JPH01683A - High frequency heating device - Google Patents
High frequency heating deviceInfo
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- JPH01683A JPH01683A JP62-155144A JP15514487A JPH01683A JP H01683 A JPH01683 A JP H01683A JP 15514487 A JP15514487 A JP 15514487A JP H01683 A JPH01683 A JP H01683A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.
Description
【発明の詳細な説明】
a、産業上の利用分野
本発明は、発振用の真空管から高周波加熱用のコイル又
は電極板に電力を供給するようにして成る高周波加熱装
置の改良に関するものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION a. Field of Industrial Application The present invention relates to an improvement in a high-frequency heating device in which power is supplied from an oscillating vacuum tube to a high-frequency heating coil or electrode plate.
b、従来の技術
高周波加熱には誘導加熱と誘電加熱の2種があり、高周
波電力を高周波加熱用のコイル又は電極板に供給する発
振管として真空管が通常用いられる。b. Prior Art There are two types of high-frequency heating: induction heating and dielectric heating, and a vacuum tube is usually used as an oscillation tube that supplies high-frequency power to a coil or electrode plate for high-frequency heating.
第4図は、この種の従来の真空管式高周波誘導加熱装置
を示すものであって、同図において、1は三相商用電源
端子、2はタイトランス、3a、3bは電源投入スイッ
チ、4は変圧器、5は商用電源の導通角を変化させるた
めに電源投入スイッチ3bと変圧器4の1次側の間に挿
入されたサイリスクスタック、6は変圧器4の2次側出
力を直流電圧に整流する整流器、7は整流器6からの直
流電圧(アノード直流電圧)を高周波電圧に変換する真
空管(発振管)、8は真空管7の動作点を決める自己バ
イアス用グリッド抵抗器、9は真空管7より高周波電力
が供給される高周波誘導加熱コイル、10は被加熱物、
11は整流器6から真空管7のアノードに供給されるア
ノード直流電圧を一定に制御するために所定のゲートパ
ルスを前記サイリスクスタック5に出力する制御回路、
12はポテンシヨメータである。FIG. 4 shows this type of conventional vacuum tube type high frequency induction heating device. In the figure, 1 is a three-phase commercial power supply terminal, 2 is a tie transformer, 3a and 3b are power on switches, and 4 is a A transformer, 5, is inserted between the power supply switch 3b and the primary side of the transformer 4 in order to change the conduction angle of the commercial power supply, and 6 is a DC voltage for the secondary side output of the transformer 4. 7 is a vacuum tube (oscillator tube) that converts the DC voltage from the rectifier 6 (anode DC voltage) into a high frequency voltage, 8 is a self-biasing grid resistor that determines the operating point of the vacuum tube 7, 9 is the vacuum tube 7 A high frequency induction heating coil to which higher frequency power is supplied; 10 is an object to be heated;
11 is a control circuit that outputs a predetermined gate pulse to the thyrisk stack 5 in order to keep the anode DC voltage supplied from the rectifier 6 to the anode of the vacuum tube 7 constant;
12 is a potentiometer.
この装置にあっては、真空管7のアノード電圧供給源で
ある変圧器4の1次側に、サイリスクスタック5を構成
するサイリスタSCRを挿入し、制御回路11の働きに
よりサイリスタSCRのゲート信号の位相角を変化させ
、これにより真空管7のアノード直流電圧E、を変化さ
せるようにしていた。In this device, a thyristor SCR constituting a thyristor stack 5 is inserted into the primary side of a transformer 4 which is an anode voltage supply source for a vacuum tube 7, and a control circuit 11 controls the gate signal of the thyristor SCR. The phase angle was changed, thereby changing the anode DC voltage E of the vacuum tube 7.
すなわち、この場合、上述のサイリスクスタック5を構
成するサイリスタSCRのゲートパルス位相角をαとし
、最大アノード直流電圧をEoとすると、アノード直流
電圧E、は次式で示される。That is, in this case, when the gate pulse phase angle of the thyristor SCR constituting the above-mentioned thyristor stack 5 is α, and the maximum anode DC voltage is Eo, the anode DC voltage E is expressed by the following equation.
B、 = E、cos a (Q≦α≦−)Eb
=t!o (1+cos(cr +−))一方、商用電
源の力率Pfは次式で示される。B, = E, cos a (Q≦α≦−)Eb
=t! o (1+cos(cr +-)) On the other hand, the power factor Pf of the commercial power source is expressed by the following equation.
ことにより、真空管7の出力電力を最大値から零まで変
化させることができる。具体的に述べれば、が高く制御
され、また□≧α〉0の場合には第り
6図に示すようにアノード電圧が低(制御される。By doing so, the output power of the vacuum tube 7 can be changed from the maximum value to zero. Specifically, is controlled to be high, and when □≧α>0, the anode voltage is controlled to be low as shown in FIG.
さらに、制御回路11ヘフイードバツクする信号の種類
に応じて、定電圧、定電流、定温度制御が可能である。Further, depending on the type of signal fed back to the control circuit 11, constant voltage, constant current, and constant temperature control are possible.
C0発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上述の如き従来の装置にあっては、商用
三相電源電圧が3.3kV又は6.6kVになると、サ
イリスクスタック5の耐圧の関係で、その商用三相電源
電圧を440vに降下させるためにタイトランス2を設
ける必要があった。そのため、タイトランス2の設置の
ためのスペースを要し、装置が大型化していた。 また
、変圧器4の1次側にサイリスクスタック5を挿入して
いるため必要電流容量は100A〜500Aと大きく、
従って大電力化に伴いコストアップとなっていた。しか
も、発熱量が多いため、放熱対策を施す必要があった。Problems to be Solved by the C0 Invention However, in the conventional device as described above, when the commercial three-phase power supply voltage becomes 3.3 kV or 6.6 kV, the commercial It was necessary to provide a tie transformer 2 to lower the three-phase power supply voltage to 440v. Therefore, a space is required for installing the tie transformer 2, which increases the size of the device. In addition, since the SIRISK stack 5 is inserted on the primary side of the transformer 4, the required current capacity is large at 100A to 500A.
Therefore, as the power increases, the cost increases. Moreover, since the amount of heat generated was large, it was necessary to take measures for heat dissipation.
その上、力率p、が0.955から零付近まで悪くなり
、パワーファクターに問題があった。Moreover, the power factor p deteriorated from 0.955 to around zero, posing a problem with the power factor.
本発明は、このような実状に鑑みてなされたものであっ
て、その目的は、3.3kV又は6.6kVの三相商用
電源電圧を用いる場合にもタイトランスを必要とせず、
必要電流容量が小さ(かつ発熱量も少ないため特別な放
熱対策を施す必要がなく、しかも力率の劣化を来たすこ
とのない真空管式の高周波加熱装置を提供することにあ
る。The present invention was made in view of these circumstances, and its purpose is to eliminate the need for a tie transformer even when using a three-phase commercial power supply voltage of 3.3 kV or 6.6 kV.
To provide a vacuum tube type high-frequency heating device that requires small current capacity (and generates a small amount of heat), does not require special heat radiation measures, and does not cause deterioration of power factor.
d1問題点を解決するための手段
上述の問題点を解決するために、本発明では、発振用の
真空管から高周波加熱用のコイル又は電極板に電力を供
給するようにして成る高周波加熱装置において、前記真
空管のグリッドにカットオフバイアスを任意の周期毎に
印加する制御手段を設け、前記制御手段にて前記真空管
の発振時間と発振停止時間との比率を変化させることに
よって前記高周波加熱用のコイル又は電極板に供給され
る電力を制御するようにしている。d1 Means for Solving Problems In order to solve the above-mentioned problems, the present invention provides a high-frequency heating device in which power is supplied from an oscillation vacuum tube to a high-frequency heating coil or electrode plate. A control means is provided for applying a cut-off bias to the grid of the vacuum tube at arbitrary intervals, and the control means changes the ratio between the oscillation time and the oscillation stop time of the vacuum tube, thereby controlling the high-frequency heating coil or The power supplied to the electrode plate is controlled.
以下、本発明の一実施例に付き第1図〜第3図を参照し
て説明する。Hereinafter, one embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 to 3.
第1図は本発明を適用した高周波誘導加熱装置の回路構
成を示すものであって、本例においては、三相商用電源
端子20からの三相電源(3,3kV又は6.6kV等
)が電源投入スイッチ21を介して変圧器22に直接供
給され、さらにこの変圧器22の出力が整流器23を介
して発振用の真空管24のアノード(プレート)に供給
されるようになっている。なお、変圧器22と整流器2
3との間及び整流器23と真空管24のアノードとの間
には、異常電圧発生防止用の保護回路25.26がそれ
ぞれ配設されている。FIG. 1 shows the circuit configuration of a high-frequency induction heating device to which the present invention is applied. The power is supplied directly to a transformer 22 via a power-on switch 21, and the output of the transformer 22 is further supplied via a rectifier 23 to the anode (plate) of a vacuum tube 24 for oscillation. In addition, the transformer 22 and the rectifier 2
3 and between the rectifier 23 and the anode of the vacuum tube 24, protection circuits 25 and 26 for preventing abnormal voltage generation are provided, respectively.
そして、上述の真空管24のアノードはブロッキングコ
ンデンサCIを介して、結合コイルL1及び高周波誘導
加熱用コイルL8の直列回路とコンデンサC鵞との並列
共振回路27に接続されている。一方、真空管24のグ
リッドには結合コイルL2.抵抗R及びトランジスタモ
ジュール28が直列接続されており、前記コイルし、及
び抵抗Rの中点と真空管24のカソードとの間にコンデ
ンサC1が接続されている。そして、既述の結合コイル
L1.Lsは互いに電磁結合されており、アノード同調
形発振回路が構成されている。The anode of the vacuum tube 24 described above is connected via a blocking capacitor CI to a parallel resonant circuit 27 consisting of a series circuit of a coupling coil L1 and a high-frequency induction heating coil L8, and a capacitor C. On the other hand, the grid of the vacuum tube 24 has a coupling coil L2. A resistor R and a transistor module 28 are connected in series, and a capacitor C1 is connected between the coil and the midpoint of the resistor R and the cathode of the vacuum tube 24. Then, the above-mentioned coupling coil L1. Ls are electromagnetically coupled to each other to form an anode-tuned oscillation circuit.
また、ブロッキングコンデンサCIと並列共振回路27
との間に高周波電圧倍率器29が接続されており、この
倍率器29から得られる電圧信号Vt (分圧信号)が
電子制御回路30に供給されるように構成されている。In addition, blocking capacitor CI and parallel resonant circuit 27
A high frequency voltage multiplier 29 is connected between the multiplier 29 and the voltage signal Vt (divided voltage signal) obtained from the multiplier 29 is supplied to the electronic control circuit 30.
そして、この電子制御回路30からは、前記電圧信号V
Iおよびポテンショメータ31から得られる電圧信号v
2に基いて、所定の制御信号が、前記トランジスタモジ
ュール28を構成する電界効果トランジスタTR+、T
Rzのゲートにそれぞれ供給されるようになっている。Then, from this electronic control circuit 30, the voltage signal V
I and the voltage signal v obtained from the potentiometer 31
2, a predetermined control signal is applied to the field effect transistors TR+, T which constitute the transistor module 28.
The signals are supplied to the gates of Rz, respectively.
さらに、前記抵抗Rとトランジスタモジュール28との
中間点にはバイアス電源回路32から所定の負電圧が供
給されている。Further, a predetermined negative voltage is supplied from a bias power supply circuit 32 to an intermediate point between the resistor R and the transistor module 28.
次に、上述の如き構成の高周波誘導加熱装置の動作に付
き述べる。Next, the operation of the high-frequency induction heating device configured as described above will be described.
まず、電源投入スイッチ21がON状態に切換えられる
と、三相商用電源端子20から220V、 400V、
3.3kV、 6.6kV(三相、 50/60 H
z)のうちの適当な電源が変圧器22にて昇圧されて整
流器23に供給される。この整流器23からは、例えば
10kV〜15kV程度の直流電圧が真空管24のアノ
ード電圧として出力され、真空管24のアノードには所
定の直流電圧が供給される。First, when the power supply switch 21 is turned on, 220V, 400V,
3.3kV, 6.6kV (three-phase, 50/60H
z) is stepped up by a transformer 22 and supplied to a rectifier 23. The rectifier 23 outputs a DC voltage of, for example, about 10 kV to 15 kV as an anode voltage of the vacuum tube 24, and a predetermined DC voltage is supplied to the anode of the vacuum tube 24.
高周波誘導加熱を行なわない場合には、トランジスタモ
ジュール28の電界効果トランジスタTR1,TR冨は
OFF状態の下に置かれる。このため、バイアス電源回
路32から負の出力電圧(例えば、−2kV〜−3kV
)が真空管24のグリッドにカットオフバイアスとして
印加され、これに伴い、発振素子としての真空管24は
カットオフ状態となり、発振しない、従って、高周波誘
導加熱コイルL2に高周波電流が流れず、被加熱物33
は高周波誘導加熱されない。When high-frequency induction heating is not performed, the field effect transistors TR1 and TR of the transistor module 28 are placed in an OFF state. Therefore, a negative output voltage (for example, -2kV to -3kV) is generated from the bias power supply circuit 32.
) is applied as a cut-off bias to the grid of the vacuum tube 24, and accordingly, the vacuum tube 24 as an oscillation element enters a cut-off state and does not oscillate. Therefore, no high-frequency current flows through the high-frequency induction heating coil L2, and the heated object 33
is not high frequency induction heated.
一方、高周波誘導加熱時には、まず始めにトランジスタ
モジュール28のトランジスタ”R+、TRzが共にO
N状態に切換えられ、以後は電子制御回路30からの出
力信号に基いて0N−OFF切換制御が周期的になされ
る。すなわち、加熱開始指令に伴い電界効果トランジス
タTR,、TR,が導通すると、バイアス電源回路32
の出力端子がアースされるので、真空管24は発振を開
始し゛、これに伴って高周波誘導加熱コイルtzに高周
波大電流が流れ、被加熱物33が高周波誘導加熱される
。この際、高周波電圧倍率器29から一定値の出力電圧
Vlが電子制御回路30に供給され、この信号V。On the other hand, during high-frequency induction heating, first both transistors "R+" and "TRz" of the transistor module 28 are turned off.
It is switched to the N state, and thereafter ON-OFF switching control is performed periodically based on the output signal from the electronic control circuit 30. That is, when the field effect transistors TR, TR, become conductive in response to a heating start command, the bias power supply circuit 32
Since the output terminal of the vacuum tube 24 is grounded, the vacuum tube 24 starts oscillating, and accordingly, a large high-frequency current flows through the high-frequency induction heating coil tz, and the object to be heated 33 is heated by high-frequency induction. At this time, a constant value output voltage Vl is supplied from the high frequency voltage multiplier 29 to the electronic control circuit 30, and this signal V.
とポテンショメータ31にて予め設定された電圧信号V
gとに基いて所定の周波数の信号が電子制御回路30内
の電圧制御発振器から出力される。具体的には、ポテン
ショメータの電圧V!を大きくすると、前記電圧制御発
振器からより高い周波数の信号が出力され、またこの電
圧V、を小さくすると、前記電圧制御発振器からより低
い周波数の信号が出力される。そして、この電圧制御発
振器からの周波数信号が電子制御回路30内のワンシッ
ットマルチバイブレータに供給され、このワンシッット
マルチバイブレータに前記周波数信号が入力される毎に
所定巾T+ (第2図(A)及び第3図(A)参照)の
パルス信号が1つだけ出力されてトランジスタモジュー
ル28の電界効果トランジスタTR,、TR,のゲート
に供給される。これに伴い、パルス期間T、中は前記ト
ランジスタTR+、TRgがON状態に切換えられるた
め、真空管24が発振状態となる。and the voltage signal V preset by the potentiometer 31.
A signal of a predetermined frequency is output from the voltage controlled oscillator in the electronic control circuit 30 based on the signal g. Specifically, the voltage of the potentiometer V! When V is increased, a higher frequency signal is output from the voltage controlled oscillator, and when this voltage V is decreased, a lower frequency signal is output from the voltage controlled oscillator. Then, the frequency signal from this voltage controlled oscillator is supplied to a one-sit multivibrator in the electronic control circuit 30, and every time the frequency signal is input to this one-sit multivibrator, a predetermined width T+ (second Only one pulse signal (see FIGS. 3(A) and 3(A)) is output and supplied to the gates of the field effect transistors TR, TR, of the transistor module 28. Along with this, the transistors TR+ and TRg are switched to the ON state during the pulse period T, so that the vacuum tube 24 enters an oscillating state.
そして、この期間T、の経過後は、後続のワンシッット
パルス信号が供給される迄の期間Tx (第2図及び第
3図参照)は、トランジスタTR+、TRgがOFF状
態に切換えられ、真空管24のグリッドバイアス電源回
路32からカットオフバイアスが印加されるため、真空
管24は発振を停止する。従って、真空管24は電子制
御回路30からの出力信号に基いて、発振状態と発振停
止状態とが所定の周期で繰り返される。After this period T, the transistors TR+ and TRg are switched to the OFF state for a period Tx (see FIGS. 2 and 3) until the subsequent one-shit pulse signal is supplied. Since a cutoff bias is applied from the grid bias power supply circuit 32 of the vacuum tube 24, the vacuum tube 24 stops oscillating. Therefore, the vacuum tube 24 repeats an oscillation state and an oscillation stopped state at a predetermined period based on the output signal from the electronic control circuit 30.
なお、本例においては、ポテンショメータ31を調整す
ることによって、前記期間T2を任意に変更することが
可能である。Note that in this example, the period T2 can be arbitrarily changed by adjusting the potentiometer 31.
ここで、真空管24の発振時間をTい発振停止時間を↑
2とすると、平均高周波出力Pは、?。Here, the oscillation time of the vacuum tube 24 is T and the oscillation stop time is ↑
2, the average high frequency output P is? .
(但し、P、はT!−0の時の出力電圧)となる。(However, P is the output voltage at T!-0).
因に、第2図に示すように?+ −1ms、 Tt −
10aSとすると、
であり、また第3°図に示すように、T+ −1+*5
STz −1m5とすると、
となる。Incidentally, as shown in Figure 2? + -1ms, Tt-
If it is 10aS, then as shown in Figure 3, T+ -1+*5
When STz -1m5, it becomes.
このように、真空管24の発振時間T、を一定とし、発
振停止時間rzを変化させることにより平均高周波出力
Pを制御することができる。なお、これに限らず発振停
止時間T2を一定とし、電子制御回路30から出力され
るワンショットパルスのパルス巾を変更して発振時間T
、を変えることにより、或いはこれら両方を変えること
により、発振時間T1と発振開始の周期Tm (第2図
参照)との比すなわちデユーティファクターを変えれば
、平均高周波出力Pを任意に設定することが可能である
。In this way, the average high frequency output P can be controlled by keeping the oscillation time T of the vacuum tube 24 constant and changing the oscillation stop time rz. Note that the oscillation stop time T2 is not limited to this, and the oscillation time T2 can be changed by changing the pulse width of the one-shot pulse output from the electronic control circuit 30.
, or by changing both of these, the average high-frequency output P can be arbitrarily set by changing the ratio of the oscillation time T1 to the oscillation start period Tm (see Figure 2), that is, the duty factor. is possible.
以上、本発明を高周波誘導加熱装置に適用した場合に付
き述べたが、本発明は、これに限らず、一対の電極板間
に誘電体を挟んで誘電加熱するようにした高周波誘電加
熱装置にも適用可能であることは言う迄もない。The present invention has been described above with reference to the case where it is applied to a high frequency induction heating device, but the present invention is not limited to this, but is applicable to a high frequency dielectric heating device in which dielectric material is sandwiched between a pair of electrode plates to perform dielectric heating. Needless to say, it is also applicable.
e0発明の効果
以上の如く本発明は、発振用の真空管のグリッドにカッ
トオフバイアスを任意の周期毎に印加する制御手段を設
けて、この真空管の発振時間と発振停止時間との比率を
変化させることにより高周波加熱用のコイル又は電極板
に供給される電力を制御するようにしたものであるから
、従来のようにサイリスクスタックを用いてサイリスタ
のゲートの位相角を変える方式を採る必要がなくなり、
従って商用源電圧が3.3kV又は6.6kVになって
もタイトランスを設ける必要がない、また、上述の制御
手段の動作電流は小さな電流(例えば実施例において、
トランジスタモシール28の必要電流容量はIA〜5A
)であり、発熱量も少なくて済むため、特別な放熱対策
を施す必要がない、このため、高周波加熱装置の小型化
及びコストダウンを図ることが可能となる。e0 Effects of the Invention As described above, the present invention provides a control means for applying a cutoff bias to the grid of an oscillating vacuum tube at arbitrary intervals, thereby changing the ratio between the oscillation time and the oscillation stop time of the vacuum tube. As a result, the power supplied to the high-frequency heating coil or electrode plate is controlled, so there is no need to use a conventional method of changing the phase angle of the thyristor gate using a thyristor stack. ,
Therefore, even if the commercial power supply voltage becomes 3.3 kV or 6.6 kV, there is no need to provide a tie transformer, and the operating current of the control means described above is a small current (for example, in the embodiment,
The required current capacity of the transistor Moseal 28 is IA to 5A.
), and since the amount of heat generated is small, there is no need to take special measures for heat dissipation. Therefore, it is possible to reduce the size and cost of the high-frequency heating device.
しかも、サイリスタのゲート信号の位相角を変えるよう
な手段を採ることなしに電力調整を行なうようにしてい
るので、入力力率P、が、0.955以下に悪(なるこ
とがな(、また高調波成分の増加を来たすこともない、
従って、工場内はもとより、商用電源の他の需要家へ悪
影響を及ぼすおそれがなく、実用性に富んだ高周波加熱
装置を提供することができる。Furthermore, since the power is adjusted without taking any means to change the phase angle of the thyristor gate signal, the input power factor P will never deteriorate below 0.955. It does not cause an increase in harmonic components.
Therefore, it is possible to provide a high-frequency heating device that is highly practical and has no risk of adversely affecting not only the inside of the factory but also other consumers of commercial power.
第1図〜第3図は本発明の一実施例を説明するためのも
のであって、第1図は本発明に係る高周波誘導加熱装置
の回路構成図、第2図(^)及び第3図(^)は真空管
のグリッドに印加されるカントオフバイアスをそれぞ糺
示すパルス波形図、第2図(B)及び第3図(B)は真
空管の発振時間Ttと発振停止時間T8との関係をそれ
ぞれ示す出力波形図、第4図〜第6図は従来の高周波誘
導加熱装置を説明するためのものであって、第4図は高
周波誘導加熱装置の回路構成図、第5図はサイリスタの
ゲート信号の位相角αを電圧を示す図である。
20・・・三相商用電源端子、 22・・・変圧器、
23・・・整流器、 24・・・発振用の
真空管、28−)ランリスクモジェール、
29−・・高周波電圧倍率器、 30−・・電子制御
回路、31・・・ポテンシヨメータ、
32・・・バイアス電源回路、 33・・・被加熱物
、Ls−Ls ””結合コイル、
L z ”’高周波誘導加熱コイル。
第2図
(A)
第3図
(B)
(B)FIGS. 1 to 3 are for explaining one embodiment of the present invention, and FIG. 1 is a circuit diagram of a high-frequency induction heating device according to the present invention, and FIGS. Figure (^) is a pulse waveform diagram showing the cant-off bias applied to the grid of the vacuum tube, and Figures 2 (B) and 3 (B) show the oscillation time Tt and oscillation stop time T8 of the vacuum tube. The output waveform diagrams and FIGS. 4 to 6 showing the relationships are for explaining the conventional high frequency induction heating device. FIG. 4 is a circuit diagram of the high frequency induction heating device, and FIG. 5 is a thyristor diagram. FIG. 3 is a diagram showing the phase angle α of the gate signal in relation to the voltage. 20... Three-phase commercial power supply terminal, 22... Transformer,
23... Rectifier, 24... Vacuum tube for oscillation, 28-) Runlis module, 29-... High frequency voltage multiplier, 30-... Electronic control circuit, 31... Potentiometer, 32. ... Bias power supply circuit, 33... Heated object, Ls-Ls "" coupling coil, Lz "' high frequency induction heating coil. Fig. 2 (A) Fig. 3 (B) (B)
Claims (1)
電力を供給するようにして成る高周波加熱装置において
、前記真空管のグリッドにカットオフバイアスを任意の
周期毎に印加する制御手段を設け、前記制御手段にて前
記真空管の発振時間と発振停止時間との比率を変化させ
ることによって前記高周波加熱用のコイル又は電極板に
供給される電力を制御するようにしたことを特徴とする
高周波加熱装置。In a high-frequency heating device configured to supply power from a vacuum tube for oscillation to a coil or electrode plate for high-frequency heating, a control means is provided for applying a cut-off bias to the grid of the vacuum tube at arbitrary intervals, and the control means A high-frequency heating device, characterized in that the electric power supplied to the high-frequency heating coil or electrode plate is controlled by changing the ratio between the oscillation time and the oscillation stop time of the vacuum tube.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62155144A JP2527563B2 (en) | 1987-06-22 | 1987-06-22 | High frequency heating equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62155144A JP2527563B2 (en) | 1987-06-22 | 1987-06-22 | High frequency heating equipment |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS64683A JPS64683A (en) | 1989-01-05 |
| JPH01683A true JPH01683A (en) | 1989-01-05 |
| JP2527563B2 JP2527563B2 (en) | 1996-08-28 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62155144A Expired - Lifetime JP2527563B2 (en) | 1987-06-22 | 1987-06-22 | High frequency heating equipment |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2527563B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0257284U (en) * | 1988-10-21 | 1990-04-25 |
-
1987
- 1987-06-22 JP JP62155144A patent/JP2527563B2/en not_active Expired - Lifetime
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