JPH0192071A - 超微凍結粒の製造噴射装置 - Google Patents

超微凍結粒の製造噴射装置

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Publication number
JPH0192071A
JPH0192071A JP25034187A JP25034187A JPH0192071A JP H0192071 A JPH0192071 A JP H0192071A JP 25034187 A JP25034187 A JP 25034187A JP 25034187 A JP25034187 A JP 25034187A JP H0192071 A JPH0192071 A JP H0192071A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
frozen
particles
vapor
pressure
frozen particles
Prior art date
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Pending
Application number
JP25034187A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Fujino
毅 藤野
Nobumi Hattori
服部 信美
Hayaaki Fukumoto
福本 隼明
Toshiaki Omori
大森 寿朗
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP25034187A priority Critical patent/JPH0192071A/ja
Publication of JPH0192071A publication Critical patent/JPH0192071A/ja
Pending legal-status Critical Current

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  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] この発明は、超微凍結粒の製造噴射装置に関し、特に半
導体装置製造用マスク等の表面処理に用いられる超微凍
結粒を製造および噴射する装置に関するものである。
[従来の技術] 従来から、ブラスト、クリーニング等の表面処理用の砥
粒、研磨剤として用いられる微細な氷等の凍結粒を製造
するための装置として、種々の構造のものが提案されて
きた。超微細な凍結粒を得るという目的に適用される装
置としては、たとえば、第2図に示すような装置が提案
されている。
第2図はこのような超微凍結粒の製造噴射装置の概略構
成図である。
図において、被凍結液1は密閉容器2内に収容され、そ
の蒸気を発生させるために加熱するヒータ3a、3bが
設けられている。冷却容器4内には発生した蒸気が導か
れるとともに、その蒸気を凍結させるための液体窒素等
の冷媒が冷媒導入管5によって矢印Aで示す方向に導入
されている。
冷却容器4内に導入する蒸気量を制御するためにバルブ
6が設けられ、冷却容器4内で発生した超微凍結粒を含
む気体の噴出を制御するためにバルブ7が設けられてい
る。被処理物8はバルブ7の噴出口に設置されている。
次に動作について説明する。
被凍結液1は密閉容器2においてヒータ3aにより加熱
され、被凍結液1より発生した蒸気はバルブ6により制
御され、冷却容器4内に導入される。ヒータ3bは発生
した蒸気をバルブ6の部分において液化させないために
用いられる。冷却容器4に導かれた蒸気は冷媒導入管5
から導入される液体窒素等の冷媒との間で熱交換が行な
われることにより、冷却され、超微凍結粒が形成される
超微凍結粒は冷媒として用いられた気体を媒体として輸
送されるが、これをバルブ7により制御し、被処理物8
に射出させることにより、被処理物8のブラスト、クリ
ーニング等の表面処理を行なう。
[発明が解決しようとする問題点] 従来の超微凍結粒の製造噴射装置は以上のように構成さ
れており、冷却容器4の内部温度、蒸気の冷却容器4内
への噴射圧力を制御することによって粒径1〜2μmの
均一な凍結粒が得られている。しかしながら、たとえば
、半導体装置製造用マスク等のクリーニングを行なう場
合、表面に付着する超微細な異物等を除去するために粒
径1μm以下の凍結粒の製造が要請されているが、従来
のこのような装置構成ではこの要求を満足することがで
きないという問題点があった。
そこで、この発明は上記のような問題点を解消するため
になされたもので、粒径1μm以下の超微凍結粒を得る
ことができる超微凍結粒の製造噴射装置を提供すること
を目的とする。
[問題点を解決するための手段] この発明に従った超微凍結粒の製造噴射装置は、次のよ
うな手段を備えたものである。
(a)被凍結液を加熱して蒸気を発生させる手段。
(b)蒸気を冷媒中に噴射し、凍結させて凍結粒を得る
手段。
(c)凍結粒を噴射させる手段。
そして、この発明の装置は、蒸気を冷媒中で凍結させる
過程が大気圧より減圧下の状態で行なわれるものである
[作用] この発明における被凍結液より発生する蒸気は大気圧よ
り減圧下の状態で凍結させられる。このような状態では
、蒸気の粒子間の相互作用による凝結成長が大気圧下よ
りも遅速となる。そのため、蒸気粒子の粒径が大きく成
長する前に凍結が生じることになり、より微小な粒径を
持つ超微凍結粒を得ることができる。
[実施例] 以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図はこの発明に従った超微凍結粒の製造噴射装置を示す
概略構成図である。
図において、被凍結液1は密閉容器2内に収容され、ヒ
ータ3a、3bが被凍結液1を加熱し、蒸気を発生させ
るために設けられている。発生した蒸気は冷却容器4内
に導入されるとともに、その蒸気を凍結させるために液
体窒素等の冷媒が冷媒導入管5によって矢印Aで示す方
向に冷却容器4内に導入されている。密閉容器2内で発
生した蒸気の冷却容器4中への噴射量はバルブ6によっ
て制御され、バルブ7は冷却容器4中で発生した超微凍
結粒を含む冷媒の被処理物8への噴射を制御している。
被処理物8はクリーニング、ブラスト等の表面処理が施
されるために処理室10内に設置されている。′真空ポ
ンプ9aは冷却容器4内を大気圧より減圧にするために
設けられ、真空ポンプ9bは被処理物8が配置されてい
る処理室10内を減圧にするために設けられている。
従来例と同様に、被凍結液1は密閉容器2内でヒータ3
aによって加熱され、被凍結液1より発生した蒸気はバ
ルブ6を通じて冷却容器4内に導入される。冷却容器4
は真空ポンプ9aで排気されていることにより、大気圧
より低い圧力状態になっている。このような状態では導
入された蒸気の粒子が互いに衝突を生じる開度が大気圧
の状態よりも低く、蒸気粒子が相互作用により凝結し成
長するまでに長い時間が必要である。そのため、蒸気粒
子が凝結し、粒径が大きくなる前に凍結が生じ、より微
小な粒径を持つ超微凍結粒を得ることができる。このよ
うにして得られた超微凍結粒はバルブ7を介して被処理
物8上に噴出される。
好ましくは、超微凍結粒をより高速に噴射させるために
は、被処理物8上の圧力が冷却容器4内の圧力よりも低
ければよい。この目的を達成するために、被処理物8が
配置されている処理室10を密閉し、真空ポンプ9bで
排気することにより、処理室10内を冷却容器4内より
も低い圧力とする。このようにして冷却容器4内と処理
室10内との間の圧力差を利用することにより、超微凍
結粒を含む媒体をより高速に噴出させ得る。
[発明の効果] 以上のように、この発明によれば大気圧より減圧下で蒸
気を凍結させるように構成したので、より微細な凍結粒
が得られるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例による超微凍結粒の製造噴
射装置の概略構成図、第2図は従来の超微凍結粒や製造
噴射装置の概略構成図である。 図において、1は被凍結液、2は密閉容器、3a、3b
はヒータ、4は冷却容器、5は冷媒導入管、6,7はバ
ルブ、8は被処理物、9a、  9bは真空ポンプ、1
0は処理室である。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)被凍結液を加熱して蒸気を発生させる手段と、前
    記蒸気を冷媒中に噴射し、凍結させて凍結粒を得る手段
    と、前記凍結粒を噴射させる手段とを備えた超微凍結粒
    の製造噴射装置であって、前記蒸気を冷媒中で凍結させ
    る過程が、大気圧より減圧下の状態で行なわれる、超微
    凍結粒の製造噴射装置。
  2. (2)前記凍結粒を噴射させる手段は、前記蒸気を冷媒
    中で凍結させる圧力状態よりも低い圧力状態下の空間に
    、前記冷媒を媒体として前記凍結粒を噴射させることを
    特徴とする、特許請求の範囲第1項に記載の超微凍結粒
    の製造噴射装置。
JP25034187A 1987-10-02 1987-10-02 超微凍結粒の製造噴射装置 Pending JPH0192071A (ja)

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JP25034187A JPH0192071A (ja) 1987-10-02 1987-10-02 超微凍結粒の製造噴射装置

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JP25034187A JPH0192071A (ja) 1987-10-02 1987-10-02 超微凍結粒の製造噴射装置

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JP25034187A Pending JPH0192071A (ja) 1987-10-02 1987-10-02 超微凍結粒の製造噴射装置

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998057365A1 (en) * 1997-06-11 1998-12-17 Fsi International, Inc. Treating substrates by producing and controlling a cryogenic aerosol
CN103302598A (zh) * 2012-03-09 2013-09-18 海纳微加工股份有限公司 真空压差式微加工装置及方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO1998057365A1 (en) * 1997-06-11 1998-12-17 Fsi International, Inc. Treating substrates by producing and controlling a cryogenic aerosol
US5961732A (en) * 1997-06-11 1999-10-05 Fsi International, Inc Treating substrates by producing and controlling a cryogenic aerosol
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