JPH0543290B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0543290B2 JPH0543290B2 JP62250866A JP25086687A JPH0543290B2 JP H0543290 B2 JPH0543290 B2 JP H0543290B2 JP 62250866 A JP62250866 A JP 62250866A JP 25086687 A JP25086687 A JP 25086687A JP H0543290 B2 JPH0543290 B2 JP H0543290B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- liquid
- storage tank
- temperature
- liquid storage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 74
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 71
- 238000011084 recovery Methods 0.000 claims description 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 3
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 17
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 6
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
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- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
- Y02E60/10—Energy storage using batteries
Landscapes
- Devices For Dispensing Beverages (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Weting (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は半導体製造装置、特に半導体基板上に
形成された薄膜又は半導体基板を食刻するための
エツチング装置に関する。
形成された薄膜又は半導体基板を食刻するための
エツチング装置に関する。
従来、この種のエツチング装置としてアルミス
ピンエツチヤーがある。本発明の実施例を示す第
1図を使つて、従来のアルミスピンエツチヤーの
一例を説明する。
ピンエツチヤーがある。本発明の実施例を示す第
1図を使つて、従来のアルミスピンエツチヤーの
一例を説明する。
貯液槽1内のエツチング液をヒータ2と冷却水
管3の交互の使用により設定された液温になるよ
うに温度コントローラ4が常に動作している。ま
たポンプ5は常に動いており、エツチング時には
電磁弁6aが開き、かつ電磁弁6bが閉じること
によりスプレー部7側にのみポンプ5から送られ
てきたエツチング液が流れる。スプレー部7より
スプレーされたエツチング液はエツチング室8か
ら貯液槽1へと戻る。エツチング時以外は電磁弁
6bが開き、かつ電磁弁6aが閉じることにより
分岐回収管10b側にのみポンプ5から送られて
きたエツチング液が流れ、貯液槽1にエツチング
液が戻る。
管3の交互の使用により設定された液温になるよ
うに温度コントローラ4が常に動作している。ま
たポンプ5は常に動いており、エツチング時には
電磁弁6aが開き、かつ電磁弁6bが閉じること
によりスプレー部7側にのみポンプ5から送られ
てきたエツチング液が流れる。スプレー部7より
スプレーされたエツチング液はエツチング室8か
ら貯液槽1へと戻る。エツチング時以外は電磁弁
6bが開き、かつ電磁弁6aが閉じることにより
分岐回収管10b側にのみポンプ5から送られて
きたエツチング液が流れ、貯液槽1にエツチング
液が戻る。
エツチング時に切り換える場合、準備スプレー
と称して実際のエツチング作業前にスプレー部7
側の液の空流しを行う。これはスプレー部7の配
管内に循環していなかつたために外気で冷却され
たいたエツチング液の温度を空流しを行うことに
よりエツチング液の設定温度まで安定させるため
に実施する。しかし、実際はスプレー部7からス
プレーされた冷えたエツチング液が貯液槽1に戻
るため、貯液槽1内の液温も下がり、今まで安定
状態にあつた貯液槽内の液温がしばらくの間安定
せず、安定状態に戻るまで5分以上かかつた。エ
ツチング液及び配管の放熱防止のために配管に断
熱材12を巻く方法も行われているが、これだけ
ではエツチング液及び配管の冷却を完全に防止は
できない。
と称して実際のエツチング作業前にスプレー部7
側の液の空流しを行う。これはスプレー部7の配
管内に循環していなかつたために外気で冷却され
たいたエツチング液の温度を空流しを行うことに
よりエツチング液の設定温度まで安定させるため
に実施する。しかし、実際はスプレー部7からス
プレーされた冷えたエツチング液が貯液槽1に戻
るため、貯液槽1内の液温も下がり、今まで安定
状態にあつた貯液槽内の液温がしばらくの間安定
せず、安定状態に戻るまで5分以上かかつた。エ
ツチング液及び配管の放熱防止のために配管に断
熱材12を巻く方法も行われているが、これだけ
ではエツチング液及び配管の冷却を完全に防止は
できない。
上述した従来のアルミスピンエツチヤーは、ポ
ンプ5でエツチング液を常に循環させており、エ
ツチング時にはスプレー部7側にのみエツチング
液は流れ、その他のときには分岐回収管10b側
にのみエツチング液が流れるようになつている。
そのためエツチングを行わないときはスプレー部
7の配管中のエツチング液は外気によつて配管と
ともに冷却されるので、エツチング状態に切り換
えたときに冷えたエツチング液が貯液槽に戻り、
貯液槽の液温が下がる。このため温度コントロー
ラ4が作動し液温を適正化させようとするが、初
めの5分ぐらいは貯液槽の液温は±3℃近く上下
に変動し、エツチレートが安定しないという欠点
がある。また、スプレー部の配管が適温に温まる
までに時間がかかるという欠点がある。現状では
製品のエツチングを行う前に一定時間スプレー部
7に液の空流しを行うが、貯液槽内の液温が±
0.5℃ぐらいに安定するまでの時間が長いという
欠点がある。液温が安定しないとエツチレートも
安定しないため、信頼性の高い安定した半導体の
製造ができない欠点がある。
ンプ5でエツチング液を常に循環させており、エ
ツチング時にはスプレー部7側にのみエツチング
液は流れ、その他のときには分岐回収管10b側
にのみエツチング液が流れるようになつている。
そのためエツチングを行わないときはスプレー部
7の配管中のエツチング液は外気によつて配管と
ともに冷却されるので、エツチング状態に切り換
えたときに冷えたエツチング液が貯液槽に戻り、
貯液槽の液温が下がる。このため温度コントロー
ラ4が作動し液温を適正化させようとするが、初
めの5分ぐらいは貯液槽の液温は±3℃近く上下
に変動し、エツチレートが安定しないという欠点
がある。また、スプレー部の配管が適温に温まる
までに時間がかかるという欠点がある。現状では
製品のエツチングを行う前に一定時間スプレー部
7に液の空流しを行うが、貯液槽内の液温が±
0.5℃ぐらいに安定するまでの時間が長いという
欠点がある。液温が安定しないとエツチレートも
安定しないため、信頼性の高い安定した半導体の
製造ができない欠点がある。
本発明の目的は前記問題点を解決した半導体製
造装置を提供することにある。
造装置を提供することにある。
上述した従来のアルミスピンエツチヤーに対
し、本発明はスプレー部7側及び分岐回収管10
b側の両方の配管内を常に一定温度のエツチング
液を流すことにより、エツチング液及び配管の外
気による冷却を最小限にくいとめることができる
という相違点を有する。
し、本発明はスプレー部7側及び分岐回収管10
b側の両方の配管内を常に一定温度のエツチング
液を流すことにより、エツチング液及び配管の外
気による冷却を最小限にくいとめることができる
という相違点を有する。
本発明は半導体基板上に形成された薄膜又は半
導体基板を食刻する半導体製造装置において、エ
ツチング液の温調機構を備えた貯液槽に接続した
配管を分岐させ、その一方の分岐回収管を開閉弁
を介して前記貯液槽に帰還させ、その他方の分岐
供給管を開閉弁を介してエツチング室に開口し、
該エツチング室に接続した回収管を前記貯液槽に
帰還させてなるエツチング液の循環系路と、前記
2つの開閉弁の開閉制御を行い、前記分岐回収管
と分岐供給管とに温度制御されたエツチング液を
選択的に供給する弁コントローラとを有すること
を特徴とする半導体製造装置である。
導体基板を食刻する半導体製造装置において、エ
ツチング液の温調機構を備えた貯液槽に接続した
配管を分岐させ、その一方の分岐回収管を開閉弁
を介して前記貯液槽に帰還させ、その他方の分岐
供給管を開閉弁を介してエツチング室に開口し、
該エツチング室に接続した回収管を前記貯液槽に
帰還させてなるエツチング液の循環系路と、前記
2つの開閉弁の開閉制御を行い、前記分岐回収管
と分岐供給管とに温度制御されたエツチング液を
選択的に供給する弁コントローラとを有すること
を特徴とする半導体製造装置である。
以下、本発明の一実施例を図により説明する。
第1図において、1はエツチング液の温調機構
を備えた貯液槽である。前記温調機構は、エツチ
ング液を加温するヒータ2と、エツチング液を冷
却する冷却水管3と、エツチング液の液温を熱電
対11で検知しヒータ2と冷却水管3とによる温
調を行う温度コントローラ4とからなる。
を備えた貯液槽である。前記温調機構は、エツチ
ング液を加温するヒータ2と、エツチング液を冷
却する冷却水管3と、エツチング液の液温を熱電
対11で検知しヒータ2と冷却水管3とによる温
調を行う温度コントローラ4とからなる。
本発明は貯液槽1に接続した配管10を分岐さ
せ、その一方の分岐供給管10aを電磁弁(開閉
弁)6aを介してエツチング室8のスプレー部7
に接続し、その他方の分岐回収管10bを電磁弁
(開閉弁)6bを介して貯液槽1に帰還させ、エ
ツチング室8の底部に接続した回収管10cを貯
液槽1に接続してエツチング液の循環系路を構成
し、さらに電磁弁6a,6bより分岐供給管10
aと分岐回収管10bとに温度制御されたエツチ
ング液を選択的に供給する電磁弁コントローラ9
を装備したものである。12は各配管10,10
a,10b,10cに巻き付けた断熱管である。
せ、その一方の分岐供給管10aを電磁弁(開閉
弁)6aを介してエツチング室8のスプレー部7
に接続し、その他方の分岐回収管10bを電磁弁
(開閉弁)6bを介して貯液槽1に帰還させ、エ
ツチング室8の底部に接続した回収管10cを貯
液槽1に接続してエツチング液の循環系路を構成
し、さらに電磁弁6a,6bより分岐供給管10
aと分岐回収管10bとに温度制御されたエツチ
ング液を選択的に供給する電磁弁コントローラ9
を装備したものである。12は各配管10,10
a,10b,10cに巻き付けた断熱管である。
実施例において、貯液槽1はヒータ2と冷却水
管3と液温測定用の熱電対11を内部に有してお
り、熱電対11によつて検出した液温が低いとき
にはヒータ2を、液温が高いときには冷却水管3
を温度コントローラ4が動作させる。ポンプ5は
常に動作しており、エツチング時には電磁弁コン
トローラ9の指令により電磁弁6aが開き電磁弁
6bが閉じてスプレー部7側にのみエツチング液
が流れる。スプレー部7よりエツチング室8に出
された液は回収管10cを経て貯液槽1に回収さ
れる。エツチング時以外は、電磁弁コントローラ
9の指令に基づき、電磁弁6aが開き電磁弁6b
が閉じた状態と、電磁弁6aが閉じ電磁弁6bが
開く状態とを一定時間毎に交互に繰り返す。電磁
弁6aが開き電磁弁6bが閉じた状態では分岐供
給管10aを介してスプレー部7側にのみエツチ
ング液が流れ、電磁弁6aが閉じ電極弁6bが開
いた状態では分岐回収管10b側のみにエツチン
グ液が流れるので、常に配管10,10a,10
b,10c内のエツチング液は置換されることに
なり、配管及びエツチング液の局部的な温度の変
化を防止できる。また配管には断熱材12が巻い
てあるので、配管及びエツチング液の放熱も最小
限にできる。貯液槽1にもどつてくるエツチング
液の温度の変化が少ないため、貯液槽1内の液温
の不安定性もほとんどなく、温度コントローラ4
は安定した状態で液温をコントロールできる。エ
ツチング時以外の状態からエツチング状態に切り
換えたときも、液温の変動がほとんどないため安
定したエツチレートで製品をエツチングできる。
管3と液温測定用の熱電対11を内部に有してお
り、熱電対11によつて検出した液温が低いとき
にはヒータ2を、液温が高いときには冷却水管3
を温度コントローラ4が動作させる。ポンプ5は
常に動作しており、エツチング時には電磁弁コン
トローラ9の指令により電磁弁6aが開き電磁弁
6bが閉じてスプレー部7側にのみエツチング液
が流れる。スプレー部7よりエツチング室8に出
された液は回収管10cを経て貯液槽1に回収さ
れる。エツチング時以外は、電磁弁コントローラ
9の指令に基づき、電磁弁6aが開き電磁弁6b
が閉じた状態と、電磁弁6aが閉じ電磁弁6bが
開く状態とを一定時間毎に交互に繰り返す。電磁
弁6aが開き電磁弁6bが閉じた状態では分岐供
給管10aを介してスプレー部7側にのみエツチ
ング液が流れ、電磁弁6aが閉じ電極弁6bが開
いた状態では分岐回収管10b側のみにエツチン
グ液が流れるので、常に配管10,10a,10
b,10c内のエツチング液は置換されることに
なり、配管及びエツチング液の局部的な温度の変
化を防止できる。また配管には断熱材12が巻い
てあるので、配管及びエツチング液の放熱も最小
限にできる。貯液槽1にもどつてくるエツチング
液の温度の変化が少ないため、貯液槽1内の液温
の不安定性もほとんどなく、温度コントローラ4
は安定した状態で液温をコントロールできる。エ
ツチング時以外の状態からエツチング状態に切り
換えたときも、液温の変動がほとんどないため安
定したエツチレートで製品をエツチングできる。
以上説明したように本発明は、エツチング作業
を行わないときに電磁弁6aと電磁弁6bを一定
時間に交互に開閉させることにより、全配管内を
温度制御されたエツチング液が常に循環するた
め、局部的な温度変化を防止でき、貯液槽に帰還
するエツチング液の温度変化を少なくすることが
できる。これによりエツチング作業を行うとき
に、従来のようにスプレー部のエツチング液を空
流しする必要がなくなり、直ちに安定した液温で
エツチングすることにより、信頼性の高い安定し
た半導体素子の製造が行えるという効果がある。
を行わないときに電磁弁6aと電磁弁6bを一定
時間に交互に開閉させることにより、全配管内を
温度制御されたエツチング液が常に循環するた
め、局部的な温度変化を防止でき、貯液槽に帰還
するエツチング液の温度変化を少なくすることが
できる。これによりエツチング作業を行うとき
に、従来のようにスプレー部のエツチング液を空
流しする必要がなくなり、直ちに安定した液温で
エツチングすることにより、信頼性の高い安定し
た半導体素子の製造が行えるという効果がある。
第1図は本発明の一実施例を示す構成図であ
る。 1……貯液槽、2……ヒータ、3……冷却水
管、4……温度コントローラ、5……ポンプ、6
a,6b……電磁弁(開閉弁)、7……スプレー
部、8……エツチング室、9……電磁弁コントロ
ーラ、10……配管、10a……分岐供給管、1
0b……分岐回収管、10c……回収管、11…
…熱電対、12……断熱材。
る。 1……貯液槽、2……ヒータ、3……冷却水
管、4……温度コントローラ、5……ポンプ、6
a,6b……電磁弁(開閉弁)、7……スプレー
部、8……エツチング室、9……電磁弁コントロ
ーラ、10……配管、10a……分岐供給管、1
0b……分岐回収管、10c……回収管、11…
…熱電対、12……断熱材。
Claims (1)
- 1 半導体基板上に形成された薄膜又は半導体基
板を食刻する半導体製造装置において、エツチン
グ液の温調機構を備えた貯液槽に接続した配管を
分岐させ、その一方の分岐回収管を開閉弁を介し
て前記貯液槽に帰還させ、その他方の分岐供給管
を開閉弁を介してエツチング室に開口し、該エツ
チング室に接続した回収管を前記貯液槽に帰還さ
せてなるエツチング液の循環系路と、前記2つの
開閉弁の開閉制御を行い、前記分岐回収管と分岐
供給管とに温度制御されたエツチング液を選択的
に供給する弁コントローラとを有することを特徴
とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62250866A JPH0193128A (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62250866A JPH0193128A (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | 半導体製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0193128A JPH0193128A (ja) | 1989-04-12 |
| JPH0543290B2 true JPH0543290B2 (ja) | 1993-07-01 |
Family
ID=17214174
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62250866A Granted JPH0193128A (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0193128A (ja) |
-
1987
- 1987-10-05 JP JP62250866A patent/JPH0193128A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0193128A (ja) | 1989-04-12 |
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