JPH0160967B2 - - Google Patents

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JPH0160967B2
JPH0160967B2 JP59256292A JP25629284A JPH0160967B2 JP H0160967 B2 JPH0160967 B2 JP H0160967B2 JP 59256292 A JP59256292 A JP 59256292A JP 25629284 A JP25629284 A JP 25629284A JP H0160967 B2 JPH0160967 B2 JP H0160967B2
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transistor
circuit
capacitor
resistor
capacitance
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JP59256292A
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Japanese (ja)
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Kazuo Takayama
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Denso Ten Ltd
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Denso Ten Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H11/00Networks using active elements
    • H03H11/46One-port networks
    • H03H11/48One-port networks simulating reactances
    • H03H11/481Simulating capacitances

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  • Networks Using Active Elements (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、回路の浮遊容量を打消して該容量に
よる悪影響をなくす等に利用できる負性容量回路
に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The present invention relates to a negative capacitance circuit that can be used to cancel stray capacitance in a circuit and eliminate the adverse effects of the capacitance.

ケーブルの線間または対地容量あるいは部品の
寄生容量など、電気または電子回路には必然的に
浮遊容量が付き、それが種々の悪影響を及ぼす場
合がある。例えば第1図に示すように回路の任意
の部分Pに浮遊容量Csがつくと、該部分の電源
側が同図aに示すように電圧源VSと直列インピ
ーダンスZ1で表わされる場合は該部分Pの電圧が
低下し、また同図bに示すように電流源CSで表
わされる場合は部分Pからの出力電流が減少し、
しかもその程度は周波数に依存する。電圧源がア
ンテナ、点Pは受信機入力端とすると、点Pの電
圧低下はS/Nの悪化をもたらし、好ましくな
い。浮遊容量Csと並列にインダクタンスを接続
して減衰を補うことも考えられるが、この場合は
容量CsとインダクタンスLの並列共振周波数附
近でないと有効でないという問題がある。もし負
性容量を実現することができれば同じ周波数特性
を持つから、該負性容量を浮遊容量と直列又は並
列に接続して広い周波数範囲に亘つて該浮遊容量
を打消し、その悪影響を除くことができる。
Electrical or electronic circuits inevitably have stray capacitance, such as interline or ground capacitance of cables or parasitic capacitance of components, which can have various adverse effects. For example, if a stray capacitance Cs is attached to an arbitrary part P of the circuit as shown in Figure 1, and the power supply side of that part is represented by a series impedance Z 1 with the voltage source VS as shown in Figure a, then the part P When the voltage of
Moreover, the degree depends on the frequency. Assuming that the voltage source is the antenna and the point P is the input terminal of the receiver, a voltage drop at the point P causes a deterioration of the S/N ratio, which is undesirable. It is also possible to connect an inductance in parallel with the stray capacitance Cs to compensate for the attenuation, but in this case there is a problem that it is not effective unless the parallel resonance frequency of the capacitance Cs and inductance L is around. If negative capacitance can be realized, it will have the same frequency characteristics, so connect the negative capacitance in series or parallel with the stray capacitance to cancel out the stray capacitance over a wide frequency range and eliminate its negative effects. Can be done.

周知のように容量Csのコンデンサのインピー
ダンスは−j1/ωCであるから負性容量−Cのイン ピーダンスZeはZe=j1/ωC又は−1/jωCであり、 位相関係はインダクタンスと同じで絶対値がイン
ダクタンスとは逆、コンデンサと同じ、で周波数
の増大と共に小さくなる。かゝる負性容量−Cを
浮遊容量Csと第1図cに示すように並列または
同図dに示すように直列にすると、合成インピー
ダンスは同図cのとき下式で表わされるZe1、同
図dのとき同じく下式で表わされるZe2となる。
As is well known, the impedance of a capacitor with capacitance Cs is -j1/ωC, so the impedance Ze of negative capacitance -C is Ze=j1/ωC or -1/jωC, and the phase relationship is the same as that of inductance, and the absolute value is It is the opposite of inductance and the same as a capacitor, and decreases as the frequency increases. When such negative capacitance -C is placed in parallel with stray capacitance Cs as shown in Figure 1 c or in series as shown in Figure 1 d, the combined impedance is Ze 1 expressed by the following formula at Figure 1 c, In the case of d in the figure, Ze 2 is also expressed by the following formula.

Ze1=1/jω(Cs−c) ……(1) Ze2=1/jω・C−Cs/CsC ……(2) Cs=Cにすると、(1)式つまり並列接続の場合
Ze1=∞になり、また(2)式つまり直列接続のとき
Ze2=0になり、浮遊容量がないのと同じになる。
Ze 1 = 1/jω(Cs-c) ……(1) Ze 2 = 1/jω・C-Cs/CsC ……(2) When Cs=C, equation (1), that is, in case of parallel connection
Ze 1 = ∞, and equation (2), that is, when connected in series
Ze 2 = 0, which is the same as there being no stray capacitance.

かゝる負性容量を実現する従来の負性容量回路
を、第2図に示す。この図でTr1,Tr2はnpnトラ
ンジスタ、Ceはコンデンサで、これらは図示の
如く接続される。この回路の動作を説明すると、
トランジスタTr1はエミツタホロワであり、Tr2
はベース接地であり、近似的にエミツタホロワの
出力インピーダンスは零で入力インピーダンスは
無限大、ベース接地の入力インピーダンスは零で
出力インピーダンスは無限大であるから、次のこ
とが言える。入力端a従つてトランジスタTr1
ベースにEなる電圧を与えると、トランジスタ
Tr1,Tr2のベースエミツタ間電圧を無視(これ
は交流的にはエミツタ抵抗で代表されるが、エミ
ツタ抵抗を考慮した解析は後で行なう)すればコ
ンデンサCeにEなる電圧が与えられ、jωCeEに
等しい電流Iが流れる。この電流はトランジスタ
Tr2のエミツタおよびコレクタを通つて入力端a
に帰還されるのて、端子aから見たトランジスタ
Tr1,Tr2の回路のインピーダンスは負性であり、
I=−jωCeEであるから該インピーダンスZe3は Ze3=E/I=−1/jωCe ……(3) であり、こうして容量値が−Ceである負性容量
が得られる。
A conventional negative capacitance circuit that realizes such negative capacitance is shown in FIG. In this figure, Tr 1 and Tr 2 are npn transistors, Ce is a capacitor, and these are connected as shown. To explain the operation of this circuit,
Transistor Tr 1 is an emitter follower and Tr 2
is a grounded base, and approximately the output impedance of the emitter follower is zero and the input impedance is infinite, and the input impedance of the grounded base is zero and the output impedance is infinite, so the following can be said. When a voltage E is applied to the input terminal a, that is, the base of transistor Tr 1 , the transistor
If we ignore the base-emitter voltage of Tr 1 and Tr 2 (this is represented by the emitter resistance in AC terms, but we will do an analysis that takes emitter resistance into consideration later), a voltage of E is applied to the capacitor Ce, and jωCeE A current I equal to flows. This current is the transistor
Input terminal a through the emitter and collector of Tr 2
The transistor seen from terminal a
The impedance of the circuit of Tr 1 and Tr 2 is negative,
Since I=-jωCeE, the impedance Ze 3 is Ze 3 =E/I=-1/jωCe (3), and thus a negative capacitance with a capacitance value of -Ce is obtained.

第2図は交換回路部のみを示すが、これに対す
る直流バイアス回路の例を第3図a,b,cに示
す。これらの図でR1〜R11,REは抵抗、Lはイン
ダクタンス、Cp1〜Cp3はバイパス用コンデンサ、
D1〜D3はダイオード群である。トランジスタTr1
のベースにバイアス電圧を与え、またトランジス
タTr2にバイアス電流を流すため、入力端aには
バイアス回路が必要であるが、第2図に示す従来
回路では、トランジスタTr2のコレクタが入力端
aに直接接続されており、このバイアス回路は入
力端aに並列に入るので、特性のよい回路を作る
にはその交流インピーダンスが充分に大であり、
直流バイアス的にはインピーダンスが小である必
要がある。そのため次のような配慮がなされてい
る。即ち第3図aでは電源Vccと入力端aとの間
に抵抗R1に直列にインダクタンスLを挿入して
バイアス回路を構成し、交流抵抗を充分高めてい
る。また第3図bではバイアス回路用にトランジ
スタTr3を用い、電源Vccに接続された抵抗R6
R7の直列回路によりトランジスタTr1,Tr2をバ
イアスするが、トランジスタTr3をエミツタホロ
アにしてそのエミツタ抵抗R5と前記抵抗R6とR7
の接続点Qとの間をコンデンサCp2で接続して抵
抗R6に流れる交流電流を減少つまり抵抗R6の交
流抵抗を増大させている。更に第3図cの回路で
はバイアス回路にトランジスタTr5、抵抗R10
R11および複数個のダイオードを直列に接続して
なるダイオード群D2からなる定電流回路を用い
てインピーダンスを高くし、またトランジスタ
Tr4、抵抗R6,R9、ダイオード群D3からなる定
電流回路によつてトランジスタTr1の電流を決定
し、そのベース電圧を決定している。
Although FIG. 2 shows only the exchange circuit section, examples of DC bias circuits for this are shown in FIGS. 3a, b, and c. In these figures, R 1 to R 11 and R E are resistances, L is inductance, Cp 1 to Cp 3 are bypass capacitors,
D1 to D3 are a group of diodes. Transistor Tr 1
A bias circuit is required at the input terminal a in order to apply a bias voltage to the base of the transistor Tr 2 and to flow a bias current to the transistor Tr 2. However, in the conventional circuit shown in Fig. 2, the collector of the transistor Tr 2 is connected to the input terminal a. Since this bias circuit is connected in parallel to input terminal a, its AC impedance is large enough to create a circuit with good characteristics.
Impedance needs to be small in terms of DC bias. For this reason, the following considerations are being made. That is, in FIG. 3a, a bias circuit is constructed by inserting an inductance L in series with a resistor R1 between the power supply Vcc and the input terminal a, and the alternating current resistance is sufficiently increased. In addition, in FIG. 3b, a transistor Tr 3 is used for the bias circuit, and a resistor R 6 , connected to the power supply Vcc,
Transistors Tr 1 and Tr 2 are biased by a series circuit of R 7 , but transistor Tr 3 is made an emitter follower and its emitter resistor R 5 and the above-mentioned resistors R 6 and R 7 are biased.
A capacitor Cp 2 is connected to the connection point Q of the resistor R 6 to reduce the alternating current flowing through the resistor R 6 , that is, to increase the alternating current resistance of the resistor R 6 . Furthermore, in the circuit of FIG. 3c, the bias circuit includes a transistor Tr 5 , a resistor R 10 ,
A constant current circuit consisting of R11 and a diode group D2 formed by connecting multiple diodes in series is used to increase the impedance, and a transistor
A constant current circuit consisting of Tr 4 , resistors R 6 and R 9 , and diode group D 3 determines the current of transistor Tr 1 and determines its base voltage.

このように、第2図に示す従来の負性容量回路
では、トランジスタTr2のコレクタが入力端に直
接接続されているため、入力端aのバイアス回路
は直流バイアス的には小さく、また交流インピー
ダンスを充分に大きくする必要があり、インダク
タンスL、またはトランジスタTr3とバイパス用
コンデンサCp2、或いはトランジスタTr5とダイ
オード群D2を使用してバイアス回路を構成する
必要がある。
In this way, in the conventional negative capacitance circuit shown in Fig. 2, the collector of transistor Tr 2 is directly connected to the input terminal, so the bias circuit at input terminal a is small in terms of DC bias, and the AC impedance is small. needs to be sufficiently large, and it is necessary to configure a bias circuit using the inductance L, or the transistor Tr 3 and the bypass capacitor Cp 2 , or the transistor Tr 5 and the diode group D 2 .

従つて、バイアス回路の構成が複雑になると共
に、回路が大型化するという欠点があつた。
Therefore, there are disadvantages in that the configuration of the bias circuit becomes complicated and the circuit becomes larger.

それ故本発明は、構造が簡単で入力端に設ける
バイアス回路を極めて容易に構成することのでき
る負性容量回路を実現しようとするものである。
本発明の負性容量回路は、コンデンサと、入力電
圧を受けて該コンデンサに該入力電圧又はそれに
比例した電圧を与え、該コンデンサのリアクタン
スで定まる電流を入力端へ帰還させるトランジス
タを含む制御回路とからなる負性容量回路であつ
て、前記制御回路は第1、第2のトランジスタを
有し、第1のトランジスタはベースに入力電圧を
受け、コレクタが第2のトランジスタのベースに
またエミツタが第1および第2の抵抗の直列接続
点に接続され、第2のトランジスタのエミツタが
アースされ、コレクタが第1の抵抗および前記コ
ンデンサの一端に接続され、該コンデンサの他端
が第1のトランジスタのベースに接続され、第2
の抵抗の他端がアースされたことを特徴とする
が、次に実施例を参照しながらこれを詳細に説明
する。
Therefore, it is an object of the present invention to realize a negative capacitance circuit which has a simple structure and can extremely easily configure a bias circuit provided at the input terminal.
The negative capacitance circuit of the present invention includes a control circuit including a capacitor, and a transistor that receives an input voltage, applies the input voltage or a voltage proportional to the input voltage to the capacitor, and returns a current determined by the reactance of the capacitor to the input terminal. The control circuit has a first transistor and a second transistor, the first transistor receives an input voltage at its base, its collector connects to the base of the second transistor, and its emitter connects to the base of the second transistor. The emitter of the second transistor is connected to the series connection point of the first and second resistors, the emitter of the second transistor is connected to the first resistor and one end of the capacitor, and the other end of the capacitor is connected to the first resistor. connected to the base and the second
This is characterized in that the other end of the resistor is grounded, which will now be described in detail with reference to embodiments.

第4図は本発明の一実施例を示す回路図であ
る。同図において、Tr6は第1のトランジスタで
あるnpnトランジスタ、Tr7は第2のトランジス
タであるpnpトランジスタ、Ceはコンデンサ、
R13,R14はそれぞれ第1及び第2の抵抗で、こ
れらは図示の如く接続されており、この回路は第
2図に示した従来回路がいわば電流帰還型である
のに対して電圧帰還型である。この回路では入力
インピーダンスが高く、出力インピーダンスが低
い。また、この回路は2個のトランジスタTr6
Tr7を使用し、帰還増幅によつて同相増幅器を構
成しており、入出力端間にコンデンサCeを並列
に接続することによつて負性容量を得ている。
FIG. 4 is a circuit diagram showing one embodiment of the present invention. In the same figure, Tr 6 is an npn transistor that is the first transistor, Tr 7 is a pnp transistor that is the second transistor, Ce is a capacitor,
R 13 and R 14 are the first and second resistors, respectively, and these are connected as shown in the figure.This circuit is a voltage feedback type, whereas the conventional circuit shown in Figure 2 is of a current feedback type. It is a type. This circuit has high input impedance and low output impedance. Moreover, this circuit consists of two transistors Tr 6 ,
A common-mode amplifier is configured using Tr 7 and feedback amplification, and negative capacitance is obtained by connecting a capacitor Ce in parallel between the input and output terminals.

この回路において、トランジスタTr7の増幅率
をβとすると、下式が成立する。
In this circuit, if the amplification factor of transistor Tr 7 is β, then the following formula holds true.

E=1/jωCe(E/R14−i−iβ)+R13
/R14E−iR13+E……(4) I=E/R14−i−iβ ……(5) ここで、抵抗R13,R14及びコンデンサCeの値
を適当に選ぶことによつてβ≫1であるから Ze=E/I≒−R14/jωCeR13 ……(6) となり、−R13Ce/R14なる負性容量ができる。
E=1/jωCe (E/R 14 −i−iβ)+R 13
/R 14 E−iR 13 +E……(4) I=E/R 14 −i−iβ……(5) Here, by appropriately selecting the values of resistors R 13 , R 14 and capacitor Ce, Since β≫1, Ze=E/I≒−R 14 /jωCeR 13 (6), and a negative capacitance of −R 13 Ce/R 14 is created.

第5図は第4図の交流回路に直流バイアス回路
を付加した具体例を示す。この回路でR15〜R18
は抵抗、Cp4はコンデンサである。この回路で
は、第4図の抵抗R14は抵抗R14,R15,R16の並
列抵抗に等しい。
FIG. 5 shows a specific example in which a DC bias circuit is added to the AC circuit shown in FIG. In this circuit R 15 ~ R 18
is a resistor and Cp 4 is a capacitor. In this circuit, resistor R 14 in FIG. 4 is equal to the parallel resistance of resistors R 14 , R 15 , and R 16 .

第4図に示す負性容量回路は、出力端である第
2のトランジスタTr7のコレクタがコンデンサCe
を介して入力端aに接続されているため、バイア
ス回路として第1のトランジスタTr6のベースバ
イアス回路のみでよく、この回路は第5図のよう
にコンデンサCp4を付加することによつて交流イ
ンピーダンスを高めることができる。このため、
本発明の負性容量回路は第5図を見てもわかるよ
うに、第2図に示した従来回路より直流バイアス
回路を少ない素子により容易に構成することがで
きる。また、本発明の負性容量回路は利得を持つ
同相増幅器であるため、増幅を必要とする回路と
して用いることにより特に有効となる。
In the negative capacitance circuit shown in Fig. 4, the collector of the second transistor Tr7 , which is the output terminal, is connected to the capacitor Ce.
Since the bias circuit is connected to the input terminal a via Impedance can be increased. For this reason,
As can be seen from FIG. 5, in the negative capacitance circuit of the present invention, the DC bias circuit can be more easily constructed with fewer elements than the conventional circuit shown in FIG. Furthermore, since the negative capacitance circuit of the present invention is a common-mode amplifier with gain, it is particularly effective when used as a circuit that requires amplification.

以上詳細に説明したように本発明の負性容量回
路によれば、入力端である第1のトランジスタの
ベースと出力端である第2のトランジスタのコレ
クタ間にコンデンサが接続されているため、バイ
アス回路を極めて容易に構成することができる。
As explained in detail above, according to the negative capacitance circuit of the present invention, since the capacitor is connected between the base of the first transistor, which is the input end, and the collector of the second transistor, which is the output end, the bias The circuit can be configured extremely easily.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図a〜dは浮遊回路およびその消去法を説
明する回路図、第2図は従来例を示す回路図、第
3図a,b,cは従来回路の具体例を示す回路
図、第4図は本発明の実施例を示す回路図、第5
図は本発明の具体例を示す回路図である。 図面でVSは電圧源、CSは電流源、Csは浮遊容
量、−Cは負性容量、Tr1〜Tr7はトランジスタ、
R1〜R18およびREは抵抗、Lはインダクタンス、
Cp1〜Cp4はバイパス用コンデンサ、Ceはコンデ
ンサ、D1〜D3はダイオード群である。
Figures 1 a to d are circuit diagrams explaining a floating circuit and its elimination method, Figure 2 is a circuit diagram showing a conventional example, Figures 3 a, b, and c are circuit diagrams showing specific examples of the conventional circuit; Figure 4 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention, and Figure 5 is a circuit diagram showing an embodiment of the present invention.
The figure is a circuit diagram showing a specific example of the present invention. In the drawing, VS is a voltage source, CS is a current source, Cs is a stray capacitance, -C is a negative capacitance, Tr 1 to Tr 7 are transistors,
R 1 to R 18 and R E are resistances, L is inductance,
Cp 1 to Cp 4 are bypass capacitors, Ce is a capacitor, and D 1 to D 3 are diode groups.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 1 コンデンサと、入力電圧を受けて該コンデン
サに該入力電圧又はそれに比例した電圧を与え、
該コンデンサのリアクタンスで定まる電流を入力
端へ帰還させるトランジスタを含む制御回路とか
らなる負性容量回路であつて、前記制御回路は第
1、第2のトランジスタを有し、第1のトランジ
スタはベースに入力電圧を受け、コレクタが第2
のトランジスタのベースにまたエミツタが第1お
よび第2の抵抗の直列接続点に接続され、第2の
トランジスタのエミツタがアースされ、コレクタ
が第1の抵抗および前記コンデンサの一端に接続
され、該コンデンサの他端が第1のトランジスタ
のベースに接続され、第2の抵抗の他端がアース
されたことを特徴とする負性容量回路。
1 a capacitor, receiving an input voltage and applying the input voltage or a voltage proportional to it to the capacitor;
A negative capacitance circuit comprising a control circuit including a transistor that returns a current determined by the reactance of the capacitor to an input terminal, the control circuit having a first transistor and a second transistor, the first transistor having a base receives the input voltage, and the collector
The emitter of the transistor is connected to the series connection point of the first and second resistors, the emitter of the second transistor is grounded, and the collector is connected to the first resistor and one end of the capacitor. A negative capacitance circuit characterized in that the other end of the second resistor is connected to the base of the first transistor, and the other end of the second resistor is grounded.
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