JPH0193128A - 半導体製造装置 - Google Patents

半導体製造装置

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JPH0193128A
JPH0193128A JP62250866A JP25086687A JPH0193128A JP H0193128 A JPH0193128 A JP H0193128A JP 62250866 A JP62250866 A JP 62250866A JP 25086687 A JP25086687 A JP 25086687A JP H0193128 A JPH0193128 A JP H0193128A
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JP
Japan
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etching
liquid
temperature
storage tank
pipe
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JP62250866A
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JPH0543290B2 (ja
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Makoto Kai
甲斐 真
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NEC Corp
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NEC Corp
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Publication date
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    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/10Energy storage using batteries

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  • Devices For Dispensing Beverages (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は半導体製造装置、特に半導体基板上に形成され
た薄膜又は半導体基板を食刻するためのエツチング装置
に関する。
〔従来の技術〕
従来、この種のエツチング装置としてアルミスピンエツ
チャーがある。本発明の実施例を示す第1図を使って、
従来のアルミスピンエツチャーの一例を説明する。
貯液槽1内のエツチング液をヒータ2と冷却水管3の交
互の使用により設定されだ液温になるように温度コント
ローラ4が常に動作している。またポンプ5は常に動い
ており、エツチング時には電磁弁6aが開き、かつ電磁
弁6bが閉じることによりスプレ一部7側にのみポンプ
5から送られてきたエツチング液が流れる。スプレ一部
7よりスプレーされたエツチング液はエツチング室8か
ら貯液槽1へと戻る。エツチング時以外は電磁弁6bが
開き、かつ電磁弁6aが閉じることにより分岐回収管1
0b側にのみポンプ5から送られてきたエツチング液が
流れ、貯液槽1にエツチング液が戻る。
エツチング時に切り換える場合、準備スプレーと称して
実際のエツチング作業前にスプレ一部7側の液の空流し
を行う。これはスプレ一部7の配管内に循環していなか
ったために外気で冷却されたいたエツチング液の温度を
空流しを行うことによりエツチング液の設定温度まで安
定させるために実施する。しかし、実際はスプレ一部7
からスプレーされた冷えたエツチング液が貯液槽1に戻
るため、貯液槽1内の液温も下がり、今まで安定状態に
あった貯液槽内の液温かしばらくの間安定せず、安定状
態に戻るまで5分以上かかった。エツチング液及び配管
の放熱防止のために配管に断熱材12を巻く方法も行わ
れているが、これだけではエツチング液及び配管の冷却
を完全に防止はできない。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上述した従来のアルミスピンエツチャーは、ポンプ5で
エツチング液を常に循環させており、エツチング時には
スプレ一部7側にのみエツチング液は流れ、その他のと
きには分岐回収管10b側にのみエツチング液が流れる
ようになっている。そのためエツチングを行わないとき
はスプレ一部7の配管中のエツチング液は外気によって
配管とともに冷却されるので、エツチング状態に切り換
え −たときに冷えたエツチング液が貯液槽に戻り、貯
液槽の液温か下がる。このため温度コントローラ4が作
動し液温を適正化させようとするが、初めの5分ぐらい
は貯液槽の液温は±3℃近く上下に変動し、エッチレー
トが安定しないという欠点がある。また、スプレ一部の
配管が適温に温まるまでに時間がかかるという欠点があ
る。現状では製品のエツチングを行う前に一定時間スプ
レ一部7に液の空流しを行うが、貯液槽内の液温が±α
5℃ぐらいに安定するまでの時間が長いという欠点があ
る。液温か安定しないとエッチレートも安定しないため
、信頼性の高い安定した半導体の製造ができない欠点が
ある。
本発明の目的は前記問題点を解決した半導体製造装置を
提供することにある。
〔発明の従来技術に対する相違点〕
上述した従来のアルミスピンエツチャーに対し、本発明
はスプレ一部7側及び分岐回収管10b側の両方の配管
内を常に一定温度のエツチング液を流すことにより、エ
ツチング液及び配管の外気による冷却を最小限にくいと
めることができるという相違点を有する。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明は半導体基板上に形成された薄膜又は半導体基板
を食刻する半導体製造装置において、エツチング液の温
調機構を備えた貯液槽に接続した配管を分岐させ、その
一方の分岐回収管を開閉弁を介して前記貯液槽に帰還さ
せ、その他方の分岐供給管を開閉弁を介してエツチング
室に開口し、該エツチング室に接続した回収管を前記貯
液槽に帰還させてなるエツチング液の循環系路と、前記
2つの開閉弁の開閉制御を行い、前記分岐回収管と分岐
供給管とに温度制御されたエツチング液を選択的に供給
する弁コントローラとを有することを特徴とする半導体
製造装置である。
〔実施例〕
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第1図において、1はエツチング液の温調機構を備えた
貯液槽である。前記温調機構は、エツチング液を加温す
るヒータ2と、エツチング液を冷却する冷却水管3と、
エツチング液の液温を熱電対11で検知しヒータ2と冷
却水管3とによる温調を行う温度コントローラ4とから
なる。
本発明は貯液槽1に接続した配管10を分岐させ、その
一方の分岐供給管10aを電磁弁(開閉弁)6aを介し
てエツチング室8のスプレ一部7に接続し、その他方の
分岐回収管10bを電磁弁(開閉弁)6bを介して貯液
槽1に帰還させ、エツチング室8の底部に接続した回収
管10cを貯液槽1に接続してエツチング液の循環系路
を構成し、さらに電磁弁6a。
6bにより分岐供給管10aと分岐回収管10bとに温
度制御されたエツチング液を選択的に供給する電磁弁コ
ントローラ9を装備したものである。12は各配管10
,10a、10b、10cに巻き付けた断熱管である。
実施例において、貯液槽1はヒータ2と冷却水管3と液
温測定用の熱電対11を内部に有しており、熱電対11
によって検出した液温か低いときにはヒータ2を、液温
が高いときには冷却水管3を温度コントローラ4が動作
させる。ポンプ5は常に動作しており、エツチング時に
は電磁弁コントローラ9の指令により電磁弁6aが開き
電磁弁6bが閉じてスプレ一部7側にのみエツチング液
が流れる。
スプレ一部7よりエツチング室8に出された液は回収管
10cを経て貯液槽1に回収される。エツチング時以外
は、電磁弁コントローラ9の指令に基づき、電磁弁6a
が開き電磁弁6bが閉じた状態と、電磁弁6aが閉じ電
磁弁6bが開く状態とを一定時間毎に交互に繰り返す。
電磁弁6aが開き電磁弁6bが閉じた状態では分岐供給
管10aを介してスプレー部7側にのみエツチング液が
流れ、電磁弁6aが閉じ電磁弁6bが開いた状態では分
岐回収管10b側のみにエツチング液が流れるので、常
に配管10,10a。
10b、 10c内のエツチング液は置換されることに
なり、配管及びエツチング液の局部的な温度の変化を防
止できる。また配管には断熱材12が巻いであるので、
配管及びエツチング液の放熱も最小限にできる。貯液槽
1にもどってくるエツチング液の温度の変化が少ないた
め、貯液槽1内の液温の不安定性もほとんどなく、温度
コントローラ4は安定した状態で液温をコントロールで
きる。エツチング時以外の状態からエツチング状態に切
り換えたときも、液温の変動がほとんどないため安定し
たエッチレートで製品をエツチングできる。
〔発明の効果〕
以上説明したように本発明は、エツチング作業を行わな
いときに電磁弁6aと電磁弁6bを一定時間に交互に開
閉させることにより、全配管内を温度制御されたエツチ
ング液が常に循環するため1局部的な温度変化を防止で
き、貯液槽に帰還するエツチング液の温度変化を少なく
することができる。
これによりエツチング作業を行うときに、従来のように
スプレ一部のエツチング液を空流しする必要がなくなり
、直ちに安定しだ液温でエツチングすることにより、信
頼性の高い安定した半導体素子の製造が行えるという効
果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例を示す構成図である。 1・・・貯液槽       2・・・ヒータ3・・・
冷却水管      4・・・温度コントローラ5・・
・ポンプ      6a 、 6b・・・電磁弁(開
閉弁)7・・・スプレ一部     8・・・エツチン
グ室9・・・電磁弁コントローラ10・・・配管10a
・・・分岐供給管    10b・・・分岐回収管10
c・・・回収管      11・・・熱電対12・・
・断熱材

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)半導体基板上に形成された薄膜又は半導体基板を
    食刻する半導体製造装置において、エッチング液の温調
    機構を備えた貯液槽に接続した配管を分岐させ、その一
    方の分岐回収管を開閉弁を介して前記貯液槽に帰還させ
    、その他方の分岐供給管を開閉弁を介してエッチング室
    に開口し、該エッチング室に接続した回収管を前記貯液
    槽に帰還させてなるエッチング液の循環系路と、前記2
    つの開閉弁の開閉制御を行い、前記分岐回収管と分岐供
    給管とに温度制御されたエッチング液を選択的に供給す
    る弁コントローラとを有することを特徴とする半導体製
    造装置。
JP62250866A 1987-10-05 1987-10-05 半導体製造装置 Granted JPH0193128A (ja)

Priority Applications (1)

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JP62250866A JPH0193128A (ja) 1987-10-05 1987-10-05 半導体製造装置

Applications Claiming Priority (1)

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JP62250866A JPH0193128A (ja) 1987-10-05 1987-10-05 半導体製造装置

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Publication Number Publication Date
JPH0193128A true JPH0193128A (ja) 1989-04-12
JPH0543290B2 JPH0543290B2 (ja) 1993-07-01

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ID=17214174

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JP62250866A Granted JPH0193128A (ja) 1987-10-05 1987-10-05 半導体製造装置

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