の電界により加速され、イオンビーム
を形成する。従つて、極めて簡単な構成のセシウ
ムイオン源を実現できる。
ムは針金10の表面を流れ、針金10の先端部で
テーラーコーンを形成する。このテーラーコーン
の先端で、電界は更に強くなり、遂には液体のセ
シウムの蒸気化・イオン化を誘起する。このよう
にして発生したセシウムイオンは、エミツタと引
出し電極間の電界により加速され、イオンビーム
を形成する。従つて、極めて簡単な構成のセシウ
ムイオン源を実現できる。
尚、ヒータ4の代わりに、るつぼ1の壁部自体
を一定の抵抗を有する材料で構成し、るつぼ1自
体を通電加熱してもよい。このようにすれば、ヒ
ータ4が不要となり、更に構成が簡単になる。
又、容器7の内側壁面を冷却する手段を用いる場
合、該手段として、容器7の内側壁面に接触せし
めてその熱を吸収するような冷却棒を用いること
ができる。このような冷却棒を用いると、高価な
冷却装置が不要となる。更に容器7とリザーバ8
とを兼用する構造としても良い。
を一定の抵抗を有する材料で構成し、るつぼ1自
体を通電加熱してもよい。このようにすれば、ヒ
ータ4が不要となり、更に構成が簡単になる。
又、容器7の内側壁面を冷却する手段を用いる場
合、該手段として、容器7の内側壁面に接触せし
めてその熱を吸収するような冷却棒を用いること
ができる。このような冷却棒を用いると、高価な
冷却装置が不要となる。更に容器7とリザーバ8
とを兼用する構造としても良い。
以上詳細に説明したように、本発明では、融出
した金属セシウムのみが浸透できるるつぼを用い
たので、イオン源が極めて簡単な構成になる。
した金属セシウムのみが浸透できるるつぼを用い
たので、イオン源が極めて簡単な構成になる。
図は、本発明の一実施例を示す構成断面図であ
る。 1…るつぼ、2…支持体、3…混合物、4…ヒ
ータ、5…引き出し端子、6…接栓、7…容器、
8…リザーバ、9…液体セシウム、10…針金。
る。 1…るつぼ、2…支持体、3…混合物、4…ヒ
ータ、5…引き出し端子、6…接栓、7…容器、
8…リザーバ、9…液体セシウム、10…針金。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 内部にセシウム化合物と還元剤との混合物が
充填され壁部に融出金属セシウムの蒸気のみが浸
透し得る微細孔を有するパイプ状のるつぼと、該
るつぼ内の前記混合物を加熱するための発熱体
と、前記るつぼをその内部に支持すると共に金属
セシウム蒸気を凝結させるための壁面と、液化金
属セシウムを貯留し且つその一部を電界の印加さ
れる針金に供給するリザーバとから構成されたイ
オン源。 2 前記発熱体として、るつぼの壁部外周に沿つ
て巻回したヒータを用いたことを特徴とする特許
請求の範囲第1項記載のイオン源。 3 前記発熱体としてるつぼ自体を一定の抵抗を
有する材質で構成し該るつぼ自体を直接通電加熱
するようにしたことを特徴とする特許請求の範囲
第1項記載のイオン源。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57041518A JPS58158839A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | イオン源 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57041518A JPS58158839A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | イオン源 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58158839A JPS58158839A (ja) | 1983-09-21 |
| JPH0159696B2 true JPH0159696B2 (ja) | 1989-12-19 |
Family
ID=12610590
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57041518A Granted JPS58158839A (ja) | 1982-03-16 | 1982-03-16 | イオン源 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58158839A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0616383B2 (ja) * | 1984-04-11 | 1994-03-02 | 株式会社日立製作所 | イオンビーム形成方法および液体金属イオン源 |
| WO1987006389A1 (en) * | 1986-04-09 | 1987-10-22 | J.C. Schumacher Company | Semiconductor dopant vaporizer |
-
1982
- 1982-03-16 JP JP57041518A patent/JPS58158839A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58158839A (ja) | 1983-09-21 |
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