JPH0193718A - 光変調器 - Google Patents
光変調器Info
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- JPH0193718A JPH0193718A JP62251851A JP25185187A JPH0193718A JP H0193718 A JPH0193718 A JP H0193718A JP 62251851 A JP62251851 A JP 62251851A JP 25185187 A JP25185187 A JP 25185187A JP H0193718 A JPH0193718 A JP H0193718A
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- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 51
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- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/03—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect
- G02F1/055—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on ceramics or electro-optical crystals, e.g. exhibiting Pockels effect or Kerr effect the active material being a ceramic
- G02F1/0555—Operation of the cell; Circuit arrangements
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- Optical Modulation, Optical Deflection, Nonlinear Optics, Optical Demodulation, Optical Logic Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野コ
本発明は、光を変調するための光変調器、特に電気光学
結晶を用いた光変調器に関するものである。
結晶を用いた光変調器に関するものである。
［従来の技術］
電気光学結晶を用いた光変調器は高速動作が可能なので
、従来、電気光学結晶は光フアイバ中を伝達する光信号
の変調などに用いられてきた。その−例を示す第６図に
おいて、電気光学結晶１は、その上下面に電極２，３を
有している。電極２゜３には変調信号発生装置４が接続
されており、これによって画電極２，３間に所定の電圧
を印加するようになっている。また、電気光学結晶１に
対して光入力方向（矢印Ａ）の間隔を隔てて、入力側の
偏光子５および出力側の検光子６が設けられている。偏
光子５および検光子６に示された矢印は偏光面の方向を
示している。
、従来、電気光学結晶は光フアイバ中を伝達する光信号
の変調などに用いられてきた。その−例を示す第６図に
おいて、電気光学結晶１は、その上下面に電極２，３を
有している。電極２゜３には変調信号発生装置４が接続
されており、これによって画電極２，３間に所定の電圧
を印加するようになっている。また、電気光学結晶１に
対して光入力方向（矢印Ａ）の間隔を隔てて、入力側の
偏光子５および出力側の検光子６が設けられている。偏
光子５および検光子６に示された矢印は偏光面の方向を
示している。
また、一般に電気光学結晶は強誘電体であり、圧電性お
よび焦電性を併せ持っている。その特性を利用して、従
来、温度センサや電界センサなどへ電気光学結晶が応用
されてきた。
よび焦電性を併せ持っている。その特性を利用して、従
来、温度センサや電界センサなどへ電気光学結晶が応用
されてきた。
［発明が解決しようとする問題点］
しかしながら、電気光学結晶は、通常の圧電体や焦電体
と比較すればその圧電能および焦電能は大幅に低下する
。このため、電気光学結晶自体を加熱することよって無
電荷を発生させ、それに基づく電圧を用いて光の変調を
行なうことは極めて困難であった。また、電気光学結晶
内の分極方向と結晶の誘電率の異方性の問題から、効率
の良い素子の設計が困難であった。
と比較すればその圧電能および焦電能は大幅に低下する
。このため、電気光学結晶自体を加熱することよって無
電荷を発生させ、それに基づく電圧を用いて光の変調を
行なうことは極めて困難であった。また、電気光学結晶
内の分極方向と結晶の誘電率の異方性の問題から、効率
の良い素子の設計が困難であった。
したがって、電気光学結晶を用いた高感度でかつ安価な
温度センサや電界センサなどは、実質上実現不可能であ
った。
温度センサや電界センサなどは、実質上実現不可能であ
った。
本発明の目的は、熱エネルギ入力による変調動作が可能
な、電気光学結晶を用いた光変調器を実現することにあ
る。
な、電気光学結晶を用いた光変調器を実現することにあ
る。
［問題点を解決するための手段］
本発明は、電圧が印加されることによって透過する光の
変調を行なう電気光学結晶と、加熱により電荷を生じ、
それに基づく電圧を電気光学結晶に印加するべく電気光
学結晶に接続された焦電体とからなる光変調器である。
変調を行なう電気光学結晶と、加熱により電荷を生じ、
それに基づく電圧を電気光学結晶に印加するべく電気光
学結晶に接続された焦電体とからなる光変調器である。
［作用］
熱エネルギが焦電体に入力されると、焦電体は電荷を生
じる。それに基づく電圧は電気光学結晶に印加される。
じる。それに基づく電圧は電気光学結晶に印加される。
これによって、電気光学結晶では、内部に一次及び二次
の電気光学効果が生じ、電気光学結晶内を透過する光の
偏光面に回転を生じ、この偏光面の回転を基にして透過
光の変調を行なう。
の電気光学効果が生じ、電気光学結晶内を透過する光の
偏光面に回転を生じ、この偏光面の回転を基にして透過
光の変調を行なう。
［実施例］
本発明に係る実施例の基本的構造を示す第１図において
、電気光学結晶１１には、配線１２，１３を介して焦電
体１４が接続されている。電気光学結晶１１に対し、光
入力方向（矢印Ａ方向）に間隔を隔てて、入力側に偏光
子１５、出力側に検光子１６がそれぞれ配置されている
。偏光子１５および検光子１６は、光変調系として用い
られ、たとえば１軸方向に偏光面を持つ偏光子の１対か
らなる。なお、検光子１６の直後に１／４波長板を置き
、光学的なバイアスを与える構成とすることもできる。
、電気光学結晶１１には、配線１２，１３を介して焦電
体１４が接続されている。電気光学結晶１１に対し、光
入力方向（矢印Ａ方向）に間隔を隔てて、入力側に偏光
子１５、出力側に検光子１６がそれぞれ配置されている
。偏光子１５および検光子１６は、光変調系として用い
られ、たとえば１軸方向に偏光面を持つ偏光子の１対か
らなる。なお、検光子１６の直後に１／４波長板を置き
、光学的なバイアスを与える構成とすることもできる。
第１図に示す光変調器において、何らかの手段により焦
電体１４に熱エネルギが供給されると、焦電体１４に電
荷が発生する。発生した電荷は電気光学結晶１１に印加
され、焦電体１４と電気光学結晶１１の静電容量に応じ
た電圧が発生する。
電体１４に熱エネルギが供給されると、焦電体１４に電
荷が発生する。発生した電荷は電気光学結晶１１に印加
され、焦電体１４と電気光学結晶１１の静電容量に応じ
た電圧が発生する。
この電圧により電気光学結晶１１内に電界が形成され、
電気光学結晶１１中を透過する光の偏光面が変化する。
電気光学結晶１１中を透過する光の偏光面が変化する。
前記光変調器は、数１０〜数１００ｖの発生電圧に相当
する入射エネルギに対応可能なものである。また、本発
明の光変調器は、何らがの熱入力、たとえば光エネルギ
、電気エネルギなどを用いて変調することが可能な比較
的低速の光変調器として使用することも可能である。以
下、より具体的な実施例について説明する。
する入射エネルギに対応可能なものである。また、本発
明の光変調器は、何らがの熱入力、たとえば光エネルギ
、電気エネルギなどを用いて変調することが可能な比較
的低速の光変調器として使用することも可能である。以
下、より具体的な実施例について説明する。
実施例１
実施例１は、焦電体への加熱手段として、被変調光とは
異なる波長で光伝送路中を送られる光を用いた場合であ
る。
異なる波長で光伝送路中を送られる光を用いた場合であ
る。
第２図において、第１図に対応する部分には同一符号が
付されている。さらに、第２図では、偏光子１５に、光
ファイバ１７から変調光が供給されるようになっている
。光ファイバ１７は途中で分岐し、その分岐路１８はフ
ィルタ１９を介して焦電体１４に熱エネルギ、を与える
ための光を焦電体１４に供給し得るようになっている。
付されている。さらに、第２図では、偏光子１５に、光
ファイバ１７から変調光が供給されるようになっている
。光ファイバ１７は途中で分岐し、その分岐路１８はフ
ィルタ１９を介して焦電体１４に熱エネルギ、を与える
ための光を焦電体１４に供給し得るようになっている。
光ファイバ１７の他端には、発光ダイオードからなる被
変調光ｌ！Ａ２０が配置されている。また、光ファイバ
１７の他端部において、分岐路２１には発光ダイオード
からなる変調用光源２２が設けられている。
変調光ｌ！Ａ２０が配置されている。また、光ファイバ
１７の他端部において、分岐路２１には発光ダイオード
からなる変調用光源２２が設けられている。
さらに、偏光子１６からの変調光を受けるべくフォトト
ランジスタからなる光検知部２３が設けられている。
ランジスタからなる光検知部２３が設けられている。
光ファイバ１７にて変調光を伝送する場合、長距離を伝
送するとファイバ１７内での吸収・散乱などによりＳ／
Ｎが悪化する。低い周波数の信号を伝送する場合には、
信号はよりアナログ的となるために、Ｓ／Ｎはより一層
悪化しがちとなる。
送するとファイバ１７内での吸収・散乱などによりＳ／
Ｎが悪化する。低い周波数の信号を伝送する場合には、
信号はよりアナログ的となるために、Ｓ／Ｎはより一層
悪化しがちとなる。
しかしながら、第２図の構成によれば、被変調光と変調
光とを波長を変えて同一光ファイバ１７中を送り、偏光
子１５とフィルタ１９とによって両光を分離する。この
場合には、信号伝達先である光検知部２３の直前で変調
することができることから、Ｓ／Ｎの良い信号伝達が可
能となる。なお、この実施例については、低周波信号を
用いる測定機器や制御機器への応用が考えられる。
光とを波長を変えて同一光ファイバ１７中を送り、偏光
子１５とフィルタ１９とによって両光を分離する。この
場合には、信号伝達先である光検知部２３の直前で変調
することができることから、Ｓ／Ｎの良い信号伝達が可
能となる。なお、この実施例については、低周波信号を
用いる測定機器や制御機器への応用が考えられる。
実施例２
実施例２は、焦電体への加熱手段として、被変調光とは
異なる光伝送路を送られる光を用いた場合である。
異なる光伝送路を送られる光を用いた場合である。
第３図において、第１図および第２図に相当する部分に
は同一符号が付されている。さらに、第３図では、焦電
体１４は、５Ｘ５ｍｍＸＯ，ｉｔのＰＺＴセラミック製
である。電気光学結晶１１には、１０Ｘ１１０Ｘ１０．
５ｔのＰＬＺＴセラミックに、対向櫛形電極を同一面に
形成したものが用いられている。電気光学結晶１１の前
後には、偏光軸を一致させた１組の偏光子１５と検光子
１６が設置されている。焦電体１４の表面には黒化膜２
４が印刷によって形成されており、黒化膜２４に光ファ
イバ２５からレーザ光が照射されるようになっている。
は同一符号が付されている。さらに、第３図では、焦電
体１４は、５Ｘ５ｍｍＸＯ，ｉｔのＰＺＴセラミック製
である。電気光学結晶１１には、１０Ｘ１１０Ｘ１０．
５ｔのＰＬＺＴセラミックに、対向櫛形電極を同一面に
形成したものが用いられている。電気光学結晶１１の前
後には、偏光軸を一致させた１組の偏光子１５と検光子
１６が設置されている。焦電体１４の表面には黒化膜２
４が印刷によって形成されており、黒化膜２４に光ファ
イバ２５からレーザ光が照射されるようになっている。
光ファイバ２５の他端には、Ａｒレーザ２６が設けられ
ている。
ている。
Ａｒレーザ２６は、たとえば１００ｍＷのレーザであり
、これをたとえば長さ１０ｍの光ファイバ２５を通して
焦電体１４に照射する。焦電体１４に形成された黒化膜
２４により、レーザ光の吸収率の向上が図られる。レー
ザ光は、たとえば、チョッパにより１秒間照射される。
、これをたとえば長さ１０ｍの光ファイバ２５を通して
焦電体１４に照射する。焦電体１４に形成された黒化膜
２４により、レーザ光の吸収率の向上が図られる。レー
ザ光は、たとえば、チョッパにより１秒間照射される。
一方、近赤外発光ダイオードよりなる被変調光源２０か
ら発生した被変調光は、フォトトランジスタからなる光
検知部２３によって検出される。
ら発生した被変調光は、フォトトランジスタからなる光
検知部２３によって検出される。
電気光学結晶１１に電圧が印加されない場合には、電気
光学結晶１１内での偏光面の回転は生じず、光検知部２
３に入射する被変調光は最大となる。
光学結晶１１内での偏光面の回転は生じず、光検知部２
３に入射する被変調光は最大となる。
ここで、焦電体１４にレーザ光が入射すると、焦電体１
４の温度が上昇し、その結果、電気光学結晶１１の対向
櫛形電極に電圧が印加される。この場合、約２℃の温度
上昇によって、約１００Ｖの電圧が電気光学結晶１１に
印加される。これにより、電気光学結晶１１内で偏光面
の回転が生じ、偏光子１５と検光子１６との間を透過す
る光量は減少する。たとえば、約１００Ｖの電圧が印加
されれば、光量は約１／３に減少する。
４の温度が上昇し、その結果、電気光学結晶１１の対向
櫛形電極に電圧が印加される。この場合、約２℃の温度
上昇によって、約１００Ｖの電圧が電気光学結晶１１に
印加される。これにより、電気光学結晶１１内で偏光面
の回転が生じ、偏光子１５と検光子１６との間を透過す
る光量は減少する。たとえば、約１００Ｖの電圧が印加
されれば、光量は約１／３に減少する。
この実施例を用いれば、電気的信号を直接用いず、光信
号のみで変調された光信号を得ることが可能となる。実
施例２については、低周波信号を用いる測定器・制御機
器などへの応用が考えられる。
号のみで変調された光信号を得ることが可能となる。実
施例２については、低周波信号を用いる測定器・制御機
器などへの応用が考えられる。
実施例３
実施例３は、焦電体への加熱手段として、ジュール熱を
用いた場合である。
用いた場合である。
第４図において、第１図および第２図に相当する部分は
同一符号が付されている。さらに、第４図では、焦電体
１４に隣接して抵抗体２７が配置されている。抵抗体２
７は変調用信号源２８に接続され、変調用信号源２８か
らの電圧信号を受けて発熱するようになっている。した
がって、焦電体１４と抵抗体２７とは熱的に結合してお
り、焦電体１４の加熱は、被抵抗体２７からのジュール
熱によって行なわれることになる。
同一符号が付されている。さらに、第４図では、焦電体
１４に隣接して抵抗体２７が配置されている。抵抗体２
７は変調用信号源２８に接続され、変調用信号源２８か
らの電圧信号を受けて発熱するようになっている。した
がって、焦電体１４と抵抗体２７とは熱的に結合してお
り、焦電体１４の加熱は、被抵抗体２７からのジュール
熱によって行なわれることになる。
変調用信号源２８からの信号電圧に基づいて抵抗体２７
が発熱すると、焦電体１４の温度は上昇し、電気光学結
晶１１に電圧が印加される。これにより、電気光学結晶
１１内で偏光面の回転が生じ、被変調光源２０からの被
変調光は変調されて光検知部２３に至る。
が発熱すると、焦電体１４の温度は上昇し、電気光学結
晶１１に電圧が印加される。これにより、電気光学結晶
１１内で偏光面の回転が生じ、被変調光源２０からの被
変調光は変調されて光検知部２３に至る。
この実施例は、パワーメータ、発熱モニタ、加熱センサ
などに応用される。
などに応用される。
実施例４
実施例４は、焦電体への加熱手段がいわゆる光線以外の
電磁波または放射線である場合である。
電磁波または放射線である場合である。
第５図において、第１図および第２図に相当する部分は
同一符号が付されている。さらに、第５図では、焦電体
１４の外面に、電磁波や放射線を吸収して熱エネルギに
変える吸収体２９が塗布されている。
同一符号が付されている。さらに、第５図では、焦電体
１４の外面に、電磁波や放射線を吸収して熱エネルギに
変える吸収体２９が塗布されている。
電磁波や放射線が吸収体２９に吸収されて熱に変換され
ると、焦電体１４の温度は上昇する。この結果、電気光
学結晶１１に電圧が印加され、電気光学結晶１１内で偏
光面の回転が生じる。これにより、被変調光源２０から
の被変調光は変調されて光検知部２３に至る。
ると、焦電体１４の温度は上昇する。この結果、電気光
学結晶１１に電圧が印加され、電気光学結晶１１内で偏
光面の回転が生じる。これにより、被変調光源２０から
の被変調光は変調されて光検知部２３に至る。
この実施例によれば、電気的信号を直接用いず、光信号
のみで変調された光信号を得ることが可能となる。なお
、この実施例は、光ファイバによる放射線などの遠隔モ
ニタとして応用し得る。
のみで変調された光信号を得ることが可能となる。なお
、この実施例は、光ファイバによる放射線などの遠隔モ
ニタとして応用し得る。
［他の実施例］
本発明を実施するにあたっては、光の振幅変調のみなら
ず位相変調も行なうことが可能である。
ず位相変調も行なうことが可能である。
また、焦電体の加熱手段としては、前記実施例の場合に
限られることはなく、外部より伝導・放射・対流のうち
の少なくとも１つの形態により焦電体に加えられる熱エ
ネルギであればよい。
限られることはなく、外部より伝導・放射・対流のうち
の少なくとも１つの形態により焦電体に加えられる熱エ
ネルギであればよい。
［発明の効果］
本発明に係る光変調器によれば、加熱により電荷を生じ
、それに基づく電圧を電気光学結晶に印加するべく電気
光学結晶に接続された焦電体を用いたことから、熱的な
入力エネルギにより変調可能な光変調器を実現すること
ができるようになる。
、それに基づく電圧を電気光学結晶に印加するべく電気
光学結晶に接続された焦電体を用いたことから、熱的な
入力エネルギにより変調可能な光変調器を実現すること
ができるようになる。
第１図は、本発明に係る基本的な実施例の平面略図であ
る。第２図は、別の実施例の平面略図である。第３図は
、さらに別の実施例の斜視略図である。第４図および第
５図は、それぞれさらに別の実施例の平面略図である。 第６図は、従来の光変調器の斜視略図である。 １１は電気光学結晶、１４は焦電体である。 第６図 第１図
る。第２図は、別の実施例の平面略図である。第３図は
、さらに別の実施例の斜視略図である。第４図および第
５図は、それぞれさらに別の実施例の平面略図である。 第６図は、従来の光変調器の斜視略図である。 １１は電気光学結晶、１４は焦電体である。 第６図 第１図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 電圧が印加されることによって透過する光の変調を行な
う電気光学結晶と、 加熱により電荷を生じ、それに基づく電圧を前記電気光
学結晶に印加するべく電気光学結晶に接続された焦電体
とを含む光変調器。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62251851A JPH0193718A (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | 光変調器 |
| US07/254,456 US4974945A (en) | 1987-10-06 | 1988-10-06 | Optical modulator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62251851A JPH0193718A (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | 光変調器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0193718A true JPH0193718A (ja) | 1989-04-12 |
Family
ID=17228864
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62251851A Pending JPH0193718A (ja) | 1987-10-06 | 1987-10-06 | 光変調器 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4974945A (ja) |
| JP (1) | JPH0193718A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0588122A (ja) * | 1991-03-01 | 1993-04-09 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 光電子スイツチ |
| WO2008044394A1 (en) * | 2006-10-10 | 2008-04-17 | Tokyo Electron Limited | Position adjusting method for laser beam emitting device |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2646525B1 (fr) * | 1988-12-26 | 1993-11-26 | Mitsubishi Mining Cement Co Ltd | Appareil de commutation a commande photonique |
| US5638209A (en) * | 1994-02-14 | 1997-06-10 | Aisin Seiki Kabushiki Kaisha | Mirror apparatus |
| US5859728A (en) * | 1994-10-24 | 1999-01-12 | The United States Of America As Represented By The Administrator Of The National Aeronautics And Space Administration | Method and apparatus for improved spatial light modulation |
| US9553527B1 (en) * | 2014-12-01 | 2017-01-24 | Amazon Technologies, Inc. | Energy recovery layer in an electrowetting display |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3938878A (en) * | 1970-01-09 | 1976-02-17 | U.S. Philips Corporation | Light modulator |
| JPS5234752A (en) * | 1975-04-22 | 1977-03-16 | Hagiwara Denki Kk | Photomodulator |
| US4070621A (en) * | 1976-07-23 | 1978-01-24 | The United States Of America As Represented By The Department Of Health, Education And Welfare | Antenna with electro-optical modulator |
| US4277146A (en) * | 1979-07-19 | 1981-07-07 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army | Visible and infrared intensity limiter |
| US4283114A (en) * | 1980-04-11 | 1981-08-11 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Fiber optic light valve |
| US4428873A (en) * | 1980-08-30 | 1984-01-31 | Kureha Kagaku Kogyo Kabushiki Kaisha | Electrooptical element |
| US4358957A (en) * | 1980-09-05 | 1982-11-16 | Teledyne Isotopes | Temperature measuring method and apparatus |
| US4716449A (en) * | 1984-03-14 | 1987-12-29 | American Telephone And Telegraph Company At&T Bell Laboratories | Nonlinear and bistable optical device |
| US4808009A (en) * | 1986-06-05 | 1989-02-28 | Rosemount, Inc. | Integrated semiconductor resistance temperature sensor and resistive heater |
-
1987
- 1987-10-06 JP JP62251851A patent/JPH0193718A/ja active Pending
-
1988
- 1988-10-06 US US07/254,456 patent/US4974945A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0588122A (ja) * | 1991-03-01 | 1993-04-09 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 光電子スイツチ |
| WO2008044394A1 (en) * | 2006-10-10 | 2008-04-17 | Tokyo Electron Limited | Position adjusting method for laser beam emitting device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4974945A (en) | 1990-12-04 |
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