JPH0160895B2 - - Google Patents

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Publication number
JPH0160895B2
JPH0160895B2 JP55167487A JP16748780A JPH0160895B2 JP H0160895 B2 JPH0160895 B2 JP H0160895B2 JP 55167487 A JP55167487 A JP 55167487A JP 16748780 A JP16748780 A JP 16748780A JP H0160895 B2 JPH0160895 B2 JP H0160895B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
vacuum chamber
beryllium
extraction window
ray
present
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
JP55167487A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS5790857A (en
Inventor
Masahiro Okabe
Yasuo Furukawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
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Publication of JPS5790857A publication Critical patent/JPS5790857A/ja
Publication of JPH0160895B2 publication Critical patent/JPH0160895B2/ja
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J35/00—X-ray tubes
    • H01J35/02—Details
    • H01J35/16—Vessels; Containers; Shields associated therewith
    • H01J35/18—Windows
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2235/00—X-ray tubes
    • H01J2235/18—Windows, e.g. for X-ray transmission
    • H01J2235/183—Multi-layer structures

Landscapes

  • X-Ray Techniques (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明はＸ線照射装置に関する。
一般にＸ線照射装置は、第１図に示すように真
空チヤンバ１内において、電子銃２から電子をタ
ーゲツト４に当て、これによりターゲツト４から
Ｘ線（軟Ｘ線を含む）５を発生させ取出窓６から
真空チヤンバ１の外にＸ線を取り出している。
この取出窓６の材料は従来ベリリウム（Be）
が用いられていた。しかし、このベリリウムの取
出窓は軟Ｘ線により生成されるオゾンとベリリウ
ムが反応するために窓の寿命が短かい欠点があつ
た。
本発明は従来のこのような欠点を解決し、取出
窓の寿命を延ばすことを目的とする。
このような本発明の特徴は真空チヤンバ内に設
けられたＸ線発生手段と、該Ｘ線発生手段から発
生したＸ線を該真空チヤンバ外に取出すためのベ
リリウムの取出窓を具備したＸ線照射装置におい
て、該取出窓の該真空チヤンバ外側の表面に薄膜
形成技術により形成された保護膜を設けたことに
ある。
以下、図面を用いて本発明を説明する。
本発明は、取出窓の真空チヤンバの外方、即ち
大気側表面が直接大気に触れないように、第２図
に示すようにベリリウム板２１の表面にＸ線，大
気中の気体分子，Ｘ線により生成されるオゾン等
の物質と反応せず、かつＸ線の透過率の高いアル
ミニウム，炭素，シリコン等の保護膜２２を蒸
着，スパツタリング，イオンプレーテイング等の
方法により形成した。これにより取出窓としての
ベリリウム板の大気側表面が大気と直接接触しな
いのでベリリウムの反応は起こらず、取出窓の寿
命を延ばすことができる。
以上説明したように、本発明によれば取出窓の
劣化が防止され、寿命を延ばすことができる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明に関わるＸ線照射装置を示す
図、第２図は本発明の一実施例を示す図である。 １：真空チヤンバ、２：電子銃、４：ターゲツ
ト、５：Ｘ線、６：取出窓、２１：ベリリウム、
２２：保護膜。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. １ 真空チヤンバ内に設けられたＸ線発生手段
    と、該Ｘ線発生手段から発生したＸ線を該真空チ
    ヤンバ外に取出すためのベリリウムの取出窓を具
    備したＸ線照射装置において、該取出窓の該真空
    チヤンバ外側の表面に薄膜形成技術により形成さ
    れた保護膜を設けたことを特徴とするＸ線照射装
    置。
JP55167487A 1980-11-28 1980-11-28 X-ray radiation system Granted JPS5790857A (en)

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JP55167487A JPS5790857A (en) 1980-11-28 1980-11-28 X-ray radiation system

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JP55167487A JPS5790857A (en) 1980-11-28 1980-11-28 X-ray radiation system

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Publication Number Publication Date
JPS5790857A JPS5790857A (en) 1982-06-05
JPH0160895B2 true JPH0160895B2 (ja) 1989-12-26

Family

ID=15850586

Family Applications (1)

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JP55167487A Granted JPS5790857A (en) 1980-11-28 1980-11-28 X-ray radiation system

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JP (1) JPS5790857A (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH034455U (ja) * 1989-06-01 1991-01-17

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5730746Y2 (en) * 1977-03-31 1982-07-06 Tokyo Shibaura Electric Co.Ltd X-ray tube

Also Published As

Publication number Publication date
JPS5790857A (en) 1982-06-05

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