JPH0176031U - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0176031U JPH0176031U JP1987171838U JP17183887U JPH0176031U JP H0176031 U JPH0176031 U JP H0176031U JP 1987171838 U JP1987171838 U JP 1987171838U JP 17183887 U JP17183887 U JP 17183887U JP H0176031 U JPH0176031 U JP H0176031U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electron beam
- lens barrel
- vacuum chamber
- beam direct
- wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Electron Beam Exposure (AREA)
Description
第１図ａは本考案の一実施例を示す断面図、ｂ
は同平面図、第２図は電子線直接描画装置の鏡筒
頂点とステージとの相対変位の制振処理の有無に
よる特性図、第３図は電子線直接描画装置の固有
振動による変形を示す特性図である。 １…鏡筒、２…ステージ、３…真空チヤンバー
、４…ウエハー、５…制振材料層。
は同平面図、第２図は電子線直接描画装置の鏡筒
頂点とステージとの相対変位の制振処理の有無に
よる特性図、第３図は電子線直接描画装置の固有
振動による変形を示す特性図である。 １…鏡筒、２…ステージ、３…真空チヤンバー
、４…ウエハー、５…制振材料層。
Claims (1)
- 鏡筒を通して高速の電子ビームを真空チヤンバ
ー内のウエハー上に照射して回路パターンを描画
する電子線直接描画装置において、前記真空チヤ
ンバー及び鏡筒の少くとも一方に制振材の層を付
設したことを特徴とする電子線直接描画装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987171838U JPH0176031U (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987171838U JPH0176031U (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0176031U true JPH0176031U (ja) | 1989-05-23 |
Family
ID=31463843
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987171838U Pending JPH0176031U (ja) | 1987-11-09 | 1987-11-09 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0176031U (ja) |
-
1987
- 1987-11-09 JP JP1987171838U patent/JPH0176031U/ja active Pending
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