JPH0173928U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0173928U JPH0173928U JP1987167930U JP16793087U JPH0173928U JP H0173928 U JPH0173928 U JP H0173928U JP 1987167930 U JP1987167930 U JP 1987167930U JP 16793087 U JP16793087 U JP 16793087U JP H0173928 U JPH0173928 U JP H0173928U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plasma emission
- decrease
- emission intensity
- end point
- etching end
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 3
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
第１図は、本考案の一実施例のエツチング終点
判定装置のブロツク図、第２図は、第１図の装置
での信号波形の模式図、第３図は、本考案の他の
実施例のエツチング終点判定装置のブロツク図で
ある。 １…フオトマル、２…オフセツト回路、３…前
段アンプ、４…比較回路、５…ゲイン回路、６…
終点判定回路。
判定装置のブロツク図、第２図は、第１図の装置
での信号波形の模式図、第３図は、本考案の他の
実施例のエツチング終点判定装置のブロツク図で
ある。 １…フオトマル、２…オフセツト回路、３…前
段アンプ、４…比較回路、５…ゲイン回路、６…
終点判定回路。
Claims (1)
- プラズマ発光強度の変化を観測してエツチング
終点を判定する装置において、採光窓のプラズマ
発光透過率の低下による前記プラズマ発光強度の
低下分を補正する手段を具備したことを特徴とす
るエツチング終点判定装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987167930U JPH0173928U (ja) | 1987-11-04 | 1987-11-04 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987167930U JPH0173928U (ja) | 1987-11-04 | 1987-11-04 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0173928U true JPH0173928U (ja) | 1989-05-18 |
Family
ID=31456664
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987167930U Pending JPH0173928U (ja) | 1987-11-04 | 1987-11-04 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0173928U (ja) |
-
1987
- 1987-11-04 JP JP1987167930U patent/JPH0173928U/ja active Pending