JPH0193190A - 高周波光ビートを有する2周波安定化レーザー装置 - Google Patents
高周波光ビートを有する2周波安定化レーザー装置Info
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- JPH0193190A JPH0193190A JP25130387A JP25130387A JPH0193190A JP H0193190 A JPH0193190 A JP H0193190A JP 25130387 A JP25130387 A JP 25130387A JP 25130387 A JP25130387 A JP 25130387A JP H0193190 A JPH0193190 A JP H0193190A
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- 230000035559 beat frequency Effects 0.000 claims abstract description 20
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- KGPGQDLTDHGEGT-JCIKCJKQSA-N zeven Chemical compound C=1C([C@@H]2C(=O)N[C@H](C(N[C@H](C3=CC(O)=C4)C(=O)NCCCN(C)C)=O)[C@H](O)C5=CC=C(C(=C5)Cl)OC=5C=C6C=C(C=5O[C@H]5[C@@H]([C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O5)C(O)=O)NC(=O)CCCCCCCCC(C)C)OC5=CC=C(C=C5)C[C@@H]5C(=O)N[C@H](C(N[C@H]6C(=O)N2)=O)C=2C(Cl)=C(O)C=C(C=2)OC=2C(O)=CC=C(C=2)[C@H](C(N5)=O)NC)=CC=C(O)C=1C3=C4O[C@H]1O[C@H](CO)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H]1O KGPGQDLTDHGEGT-JCIKCJKQSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/10—Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
- H01S3/13—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
- H01S3/139—Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the mutual position or the reflecting properties of the reflectors of the cavity, e.g. by controlling the cavity length
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
a)産業上の利用分野
未発IIIは、2周波ゼーマンレーザーにおいて光ビー
ト周波数を他の発振器でつくられた基準周波数に一致さ
せることにより、高い確度で周波数の安定化を行なう周
波数安定化レーザーに関する。
ト周波数を他の発振器でつくられた基準周波数に一致さ
せることにより、高い確度で周波数の安定化を行なう周
波数安定化レーザーに関する。
b)従来の技術とその問題点
従来のこの種の装置は光ビート周波数を周波数−電圧変
換して制御信号をつくることを基本としているが、この
ような装置は以下のような欠点を有している。
換して制御信号をつくることを基本としているが、この
ような装置は以下のような欠点を有している。
いくつかのレーザー放電管について′2周波ゼーマンレ
ーザーの光ビート周波数f8 とレーザー光の発振周
波数f【 の間の関係を求めると第1図のような結果が
得られる。すなわち、放電管A、B。
ーザーの光ビート周波数f8 とレーザー光の発振周
波数f【 の間の関係を求めると第1図のような結果が
得られる。すなわち、放電管A、B。
Cの光ビート周波数の中心値は大幅に異なるが。
f8 の変化とfL の変化の割合はレーザー放電
管にはよらずはq一定である。
管にはよらずはq一定である。
−・方、2周波ゼーマンレーザーが干渉距離計の光源に
用いられ光ビート周波数が距離計の動作速度の限界を与
える場合があり、距離計の高速化のため光ビート周波数
の中心値が高いレーザー放電管を使用することが望まれ
る場合がある。
用いられ光ビート周波数が距離計の動作速度の限界を与
える場合があり、距離計の高速化のため光ビート周波数
の中心値が高いレーザー放電管を使用することが望まれ
る場合がある。
周波数を電圧に変換する変換器でrtAg4電圧信号を
つくるとき、変換器を構成する電子素子の温度特性の影
響があるが、この影響の表われ方は光ビート周波数の中
心値が高くなる程はげしくなる。
つくるとき、変換器を構成する電子素子の温度特性の影
響があるが、この影響の表われ方は光ビート周波数の中
心値が高くなる程はげしくなる。
共振器長の制aS−作開始以前においては変換器の出力
電圧はモードホップに応じて周期的に変化するが、光ビ
ート周波数の変化範囲は第1図から判るようにレーザー
放電管によらずはダ一定であるため、変換器の電子素子
の温度の通電による上昇による出力電圧の変化は中心値
の高いもの程いちじるしい、第2図aに中心周波数が低
い場合、bは高い場合の出力電圧vcの変化の様子を示
す。
電圧はモードホップに応じて周期的に変化するが、光ビ
ート周波数の変化範囲は第1図から判るようにレーザー
放電管によらずはダ一定であるため、変換器の電子素子
の温度の通電による上昇による出力電圧の変化は中心値
の高いもの程いちじるしい、第2図aに中心周波数が低
い場合、bは高い場合の出力電圧vcの変化の様子を示
す。
基準周波数をつくり、光ビート周波数の差を求めてこの
差がなくなるよう補正を行なう方式におい゛ては、制御
動作が開始された後では素子の特性の変化の影響は皆無
であるが、動作開始時には大きな問題となる。すなわち
、動作開始時においては変換器の出力電圧の変化に応じ
て、it制御信号の電圧の値が十分大きく変化する必要
があるが、温度ドリフトにより動作点が移動するとその
事が望めなくなる。光ビート周波数が 800KHz
位であればドリフトのw!Fは無視できるが、lNi
1zをこえると一般の電子素子では常に確実なam動作
を始めることの保lがむつかしくなる。従って光ビート
周波数が高いレーザー放電管を使用した安定化レーザー
をつくるには極めてむつかしい温度ドリフトの対策が要
求される。
差がなくなるよう補正を行なう方式におい゛ては、制御
動作が開始された後では素子の特性の変化の影響は皆無
であるが、動作開始時には大きな問題となる。すなわち
、動作開始時においては変換器の出力電圧の変化に応じ
て、it制御信号の電圧の値が十分大きく変化する必要
があるが、温度ドリフトにより動作点が移動するとその
事が望めなくなる。光ビート周波数が 800KHz
位であればドリフトのw!Fは無視できるが、lNi
1zをこえると一般の電子素子では常に確実なam動作
を始めることの保lがむつかしくなる。従って光ビート
周波数が高いレーザー放電管を使用した安定化レーザー
をつくるには極めてむつかしい温度ドリフトの対策が要
求される。
C)問題点を解決するための手段
光ビート周波数を、別途定める基準周波数に無限に近づ
けるようレーザー共振器の長さを制御するのであるが1
本発明は基準周波数と光ビート周波数の差を求め、この
差の周波数を周波数−電圧変換するもので、取扱う周波
数ならびに変換電圧は常に零の近くとなり、温度ドリフ
トの影響が小さい低周波領域で動作させることとなるの
で1問題点は根本的に解決される。
けるようレーザー共振器の長さを制御するのであるが1
本発明は基準周波数と光ビート周波数の差を求め、この
差の周波数を周波数−電圧変換するもので、取扱う周波
数ならびに変換電圧は常に零の近くとなり、温度ドリフ
トの影響が小さい低周波領域で動作させることとなるの
で1問題点は根本的に解決される。
d)発す1の効果
上記の手段により、高い光ビート周波数を有する周波数
安定化ゼーブンレーザーの動作開始時の誤動作の発生を
皆無とすることができ、高速干渉測長装置の光源として
都合のよい光ビート周波数の高いレーザーを安定供給す
ることが可能となる。
安定化ゼーブンレーザーの動作開始時の誤動作の発生を
皆無とすることができ、高速干渉測長装置の光源として
都合のよい光ビート周波数の高いレーザーを安定供給す
ることが可能となる。
e)実 施 例
17s3図は本発明の一実施例に係る装置を示す概略構
成図である。
成図である。
磁石N、Sの磁界の中におかれた内部鏡形レーザー放電
管!の発振光を、偏光子3を通して検知器4で検知する
と直交する偏光間の光ビートが得られる。この光ビート
は共振器長の変化に応じて周期的に変化している。光ビ
ート信号は高周波増@$5で増幅され、コンパレーター
6でTTLのための方形波に波形成形される。
管!の発振光を、偏光子3を通して検知器4で検知する
と直交する偏光間の光ビートが得られる。この光ビート
は共振器長の変化に応じて周期的に変化している。光ビ
ート信号は高周波増@$5で増幅され、コンパレーター
6でTTLのための方形波に波形成形される。
一方水晶発振器7の発する交番信号は1分周カウンター
8で分周され、基準周波数を与える信号がつくられる。
8で分周され、基準周波数を与える信号がつくられる。
この基準周波数の値の設定はコードスイッチ8a、8b
で行なわれる。コンパレーター6の出力の周波数、すな
わち光ビート周波数と基準周波数の周波数差は周波数差
計数装置9により求められ1周波数差が正の場合はアッ
プ回線Uに差周波に相当するパルスが現われ、負の場合
にはダウン回&lDにパルスが現われる0回線Uに現わ
れたパルス列は正極性微分回路10aによって正のパル
ス列となり1回線りに現われたパルスは負極性微分回路
10bによって負のパルスとなることにより、周波数差
の正負により正負の電気極性を有し1周波数が差周波数
に比例したパルス列を得ることができる。このパルス列
の周波数−電圧変換を変換器11で行ない制御信号をつ
くる。
で行なわれる。コンパレーター6の出力の周波数、すな
わち光ビート周波数と基準周波数の周波数差は周波数差
計数装置9により求められ1周波数差が正の場合はアッ
プ回線Uに差周波に相当するパルスが現われ、負の場合
にはダウン回&lDにパルスが現われる0回線Uに現わ
れたパルス列は正極性微分回路10aによって正のパル
ス列となり1回線りに現われたパルスは負極性微分回路
10bによって負のパルスとなることにより、周波数差
の正負により正負の電気極性を有し1周波数が差周波数
に比例したパルス列を得ることができる。このパルス列
の周波数−電圧変換を変換器11で行ない制御信号をつ
くる。
変換器は短い時定数を有する積分回路で構成することが
できる。制御信号は加算回路12を通って電力増幅回路
13で増幅され、電熱ヒーター2に供給され、レーザー
放電管の管壁温度な制御することにより共振器長の制御
が行なわれる。この際の制御の目標値はバイアス信号発
生器14で決定することができる0以上のシステムによ
り共振器長を一定として、光ビート周波数をはC一定に
保つことができる。
できる。制御信号は加算回路12を通って電力増幅回路
13で増幅され、電熱ヒーター2に供給され、レーザー
放電管の管壁温度な制御することにより共振器長の制御
が行なわれる。この際の制御の目標値はバイアス信号発
生器14で決定することができる0以上のシステムによ
り共振器長を一定として、光ビート周波数をはC一定に
保つことができる。
微分回路10a、10bによって得られるパルス列の電
荷は枯分器15で蓄植される蓄請量に比例した摂動電圧
信号がつくられ、その電圧は加算回路12でi’lJI
御信号に加算され、徐々にバイアスレベルの移動が行な
われる。この移動は正極性(負極性)のパルスが多い峙
はそれが少なくなるような方向に行なわれ正(負)のパ
ルス数と負(正)のパルスが等しくなるまで続く、また
正(負)のパルスの数が多いときは移動の速さは速く、
その数が少なくなると次第に速さが低下し負(正)のパ
ルスが現われはじめると移動はさらに遅くなり正負同数
となる頃には移動速度は無限小となる。
荷は枯分器15で蓄植される蓄請量に比例した摂動電圧
信号がつくられ、その電圧は加算回路12でi’lJI
御信号に加算され、徐々にバイアスレベルの移動が行な
われる。この移動は正極性(負極性)のパルスが多い峙
はそれが少なくなるような方向に行なわれ正(負)のパ
ルス数と負(正)のパルスが等しくなるまで続く、また
正(負)のパルスの数が多いときは移動の速さは速く、
その数が少なくなると次第に速さが低下し負(正)のパ
ルスが現われはじめると移動はさらに遅くなり正負同数
となる頃には移動速度は無限小となる。
バイアスレベルの移動というのはそれが速さに過ぎると
制御システムの乱れの原因となるので遅い程スムースな
制御がなされることから、目標(dと現状値が離れてい
るときは速く移動し、それが近付くと次第にゆっくり移
動するといった!IIsが理想とされるが、上記の摂動
の与え方はまさに理想通りとなっている。
制御システムの乱れの原因となるので遅い程スムースな
制御がなされることから、目標(dと現状値が離れてい
るときは速く移動し、それが近付くと次第にゆっくり移
動するといった!IIsが理想とされるが、上記の摂動
の与え方はまさに理想通りとなっている。
以上のごとく、差周波を基に制御信号をつくることによ
り、温度ドリフトの影響を無視できると共にブイルドな
摂動電圧の作成法を用いることにより摂動が乱れの原因
とならない周波数安定化レーザー装置を得ることができ
る。
り、温度ドリフトの影響を無視できると共にブイルドな
摂動電圧の作成法を用いることにより摂動が乱れの原因
とならない周波数安定化レーザー装置を得ることができ
る。
第1図、および第2図は本発明の説明図、第3図は本発
明の一実施例に係る安定化レーザー装置を示す概略構成
図である。 1 ・・・・・・・・・・・・レーザー放電管2 ・
・・・ ・・・・・・・・ 電 熱 ヒ − タ
− −3・・・・・・・・・・・・偏 光 子4
・・・・・・・・・・・・検 知 器5 ・・・・・・
・・・・・・高周波増幅器6 ・・・・・・・・・・・
・コンパレーター7・・・・・・・・・・・・水晶発振
器8 ・・・・・・・・・・・・分周カウンター8a、
8b・・・・・コードスイッチ 9 ・・・・・・・・・・・・周波数差計数装置10a
・・・・・・・・・・・正極性微分回路10b・・・・
・・・・・・・負極性微分回路1.1 ・・・・・・
・・・・−・周波数−電圧変換器12・・・・・・・・
・・・・加算回路13 ・・・・・・・・・・・・電力
増幅回路14 ・・・・・・・・・・・・バイアス電圧
発生器15 ・・・・・・・・・・・・ 積 分
器N、S・・・・・・・・・・・磁 石U ・・
・・・・・・・・・・・・アップ回路D ・・・・・・
・・・・・・・・ダウン回路−一つを 中214
明の一実施例に係る安定化レーザー装置を示す概略構成
図である。 1 ・・・・・・・・・・・・レーザー放電管2 ・
・・・ ・・・・・・・・ 電 熱 ヒ − タ
− −3・・・・・・・・・・・・偏 光 子4
・・・・・・・・・・・・検 知 器5 ・・・・・・
・・・・・・高周波増幅器6 ・・・・・・・・・・・
・コンパレーター7・・・・・・・・・・・・水晶発振
器8 ・・・・・・・・・・・・分周カウンター8a、
8b・・・・・コードスイッチ 9 ・・・・・・・・・・・・周波数差計数装置10a
・・・・・・・・・・・正極性微分回路10b・・・・
・・・・・・・負極性微分回路1.1 ・・・・・・
・・・・−・周波数−電圧変換器12・・・・・・・・
・・・・加算回路13 ・・・・・・・・・・・・電力
増幅回路14 ・・・・・・・・・・・・バイアス電圧
発生器15 ・・・・・・・・・・・・ 積 分
器N、S・・・・・・・・・・・磁 石U ・・
・・・・・・・・・・・・アップ回路D ・・・・・・
・・・・・・・・ダウン回路−一つを 中214
Claims (1)
- 異なる周波数を有しかつ互いに直交した偏光の間の光ビ
ート周波数が特定の値となるごとく共振器の長さを制御
するレーザーにおいて、偏光間の光ビート周波数と水晶
発振器等によりつくられる基準周波数の差の周波数を求
める差周波検出手段と、該差の周波数を電圧等の制御信
号に変換する周波数−電圧変換手段と、該制御信号を増
幅して電熱ヒーター等を用いてレーザー放電管の温度を
制御して共振器長さ制御する手段から構成されるシステ
ムにより共振器長さをほゞ一定にすると共に、前記差の
周波数の正負および大小に応じ、正負の電気極性および
周波数の高低を有する電気パルス列をつくり、さらに該
電気パルス列の電荷を徐々に積分して摂動電圧信号をつ
くり、該摂動電圧信号を前記の制御信号に加算して制御
信号の平均値すなわち共振器長の長さを徐々に移動させ
る機能を有することを特徴とする周波数安定化レーザー
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25130387A JPH0193190A (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | 高周波光ビートを有する2周波安定化レーザー装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25130387A JPH0193190A (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | 高周波光ビートを有する2周波安定化レーザー装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0193190A true JPH0193190A (ja) | 1989-04-12 |
Family
ID=17220799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25130387A Pending JPH0193190A (ja) | 1987-10-05 | 1987-10-05 | 高周波光ビートを有する2周波安定化レーザー装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0193190A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04106989A (ja) * | 1990-08-27 | 1992-04-08 | Mitsutoyo Corp | 二周波気体レーザの安定化方法及びその装置 |
| JP2012004426A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | Mitsutoyo Corp | 無変調安定化レーザ装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60140773A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-25 | Ushio Inc | 周波数安定化レ−ザ発振装置 |
| JPS60258985A (ja) * | 1984-06-05 | 1985-12-20 | Agency Of Ind Science & Technol | 熱変調による内部鏡レ−ザの周波数安定化方法 |
| JPS61501359A (ja) * | 1984-03-05 | 1986-07-03 | ベツクマン インスツルメンツ インコ−ポレ−テツド | レ−ザ磁気的制御装置 |
-
1987
- 1987-10-05 JP JP25130387A patent/JPH0193190A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60140773A (ja) * | 1983-12-28 | 1985-07-25 | Ushio Inc | 周波数安定化レ−ザ発振装置 |
| JPS61501359A (ja) * | 1984-03-05 | 1986-07-03 | ベツクマン インスツルメンツ インコ−ポレ−テツド | レ−ザ磁気的制御装置 |
| JPS60258985A (ja) * | 1984-06-05 | 1985-12-20 | Agency Of Ind Science & Technol | 熱変調による内部鏡レ−ザの周波数安定化方法 |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04106989A (ja) * | 1990-08-27 | 1992-04-08 | Mitsutoyo Corp | 二周波気体レーザの安定化方法及びその装置 |
| JP2012004426A (ja) * | 2010-06-18 | 2012-01-05 | Mitsutoyo Corp | 無変調安定化レーザ装置 |
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