JPH019142Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 本考案は一枚のセラミツク基板にコンデンサや
抵抗等の素子を形成した複合素子に関する。

従来より、この種の複合素子としては、例えば
第１図に示すように、円板状のセラミツク基板１
１の一方の主面に円形の全面電極１２を形成する
一方、他方の主面に略一定間隔ｇを隔てて半円形
状の分割電極１３，１４を夫々形成し、これら全
面電極１２および分割電極１３，１４から夫々ほ
ぼ分割電極１３，１４の弦が走る方向にリード端
子１５および１６，１７を引き出したものや、上
記分割電極１３と１４とをブリツジするように、
塗布や蒸着等の手段により、抵抗体（図示せず。）
を形成したもの等が一般に知られている。

第１図の複合素子は、第２図に示すように、リ
ード端子１５と１６との間に上記全面電極１２と
分割電極１３とが形成するコンデンサＣ１を、ま
た、リード端子１５と１７との間に上記全面電極
１２と分割電極１４とが形成するコンデンサＣ２
を接続した回路構成を有する。

また、上記分割電極１３と１４とを抵抗体でブ
リツジした複合素子では、第３図に示すように、
第２図の回路のリード端子１６と１７との間に抵
抗Ｒを接続した回路構成を有する。

第１図のような複合素子では、リード端子１
５，１６および１７は、自動機により、全面電極
１２、分割電極１３および１４に夫々半田付けさ
れる。この場合、センサ等により、リード端子１
５，１６および１７に対するセラミツク基板１１
の位置や分割電極１３，１４の弦の傾きが検知さ
れ、これら位置や傾きは、通常、上記自動機が有
している小さい一定のばらつきの範囲内にある。

ところで、上記複合素子の絶縁耐圧は、半円状
の分割電極１３（もしくは１４）の弦の端部の尖
り部１８からセラミツク基板１１の表面に沿つて
リード端子１５のセラミツク基板１１からの引出
し位置に到る沿面距離によりほぼ定まる。そし
て、この沿面距離は、上記分割電極１３（もしく
は１４）の弦の端部の上記尖り部１８と、リード
端子１５の上記引出し位置に対向するセラミツク
基板１１の上記分割電極１３，１４形成側の主面
上の第１図においてＰで示す位置との間の距離Ａ
に、セラミツク基板１１の厚み（＝一定）を加え
たものに等しい。しかし、上記複合素子では、半
円状の分割電極１３（もしくは１４）の弦の上記
尖り部１８は、セラミツク基板１１の分割電極１
３，１４形成側の主面の周縁近くに位置している
ので、もともと上記距離Ａは小さい。このため、
自動機により定まる小さいばらつきの範囲内で、
たとえば第４図に示すように、リード端子１５，
１６および１７に対してセラミツク基板１１の位
置がわずかにずれたり、あるいは、第５図に示す
ように、分割電極１３，１４の弦が傾いても、上
記距離Ａが大幅に小さくなり、複合素子の絶縁耐
圧不良が発生しやすくなる。

すなわち、上記従来の複合素子では、リード端
子１５，１６および１７に対するセラミツク基板
１１の位置や分割電極１３，１４の弦の傾きの許
容範囲が狭く、自動機によつてリード端子１５，
１６および１７の半田付を行なうと、絶縁耐圧不
良の発生率が大きいという問題があつた。

本考案の目的は、自動機を使用したリード端子
の取付による絶縁耐圧不良の発生が少なくなるよ
うにした複合素子を提供することである。

このため、本考案は、セラミツク基板の一方の
主面に円形の全面電極を他方の主面に略一定間隔
を隔てて半円形状を有する分割電極を夫々形成
し、全面電極からほぼ分割電極の弦が走る方向に
リード端子を引き出してなる複合素子において、
上記分割電極の弦の両端の尖り部を夫々切り欠
き、全面電極から引き出したリード端子と分割電
極との間の沿面距離を拡げたことを特徴としてい
る。

以下、添付の図面を参照して本考案の実施例を
具体的に説明する。

本考案に係る複合素子を第１図の複合素子に適
用した実施例を第６図ａおよび第６図ｂに示す。

上記第６図ａおよび第６図ｂにおいて、第１図
の複合素子と対応する部分には同一の符号を付し
て示し、重複した説明は省略する。

上記複合素子は、第１図の半円形状の分割電極
１３および１４の弦の両端の尖り部１８，１８を
夫々切り欠いた分割電極１３′および１４′を、一
方の主面に全面電極１２を形成したセラミツク基
板１１の他方の主面に形成し、これら分割電極１
３′および１４′にリード線１６および１７を夫々
半田付けするようにしたものである。全面電極１
２に半田付けされる上記リード端子１５は、全面
電極１２のほぼ中心部から、ほぼ分割電極１３′，
１４′の弦が走る方向に引き出される。

このようにすれば、第６図ａからも分かるよう
に、リード端子１５のセラミツク基板１１からの
引出し位置に対向するセラミツク基板１１の分割
電極１３′，１４′形成側の主面上の位置P′から上
記分割電極１３′，１４′までの距離A′が、これ
ら分割電極１３′，１４′を切り欠いた分だけ、大
きくなる。そしてこの距離A′は、リード端子１
５，１６および１７の半田付け位置が自動機が有
しているばらつきの範囲内でばらついても、この
ばらつきは小さい一定の範囲にあるので、ほとん
ど変化（減少）しない。すなわち、分割電極１
３′，１４′とリード端子１５との間の沿面距離は
リード端子１５，１６および１７の半田付位置の
ばらつきによつてもほとんど変化しない。これに
より、複合素子に発生する耐圧不良の発生率は大
幅に低下する。

ちなみに、複合素子を第１図から第６図ａおよ
び第６図ｂの構造とすることにより、絶縁耐圧の
不良率を11.2パーセントから1.3パーセントへと
大幅に低下させることができた。

なお、分割電極１３′および１４′はその弦の両
端が切り欠かれているので、リード端子１５，１
６および１７の半田付け時のセラミツク基板１１
の方向性を無くすことができる。

以上の説明において本考案の基本的な実施例に
ついて説明したが、本考案は上記実施例に限定さ
れるものではなく、本考案の要旨の範囲内で種々
の構成とすることができる。

例えば、分割電極１３′および１４′は第６図ａ
のように直線状に切り欠く代わりに、曲線や円弧
状に切り欠いてもよい。

以上、詳細に説明したことからも明らかなよう
に、本考案は、従来の複合素子において、半円状
に分割電極の弦の両端の尖り部を切り欠いて全面
電極から引き出したリード端子と分割電極との間
の沿面距離を拡げるようにしたから、自動機でリ
ード端子を半田付けしても分割電極と全面電極の
リード端子との間に一定以上の距離が確保され、
自動機によるリード端子の半田付け時に多少セラ
ミツク基板にズレや傾きが発生しても絶縁耐圧不
良が発生することは少なくなり、複合素子の不良
率を大幅に引き下げることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来の複合素子の平面図、第２図およ
び第３図は夫々複合素子の回路図、第４図はリー
ド端子の取付時にセラミツク基板にズレが発生し
た場合の複合素子の平面図、第５図はリード端子
の取付時にセラミツク基板に傾きが発生した場合
の複合素子の平面図、第６図ａは本考案に係る複
合素子の一実施例の平面図、第６図ｂは第６図ａ
の断面図である。 １１……セラミツク基板、１２……全面電極、
１３，１３′，１４，１４′……分割電極、１５，
１６，１７……リード端子、１８……尖り部。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. セラミツク基板の一方の主面に円形の全面電極
   を他方の主面に略一定間隔を隔てて略半円形状を
   有する一対の分割電極を夫々形成し、全面電極か
   らほぼ分割電極の弦が走る方向にリード端子を引
   き出してなる複合素子において、上記分割電極の
   弦の両端の尖り部を夫々切り欠き、全面電極から
   引き出したリード端子と分割電極との間の沿面距
   離を拡げたことを特徴とする複合素子。