JPH0192741A - ポジ型ホトレジストの画像反転法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、特定のポジ型ホトレジストの画像を反転する
方法に関する。この方法は、同じレジスト組成物からネ
ガチブ階調しリーフ画像とボジチブ階調しリーフ画像の
両者を製作することを可能にする。

従来の技術 多くの製造元、但し特に高い密度の集積回路を製造する
業者は、レジストとして公知の薄膜に極めて小さいパタ
ーンを構成することに興味を持っている。これらの薄膜
はパターン化すべき支持体上に典型的には１〜２μｌの
厚さを有し、かつ所望のパターンの寸法は１μｍ以下で
あることができる。これらのパターンを形成する１つの
方法は、ホトリソグラフィーの使用を包含し、該方法は
所望のパターンを有するマスクの光学的画像を支持体の
被覆したホトレジスト表面に結像させることよりなる。

現像液に曝すと、使用ホトレジストは露光された箇所を
後に残すか又は露光された箇所が除去される。前者の場
合、ネガ型レジストと称され、一方後者の場合ポジ型レ
ジストとして公知である。

ところで、既存のネガ型レジスト被膜は、現像剤として
有機溶剤が使用されるので、レジストの現像中に膨潤す
る明確な傾向を有することが観察された。１つの結果と
して、レジストの２つのパッドの間の狭い解放ギヤ、ツ
ブを有するパターンを製作することは困難である、それ
というのも狭いギャップが橋渡しされる、即ち２つの、
恐らく分離されたパッドから成るレジストが現像中に互
いに接触する程に後に残るレジストが膨潤するからであ
る。レジスト被膜が現像液から取り出された後に収縮す
るとしても、膨潤したレジストがパターンの別の部分と
しても接触した箇所に、細くかつ薄いブリッジがパター
ンの２つの部分の間に形成されることがある。

これらの膨潤の問題に基づきかつポジ型レジストは現像
の際に膨潤しないことが知られていることにより、高解
像のマイクロリソグラフィーのためには実際にはポジ型
レジストが使用されるようになった。しかしながら、若
干のパターンにとってはネガ型レジストを使用すること
ができるのが一層好ましい。例えば、特定のパターンの
マスクは、より容易に製造できるか、又は大部分が暗色
であって、透明の領域が少ない方が、その反対の階調、
即ち大部分が透明であって、暗色の領域が少ない場合よ
りも使用するのが一層容易である。このようなケースは
、大部分が暗色であるマスクとは異なり大部分が透明な
マスクにおけるダスト粒子の効果を考慮すれば容易に理
解することができる。マスクの透明領域内のダスト粒子
は僅はかでも、レジストの階調に拘わらず欠陥としてレ
ジスト内に再生される。従って、たいていの透明マスク
は、比例的に、たいていの暗色マスクにおけるよりも粒
子汚染に対して敏感な大きな領域を有する例えば米国特
許第４１０４０７０号明細書及びり、Ｐ、トンプソン（
Ｔｈｏｍｐｓｏｎ）、Ｃ，Ｇ、ウィルソン（Ｗｉ　１ｌ
ｓｏｎ）及び輩、Ｊ、ボウデン（Ｂｏｗｄｅｎ）著“Ａ
ＣＳＳｙｍｐｏｓｉｕｍ　５ｅｒｉｅｓ　２１９”　１
１７　（１９８３）に記載されているように、ノボラッ
ク結合樹脂及びジアゾケトン又はジアゾキノン光増感剤
から成る常用のポジ型ホトレジシトをネガチブ階調の画
像を得るために使用することができることは公知である
。

これらの画像は高い品質を有する、それというのも現像
中にレジストが膨潤しないからである。反転（ポジから
ネガ型）は、以下の化学的プロセスに基づき得られる： 最初は該レジスト被覆は、増感剤（１）の疎水性特性に
基づき水性現像液中に不溶性である（ノボラック樹脂自
体は親水性でありかつ既に現像液中に可溶性である）。

光化学反応生成物（２）に転化する際に、増感剤は親水
性でありかつそれ自体現像液中で可溶性であるインデン
カルボン酸に転移せしめられる。ノボラック樹脂は既に
可溶性であるので、これがレジスト被膜を、露光された
箇所で現像液中で可溶性にする。しかしながら、画像反
転法においては、支持体をモナゾリン又はアンモニア蒸
気のような触媒の存在下に加熱する、従ってカルボン酸
（２）は脱カルボキシル化されて、インデン化合物（３
）を形成し、該化合物は親水性でありかつ被膜を再び不
溶性にする。このプロセスは、“Ｓｅｍ１ｃｏｎｄｕｋ
ｔｏｒ　　Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ”　　１９８７
年４月、８８〜８９頁に記載されている。しかしながら
、アミンを使用すると、カルボン酸を中和し、増感剤−
（光化学的酸）の可溶性を低下させると示唆されている
。実際に、アミン塩は現像液中で全く可溶性である、従
って前記の脱カルボキシル化は、照射された領域を不溶
性にする最終的生成物に進行するはずである。被膜の露
光した部分を不溶性にした後に、レジスト被膜全体をい
かなる画像をも用いずに投光面露光する。この露光工程
中に、先に画像に基づき露光されなかった領域は、増感
剤（１）がカルボン酸（２）に転化されるので、可溶性
になる。先に露光された領域は、該領域において増感剤
は既に消費されているので、疎水性及び不溶性を維持す
る。このタイプの画像反転の例は総て、その溶解性がジ
アゾキノン増感剤によって制御される塩基可溶性ノボラ
ック樹脂を利用する。増感剤が疎水性状態であれば、被
膜は不溶性であり、−方それが親水性状態であれば、被
膜は可溶性である。従って、画像反転法を実施するため
には、脱カルボキシル化反応［（２）→（３）］は、増
感剤（ひいては被膜）を不溶性状態に転化するように進
行すべきである。

又、増感剤を、その酸性の光化学的生成物が高温度の後
露光ベーキング中に露光された領域を架橋することがで
きるように選択すれば、最終的全面露光は不必要である
ことも開示された。この形式の画像反転は、アミン処理
を利用しない［ＡＺ”’５２１４ホトレジストにおける
画像反転の機構及びリングラフイック評価（Ｍｅｃｈａ
ｎｉｓｍ　　ａｎｄ　　Ｌｉｔｈｏｇｒａｆｉｃ　　Ｅ
ｖａｌｕａｔｉｏｎ　　ｏｆＩｍａｇｅ　　Ｒｅｖａｒ
ｓａｌ　　ｉｎ　　ＡＺ”’５２１４　　Ｐｈｏｔｏｒ
ｅｓｉｓｔ）　　、Ｍ、　５ｐａｋ他著、“Ｐｒｏｃｅ
ｅｄｉｎｇｓ　ｏｆ　ｔｈｅ　ＳＰＥＲｅｇｉｏｎａｌ
　　Ｔｅｃｈｎｉｃａｌ　　Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ　　
ｏｎ　　Ｐｈｏｔｏ−ｐｏｌｙｍｅｒ：　　Ｐｒ１ｎｃ
ｉｐａｌｅｓ、　　Ｐｒｏｃｅｓｓｅｓ　　ａｎｄＭａ
ｔｅｒｉａｌｓ″、　　Ｅｌｌｅｎｖｉｌｌｅ、　　Ｎ
、Ｙ、　　（１９８５）、　　ｐ、２４７−２６９］　
　。

従って、親水性ノボラック樹脂及びジアジキノン増感剤
を使用した画像反転法は、インデンカルボン酸の脱カル
ボキシル化によって又は酸性触媒作用架橋によって不溶
性の疎水性領域を形成する（　Ｒ，Ｍ、　Ｒ，Ｇｉｊｓ
ｅｎ他著“Ａ　Ｑｕａｎｔｉ−ｔａｔｉｖｅ　Ａｓｓｅ
ｓｓｍｅｎｔ　ｏｆ　Ｉｍａｇｅ　Ｒｅｖｅｒｓａｌ、
　ＡＣａｎｄｉｄａｔｅ　ｆｏｒ　ａ　Ｓｕｂｍｉｃｒ
ｏｎ　Ｐｒｏｃｅｓｓ　ｗｉｔｈＩｍｐｒｏｖｅｄ　Ｌ
ｉｎｅｗｉｄｔｈ　Ｃｏｎｔｒｏｌ”　＋５ＰＩＥ　Ｖ
ｏｌ、　・６３１、　Ａｄｖａｎｃｅｓ　ｉｎ　Ｒｅ５
ｉｓｔ　　Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ　ａｎｄ　Ｐｒｏ−ｃ
ｃｅｓｉｎｇ　ｍ　ｔ　　（１９８６）、　　ｐ、　　
１０８〜１１６参照）。

常用のノボラックホトレジシトは、前記領域内の７ボラ
ツク樹脂の強度の吸収力に基づき高い解像度の画像を得
るためには短い紫外線波長≦３００　ｎｓで露光するこ
とができない点で制限される。この問題点を解決するた
めに、種類の異なった増感剤及び異なった結合剤樹脂を
使用することによって、ポジ型レジストが開発された（
米国特許第４４９１６２８号明細書及び米国特許出願第
８３２１１６号参照）。この際の増感剤は、光分解の際
に強酸を生成するオニウム塩のような化合物であり、一
方樹脂はそれらのＵＶ透過性及び別の物理的特性のため
に選択される重合体である。これらの樹脂は一体部分と
して酸不安定性基を有し、語基を除去することにより、
水性現像液中で不溶性から可溶性に重合体を転移させる
ことができる。米国特許第４４９１６２８号明細書には
、前記のようなレジストはボジチブ階調の画像を形成す
るために使用される水性アルカリよりもむしろ現像液と
して無極性有機溶剤を使用することによってネガチブ階
調画像を得るためのに処理することができると記載され
ている。この方法は、ポジチブ階調操作条件のそれに比
較すると、それらの可燃性、毒性又は揮発性に基づき、
取り扱いが一層困難である材料を使用することを必要と
する欠点を有する。これらの有機現像剤は又、重合体被
膜の膨潤性及びひび割れの可能性を強化する。

発明の構成 本発明は、一般的に言及すれば、重合体上の特定の疎水
性基を化学的に解ブロックして語基を水性アルカリ性現
像液中で可溶性にするための酸を光化学的に発生させる
ことよりなる、特定のポジ型レジストを利用する新規方
法である。該新規方法においては、これらのホトレジス
トはポジチブ階調の代わりにネガチブ階調を提供する。

本発明による方法は、該レジスト被膜をパターンマスク
を通して露光し、該被膜をアンモニア又はアミンのよう
なガス状塩基と接触させて重合体の解ブロックを阻止し
、過剰の塩基を除去し、被膜全体を投光露光し、ベーキ
ングによって重合体を解ブロックさせ、かつ被膜をアル
カリ性水溶液で現像することにより、マスフのネガチブ
階調画像を形成させることよりなる。

前記タイプのポジ型ホトレジストをパターンマスクを通
して露光すると、照射された領域内に光化学的酸が形成
される。該レジストを塩基で処理すると、露光された領
域内の酸は、酸／塩基反応を介して中和されて塩を形成
しかつ一般にベーキング肯定で得られる解ブロッキング
効果は発生しない。重合体はブッロクされずにかつ疎水
性として残る。次に、レジストを全面的に投光露光して
、先に露光されなかった領域に光化学的酸を発生させ、
次いで現像処理する。得られた画像は、ボジチブでなく
、むしろネガチブである。この技術はネガチブ階調を得
るためにポジ型ホトレジストを使用しかつそうすること
によってポジ型ホトレジスト固有の相対的利点、例えば
良好な解像度、水性現像性、低い現像液毒性、低い被膜
膨潤性等の有利な利点を利用可能にするものである。

該ホトレジストで使用される重合は、イミド官能基が酸
不安定性基、特にｔ−ブチルオキシカルボニル基でブッ
ロクされたイミド基含有重合体であるのが有利である。

本発明による方法で適用することができる別の重合体は
、酸不安定性基でブッロクされる官能基、例えばフェノ
ール又はカルボン酸基を有するものを包含するカルボン
酸を生成しない限り、種々の潜伏性光化学的酸を使用す
ることができる。オニウム塩、特にトリフレート（ＣＦ
３ＳＯ３−）が有利である。

発明の作用及び効果 疎水性のブロックト重合体を使用したレジストを本発明
よる方法に基づき処理すると、標準的水性アルカリ性現
像液中で現像した後に、ネガチブ階調画像を得ることが
できることが判明した。最近のレジスト系において形成
される光化学的酸、例えば弗化水素酸又はトリフルオロ
メタンスルホン酸は、カルボン酸ではないという事実に
基づき、米国特許第４１０４０７０号明細書記載の操作
のためには必須要件である脱カルボキシル化反応を受け
ることができないにも拘わらず、予測されなった結果が
生じる。更に、脱カルボキシル化法はレジストを塩基の
存在下に加熱することを必要とするが、酸の塩基での処
理は室温で行う。従って、本発明は、米国特許第４４９
１６２８号明細書及び米国特許出願第８３２１１６号に
記載された前記の最近のレジストに画像反転技術を適用
することを可能にする、当該技術分野における１つの進
歩を提供するものである。

本発明方法は、以下の工程から成る＝ １）支持体に疎水性のブロックト重合体及び潜伏性光化
学的酸から成るホトレジスト被膜を被覆する。

２）レジスト被膜をマスクを通して露光し、露光された
領域内に光化学的酸を発生させる、但し重合体の解ブロ
ックは行わない。

３）重合体を解ブロックするベーキング工程を実施せず
に、レジスト被膜をガス状塩基、例えばアンモニア又は
トリエチルアミンと接触させることにより、第２工程で
発生した酸を酸／塩基反応を介して中和して塩に転化さ
せる。

４）過剰の塩基を、例えば真空化又は支持体を不活性ガ
ス流内に配置することにより除去する。

５）レジスト被膜を投光露光して、第２工程で露光され
なかった領域内に酸を光化学的に発生させる。

６）支持体及びレジスト被膜をベーキングして、第２工
程で露光されなかった領域内で重合体を解ブロックさせ
る。

７）被膜をアルカリ性水溶液内で現像して、第２工程で
露光した部分を除いたレジスト層を除去することにより
マスクのネガチブ階調画像を形成させる。

本発明においては、以下の化学的プロセスが重要である
ことが判明した。前記工程順序において工程（２）で、
マスクの解放領域を通して露光された領域において、増
感剤を強酸に転化させる。この酸は常温では、疎水性重
合体を解ブロックすべきでない、さもなければそれは水
性現像液内で可溶性になりかつ中和工程（３）が無効に
なる。工程（３）では、ガス状塩基は被膜内に侵入しか
つ光化学的に発生した酸との酸／塩基反応を開始せしめ
る。この形式で、酸は塩に成る。この塩は、重合体の酸
不安定性の決定的な除去に触媒作用する、即ち重合体を
解ブロックする能力をもはや有していない。

このような工程は、ノボラック樹脂及びジアジキノンを
用いては不十分であることに留意されるべきである。そ
れというのも語基は親水性でありかつ被膜は溶解するか
らである。このホトレジストは樹脂が溶解するのを阻止
するために疎水性基が形成されることを必要とする。逆
に、本発明のために有利な光化学的酸は、アミンと反応
して塩をも形成することができるが、但しいかなる不溶
性基を形成しないＨＦ。

ＣＦ３５Ｏ３ＨＳｐ−トルエンスルホン酸及、びＨ２Ｓ
Ｏ４ような強酸を生成する。

塩基の重要な特性は、室温で十分に高い蒸気圧及び被膜
内に侵入しかつ光化学的酸と反応する能力である。この
ことは、該塩基がアンモニア又は１２個未満の炭素原子
を有する有機アミンのような小さな分子量を有すること
を意味する。工程（４）で、過剰のガス状塩基を除去す
るために、ウェハを真空又は不活性ガス流内に配置する
。除去が容易であるという理由から、工程（３）のアミ
ンが有利である。従って、第三アミン例えばトリエチル
アミンが、第一アミン例えばメチルアミンよりも有利で
ある。工程（５）で、ウェハ全体を投光露光する、該露
光は残留増感剤を光化学的酸に転化する。この増感剤は
、最初の画像に基づく露光の際に露光されなかったもの
（即ち、マスクの暗い領域の下にあったもの）である。

従って、被膜内の酸の濃度は、正常なワン−ステップ露
光でのマスクパターンで得られたものから反転されてい
る。

ベーキング工程（６）で、酸は米国特許第４４９１６２
８号明細書及び米国特許出願第８３２１１６号明細書に
記載されたように、重合体から酸不安定性基の除去に触
媒作用する。この除去は重合体を、前記領域内で水性現
像液中で可溶性にする。最初の露光（マスクされた）に
よって照射された領域内では、光化学的酸は中和工程に
よって無効にされている、従って酸安不安定性基の除去
は促進されずかつ重合体は不溶性で残る。第７エ程で、
ウェハを不安定性基の酸触媒作用除去が行われた被膜の
領域を洗浄除去するアルカリ性水溶液内に入れる。最終
的結果は、マスクが但し逆の階調で複製された、支持体
上のレジスト被膜のレリーフパターンである。即ち、残
留する領域と、洗浄される領域は、工程（３）、（４）
及び（５）を省略して得られるのとは反対の形状である
。

本発明による方法を実施する際には、アンモニア及びト
リエチルアミンの他に種々の適当な水性塩基の任意のも
のを使用することができる。有利な化合物は、例えば種
々の第一、第二又は第三アミン、特に１〜１２個の炭素
原子を有しかつホトレジスト被膜内に侵入することがで
きる蒸気を発生するものの任意のものを包含する。

不溶性基から可溶性基に化学的に転化するための光化学
的酸に依存する種々の公知のレジストの任意のものを、
ホトレジストの重合体成分として使用することができる
。本願発明の引用例として使用する米国特許出願第８３
２１１６号明細書に記載された重合体が有利である。こ
のような重合体の例は、Ｎ−ｔ−ブチルオキシカルボニ
ルマレインイミド／スチレン共重合体、ｒｑ−ｔ−ブチ
ル芽キシカルボニルマレインイミド単独重合体、Ｎ−ｔ
−ブチルオキシカルボニルマレインイミド／ビニルエー
テル共重合体（この場合、ビニルエーテルは３（メチル
ビニルエーテル）〜２０（オクタデシルビニルエーテル
）個の炭素原子を有する脂肪族である）、Ｎ−ｔ−ブチ
ルオキシカルボニルマレインイミド／２，４−二置換ス
チレン共重合体（該スチレンは２及び４位で独立に０１
〜Ｃ５アルキル基又はＨで置換されている）である。使
用することができるその他の重合体は、フェノール含有
重合体が酸不安定性基でブロックされたヒドロキシ官能
基を有するもの、例えばポリ（１−ブチルオキシカルボ
ニル−α−アルキルスチレン）又はその共重合体、ポリ
（ｔ−ブチルオキシカルボニルオキシスチレン）又はそ
の共重合体、又は酸不安定性基によってブロックされた
その他の酸性イミド官能基（−ＣＯ−ＮＨ−Ｃ０−）を
含有する重合体、例えばポリ（ジメチル−Ｎ−ｔ−ブチ
ルオキシカルボニルグルタルイミド）、又は酸不安定性
基によってブロックされたカルボン酸官能基を含有する
重合体例えば１ｌＪ（ｔ−ブチル−ｐ−ビニルベンゾエ
ート）又はその共重合体、ポリ（ｔ−ブチルメタクリレ
ート）又はその共重合体、及び同種のものを包含する。

本発明による方法のために有用な材料を得るために、そ
の他のブロッキング基も存在することができる。このよ
うな基の例は、米国特許出願第８３２１１６号明細書及
び米国特許第４４９１６２８号明細書に記載されており
、例えばベンジルオキシカルボニルである。

種々の潜伏性光化学的酸を使用することができるが、カ
ルボン酸を生成するジアゾキノンは、疎水性重合体を有
効に解ブロックせずかつ有利でない。オニウム塩例えば
ジアゾニウム塩、ヨードニウム塩、又はスルホニウム塩
、特にトリフレート（ＣＦ３ＳＯａ−）、スルホン酸メ
タン、又は一般的にＲ３０３−（式中、Ｒはアルキル基
、アリール基を表す）が有利である。特に有利であるの
は、トリフルオロメタンスルホン酸ジフェニルヨードニ
ウム及びトリフルオロメタンスルホン酸トリフェニルス
ルホニウムである。

実施例 例Ｉ Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニルマレインイミド／スチレン
共重合体９重量部及びトリフルオロメタンスルホン酸ジ
フェニルヨードニウム１重量部を２−メトキシエチルエ
ーテル（ジグリム）２７重量部に溶かすことによってポ
ジ型ホトレジスを配合した。得られた溶液を０．２μｌ
のＰＴＦＥフィルタを通して濾過した。濾過した溶液を
、レジスト付着を促進するため（こ蒸気相の１．１，１
，３．３．３−へキサメチルジシランに曝した清潔な２
′シリコンウエハにスピンキャストした。スピンキャス
ト後に、該ウェハを残留ジグリムを除去するために８０
℃で２０分間ソフトベーキングした。各ウェハをレジス
ト層と真空接着した石英パターンマスク上のクロムを通
して２６０±１５ｎｏ＋で１００　＋１Ｊ／ＣＪＩ２に
曝した。露光後に、ウェハを室温で１分間アンモニア蒸
気に曝した。次いでウェハを真空室内に入れかつ２０分
間１００ｍｍＨｇ（１３，３３２ｋＰａ）に低下させた
。処理室から取り出した後に、ウェハを２００　ｍＪ／
ｃｘ２で２６０　ｎｍで全面露光した。

次いで、露光したウェハを１３０℃で２分間ベーキング
して、酸性触媒化ブロッキングを起こさせた。ベーキン
グ後に、ウェハを１＝１水酸化テトラメチルアルミニウ
ム／水酸化テトラブチルアルミニウム（０，ＩＮＮ塩基
変度中で２０秒間現像した。得られたパターンは、最初
の露光で使用したマスクのネガチブ階調画像であった。

例２ レジスト被覆したウェハを、例１と正確に同じに製造し
た。該ウェハを例１と同様に露光したが、但し引き続き
トリエチルアミンの蒸気に１０分間曝した。その他の処
理は、例１に記載したと同じでありかつ再び得られた画
像は画像マスクのネガチブ階調であった。

例３ ポリ（ｔ−ブチルオキシカルボニルオキシスチレン）１
５重量部及びテトラフルオロメタンスルホン酸ジフェニ
ルヨードニウム１　重ｌｉ部ヲ２−メトキシエチルエー
テル（ジグリム）３７３重量部中に溶解することにより
、ポジ型ホトレジストを配合した。得られた溶液を０．
２μｍのＰＴＦＥフィルタを通して濾過した。濾過した
溶液を、レジスト付着を促進するために蒸気相の１．１
．１，３，３．３−へキサメチルジシランに曝した清潔
な２＃シリコンウエハにスピンキャストした。スピンギ
ヤスト後に、該ウェハを、溶剤を除去するために５５℃
で１５分間ベーキングした。各ウェハをレジスト層と真
空接着した石英パターンマスク上のクロムを通して２６
０±１５ｎｍで１００　ｍＪ／ｃｉ２に曝した。露光後
に、ウェハを室温で１分間アンモニア蒸気に曝した。次
いでウェハを、過剰のアンモニアを除去するために乾燥
窒素流内に３０分間配置した。窒素から取り出した後に
、ウェハを２００　ｍＪ／ｃｘ２で２６０　ｎｍで全面
露光した。次いで、露光したウェハを８５℃で２分間ベ
ーキングして、酸性触媒化解ブロッキングを起こさせた
。ベーキング後に、ウェハを０．２５Ｍ水酸化ナトリウ
ム溶液内で５〜１０秒間現像した。

得られたレリーフパターンは、最初の露光で使用したマ
スクのネガチブ階調画像であった。

例４ レジスト被覆したウェハを、例３と正確に同じに製造し
かつ処理したが、但しアンモニアの代わりにトリエチル
アミンの蒸気を使用しかつ過剰のアミンの除去を促進す
るために窒素流中で僅かに加熱した。得られたパターン
は、最初の露光で使用したマスクのネガチブ画像であっ
た。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、後続のベーキング過程で疎水性重合体を解ブロッキ
   ングして水性アルカリ性現像液中で可溶性にする酸を光
   化学的に発生するたための潜伏性光化学的酸を利用する
   ポジ型ホトレジストの画像反転法において、 （１）支持体上の前記のブロックト重合体及び前記潜伏
   性光化学的酸から成るホトレジスト層を画像に基づき露
   光して、前記重合体を解ブロッキングすることなく酸を
   光化学的に発生させ、 （２）後露光ベーキング工程を介することなく、露光し
   た層をガス状塩基で処理することにより、工程（１）で
   発生した酸を中和して、酸／塩基、反応を介して塩を形
   成させ（３）過剰の塩基を除去し、 （４）レジスト層を投光露光して、工程（１）で露光さ
   れなかった領域内に光化学的に酸を発生させ、 （５）工程（４）の露光したホトレジスト層をベーキン
   グし、工程（１）で露光しなかった領域内の前記重合体
   を解ブロックし、 （６）水性アルカリ性現像液中で、工程（１）で露光し
   た部分を除くレジスト層を除去することにより現像する ことを特徴とする、ポジ型ホトレジストの画像反転法。 ２、重合体が、イミド官能基が酸不安定性基でブロック
   されたイミド含有重合体である請求項１記載の方法。 ３、重合体がポリ（Ｎ−ｔ−ブチルオキシカルボニルマ
   レインイミド−コ−ブチルスチレン）である請求項２記
   載の方法。 ４、重合体がポリ（Ｎ−ｔ−ブチルオキシカルボニルマ
   レインイミド−コ−４−ｔ−ブチルスチレン）である請
   求項２記載の方法。 ５、重合体がポリ（Ｎ−ｔ−ブチルオキシカルボニルマ
   レインイミド−コ−デシルビニルエーテル）である請求
   項２記載の方法。 ６、重合体がポリ（ジメチル−Ｎ−ｔブチルオキシカル
   ボニルグルタルイミド）である請求項２記載の方法。 ７、重合体がポリ（Ｎ−ｔ−ブチルオキシカルボニルマ
   レインイミド）である請求項２記載の方法。 ８、ブロッキン基がｔ−ブチルオキシカルボニルである
   請求項２記載の方法。 ９、ブロッキン基がベンジルオキカルボニルである請求
   項２記載の方法。 １０、重合体が、ヒドロキシ官能基が酸不安定性基でブ
   ロックされたフェノール含有重合体である請求項１記載
   の方法。 １１、重合体がポリ（ｔ−ブチルオキシカルボニル−α
   −アルキルスチレン）である請求項１０記載の方法。 １２、重合体がポリ（ｔ−ブチルオキシカルボニルオキ
   シスチレン）である請求項１０記載の方法。 １３、ブロッキング基がｔ−ブチルオキシカルボニルで
   ある請求項１０記載の方法。 １４、ブロッキング基がベンジルオキカルボニルである
   請求項１０記載の方法。 １５、重合体が、酸性官能基が酸不安定性基でブロック
   されたカルボン酸含有重合体である請求項１記載の方法
   。 １６、重合体がポリ（ｔ−ブチルメタクリレート）であ
   る請求項１５記載の方法。 １７、重合体がポリ（ｔ−ブチルｐ−ピイルベンゾエー
   ト）である請求項１５記載の方法。 １８、光化学的に発生する酸をオニウム塩の照射によっ
   て発生させる請求項１記載の方法。 １９、オニウム塩がアリールジアゾニウム塩である請求
   項１８記載の方法。 ２０、オニウム塩がジアリールヨードニウム塩である請
   求項１８記載の方法。 ２１、オニウム塩がトリアリールスルホニウム塩である
   請求項１８記載の方法。 ２２、オニウム塩がトリフルオロメタンスルホン酸ジフ
   ェニルヨードニウムである請求項２０載の方法。 ２３、オニウム塩がトリフルオロメタンスルホン酸トリ
   フェニルスルホニウムである請求項２１記載の方法。 ２４、塩基が１〜１２個の炭素原子を有する第一、第二
   又は第三アミンである請求項１記載の方法。 ２５、塩基がアンモニアである請求項１記載の方法。 ２６、塩基がトリエチルアミンである請求項２４記載の
   方法。