JPH0188529U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0188529U JPH0188529U JP18392587U JP18392587U JPH0188529U JP H0188529 U JPH0188529 U JP H0188529U JP 18392587 U JP18392587 U JP 18392587U JP 18392587 U JP18392587 U JP 18392587U JP H0188529 U JPH0188529 U JP H0188529U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- switch
- photodetector
- fet
- gate
- channel
- Prior art date
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- Pending
Links
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
Landscapes
- Electronic Switches (AREA)
Description
第１図は本考案にかかる光電スイツチの一実施
例の構成図、第２図は本考案にかかる光電スイツ
チのための実施例の構成図、第３図および第４図
は本考案にかかるスイツチの使用例を示した図、
第５図は従来における光電スイツチの構成例を示
した図である。 Ｄ１〜Ｄｍ…フオトダイオード、Ｑ１，Ｑ２…
デイプレツシヨン型ＭＯＳ ＦＥＴ、Ｒ１…負荷
抵抗。
例の構成図、第２図は本考案にかかる光電スイツ
チのための実施例の構成図、第３図および第４図
は本考案にかかるスイツチの使用例を示した図、
第５図は従来における光電スイツチの構成例を示
した図である。 Ｄ１〜Ｄｍ…フオトダイオード、Ｑ１，Ｑ２…
デイプレツシヨン型ＭＯＳ ＦＥＴ、Ｒ１…負荷
抵抗。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 入射光量に応じて開閉または電気抵抗が変化す
る光電スイツチにおいて、 １個または複数個直列に接続された受光素子と
、 チヤネルがスイツチの接点になつていて、ゲー
ト・ソース間に前記受光素子が接続されていて、
受光素子に一定光量以上の光が当たると、受光素
子の出力電圧でチヤネルが消滅させられてスイツ
チをオフ状態にするデイプレツシヨン型のＭＯＳ
ＦＥＴと、 このＭＯＳ ＦＥＴのゲート・ソース間に接続
されていて、ＭＯＳ ＦＥＴのしきい値電圧に応
じた抵抗値になつた負荷抵抗、 を具備した光電スイツチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18392587U JPH0188529U (ja) | 1987-12-02 | 1987-12-02 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18392587U JPH0188529U (ja) | 1987-12-02 | 1987-12-02 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0188529U true JPH0188529U (ja) | 1989-06-12 |
Family
ID=31475325
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18392587U Pending JPH0188529U (ja) | 1987-12-02 | 1987-12-02 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0188529U (ja) |
-
1987
- 1987-12-02 JP JP18392587U patent/JPH0188529U/ja active Pending