JPH0183073U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0183073U JPH0183073U JP1987165222U JP16522287U JPH0183073U JP H0183073 U JPH0183073 U JP H0183073U JP 1987165222 U JP1987165222 U JP 1987165222U JP 16522287 U JP16522287 U JP 16522287U JP H0183073 U JPH0183073 U JP H0183073U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate support
- vapor phase
- phase growth
- growth apparatus
- sleeve
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
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- 238000001947 vapour-phase growth Methods 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 3
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- 230000004308 accommodation Effects 0.000 claims 1
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- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
第１図はハイドライド法を実施するのに好適な
気相成長装置の一実施例を示す正面図、第２図は
クロライド法を実施するのに好適な気相成長装置
の実施例を示す正面図、第３図Ａは従来の気相成
長装置の一例を示す正面断面図、第３図Ｂは同装
置の反応容器内のウエハ支持台の構成例を示す平
面図である。 １……反応容器、３ａ……支持台、４……コイ
ルカバー、５……第２加熱手段（高周波コイル）
、６ａ，６ｂ……スリーブ（外筒、内筒）、７ａ
，７ｂ……ノズル、１０……原料収容ボート、１
１……第１加熱手段（抵抗加熱炉）、２０……成
長用基板（ウエハ）。
気相成長装置の一実施例を示す正面図、第２図は
クロライド法を実施するのに好適な気相成長装置
の実施例を示す正面図、第３図Ａは従来の気相成
長装置の一例を示す正面断面図、第３図Ｂは同装
置の反応容器内のウエハ支持台の構成例を示す平
面図である。 １……反応容器、３ａ……支持台、４……コイ
ルカバー、５……第２加熱手段（高周波コイル）
、６ａ，６ｂ……スリーブ（外筒、内筒）、７ａ
，７ｂ……ノズル、１０……原料収容ボート、１
１……第１加熱手段（抵抗加熱炉）、２０……成
長用基板（ウエハ）。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 (1) 上部の一端が閉塞され縦方向に設置された
ベルジヤー型反応容器の上部に族原料の収容ボ
ートを、またこの収容ボートの下方に回転可能な
基板支持台を配置し、この基板支持台の回転軸中
心を貫通するように複数種の反応ガス供給用ノズ
ルを反応容器のベース下部より上部に向けて装着
するとともに、上記収容ボートに対応して第１の
加熱手段を、また基板支持台に対応して第２の加
熱手段を配設してなる縦型気相成長装置において
、上記反応容器内部、基板支持台の周囲に余剰反
応生成物を折出させる２重構造のスリーブを配設
し、このスリーブの外筒と内筒との間に反応終了
後のガスの排気孔を臨ませたことを特徴とする化
合物半導体気相成長装置。 (2) 上記２重構造のスリーブの外筒は、実施す
る気相成長方法に応じてその上端が基板支持台と
ほぼ同一高さまたはそれよりも高くなるように決
定され、内筒はその上端が基板支持台よりも低く
なるように決定されてなることを特徴とする実用
新案登録請求の範囲第１項記載の化合物半導体気
相成長装置。 (3) 上記２重構造のスリーブを構成する外筒と
内筒は、各々縦方向に沿つて分割可能にされてい
ることを特徴とする実用新案登録請求の範囲第１
項もしくは第２項記載の化合物半導体気相成長装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16522287U JPH0345957Y2 (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16522287U JPH0345957Y2 (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0183073U true JPH0183073U (ja) | 1989-06-02 |
| JPH0345957Y2 JPH0345957Y2 (ja) | 1991-09-27 |
Family
ID=31451511
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16522287U Expired JPH0345957Y2 (ja) | 1987-10-28 | 1987-10-28 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0345957Y2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010502833A (ja) * | 2006-08-31 | 2010-01-28 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド | 制御された固体モルフォロジを利用する、固体前駆体に基づいた流体の送出 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4083512B2 (ja) * | 2002-08-30 | 2008-04-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
-
1987
- 1987-10-28 JP JP16522287U patent/JPH0345957Y2/ja not_active Expired
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010502833A (ja) * | 2006-08-31 | 2010-01-28 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ，インコーポレイテッド | 制御された固体モルフォロジを利用する、固体前駆体に基づいた流体の送出 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0345957Y2 (ja) | 1991-09-27 |
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