JPH0195575A - 酸化物超伝導材料形成方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「発明の利用分野」 本発明は、酸化物セラミック系超伝導（超電導ともいう
が、ここでは超伝導と記す）材料好ましくは薄膜材料を
形成した後、かがる材料を超伝導特性を有する材料とす
るため、プラズマにより活性酸素を生成せしめ、前記材
料を貫通して磁界を加えることにより前記活性酸素を材
料中に注入し、再配列をさせることにより酸化物超伝導
材料の結晶を被形成面に垂直または平行に配向せしめ、
酸化物超伝導材料の結晶異方性を用いたデイバイスの製
造を容易にしやすくせしめるとともに、大きな臨界電流
密度を得んとするものである。

「従来の技術」 近年、セラミック系の超伝導材料が注目されている。こ
の材料は最初ＩＢＭのチューリッヒ研究所よりＢａ−Ｌ
ａ−Ｃｕ−０（バラクオ）系酸化物高温超伝導体として
報告され、さらにＹＢＣＯ（ＹＢａｚＣｕＯａ　〜ｓ）
系が知られてきた。しかしこれらはそれぞれの酸化物粉
末を混合し焼成してタブレットにするのみであるため、
Ｔｃオンセットが９０Ｋが得られても薄膜にすることが
十分にはできなかった。さらに被形成面に対して所定の
方向に配向させた結晶粒を有する膜をより低い温度で作
ることはまったく知られていなかった。

「従来の問題点」 これら酸化物多結晶構造の超伝導材料はその臨界電流密
度が小さい。これを解決するためには、すべての結晶粒
のａｂ面（０面ともいいＣ軸方向に垂直な面）を互いに
配向させることが求められている。さらに酸化物超伝導
材料のＴｃｏ　（抵抗が零となる温度）をより高くし、
望むべくは液体窒素温度（７７Ｋ　’）またはそれ以上
の温度で動作せしめ、ひいては薄膜構造で９０に以上の
温度のＴｃｏを有することが強く求められていた。

さらに表面に損傷を与えることなく、内部にまで、より
低温で酸素処理を行う手段がない。加えて多孔質の超電
導材料ではアニールが可能であっても、結晶配向を十分
させた単結晶またはそれ仲近い材料に対する酸化アニー
ルを短時間で行う手段がなかった。

「問題を解決すべき手段」 本発明はかかる発明をさらに発展させ、酸化物超伝導材
料、特に好ましくは薄膜材料の超伝導特性向上のため、
酸化性気体をマイクロ波等を用いてプラズマ化させ、同
時に被形成面上に磁界を加え、磁気・熱・プラズマアニ
ールを行うことにより、アニール中に結晶配向を再配列
せしめんとしたものである。

本発明は、より高い臨界電流密度を得るため、薄膜の磁
界・プラズマ・アニール用にマイクロ波プラズマできわ
めて高い効率で作られた０、０１等の活性酸素をアニー
ル用気体として用いる。そしてこの活性気体を磁界を通
じて内部にまで注入する。

即ち磁界は超伝導材料の内部にも貫通しているため、こ
の磁界にそって活性プラズマは活性であるかぎり内部に
侵入する。このため、これまで公知の単なるプラズマア
ニール法では、活性酸素が表面に到達後この材料中には
単なる熱拡散のみで移動するに比べて、本発明方法は１
０倍以上の注入速度でバルク（内部）をもアニールする
効果を有する。加えて被処理表面をスパッタ（損傷）さ
せ酸化物超伝導材料の特性劣化を防ぐため、そのアニー
ル方法に関し、スパッタ法またはＩＫＨｚ〜１５ＭＨｚ
の低周波または１３．５６ＭＨ２等の高周波のプラズマ
アニールを用いず、周波数を高くしたマイクロ波（５０
０ＭＨ２〜１０ＧＨｚ）代表的には２．４５ＧＨｚの周
波数とし、プラズマを作る際のエネルギが反応性気体ま
たは粒子に運動エネルギを与えないようにする。

さらに酸化物超伝導材料を構成成分とする材料をスパッ
タ法、スプレー法、ＣＶＤ法、印刷法等で作ることがで
きる。それらは初期においてアモルファス構造のものも
観察し得る。そして例えばかかる材料を作る方法として
、第１図に示した如き、変形ベルブスカイト構造を有す
る結晶のａ、ｂまたはＣ軸を用途に合わせて有すべき方
向に平行または概略平行にプラズマ発生用に用いた磁界
を同時に用い、ぞの磁界により、結晶の配列面を一定方
向に再配設して、マグネティック・アキシアル成長をさ
せることも可である。さらに単結晶を成長させる場合は
マグネティック・エピタキシアル成長をさせるものであ
る０本発明はこれら従来の方法で作られた薄膜材料、タ
ブレット材料に対して、これらに磁界を加えつつアニー
ルすることにより磁界の向きに配向した再配列をさせん
とするものである。そしてこの材料を貫通する０、　１
Ｔ以上の磁界を用い、同時にこれを用いて高密度のプラ
ズマを作られた活性酸素または活性酸素を含む気体中で
磁界を所望の方向に加えつつアニールする。するとこの
磁界とＣ軸とが一致する方向に膜の配向をよりさせるこ
とができる。

本発明に用いる代表的な超伝導材料は元素周期表ｍａ族
およびＵａ族の元素および銅を用いた酸化物である。

本発明の超伝導性材料は（Ａ＋−ｘ　Ｂｘ）ｙｃｕｚｏ
ｗ　ｘ　〜０．１〜１．　ｙ＝２．０〜４．０好ましく
は２．５〜３．５．２＝１．０〜４．０好ましくは１．
５〜３．５．　ｗ　〜４．０〜１０．０好ましくは６〜
８で一般的に示し得るものである。

その代表例はＡＢｚＣｕ３０６〜８で示される変形ベル
ブスカイト構造を有する材料である。Ａはイツトリウム
族より選ばれた元素およびその他のランタノイドより選
ばれた元素のうちの１ｍＭまたは複数種類を用いている
。イツトリウム族とは、理化学辞典（岩波書店　１９６
３年４月１日発行）によればＹ（イツトリウム）、Ｇｄ
（ガドリウム）、Ｙｂ（イッテルビウム）、Ｅｕ（ユー
ロピウム）、Ｔｂ（テルビウム）、Ｄｙ（ジスプロシウ
ム）Ｊｏ（ホルミウム）、Ｅｒ（エルビウム）、Ｔ＋ｓ
（ツリウム）、Ｌｕ（ルテチウム）、Ｓｃ（スカンジウ
ム）およびその他のランタノイドを用いる。

またＢはＢａ（バリウム）、Ｓｒ（ストロンチウム）。

Ｃａ（カルシウム）より選ばれた元素のうち１種類また
は複数種類を用いている。

本発明に示される酸化物超伝導材料は、第１図にその結
晶構造が示されているが、変形ベルブスカイト構造を有
する。そして銅（２）とその周辺の酸素（５）とによる
平面と、その他の銅（３）とその周辺に位置する酸素（
６）、酸素ベイカンシ（７）と銅（２°）と酸裾（５゛
）とによる他の平面を有する。元素周期表ｍａ族の元素
（１）例えばＹ１元素周期表Ｉｌａ族の元素例えばＢａ
　（４）とを有する。

本発明人は、超伝導を発生するメカニズムとして、層構
造を有する酸素（５）、（５’）とその中心にある銅（
２）　、　（２’）との相互作用により、対をなす電子
（電子対）がその面（ａｂ軸で作られる面即ちＣ面と平
行の面）を移動するとしている。さらにその対をなす電
子が生成される原因として、これまではＢＣ５理論に基
づきフォノンとの相互作用とされていた。しかし、本発
明人はかかる理由として、この層構造を挟む上下の酸素
ベイカンシ（７）同士（他方は図面の上または下側に位
置する分子中に存在する）の相互作用またはこれらとス
クリュー磁性体である希土類元素（１）との相互作用に
よるマグノンという準粒子を仲立ちとして、スピンが反
対向きの電子を対を構成して形成することができること
を仮定している。即ち図面におけるＣ軸方向にマグノン
のゆらぎがあり（ａｂ面に垂直方向でありマグノンのゆ
らぎを最もよく電子対に反映させやすい）このマグノン
はスピンの向きの互いに反対の電子対の一方を引き寄せ
んとすると他方と反発する。かかる力が働き、電子対が
それぞれの方向に働かんとすると、このマグノンは酸素
ベイカンシ（７）のゆらぎにより逆方向にゆらぐ。この
ためこのゆらぎにより１対の電子のそれぞれに逆向きの
力が働（、これを繰り返すことにより、マグノンがまっ
たく表舞台にでることな（影武者的働きをして層構造を
存する面（（２）　、　（５）で作られる面と（２”）
、（５’）で作られる面）でのそれぞれの電子対のａ軸
−す軸に平行方向に電子対の移動をさせ超伝導をさせる
ものと考えることができる。

また酸素ベイカンシのゆらぎはフォノンのゆらぎである
ともとらえることができ、これまでのＢＣＳ理論を補完
する形でフォノンがマグノンを介して間接的に電子対を
構成させていると考えることができる。

この動作原理で示す磁界が大きな効果を及ぼすのである
から、磁界を加えたアニールにおいてもその磁界が結晶
配向に影響を及ぼすことが推定できる。こあアニールを
磁界と電界の相互作用によりプラズマ化せしめた雰囲気
で行い、さらにそのプラズマ発生に用いられた磁界をア
ニールする対象物に加え、その強度の強い領域でこの磁
界に平行または垂直に被形成面を配設し、すべての結晶
を所定の方向にアニール時に配設させる。

さらにこの磁界に垂直方向即ち電流が超伝導の限流れる
ａｂ面方向にマイクロ波電界を加えることにより、その
配向のしやすさを助長させ得る。特に電界、磁界とその
相互作用を積極的にさせることにより、その反応圧力を
一般に知られるプラズマＣＶＤ法、ＥＣＲ法（電子サイ
クロトロン共鳴）法での１０弓〜０．１ｔｏｒｒの低圧
ではなく、プラズマ密度の高い１〜８００　ｔｏｒｒの
きわめて高い圧力でのプラズマ発生が可能な混成共鳴領
域とし、ここで反応性気体または反応性粒子と活性酸素
とを互いにより完全な反応をさせることにより、反応生
成物が磁界にそってＣ軸配向をする。このため、被形成
面では磁界の向きにそって反応生成物のＣ軸が配向しつ
つ蓄積される。ひいては基板の種類の制限をより少なく
して膜作りを可能とし得る。さらに好ましくは、加熱し
つつ磁界を加えることにより、多結晶のそれぞれの結晶
軸を互いに一致または概略一致せしめた多結晶膜を成膜
することができる。好ましくはこの成長する面とその配
向軸が一致すべき結晶方位を有する基板を用いることに
より、低温でマグネティック・エピタキシアル配向即ち
単結晶配向薄膜の形成をさせ得る。

すると本発明に用いられる酸化物超伝導材料は単結晶を
より低い温度で作り得る。第１図の０面（ａｂ軸と平行
の面）に対し、電流がそれと垂直方向（Ｃ軸方向）に比
べて２桁以上も流れやすい。このため、多結晶であって
も結晶方位がバラバラな多結晶を一方向に結晶軸を配設
することが高い臨界電流密度を得るためにきわめて重要
である。

本発明は成膜後の同一反応炉内にて磁界・熱アニールを
行うに際し、０．１テスラ（Ｔ）以上の磁界代表的には
０．３〜５ＴをＣ軸方向になるべき向きに加えることに
より、その磁界の方向と同じ方向またはそれにより近い
再配列すべき方向に大部分またはすべて″の結晶即ち多
結晶をＣ軸方向に配列しつつ結晶を成長させることがで
きることを見出した。また、この磁界に垂直方向（ａｂ
面方向）にマイクロ波電界を加えると、さらに結晶配向
が磁界とＣ軸方向に揃いやすいことを見出した。

「作用」 かくすることにより、初期状態でアモルファス構造、１
０〜１０００人の粒径をもつ微粒子の酸化物超伝導材料
ですら多結晶を呈する１つの結晶粒を大きくでき、ひい
ては隣同志の結晶が互いに同一結晶軸を実質的に有せし
め得るため、その結晶粒界でのバリア（障壁）および空
孔をより消失させ、単結晶とし得る構成とせしめた。そ
してそれぞれの結晶をすべてａｂ面（Ｃ軸に垂直な面）
に合わせることが可能となる。その結果、臨界電流密度
をこれまでの結晶方位がバラバラの場合の１０”Ａ／ｃ
ｍ”（７７Ｋ）より、本発明方法によってａｂ面に平行
に電流を流すと１０’　〜１０’Ａ／ｃｍ”（７７Ｋに
て測定）にまで増し、単結晶と同等または約１７５程度
にまで近づけることが可能となった。そして酸化物超伝
導材料の理想である大面積の単結晶構造の薄膜をより作
りやすくせしめた。

本発明においては、かかる軸配列をした超伝導薄膜に対
して垂直または水平方向に磁界を加えたが、さらにこれ
に加えて活性酸素を発生させるマイクロ波電界を磁界と
垂直に加えることによりアニール温度をより下げるため
に有効である。

また、この磁界による結晶の配列方向に合わせて被形成
面を構成する基板の結晶軸を合わせることも有効である
。例えばＭｇＯ（酸化マグネシウム）。

５ｒＴｉＯｓ（チタン酸ストロチウム）　、　ＹＳＺ　
（イツトリウム・スタビライズド・ジルコン）において
（１００）の結晶基板を用い、かつ被形成面に垂直方向
に磁界を加えて成膜し、ａｂ面を被形成面に平行に形成
することができる。また（１１０）を有するこれらの結
晶基板に用い、被形成面に平行に磁界を加えて形成／ア
ニールを行うと、ａｂ面を被形成面に垂直方向に熱・磁
界アニールで得ることができる。そして、単結晶または
多結晶を含むより単結晶に近い薄膜を得ることができる
。

以下に責施例を示し、さらに本発明を説明する。

「実施例１」 第２図に本発明にて用いた磁場印加式マイクロ波プラズ
マアニール装置を示す。この第２図を用いて酸化物超電
導材料の形成およびその後の磁界・熱アニールを行った
。

同図において、この装置は、大気圧または減圧状態に保
持可能なプラズマ発生室（３０）　、補助空間（１２）
　、磁場を発生する円筒状の電磁石（１５）　、および
その電源（３５）　、マイクロ波発振器（１４）、排気
系を構成する真空ポンプ（２６）　、ロータリーポンプ
（２４）。

圧力調整バルブ（１９）、基板ホルダ（１０”）、被膜
形成用基体（１０）　、マイクロ波導入窓（３９）　、
ガス系（１６）　。

（１７）　、水冷系（２８）　、　（２８’）、基板お
よび基板ホルダ取り出し用棒（２９）、この棒内を介し
ての被形成面の温度を適温に保つべく冷却する水冷系（
２７）、　（２７’）より構成している。

基板ホルダ（１０’）は、プラズマ空間（３１）内のプ
ラズマにより基板表面が加熱されすぎるため、その適温
化をバッファ層（２１）　、　（２１”）と冷却層（２
２）とによりはかり、所定の温度例えば２００〜５００
″Ｃに保持させている。このとき冷却層（２２）は強磁
性材料である鉄、ニッケルまたはコバルトにより構成せ
しめ、この中を一部中空として水冷（２７）、（２７’
）の水を循環せしめた。バッファ層（２１）　、　（２
１”）は非磁性耐熱材料であるセラミックス、ステンレ
スまたはガラスとした。強磁性体の冷却Ｎ（２２）は基
板表面での磁界の強さをより強くせしめ−、かつ加熱さ
れすぎて常磁性になることを防ぐため、バッファ層（２
１）　、　（２１’）で熱遮蔽して設けた。

まず磁界プラズマアルール用の酸化物超伝導材料を有す
る基体（１０）を基板ホルダ（１０″）上に設置し、ゲ
ート弁（１１）よりプラズマ発生空間（３１）に配設す
る。この実施例では基板は（１００）または（１１０）
面を有する）Ｉｇｏ、　５ｒＴｉＯｚまたはｙｓｚ基板
またはＩＣ要に用いるための一部上面に絶縁膜が形成さ
れた珪素ウェハ、ガラス基板、白金基板、その他のセラ
ミックス、銀等の金属上に配設したＹＢａｚＣｕ３０ｗ
　ｗ＝６〜１０等の酸化物超伝導材料を有する基体を用
いた。

大気圧で゛動作させる場合はバルブ（１９）を閉としバ
ルブ（２３）を開とすればよい。また減圧下で動作させ
る場合は、バルブ（１９）　、　（２５）を開とし、バ
ルブ（２３）を閉として真空ポンプ（２６）　、　（２
４）を動作させればよい。

作製工程として、まずこれら全体をメカニカルブースタ
ポンプ（２６）　、　ロータリーポンプ（１４）により
、Ｉ　Ｘｌ０−’ｔｏｒｒ以下に真空排気する。次に非
生成物気体（それ自体は分解反応後固体を構成しない気
体の酸化性気体）、ＮｚＯ，Ｎ０９ＮＯｘ、空気または
酸素例えば酸素（６）を２０００３ＣＣＭガス系（１６
）を通してプラズマ発生室（３０）に導入し、この圧力
を３０ｔｏｒｒとする。外部より５００ＭＨｚ以上のマ
イクロ波例えば２．４５ＧＨｚの周波数のマイクロ波（
３０−２）を０．５〜５に−１例えば１．５ＫＷの強さ
でマイクロ波発振器（１４）より加える。さらにマグネ
ット（１５）を水冷（１Ｂ）　。

（１８°）しつつ磁界（３０−１）を約ＩＴの臨界強度
が基板（１０）表面で発生すべく磁石（１５）に電流を
流して印加し、混成共鳴を有する高密度プラズマをプラ
ズマ発生空間（３１）にて発生さ讐る。この際磁界（３
０−１）と電界（３０−２）とは互いに直交する。図面
では磁界（３０−１）が被形成面に垂直に印加されてい
る。この高密度プラズマによりほぼ１００χイオン化し
た活性酸素イオンを作ることができる。

ここに対しスパッタ法または電子ビーム蒸着法、スプレ
ー法、スクリーン印刷法等で作られたアモルファス成分
を含む酸化物超伝導材料例えば（ＡＩ−Ｘ　Ｂｘ）ｙｃ
ｕｚＯｗで湿される材料を配設した。

か（して、マイクロ波エネルギと磁界との相互作用によ
る混成共鳴させると、そこでのプラズマ温度が１１５０
℃（酸化物超伝導材料の溶融温度）よりもはるかに高い
３０００〜１００００℃にもなるため、基板温度それ自
体は２００〜５００℃の低温に冷却層（２２）により低
温化された基板ホルダ（１０”）上の基体（１０）の被
形成面上にこの酸化物超伝導材料の薄膜を堆積させるこ
とができる。

そして磁界を加えつつ、４００°Ｃ活性酸素中でアニー
ルを約３時間することによって、第１図に示した如き、
１μｍ〜１ｍｍの厚さの斜方晶形の変形ベルブスカイト
構造を有する酸化物超伝導薄膜を双晶がほとんどみられ
ない状態（一般には２００〜１０００人毎に双晶の界面
が見られる）に変成して形成させることができた。

第２図において、（３０−１）の磁界発生用には１つの
リング状の磁石（１５）を用いた。

すると、反応性空間（３１）内には電界・磁界の相互作
用を有する領域（８７５ガウス±１８５ガウス以内）を
も有し、かつそれ以上の強磁界の領域をより多く有する
。

そして、磁界の最大となる領域（ここでは磁石（１５）
の中心部）に基板（１０）を配設した。すると第１図に
示された配置の場合、基板の被形成表面に垂直に磁界（
３０−１）が加わり、この表面と平行に電界（３０−２
）が加わる。そして磁石の強度により混成共鳴条件を満
たす８７５ガウスの領域は、このプラズマ空間（３１）
における被形成面と気体の導入用ノズル（３４）との間
に作ることができる。

酸化物超伝導膜を作製するための材料は、この混成共鳴
領域にて活性分離反応をし、活性化して磁界を有する基
板（１０）の被形成面上に磁界（磁場面に垂直方向）に
Ｃ軸をそって成膜させることができた。

またこの時作られた酸化物超伝導膜の臨界電流密度は１
１．２Ｘ１０’Ａ／ｃｍ”を基板表面と平行方向に測定
して得た。

即ち第１図に示す如き結晶構造が成膜時およびその後の
熱アニールにて十分形成され、そのＣ軸方向も磁界と平
行の方向即ち被形成面に垂直方向に作製されたことがＸ
線回折の結果より明らかになった。

「実施例２」 この実施例は、・一般にＹＢａ２Ｃｕ２０６〜．または
ＹＢａＳｒＣｕ３０．〜．の成分を有し、タブレット化
された酸化物超伝導材料を有する基板を３００〜９５０
　’Ｃでマイクロ波プラズマの活性酸化雰囲気にて磁界
・熱アニールを１５時間行う際、予め作られている結晶
面に合わせてＣ軸方向に磁界（３０−１）　（０，５〜
３Ｔの強さとした）がくるように第２図に示される装置
で加えた。この際、９３０°Ｃ，ＩＴ、３時間、その後
１０°Ｃ／分の徐冷、さらに４００℃、２７．１時間放
置、その後１０°Ｃ’／分の徐冷、３００℃にてプラズ
マおよび磁界の印加を中止するプロセスとした。さらに
この磁界に垂直方向に電界（３０−２）を１０３〜５　
Ｘ１０’Ｖ／ｃｍ加えた。その結果、Ｔｃｏはさらに約
１００にも向上させることができ、２３０〜２８０Ｋを
得た。また磁界電流密度も２．３　Ｘ１０’Ａ／ｃｎ＋
２を得た。

本発明において、磁界・熱アニールの対象物は薄膜形状
、タブレット形状のみにとどまらない。

その形状はその市場のニーズに従って３〜３０μｍの厚
さの膜構造、巾１〜５ＩＩＩＩｌｌ厚さ１０〜１１００
０ｕの膜構造の線またはこの外周辺に銀の被膜が施され
た線材料に対しても、厚さ方向に磁界を加えて、帯内の
結晶再配列を行うことができる。

「効果Ｊ 本発明により、これまでまったく不可能とされていた液
体窒素温度以上の温度で動作する酸化物超伝導材料の薄
膜をその結晶軸を合わせて作ることができるようになっ
た。基板がガラス、酸化珪素、窒化珪素等のアモルファ
ス構造の表面上に成膜したアモルファス構造、微結晶構
造の酸化物超伝導材料に対しても配向した多結晶の酸化
物超伝導薄膜に変成することができた。

本発明は、すでに所望の形状にジョセフソン素子等に完
成しているものを再びプラズマ中での酸化磁界・熱アニ
ールを３００°Ｃ以上で行ム°１、その際同時に電流を
流すべき方向にマイクロ波電界を印加し、Ｃ軸方向に磁
界を加えて結晶方位を一方向に合わせこむことも有効で
ある。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明に用いられる酸化物超伝導材料の結晶構
造の１例を示す。 第２図は本発明に用いられた磁場印加マイクロ波プラズ
マアニール装置の概要を示す。 （黒−２）乙、０９−８ Ｘｔ■

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、プラズマ発生室に磁界を加えるための磁界発生手段
   と前記プラズマ発生室にマイクロ波を供給する手段とに
   より、前記プラズマ発生室に導入された酸素または酸化
   物気体をプラズマ化して活性にせしめた空間で、既に形
   成されている酸化物超伝導材料に前記磁界を印加しつつ
   前記活性酸素処理を行うことを特徴とする酸化物超伝導
   材料形成方法。 ２、特許請求の範囲第１項において、プラズマは１〜８
   ００ｔｏｒｒの圧力で電界、磁界相互作用を有する混成
   共鳴を生ぜしめ、該混成共鳴空間に被形成面を配設した
   ことを特徴とする酸化物超伝導材料形成方法。 ３、特許請求の範囲第１項において、超伝導材料は（Ａ
   ＿１＿−＿ｘＢｘ）ｙＣｕｚＯｗ、ｘ＝０．１〜１、ｙ
   ＝２．０〜４．０、ｚ＝１．０〜４．０、ｗ＝４．０〜
   １０．０を有し、ＡはＹ（イットリウム）、Ｇｄ（ガド
   リニウム）、Ｙｂ（イッテルビウム）、Ｅｕ（ユーロピ
   ウム）、Ｔｂ（テルビウム）、Ｄｙ（ジスプロシウム）
   、Ｈｏ（ホルミウム）、Ｅｒ（エルビウム）、Ｔｍ（ツ
   リウム）、Ｌｕ（ルテチウム）、Ｓｃ（スカンジウム）
   およびその他のランタノイドより選ばれた１種または複
   数種の元素よりなり、ＢはＢａ（バリウム）、Ｓｒ（ス
   トロンチウム）、Ｃａ（カルシウム）より選ばれた１種
   または複数種の元素を有することを特徴とする酸化物超
   伝導材料形成方法。