JPH0195405A - 誘電体磁器組成物 - Google Patents
誘電体磁器組成物Info
- Publication number
- JPH0195405A JPH0195405A JP62252898A JP25289887A JPH0195405A JP H0195405 A JPH0195405 A JP H0195405A JP 62252898 A JP62252898 A JP 62252898A JP 25289887 A JP25289887 A JP 25289887A JP H0195405 A JPH0195405 A JP H0195405A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- dielectric constant
- composition
- partial pressure
- temperature
- sro
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は1000℃以下で焼成可能な高誘電率系誘電体
磁器組成物に関し、特に低酸素分圧雰囲気で焼成した時
にチ密で高い抵抗率をもち、誘電率の温度変化の小さい
ものに関する。
磁器組成物に関し、特に低酸素分圧雰囲気で焼成した時
にチ密で高い抵抗率をもち、誘電率の温度変化の小さい
ものに関する。
従来の技術
近年セラミックコンデンサにおいては素子の小型化、大
容量化への要求から積層型セラミックコンデンサが急速
に普及しつつある。積層型セラミックコンデンサは内部
電極とセラミックを一体焼成する工程によって通常製造
される。従来より高誘電率系のセラミックコンデンサ材
料にはチタン酸バリウム系の材料が用いられてきたが、
焼成温度が1300℃程度と高いため、内部電極材料と
してはPt、Pd などの高価な金属を用いる必要が
あった。
容量化への要求から積層型セラミックコンデンサが急速
に普及しつつある。積層型セラミックコンデンサは内部
電極とセラミックを一体焼成する工程によって通常製造
される。従来より高誘電率系のセラミックコンデンサ材
料にはチタン酸バリウム系の材料が用いられてきたが、
焼成温度が1300℃程度と高いため、内部電極材料と
してはPt、Pd などの高価な金属を用いる必要が
あった。
これに対し発明者らは、特開昭62−87455号公報
記載の、低酸素分圧雰囲気中、1100℃以下で焼成で
き、銅を主成分とする卑金属材料を内部電極として使用
できる、(Pb a Me b)1(Nitzs
Nbpz* ) x Ti y (Nitzs+ Wl
/2 )Z102 +a+b (MeがCa、Sr、
Ba)で表される誘電体組成物を提案している。この組
成物は、低温度で焼成でき低酸素分圧下で焼成した際に
高い抵抗率および高誘電率を有する特性をもち、銅もし
くは銅を主成分とする内部電極をもちいた積層コンデン
サ素子に用いることができる優れた誘電体磁器組成物で
ある。しかし、焼成後得られる誘電体磁器の誘電率の温
度変化は比較的太き(なる問題点があった。
記載の、低酸素分圧雰囲気中、1100℃以下で焼成で
き、銅を主成分とする卑金属材料を内部電極として使用
できる、(Pb a Me b)1(Nitzs
Nbpz* ) x Ti y (Nitzs+ Wl
/2 )Z102 +a+b (MeがCa、Sr、
Ba)で表される誘電体組成物を提案している。この組
成物は、低温度で焼成でき低酸素分圧下で焼成した際に
高い抵抗率および高誘電率を有する特性をもち、銅もし
くは銅を主成分とする内部電極をもちいた積層コンデン
サ素子に用いることができる優れた誘電体磁器組成物で
ある。しかし、焼成後得られる誘電体磁器の誘電率の温
度変化は比較的太き(なる問題点があった。
発明が解決しようとする問題点
1000℃以下で焼成でき、高誘電率で誘電率の温度変
化が小さく、シかも低酸素分圧下で焼成した際に高い抵
抗率をもつ誘電体磁器組成物は知られていない。本発明
では上記の問題点をすべて解決する誘電体磁器組成物を
提供することを目的としている。
化が小さく、シかも低酸素分圧下で焼成した際に高い抵
抗率をもつ誘電体磁器組成物は知られていない。本発明
では上記の問題点をすべて解決する誘電体磁器組成物を
提供することを目的としている。
問題点を解決するための手段
Pb(Znl/3Nb2/3)03 PbTiO3−
Me(Zn1/3Nb2/3)03で表される三成分固
溶系において(Meは、SrおよびBaのうちの少なく
とも一種) 、S r OおよびBaOのうちの少なく
とも一種を上記組成物に対し、モル分率で、0.3%以
上8.0%以下含有する組成物とする。
Me(Zn1/3Nb2/3)03で表される三成分固
溶系において(Meは、SrおよびBaのうちの少なく
とも一種) 、S r OおよびBaOのうちの少なく
とも一種を上記組成物に対し、モル分率で、0.3%以
上8.0%以下含有する組成物とする。
作用
Pb (Zn+ /3Nb2/3) 03−PbT
i 03−N6 (ZnI / 3 Nb2 /
3 ) Q 3で表される三成分固溶系に(Meは、
SrおよびBaのうちの少なくとも一種)SrOおよび
BaOのうちの少なくとも一種を加え、Aサイト成分を
過剰にすることにより、低酸素分圧下での焼成により発
生する抵抗率の低下を抑制し、かつ低温焼結性を高め、
高誘電率の誘電体磁器組成物を得た。本発明の誘電体磁
器組成物を用いると、小型大容量で、容量の温度変化が
小さ(、シかも銅もしくは銅を主成分とする内部電極を
もちいた積層コンデンサ素子を得ることが可能となる。
i 03−N6 (ZnI / 3 Nb2 /
3 ) Q 3で表される三成分固溶系に(Meは、
SrおよびBaのうちの少なくとも一種)SrOおよび
BaOのうちの少なくとも一種を加え、Aサイト成分を
過剰にすることにより、低酸素分圧下での焼成により発
生する抵抗率の低下を抑制し、かつ低温焼結性を高め、
高誘電率の誘電体磁器組成物を得た。本発明の誘電体磁
器組成物を用いると、小型大容量で、容量の温度変化が
小さ(、シかも銅もしくは銅を主成分とする内部電極を
もちいた積層コンデンサ素子を得ることが可能となる。
実施例
出発原料には、化学的に高純度なPbO,MeCOs
(Me:Sr、Ba)、ZnO,Nb2O5,TiO
2、を用いた。これらを純度補正をおこなったうえで所
定量を秤量し、直径4■のジルコニア製玉石を用い純水
を溶媒としボールミルで17時時間式混合した。これを
吸引ろ過して水分の大半を分離した後乾燥し、その後ラ
イカイ機で充分解砕した後粉体量の5 w t%の水分
を加え、直径60mm高さ約50mmの円柱状に成形圧
力500kg/cm2で成形した。これをアルミナルツ
ボ中に入れ同質のフタをし、720℃〜840℃で2時
間仮焼した。次に仮焼物をアルミナ乳鉢で粗砕し、さら
に直径4mmのジルコニア製玉石を用い純水を溶媒とし
てボールミルで17時間粉砕し、これを吸引ろ過し水分
の大半を分離した後乾燥した。以上の仮焼、粉砕、乾燥
を数回くりかえした後、この粉末にポリビニルアルコー
ル6 w t%水溶液を粉体量の5wt%加え、32メ
ツシユふるいを通して造粒し、成形圧力1000kg/
cm2で成形した。
(Me:Sr、Ba)、ZnO,Nb2O5,TiO
2、を用いた。これらを純度補正をおこなったうえで所
定量を秤量し、直径4■のジルコニア製玉石を用い純水
を溶媒としボールミルで17時時間式混合した。これを
吸引ろ過して水分の大半を分離した後乾燥し、その後ラ
イカイ機で充分解砕した後粉体量の5 w t%の水分
を加え、直径60mm高さ約50mmの円柱状に成形圧
力500kg/cm2で成形した。これをアルミナルツ
ボ中に入れ同質のフタをし、720℃〜840℃で2時
間仮焼した。次に仮焼物をアルミナ乳鉢で粗砕し、さら
に直径4mmのジルコニア製玉石を用い純水を溶媒とし
てボールミルで17時間粉砕し、これを吸引ろ過し水分
の大半を分離した後乾燥した。以上の仮焼、粉砕、乾燥
を数回くりかえした後、この粉末にポリビニルアルコー
ル6 w t%水溶液を粉体量の5wt%加え、32メ
ツシユふるいを通して造粒し、成形圧力1000kg/
cm2で成形した。
成形物は空気中で650℃まで昇温し2時間保持しポリ
ビルアルコール分をバーンアウトした。
ビルアルコール分をバーンアウトした。
これを、上述の仮焼粉を体積の1/3程度敷きつめた上
に200メツシユZ rOz粉を約1mm敷いたマグネ
シャ磁器容器に移し、同質のフタをし管状電気炉の炉心
管内に挿入し、炉心管内をロータリーポンプで脱気した
のちN2−H2混合ガステ置換し、酸素分圧(PO2)
が1.0xOx10−8atこなるようN2とH2ガス
の混合比を調節しながら混合ガスを流し、所定温度まで
400℃/hrで昇温し2時間保持後400℃/hrで
降温した。
に200メツシユZ rOz粉を約1mm敷いたマグネ
シャ磁器容器に移し、同質のフタをし管状電気炉の炉心
管内に挿入し、炉心管内をロータリーポンプで脱気した
のちN2−H2混合ガステ置換し、酸素分圧(PO2)
が1.0xOx10−8atこなるようN2とH2ガス
の混合比を調節しながら混合ガスを流し、所定温度まで
400℃/hrで昇温し2時間保持後400℃/hrで
降温した。
炉心管内のPo2は挿入した安定化ジルコニア酸素セン
サーにより測定した。
サーにより測定した。
第2図に焼成時のマグネシャ磁器容器の構造を、第3図
に炉心管内部をそれぞれ断面図で示す。第2図において
1はマグネシア容器であり、その上部はマグネシア容器
蓋2で封じた。マグネシア容器1の下部に仮焼粉3を配
置し、その上にジルコニア粉4を配置した。さらにその
上に試料5を配置した。第2図のように準備されたマグ
ネシア容器1を第3図のように炉心管6内に配置した。
に炉心管内部をそれぞれ断面図で示す。第2図において
1はマグネシア容器であり、その上部はマグネシア容器
蓋2で封じた。マグネシア容器1の下部に仮焼粉3を配
置し、その上にジルコニア粉4を配置した。さらにその
上に試料5を配置した。第2図のように準備されたマグ
ネシア容器1を第3図のように炉心管6内に配置した。
7は安定化ジルコニア酸素センサーである。
焼成物は厚さ1mの板状に切断し、両面にCr−Auを
蒸着し、20℃、−25℃、85℃での誘電率、tan
δを1kHz 、 I V/vuaの電界下で測定した
。また抵抗率は1kV/w*の電圧を印加後1分値から
求めた。
蒸着し、20℃、−25℃、85℃での誘電率、tan
δを1kHz 、 I V/vuaの電界下で測定した
。また抵抗率は1kV/w*の電圧を印加後1分値から
求めた。
なお焼成温度は焼成物の密度がもっとも太き(なる温度
とした。
とした。
第1表に本発明の組成範囲および周辺組成の成分、低酸
素分圧雰囲気で焼成したときの焼成温度、誘電率、ta
nδ、抵抗率(各25℃)誘電率の温度変化を示した。
素分圧雰囲気で焼成したときの焼成温度、誘電率、ta
nδ、抵抗率(各25℃)誘電率の温度変化を示した。
(以下余白)
第1図は、本発明の主組成を、Pb (Z n l/3
N1)2/s) 03、PbTiO3、Me(Zn1/
3Nb2/3)03を端成分とする三角組成図中に示し
たもので、斜線の範囲が主組成の範囲である。副成分が
0.3%以下のときは、低酸素分圧下で誘電体が還元さ
れ、抵抗率が低(なり、8.0%以上になると、キュー
リー温度が低温側に移動しすぎて、誘電率の温度変化率
が太き(なる。発明の範囲外の組成物では、表1のN0
.に#をつけて示した様に、焼成温度が1000℃を越
える、誘電率が3000以下となる、誘電率の温度変化
が、20℃を基準として、−25℃から85℃の範囲で
±20%を越える、−抵抗率がIQ・+1ΩcI11以
下となるのうちのいずれかひとつ以上の難点を有し、コ
ンデンサ材料としては適さない。発明の範囲内の組成物
では前記の問題がいずれも克服されている。なお焼成雰
囲気として選択した低酸素分圧雰囲気Po2; 1.
Ox 10−eateは、焼成温度において銅がほとん
ど酸化しない酸素分圧であり、銅もしくは銅を主成分と
する内部電極を含む積層コンデンサの製造条件を満足す
るものである。
N1)2/s) 03、PbTiO3、Me(Zn1/
3Nb2/3)03を端成分とする三角組成図中に示し
たもので、斜線の範囲が主組成の範囲である。副成分が
0.3%以下のときは、低酸素分圧下で誘電体が還元さ
れ、抵抗率が低(なり、8.0%以上になると、キュー
リー温度が低温側に移動しすぎて、誘電率の温度変化率
が太き(なる。発明の範囲外の組成物では、表1のN0
.に#をつけて示した様に、焼成温度が1000℃を越
える、誘電率が3000以下となる、誘電率の温度変化
が、20℃を基準として、−25℃から85℃の範囲で
±20%を越える、−抵抗率がIQ・+1ΩcI11以
下となるのうちのいずれかひとつ以上の難点を有し、コ
ンデンサ材料としては適さない。発明の範囲内の組成物
では前記の問題がいずれも克服されている。なお焼成雰
囲気として選択した低酸素分圧雰囲気Po2; 1.
Ox 10−eateは、焼成温度において銅がほとん
ど酸化しない酸素分圧であり、銅もしくは銅を主成分と
する内部電極を含む積層コンデンサの製造条件を満足す
るものである。
発明の効果
本発明によれば、低酸素分圧雰囲気下、1000℃以下
の焼成で、高誘電率をもち、チ密で抵抗率が高く、かつ
誘電率の温度変化が小さい誘電体磁器が得られる。この
ため、本発明の誘電体磁器組成物を用いると、鋼もしく
は鋼を主成分とする内部電極をもち、小型大容量で、か
つ容量の温度変化率が小さい積層コンデンサ素子の作成
が可能となる。
の焼成で、高誘電率をもち、チ密で抵抗率が高く、かつ
誘電率の温度変化が小さい誘電体磁器が得られる。この
ため、本発明の誘電体磁器組成物を用いると、鋼もしく
は鋼を主成分とする内部電極をもち、小型大容量で、か
つ容量の温度変化率が小さい積層コンデンサ素子の作成
が可能となる。
第1図は本発明に係る誘電体磁器組成物の主成分組成を
示す三角組成図、第2図は焼成時に磁器を入れるマグネ
シャ容器の断面図、第3図は焼成時の炉心管の断面図を
示す。 1・・・・・・マグネシャ容器、2・・・・・・マグネ
シャ容器蓋、3・・・・・・仮焼粉、4・・・・・・ジ
ルコニア粉、5・・・・・・試料、6・・・・・・マグ
ネシャ容器、7・・・・・・炉心管、8・・・・・・安
定化ジルコニア酸素センサー。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか1名第1図
示す三角組成図、第2図は焼成時に磁器を入れるマグネ
シャ容器の断面図、第3図は焼成時の炉心管の断面図を
示す。 1・・・・・・マグネシャ容器、2・・・・・・マグネ
シャ容器蓋、3・・・・・・仮焼粉、4・・・・・・ジ
ルコニア粉、5・・・・・・試料、6・・・・・・マグ
ネシャ容器、7・・・・・・炉心管、8・・・・・・安
定化ジルコニア酸素センサー。 代理人の氏名 弁理士 中尾敏男 ほか1名第1図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 Pb(Zn_1_/_3Nb_2_/_3)O_3−
PbTiO_3−Me(Zn_1_/_3Nb_2_/
_3)O_3で表される三成分固溶系において(Meは
、SrおよびBaのうちの少なくとも一種)、 x:Pb(Zn_1_/_3Nb_2_/_3)O_3
y:PbTiO_3 z:Me(Zn_1_/_3Nb_2_/_3)O_3
を頂点とする三角座標の、下記組成点A,B,C,D,
E A;x=0.90y=0.00z=0.10B;x=0
.80y=0.00z=0.20C;x=0.45y=
0.30z=0.25D;x=0.45y=0.35z
=0.20E;x=0.65y=0.25z=0.10
を頂点とする五角形の領域内にあり、さらにSrOおよ
びBaOのうちの少なくとも一種を上記組成物に対し、
モル分率で、0.3%以上8.0%以下含むことを特徴
とする誘電体磁器組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62252898A JPH0195405A (ja) | 1987-10-07 | 1987-10-07 | 誘電体磁器組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62252898A JPH0195405A (ja) | 1987-10-07 | 1987-10-07 | 誘電体磁器組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0195405A true JPH0195405A (ja) | 1989-04-13 |
Family
ID=17243705
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62252898A Pending JPH0195405A (ja) | 1987-10-07 | 1987-10-07 | 誘電体磁器組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0195405A (ja) |
-
1987
- 1987-10-07 JP JP62252898A patent/JPH0195405A/ja active Pending
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