JPH0193210A - 磁気表面弾性波素子 - Google Patents
磁気表面弾性波素子Info
- Publication number
- JPH0193210A JPH0193210A JP62250337A JP25033787A JPH0193210A JP H0193210 A JPH0193210 A JP H0193210A JP 62250337 A JP62250337 A JP 62250337A JP 25033787 A JP25033787 A JP 25033787A JP H0193210 A JPH0193210 A JP H0193210A
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- JP
- Japan
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- magnetic
- acoustic wave
- film
- surface acoustic
- effect body
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- Pending
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- Superconductor Devices And Manufacturing Methods Thereof (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、磁気表面弾性波素子に関するものである。
磁気表面弾性波素子は、今日、電子固体素子の重要な部
分を占めており、特に圧電セラミクスを用いたものはフ
ィルタや遅延線回路などに良く利用されている。
分を占めており、特に圧電セラミクスを用いたものはフ
ィルタや遅延線回路などに良く利用されている。
一方、磁歪を利用した磁気表面弾性波素子も、高磁歪ア
モルファス合金を用いて研究が進んでいる（例えば、上
伸浩之他「アモルファス磁性膜を用いた表面磁気弾性波
素子」電気学会マグネティックス研究資料、？ＩＡＧ−
８５巻、 ＮＯ，９ｐｐ６１〜６７（１９８５） ）。
モルファス合金を用いて研究が進んでいる（例えば、上
伸浩之他「アモルファス磁性膜を用いた表面磁気弾性波
素子」電気学会マグネティックス研究資料、？ＩＡＧ−
８５巻、 ＮＯ，９ｐｐ６１〜６７（１９８５） ）。
これは、圧電セラミクスを用いた表面弾性波素子に外部
磁界を印加することにより、伝搬する弾性波を容易に制
御できるという特色をもつものである。
磁界を印加することにより、伝搬する弾性波を容易に制
御できるという特色をもつものである。
この磁気表面弾性波素子の一例を図を用いて説明する。
第５図において、１は基板、２は弾性波励振部、３はＩ
ＤＴ（＜Ｌ型電極）、４は圧電セラミクス、５は磁性膜
、６は弾性波伝搬方向である。ＩＤＴ３により電気的に
励振された圧電セラミクス４はその圧電効果により基板
１に弾性波を伝える。弾性波は基板１や磁性膜５を伝搬
して、反対側の圧電セラミクス４に到達し、圧電効果に
より電気振動に変換され、ＩＤＴ３から取り出される。
ＤＴ（＜Ｌ型電極）、４は圧電セラミクス、５は磁性膜
、６は弾性波伝搬方向である。ＩＤＴ３により電気的に
励振された圧電セラミクス４はその圧電効果により基板
１に弾性波を伝える。弾性波は基板１や磁性膜５を伝搬
して、反対側の圧電セラミクス４に到達し、圧電効果に
より電気振動に変換され、ＩＤＴ３から取り出される。
磁気表面弾性波素子はこのような動作原理であるので、
外部磁界を印加してその磁性膜の磁気特性を変化させる
ことにより、伝搬する弾性波の音速を制御することがで
き、遅延速度の制御可能な遅延素子として用いることが
できるものである。
外部磁界を印加してその磁性膜の磁気特性を変化させる
ことにより、伝搬する弾性波の音速を制御することがで
き、遅延速度の制御可能な遅延素子として用いることが
できるものである。
しかしながら、磁性膜５として例えばＦｅＢ系のアモル
ファス合金を用いた場合には、その電気伝導度が大きい
ために、この中を弾性波が伝搬する際に生じた磁界のた
めに渦電流が生じ、これが損失となってしまう、そのた
め渦電流を打ち消す方向に電流を流すという技術もあっ
たが（例えば、藤田直幸他「磁気表面弾性波とプレーナ
・ホール効果との相互作用」第１０回日本応用磁気学会
学術講演概要集、ｐｐ７４． （１９８６，１１） ）
、外部より新たに電流を流すということは、素子とし
てみた場合、入力端子がさらに増すことになり、素子機
能の制御が複雑になるなどの欠点があった。
ファス合金を用いた場合には、その電気伝導度が大きい
ために、この中を弾性波が伝搬する際に生じた磁界のた
めに渦電流が生じ、これが損失となってしまう、そのた
め渦電流を打ち消す方向に電流を流すという技術もあっ
たが（例えば、藤田直幸他「磁気表面弾性波とプレーナ
・ホール効果との相互作用」第１０回日本応用磁気学会
学術講演概要集、ｐｐ７４． （１９８６，１１） ）
、外部より新たに電流を流すということは、素子とし
てみた場合、入力端子がさらに増すことになり、素子機
能の制御が複雑になるなどの欠点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、磁性膜内に生じた渦電流を軽減でき、損失を
低減できる磁気表面弾性波素子を得ることを目的とする
。
たもので、磁性膜内に生じた渦電流を軽減でき、損失を
低減できる磁気表面弾性波素子を得ることを目的とする
。
この発明に係る磁気表面弾性波素子は、磁性膜に近接し
て、マイスナー効果を奏する性質を有するマイスナー効
果体を設けたものである。
て、マイスナー効果を奏する性質を有するマイスナー効
果体を設けたものである。
この発明においては、マイスナー効果体によるマイスナ
ー効果により磁性膜中に生じた渦電流が低減される。
ー効果により磁性膜中に生じた渦電流が低減される。
以下、この発明の実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の第１の実施例による磁気表面弾性波
素子を示す０図において、第５図と同一符号は同じもの
を示し、７はマイスナー効果を奏する性質を有するマイ
スナー効果体であり、ここでは膜状に設けられている。
素子を示す０図において、第５図と同一符号は同じもの
を示し、７はマイスナー効果を奏する性質を有するマイ
スナー効果体であり、ここでは膜状に設けられている。
マイスナー効果体７としては、例えばセラミクス超電導
体などがあり、該セラミクス超電導体としては、例えば
Ｙ、Ｂａ。
体などがあり、該セラミクス超電導体としては、例えば
Ｙ、Ｂａ。
Ｃｕ、Ｌａなどを含む酸化物超電導体などがある。
また、磁性膜５としては、ΔＥ効果の大きいものが望ま
しく、ＦｅＢ系のアモルファス合金などがある。また、
圧電セラミクス４としては電気機械結合係数の大きいも
のが望ましく、例えばＺｎＯ。
しく、ＦｅＢ系のアモルファス合金などがある。また、
圧電セラミクス４としては電気機械結合係数の大きいも
のが望ましく、例えばＺｎＯ。
ＡｊＮなどがある。
本実施例では、弾性波進行方向６と平行に磁性膜５に近
接して基板１上に、マイスナー効果体７を膜状に設けて
いる。これにより、弾性波進行方向６に対して磁性膜５
内で直角な向きの磁界により生じる渦電流を制限するこ
とができる。
接して基板１上に、マイスナー効果体７を膜状に設けて
いる。これにより、弾性波進行方向６に対して磁性膜５
内で直角な向きの磁界により生じる渦電流を制限するこ
とができる。
第２図はこの発明の第２の実施例を示す０本実施例は、
上記マイスナー効果体７からなる膜を弾性波進行方向６
と直角に設けたものであり、これにより弾性波進行方向
６の方向の磁界により生じる渦電流を軽減することがで
きる。
上記マイスナー効果体７からなる膜を弾性波進行方向６
と直角に設けたものであり、これにより弾性波進行方向
６の方向の磁界により生じる渦電流を軽減することがで
きる。
第３図はこの発明の第３の実施例を示す。本実施例は、
上記膜を磁性膜５の全周を包囲するように設けたもので
あり、これにより弾性波進行方向６に対して平行な磁界
による渦電流及び垂直な磁界による渦電流を軽減するこ
とができる。
上記膜を磁性膜５の全周を包囲するように設けたもので
あり、これにより弾性波進行方向６に対して平行な磁界
による渦電流及び垂直な磁界による渦電流を軽減するこ
とができる。
第４図はこの発明の第４の実施例を示す。本実施例は、
上記膜を磁性膜５を上下からはさむように設けたもので
あり、これにより膜面垂直方向に平行な磁界により生じ
る渦電流を軽減することができる。ここでは、上下の両
層に膜を設けているが、これは上層、下層のいずれか一
方だけでもよい、 。
上記膜を磁性膜５を上下からはさむように設けたもので
あり、これにより膜面垂直方向に平行な磁界により生じ
る渦電流を軽減することができる。ここでは、上下の両
層に膜を設けているが、これは上層、下層のいずれか一
方だけでもよい、 。
なお、上記第１ないし第４の実施例では、マイスナー効
果体７を基板上に膜状に設けているが、これは基板の少
なくとも表面近傍、あるいは基板全体をマイスナー効果
を奏する性質を有するものとしてもよい。
果体７を基板上に膜状に設けているが、これは基板の少
なくとも表面近傍、あるいは基板全体をマイスナー効果
を奏する性質を有するものとしてもよい。
“ 以上のようにこの発明の磁気表面弾性波素子によれ
ば、磁性膜に近接してマイスナー効果体を設けたので、
弾性波伝搬に伴う渦電流を軽減することができ、伝搬時
の減衰を改善できる効果がある。
ば、磁性膜に近接してマイスナー効果体を設けたので、
弾性波伝搬に伴う渦電流を軽減することができ、伝搬時
の減衰を改善できる効果がある。
第１図はこの発明の第１の実施例による磁気表面弾性波
素子を示す上面図、第２図はこの発明の第２の実施例に
よる磁気表面弾性波素子を示す上面図、第３図はこの発
明の第３の実施例による磁気表面弾性波素子を示す上面
図、第４図はこの発明の第４の実施例による磁気表面弾
性波素子を示す側面断面図、第５図は従来の磁気表面弾
性波素子を示す上面図である。 １・・・基板、２・・・弾性波励振部、５・・・磁性膜
、６・・・弾性波伝搬方向、７・・・マイスナー効果体
。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
素子を示す上面図、第２図はこの発明の第２の実施例に
よる磁気表面弾性波素子を示す上面図、第３図はこの発
明の第３の実施例による磁気表面弾性波素子を示す上面
図、第４図はこの発明の第４の実施例による磁気表面弾
性波素子を示す側面断面図、第５図は従来の磁気表面弾
性波素子を示す上面図である。 １・・・基板、２・・・弾性波励振部、５・・・磁性膜
、６・・・弾性波伝搬方向、７・・・マイスナー効果体
。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (9)
- （１）基板上に磁性膜が設けられ、該磁性膜中及び基板
中を弾性波が伝搬する磁気表面弾性波素子であって、 上記磁性膜に近接して、マイスナー効果を奏する性質を
有するマイスナー効果体を備えたことを特徴とする磁気
表面弾性波素子。 - （２）上記マイスナー効果体は、上記磁性膜を伝搬する
弾性波の伝搬方向に平行に上記基板上に膜状に設けられ
ていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁
気表面弾性波素子。 - （３）上記マイスナー効果体は、上記磁性膜を伝搬する
弾性波の伝搬方向に垂直に上記基板上に膜状に設けられ
ていることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁
気表面弾性波素子。 - （４）上記マイスナー効果体は、上記磁性膜の全周を包
囲するよう上記基板上に膜状に設けられていることを特
徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気表面弾性波素
子。 - （５）上記マイスナー効果体は、上記磁性膜上に積層し
て膜状に設けられていることを特徴とする特許請求の範
囲第１項記載の磁気表面弾性波素子。 - （６）上記マイスナー効果体は、上記基板と上記磁性膜
との間に膜状に設けられていることを特徴とする特許請
求の範囲第１項記載の磁気表面弾性波素子。 - （７）上記基板の表面近傍を上記マイスナー効果体とし
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気表
面弾性波素子。 - （８）上記基板全体を上記マイスナー効果体としたこと
を特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気表面弾性
波素子。 - （９）上記マイスナー効果体は、セラミクス超電導体で
あることを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第８
項のいずれかに記載の磁気表面弾性波素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62250337A JPH0193210A (ja) | 1987-10-02 | 1987-10-02 | 磁気表面弾性波素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62250337A JPH0193210A (ja) | 1987-10-02 | 1987-10-02 | 磁気表面弾性波素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0193210A true JPH0193210A (ja) | 1989-04-12 |
Family
ID=17206418
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62250337A Pending JPH0193210A (ja) | 1987-10-02 | 1987-10-02 | 磁気表面弾性波素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0193210A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991018423A1 (fr) * | 1990-05-11 | 1991-11-28 | Hitachi, Ltd. | Element supraconducteur avec oxyde supraconducteur |
| JPH0548371A (ja) * | 1991-08-12 | 1993-02-26 | Mitsubishi Electric Corp | 弾性表面波回路 |
| CN104483772A (zh) * | 2014-12-10 | 2015-04-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 覆晶薄膜单元 |
-
1987
- 1987-10-02 JP JP62250337A patent/JPH0193210A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1991018423A1 (fr) * | 1990-05-11 | 1991-11-28 | Hitachi, Ltd. | Element supraconducteur avec oxyde supraconducteur |
| JPH0548371A (ja) * | 1991-08-12 | 1993-02-26 | Mitsubishi Electric Corp | 弾性表面波回路 |
| CN104483772A (zh) * | 2014-12-10 | 2015-04-01 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 覆晶薄膜单元 |
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