JPH01928A - 液晶素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、スイッチング素子として薄膜トランジスタ
を用いた液晶素子に関する。

〔従来の技術〕

従来、このような液晶素子として、液晶にカイラルスメ
クチックＣ相を呈する強誘電性液晶を用いたものなどが
提供されている。この種の液晶素子は、強誘電性液晶が
双安定状態を有し、表示のメモリ性を持ち、かつ高速応
答性を備えていることから、大容量デイスプレィ、メモ
リ形デイスプレィ、高速光シャッタなどに応用されつつ
ある。

ところで、一般に、強誘電性液晶は通常のネマチック液
晶に比べて高粘性を有し、また流動した際にその流動方
向に沿って配向する性質をも有している。したがって、
このような強誘電性液晶を用いた液晶素子では、その製
造にあたり、セル内に液晶を層流状態で注入して液晶分
子の配向をそろえる必要がある。

、〔発明が解決しようとする問題点〕 しかしながら、このような液晶素子では、そのセル内に
矩形の薄膜トランジスタ（以下、ＴＰＴと言う。）がそ
の長手方向と液晶と注入方向とを交差するように配設さ
れているため、これらのＴＰＴにより液晶の流れが大き
く変化させられて乱流とされ、液晶のスムースな流れが
妨げられてしまう問題がある。このため、セル内への液
晶の注入に手間どったり、注入後の液晶に配向欠陥が発
生したりするなどの問題も生じ易かった。

〔問題点を解決するための手段〕

そこで、この発明では、薄膜トランジスタをその長手方
向が強誘電性液晶の注入方向に平行となるように配設し
たことをその解決手段とした。

′　このような液晶素子では、高粘性を存する強誘電性
液晶を注入する際に、液晶の流れが薄膜ｌ・ランジスタ
に妨げられず層流となることから、注入速度を速めるこ
とができろとともに、注入後の液晶に配向欠陥が発生す
ることら少ない。

以下、第１図を参照してこの発明の詳細な説明する。図
中符号１は液晶素子である。この液晶素子ｌは下基板２
と上基板３と液晶４から概略構成されている。

下基板２はガラス板等からなるらので、この内表面には
例えばインジウム・スズ・オキサイド（以下、ＩＴＯと
略称する。）等からなる透明電極お　。

よびポリイミド樹脂等からなる配向膜が設けられている
が、いずれも図示しない。

また、この下基板２の内表面には、多数のゲート・バス
−５・・・とソース・バス６・・・とが格子状に配設さ
れている。これらゲート・バス５とソース・バス６とで
構成される一区画内の下基板２には、両バス５．６にそ
れぞれ電気的に接続する一つのＴＦＴ７が設けられ、こ
のＴＰＴに隣接して画素電極８が設けられている。そし
て、これらのＴＦＴ７・・・は、その平面形状が矩形と
なっており、それらのいずれもその長手方向が後述する
セルの液晶注入口の断面方向に直交するように配設され
ている。すなわち、上記ＴＦＴ７は、その長手方向が液
晶注入方向に平行となっている。

このような下基板２には、この下基板２と同様の材料か
らなる上基板３が重ね合わされている。

この上基板３の内表面には、その全面にＩＴＯ等からな
る透明電極が設けられている。

そして、」二下基［２，３は、第１図に示すように、互
いにその重ね合せ面の周辺部に帯状に設けられた光硬化
性アクリル系樹脂やエポキシ系樹脂などからなる封着材
９によりスペーサ（図示しない）を介して一体に貼り合
せられて、セルとされている。

この例のセルは、上下基板２．３の方形の重ね合せ面の
三辺に封着材９が設けられ、残りの一辺には封着材９が
設けられず、この封着材９の存在しない空隙部分が液晶
注入口］０となっている。

そして、このセルの上下基板２．３と封着材９とから形
成された空隙内には、カイラルスメクチックＣ相を呈す
る強誘電性液晶等の液晶４が充填されている。この液晶
４のセル内への注入は、上記液晶注入口１０からこの注
入口ＩＯの断面方向に直交する方向、すなわち図面にお
いて矢印Ａ方向に沿って行なわれる。そして、セル内の
多数のＴＦＴ７・・・は、その長手方向が矢印入方向に
平行となるように下基板２に設けられているので、液晶
４が高粘性を有する強誘電性液晶であっても、その流れ
を妨げることがない。このため、液晶４は、セル内にお
いて常に層流状態となって流れ、セル内全体にくまなく
流れてゆく。そして、注入後の液晶４はその配向がそろ
ったものとなり、配向欠陥の少ないものとなる。

そして、このような構成からなるセルは、通常の方法に
より偏光板等が取り付けられて液晶素子１とされた上で
、実用に供ゼ°られる。

この液晶素子１にあっては、セル内のＴＦＴ　７・・・
をその長手方向が液晶４の注入方向に平行となるように
配設したものであるので、セル内に液晶４を注入する際
に、液晶４の流れがＴＦ’Ｔ７・・・により妨げられず
層流となることから、注入速度を速めることができ、注
入作業の短縮化を図れ、容易にかつ安価に製造できるも
のとなる。また、液晶４の流れが層流となることから、
注入後の液晶４に配向欠陥が発生することも少なく、安
定な特性を示すものとなる。

なお、この例では、一つの画Ｓ電極８に対して一つのＴ
ＦＴ７を設けた構成としたが、１画素２ＴＦＴ構成、１
画素３ＴＦＴ構成などの構成であってもよく、要は各画
素ごとに例えばＴＰＴ等のスイッチング素子を設けたア
クティブマトリックス駆動方式の液晶素子であればよい
。

〔発明の効果〕

以上説明したように、この発明の液晶素子は、ＴＩ”Ｔ
をその長手方向が液晶注入方向に平行となるように配設
したものであるので、セル内に液晶を注入する際に、液
晶の流れかＴ　Ｆ　’Ｉ’により妨げられずに層流とな
ることから、注入速度を速めることができ、注入作業の
短縮化を図れ、容易にかつ安価に製造できるらのとなる
。また、液晶の流れが層流となることから、注入後の液
晶に配向欠陥が発生することも少なく、安定な特性を示
すものとなる。

【図面の簡単な説明】

第１図は、この発明の液晶素子の一例を示す概略平面図
である。 １・・・液晶素子、４・・・液晶、７・・・ＴＰＴ（薄
膜トランジスタ）。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. スイッチング素子として薄膜トランジスタを用いた液晶
   素子であって、上記薄膜トランジスタをその長手方向が
   強誘電性液晶の注入方向に平行となるように配設したこ
   とを特徴とする液晶素子。