JPH0196091A - 半導体結晶の液相エピタキシャル成長装置 - Google Patents
半導体結晶の液相エピタキシャル成長装置Info
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- JPH0196091A JPH0196091A JP25384287A JP25384287A JPH0196091A JP H0196091 A JPH0196091 A JP H0196091A JP 25384287 A JP25384287 A JP 25384287A JP 25384287 A JP25384287 A JP 25384287A JP H0196091 A JPH0196091 A JP H0196091A
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体結晶のエピタキシャル成長装置に係り
、特に温度差法により半導体結晶をエピタキシャル成長
させる装置に関するものである。
、特に温度差法により半導体結晶をエピタキシャル成長
させる装置に関するものである。
従来、例えばＧａＡｌＡｓ等の■−■族化合物半導体を
液相でエピタキシャル成長させる場合、第５図に示すよ
うに、半導体材料ＧａＡｓ、＾ｌとドーピング用不純物
Ｚｎ、 Ｔｅ等を溶解したＧａ溶液（メルト）ｌを複数
の、第５図の場合３個のメルト槽２に入れ、水素雰囲気
中で高温に加熱して該メルト１中にＧａＡｓ＋ ＡＩ＋
ドーピング用不純物を溶かし込んだ後、これらに温
度差を付与して、一方向に直線運動されるウェハースラ
イダ３の上面にセットされたＧａＡｓ基板結晶４をこれ
らのメルト１の低温側に接触させて一定時間保持するこ
とにより、該メルトｌ中の過飽和成分が基板結晶４上に
析出することにより、該基板結晶４上に半導体結晶をエ
ピタキシャル成長させるようにした温度差法が広く知ら
れている。この場合、例えばウェハースライダ３の下側
には冷却板５が接触せしめられており、これによって各
メルト槽２内のメルト１に温度差を付与するようにして
いる。
液相でエピタキシャル成長させる場合、第５図に示すよ
うに、半導体材料ＧａＡｓ、＾ｌとドーピング用不純物
Ｚｎ、 Ｔｅ等を溶解したＧａ溶液（メルト）ｌを複数
の、第５図の場合３個のメルト槽２に入れ、水素雰囲気
中で高温に加熱して該メルト１中にＧａＡｓ＋ ＡＩ＋
ドーピング用不純物を溶かし込んだ後、これらに温
度差を付与して、一方向に直線運動されるウェハースラ
イダ３の上面にセットされたＧａＡｓ基板結晶４をこれ
らのメルト１の低温側に接触させて一定時間保持するこ
とにより、該メルトｌ中の過飽和成分が基板結晶４上に
析出することにより、該基板結晶４上に半導体結晶をエ
ピタキシャル成長させるようにした温度差法が広く知ら
れている。この場合、例えばウェハースライダ３の下側
には冷却板５が接触せしめられており、これによって各
メルト槽２内のメルト１に温度差を付与するようにして
いる。
上述した温度差法において、所謂エビウェハーを例えば
ダブルへテロ構造に作製する場合、各メルト槽２ａ、
２ｂ、 ２ｃ内に受容されたメルトＩａ、 ］、ｂ。
ダブルへテロ構造に作製する場合、各メルト槽２ａ、
２ｂ、 ２ｃ内に受容されたメルトＩａ、 ］、ｂ。
１ｃをそれぞれｐ型、ｐ型、ｎ型にドーピングしておき
、ウェハースライダ３の上面に複数の基板結晶４をセッ
トして、これらの基板結晶４を順次各メルト槽２ａ、
２ｂ、 ２ｃ内に受容されたメルトｌａ、 ｌｂ。
、ウェハースライダ３の上面に複数の基板結晶４をセッ
トして、これらの基板結晶４を順次各メルト槽２ａ、
２ｂ、 ２ｃ内に受容されたメルトｌａ、 ｌｂ。
１ｃに接触させることにより、例えば第６図（Ａ）に示
すように基板結晶４ａ上に順次ｐ Ｇａｏ、ｚＡＩｏ
、ｓＡＳの第−層６と、Ｐ ＧａｏｌｓＡＩｏ、５ｓ
Ａｓの第二層７と、そしてｎ −Ｇａｏ、ｚＡＩ。、
ｓＡｓの第三層８とが結晶成長されて、エビウェハーが
完成する。
すように基板結晶４ａ上に順次ｐ Ｇａｏ、ｚＡＩｏ
、ｓＡＳの第−層６と、Ｐ ＧａｏｌｓＡＩｏ、５ｓ
Ａｓの第二層７と、そしてｎ −Ｇａｏ、ｚＡＩ。、
ｓＡｓの第三層８とが結晶成長されて、エビウェハーが
完成する。
しかし、このとき奇数番目、即ち一番目の基板結晶４ａ
について、所望の厚さの結晶成長を得るように、即ち第
−層６及び第三Ｎ８を比較的厚く、また第二層７を比較
的薄くなるように結晶成長を行わせるように結晶成長時
間を選定し、例えば第一〇メル）ｌａに対して６０分、
第二のメルト１ｂに対して１分、第三〇メル）ｌｃに対
して６０分の結晶成長時間を選定すると、偶数番目、即
ち二番目の基板結晶４ｂ上には、第６図（Ｂ）に示すよ
うに、第一のメル）ｌａに対して１分、第二〇メル）ｌ
ｂに対して６０分、第三のメルト１ｃに対して１分とい
う結晶成長時間となってしまい、従って第−層６及び第
三層８が比較的薄く、第二層７が比較的厚くなってしま
う。
について、所望の厚さの結晶成長を得るように、即ち第
−層６及び第三Ｎ８を比較的厚く、また第二層７を比較
的薄くなるように結晶成長を行わせるように結晶成長時
間を選定し、例えば第一〇メル）ｌａに対して６０分、
第二のメルト１ｂに対して１分、第三〇メル）ｌｃに対
して６０分の結晶成長時間を選定すると、偶数番目、即
ち二番目の基板結晶４ｂ上には、第６図（Ｂ）に示すよ
うに、第一のメル）ｌａに対して１分、第二〇メル）ｌ
ｂに対して６０分、第三のメルト１ｃに対して１分とい
う結晶成長時間となってしまい、従って第−層６及び第
三層８が比較的薄く、第二層７が比較的厚くなってしま
う。
かくして、ダブルへテロ構造のエビウェハーとして、例
えばＬＥＤチップを製造するために使用し得るエビウェ
ハーは奇数番目のものに限られ、このため、奇数番目の
エビウェハーの歩留まりが１００％であっても、エビウ
ェハー全体としては最大５０％の歩留まりしか達成でき
ないことになり、生産性の点で問題があった。
えばＬＥＤチップを製造するために使用し得るエビウェ
ハーは奇数番目のものに限られ、このため、奇数番目の
エビウェハーの歩留まりが１００％であっても、エビウ
ェハー全体としては最大５０％の歩留まりしか達成でき
ないことになり、生産性の点で問題があった。
また、上述した基板結晶４を載置するウェハースライダ
３の送り装置として、間欠駆動装置が必要となり、しか
もその間隔が一定ではない等、構造が複雑となりコスト
高になっていた。
３の送り装置として、間欠駆動装置が必要となり、しか
もその間隔が一定ではない等、構造が複雑となりコスト
高になっていた。
本発明は、以上の点に鑑み、構造が簡単でしかも歩留ま
りのよい半導体結晶の液相エピタキシャル成長装置を提
供することを目的としている。
りのよい半導体結晶の液相エピタキシャル成長装置を提
供することを目的としている。
〔問題点を解決するための手段及び作用〕上記目的は、
本発明によれば、複数のメルト槽内にそれぞれ受容され
た成長素材を溶解したメルトに対して、一方向に直線運
動されるウェハースライダ上に載置した基板結晶をこれ
らのメルトに順次接触させて所定時間保持することによ
り、基板結晶上に複数の半導体結晶をエピタキシャル成
長させるようにした、半導体結晶の液相エピタキシャル
成長装置において、メルト槽に対してウェハースライダ
の下側に冷却板を接触させ、この冷却板に、該ウェハー
スライダと実質的に同じ横断面積で結晶成長時に該ウェ
ハースライダをカバーするような中空部を形成したこと
により達成される。
本発明によれば、複数のメルト槽内にそれぞれ受容され
た成長素材を溶解したメルトに対して、一方向に直線運
動されるウェハースライダ上に載置した基板結晶をこれ
らのメルトに順次接触させて所定時間保持することによ
り、基板結晶上に複数の半導体結晶をエピタキシャル成
長させるようにした、半導体結晶の液相エピタキシャル
成長装置において、メルト槽に対してウェハースライダ
の下側に冷却板を接触させ、この冷却板に、該ウェハー
スライダと実質的に同じ横断面積で結晶成長時に該ウェ
ハースライダをカバーするような中空部を形成したこと
により達成される。
本発明による半導体結晶の液相エピタキシャル成長装置
において、好ましくは、上記冷却板の中空部内に、結晶
成長温度にて液体となる金属が任意の量だけ充填されて
いる。
において、好ましくは、上記冷却板の中空部内に、結晶
成長温度にて液体となる金属が任意の量だけ充填されて
いる。
この発明によれば、ウェハースライダの下方に配設され
た冷却板に、該ウェハースライダとほぼ同じ横断面積を
有する中空部が備えられているので、この中空部の存在
によりメルト槽内のメルトからウェハースライダへの熱
の流れが冷却板の該中空部の上方部分で抑制されること
になり、これによってメルト槽内のメルトの上下方向の
温度差が低減され、従って該ウェハースライダの上面に
Ｒ置された基板結晶上での結晶成長がゆるやかになる。
た冷却板に、該ウェハースライダとほぼ同じ横断面積を
有する中空部が備えられているので、この中空部の存在
によりメルト槽内のメルトからウェハースライダへの熱
の流れが冷却板の該中空部の上方部分で抑制されること
になり、これによってメルト槽内のメルトの上下方向の
温度差が低減され、従って該ウェハースライダの上面に
Ｒ置された基板結晶上での結晶成長がゆるやかになる。
さらに、上記冷却板の中空部内に例えばＧａを任意の量
だけ充填することにより、メルトの温度差を適宜に制御
することができ、これにより基板結晶上での結晶成長速
度が調整され得るので、各メルト槽に対する冷却板の中
空部にそれぞれ適宜にＧａを充填すれば、各メルト槽に
対して順次一定時間だけ基板結晶を接触させることによ
って、該基板結晶上に順次各メルト槽内のメルトが析出
して所定の厚さに結晶成長されることになる。
だけ充填することにより、メルトの温度差を適宜に制御
することができ、これにより基板結晶上での結晶成長速
度が調整され得るので、各メルト槽に対する冷却板の中
空部にそれぞれ適宜にＧａを充填すれば、各メルト槽に
対して順次一定時間だけ基板結晶を接触させることによ
って、該基板結晶上に順次各メルト槽内のメルトが析出
して所定の厚さに結晶成長されることになる。
かくして、すべての基板結晶によるエビウェハーが所望
の構造を有することにより、歩留まりが同上せしめられ
、また一定間隔の間欠送り装置によって基板結晶の自動
送りが可能であることもあって、コストが低減されるこ
とになる。
の構造を有することにより、歩留まりが同上せしめられ
、また一定間隔の間欠送り装置によって基板結晶の自動
送りが可能であることもあって、コストが低減されるこ
とになる。
以下、図面に示した一実施例に基づいて本発明をさらに
詳細に説明する。
詳細に説明する。
第１図は本発明によるエピタキシャル成長装置の一実施
例を示しており、メルト槽２に対してウェハースライダ
３の下側に接触するように冷却板５が配設されている。
例を示しており、メルト槽２に対してウェハースライダ
３の下側に接触するように冷却板５が配設されている。
この冷却板５には、結晶成長時に各メルト槽２ａ。
２ｂ、 ２ｃ内の各メルトｌａ、 ｌｂ、 ｌｃに接触
保持されている基板結晶４を載置しているウェハースラ
イダ３と実質的に同じ横断面積を存する、即ち少なくと
も該ウェハースライダ３のメルトに接触している部分を
カバーし得る横断面積を有する中空部５ａ。
保持されている基板結晶４を載置しているウェハースラ
イダ３と実質的に同じ横断面積を存する、即ち少なくと
も該ウェハースライダ３のメルトに接触している部分を
カバーし得る横断面積を有する中空部５ａ。
５ｂが備えられている。
ここで、中空部５ａ、 ５ｂには、任意の量のＧａが充
填され得るが、各中空部５ａ、 ５ｂのＧａ充填量と該
中空部に関連するメルト１の温度差とは第２図に示す関
係にあり、Ｇａ充填量と結晶成長速度との関係は第３図
に示すようになっている。即ち、それぞれ第２図及び第
３図に鎖線Ｘで示す従来の中空部を有しない冷却板の場
合に比較して、該中空部にＧａを充填せず空洞のままに
した場合には、第２図及び第３図に実線Ｙで示すように
メルトの温度差が小さくなって結晶成長速度が低くなり
、該中空部にＧａを充填した場合には、それぞれ点線Ｚ
で示すように従来の場合と中空部を空洞にした場合のほ
ぼ中間の状態を示す、その他の構成は、第５図に示した
従来のエピタキシャル成長装置と同様の構成である。
填され得るが、各中空部５ａ、 ５ｂのＧａ充填量と該
中空部に関連するメルト１の温度差とは第２図に示す関
係にあり、Ｇａ充填量と結晶成長速度との関係は第３図
に示すようになっている。即ち、それぞれ第２図及び第
３図に鎖線Ｘで示す従来の中空部を有しない冷却板の場
合に比較して、該中空部にＧａを充填せず空洞のままに
した場合には、第２図及び第３図に実線Ｙで示すように
メルトの温度差が小さくなって結晶成長速度が低くなり
、該中空部にＧａを充填した場合には、それぞれ点線Ｚ
で示すように従来の場合と中空部を空洞にした場合のほ
ぼ中間の状態を示す、その他の構成は、第５図に示した
従来のエピタキシャル成長装置と同様の構成である。
本発明によるエピタキシャル成長装置は以上のように構
成されており、基板結晶上に結晶成長させてダブルへテ
ロ構造のエビウェハーを作製する場合には、メルト槽２
の各メルト槽２ａ、 ２ｂ、 ２ｃ内のメルトｌａｔ
ｌｂ、 ｌｃをそれぞれｐ型、ｐ型、ｎ型にドーピング
しておき、ウェハースライダ３の上面にそれぞれ基板結
晶４をセットして、これらの基板結晶４を矢印Ａで示す
方向に移動させることにより、順次各メルト槽２ａ＋
２ｂ、２ｃ内に受容されたメル）ｌａ、 ｌｂ、 ｌｃ
に接触させれば、基板結晶４上には、従来と同様に順次
Ｐ Ｇａｏ、２ＡＩ。０．Ａｓの第−ＦＪ６と、Ｐ
Ｇａｏ、 ｈｓＡｌｏｌｓＡｓの第二層７と、そして
ｎ Ｇａｏ、ｚＡＩ＋、ｓＡＳの第三Ｎ８とが結晶成
長されて、第４図に示すエビウェハーが作製される。
成されており、基板結晶上に結晶成長させてダブルへテ
ロ構造のエビウェハーを作製する場合には、メルト槽２
の各メルト槽２ａ、 ２ｂ、 ２ｃ内のメルトｌａｔ
ｌｂ、 ｌｃをそれぞれｐ型、ｐ型、ｎ型にドーピング
しておき、ウェハースライダ３の上面にそれぞれ基板結
晶４をセットして、これらの基板結晶４を矢印Ａで示す
方向に移動させることにより、順次各メルト槽２ａ＋
２ｂ、２ｃ内に受容されたメル）ｌａ、 ｌｂ、 ｌｃ
に接触させれば、基板結晶４上には、従来と同様に順次
Ｐ Ｇａｏ、２ＡＩ。０．Ａｓの第−ＦＪ６と、Ｐ
Ｇａｏ、 ｈｓＡｌｏｌｓＡｓの第二層７と、そして
ｎ Ｇａｏ、ｚＡＩ＋、ｓＡＳの第三Ｎ８とが結晶成
長されて、第４図に示すエビウェハーが作製される。
その際、冷却板５の各中空部５ａ、 ５ｂは、それぞれ
第１図に示すように、中空部５ａについてはＧａが充填
されており、また中空部５ｂについてはＧａは充填され
ておらず、これにより基板結晶４を順次各メルト槽２ａ
、 ２ｂ、 ２ｃ内のメルト１ａ＋ ｌｂ、 ｌｃに対
して、一定時間、例えば６０分接触保持することにより
、該基板結晶４上に順次所定の厚さの第−Ｎ６゜第二層
７及び第三層８が形成されることになる。
第１図に示すように、中空部５ａについてはＧａが充填
されており、また中空部５ｂについてはＧａは充填され
ておらず、これにより基板結晶４を順次各メルト槽２ａ
、 ２ｂ、 ２ｃ内のメルト１ａ＋ ｌｂ、 ｌｃに対
して、一定時間、例えば６０分接触保持することにより
、該基板結晶４上に順次所定の厚さの第−Ｎ６゜第二層
７及び第三層８が形成されることになる。
ここで、各メルト槽２ａ＋ ２ｂ、 ２ｃに対して基板
結晶を保持する時間は一定であるが、各メル）ｌａ、
Ｉｂ。
結晶を保持する時間は一定であるが、各メル）ｌａ、
Ｉｂ。
１ｃの温度差は奄れぞれ異なっているので、すべての基
板結晶４について、第４図に示すように第−層６及び第
三層８が比較的厚くまた第二層７が比較的薄く形成され
た、適正なダブルへテロ構造のエビウェハーが作製され
る。
板結晶４について、第４図に示すように第−層６及び第
三層８が比較的厚くまた第二層７が比較的薄く形成され
た、適正なダブルへテロ構造のエビウェハーが作製され
る。
以上述べたように本発明によれば、複数のメルト槽内に
それぞれ受容された成長素材を溶解したメルトに対して
、一方向に直線運動されるウェハースライダ上に載置し
た基板結晶をこれらのメルトに順次接触させて所定時間
保持することにより基板結晶上に複数の半導体結晶をエ
ピタキシャル成長させるようにした、半導体結晶の液相
エピタキシャル成長装置において、メルト槽に対してウ
ェハースライダの下側に接触せしめられた冷却板に、該
ウェハースライダと実質的に同じ横断面積で結晶成長時
に該ウェハースライダをカバーするように形成された中
空部を備えるように、好ましくは上記中空部内に、結晶
成長温度にて液体となる金属を任意の量だけ充填し得る
ように構成したので、この中空部の存在によりメルト槽
内のメルトからウェハースライダへの熱の流れが冷却板
の該中空部の上方部分で抑制されることになり、これに
よってメルト槽内のメルトの上下方向の温度差が低減さ
れ、従って該ウェハースライダの上面に載置された基板
結晶上での結晶成長がゆるやかになる。
それぞれ受容された成長素材を溶解したメルトに対して
、一方向に直線運動されるウェハースライダ上に載置し
た基板結晶をこれらのメルトに順次接触させて所定時間
保持することにより基板結晶上に複数の半導体結晶をエ
ピタキシャル成長させるようにした、半導体結晶の液相
エピタキシャル成長装置において、メルト槽に対してウ
ェハースライダの下側に接触せしめられた冷却板に、該
ウェハースライダと実質的に同じ横断面積で結晶成長時
に該ウェハースライダをカバーするように形成された中
空部を備えるように、好ましくは上記中空部内に、結晶
成長温度にて液体となる金属を任意の量だけ充填し得る
ように構成したので、この中空部の存在によりメルト槽
内のメルトからウェハースライダへの熱の流れが冷却板
の該中空部の上方部分で抑制されることになり、これに
よってメルト槽内のメルトの上下方向の温度差が低減さ
れ、従って該ウェハースライダの上面に載置された基板
結晶上での結晶成長がゆるやかになる。
さらに、上記冷却板の中空部内に例えばＧａを任意の量
だけ充填することにより、メルトの温度差を適宜に制御
することができ、これによって基板結晶上での結晶成長
速度が任意に調整され得るので、各メルト槽に対する冷
却板の中空部にそれぞれ適宜の量でＧａを充填すれば、
各メルト槽に対して順次一定時間だけ基板結晶を接触さ
せることによって、該基板結晶上に順次各メルト槽内の
メルトが析出して所定の厚さに結晶成長されることにな
る。
だけ充填することにより、メルトの温度差を適宜に制御
することができ、これによって基板結晶上での結晶成長
速度が任意に調整され得るので、各メルト槽に対する冷
却板の中空部にそれぞれ適宜の量でＧａを充填すれば、
各メルト槽に対して順次一定時間だけ基板結晶を接触さ
せることによって、該基板結晶上に順次各メルト槽内の
メルトが析出して所定の厚さに結晶成長されることにな
る。
従って、スライダ上に順次配列されたすべての基板結晶
によるエビウェハーが所望のダブルへテロ構造を有する
ように、歩留まりよく作製され、また一定間隔の間欠送
り装置によって基板結晶の自動送りが可能であることも
あって、エビウェハーの製造コストが低減されることに
なる。
によるエビウェハーが所望のダブルへテロ構造を有する
ように、歩留まりよく作製され、また一定間隔の間欠送
り装置によって基板結晶の自動送りが可能であることも
あって、エビウェハーの製造コストが低減されることに
なる。
かくして、本発明によれば、構造が簡単で、しかもすべ
ての基板結晶に対して適正なダブルへテロ構造のエビウ
ェハーが得られる、歩留まりのよい半導体結晶の液相エ
ピタキシャル成長装置が提供され得る。
ての基板結晶に対して適正なダブルへテロ構造のエビウ
ェハーが得られる、歩留まりのよい半導体結晶の液相エ
ピタキシャル成長装置が提供され得る。
第１図は本発明による液相エピタキシャル成長装置の一
実施例を示す概略断面図、第２図は中空部のＧａ充填量
とメルトの温度差との関係を示すグラフ、第３図は中空
部のＧａ充填量と結晶成長速度との関係を示すグラフ、
第４図は第１図の装置により作製したエビウェハーの概
略断面図である。 第５図は従来の液相エピタキシャル成長装置の一例を示
す概略断面図、第６図は第５図の装置により作製したエ
ビウェハーの概略断面図であり、（Ａ）は奇数番目、（
Ｂ）は偶数番目のエビウェハーを示す。 １ 、ｌａ、 ｌｂ、 １ｃｍ−−−メルト；
２．２ａ、２ｂ、２ｃｍ−メルト槽： ３−・・・ウェ
ハースライダ； ４．４ａ、 ４ｂ−・−・基板結晶
：５−・−冷却板； ５ａ、 ５ｂ−中空部；６−
第−層；７−・・第二層； ８−第三層。 特許出願人；スタンレー電気株式会社 代 理 人：弁理士 平 山 −室 間 ： 弁理士 海 津 保 三７へ義
？ｔ−間
実施例を示す概略断面図、第２図は中空部のＧａ充填量
とメルトの温度差との関係を示すグラフ、第３図は中空
部のＧａ充填量と結晶成長速度との関係を示すグラフ、
第４図は第１図の装置により作製したエビウェハーの概
略断面図である。 第５図は従来の液相エピタキシャル成長装置の一例を示
す概略断面図、第６図は第５図の装置により作製したエ
ビウェハーの概略断面図であり、（Ａ）は奇数番目、（
Ｂ）は偶数番目のエビウェハーを示す。 １ 、ｌａ、 ｌｂ、 １ｃｍ−−−メルト；
２．２ａ、２ｂ、２ｃｍ−メルト槽： ３−・・・ウェ
ハースライダ； ４．４ａ、 ４ｂ−・−・基板結晶
：５−・−冷却板； ５ａ、 ５ｂ−中空部；６−
第−層；７−・・第二層； ８−第三層。 特許出願人；スタンレー電気株式会社 代 理 人：弁理士 平 山 −室 間 ： 弁理士 海 津 保 三７へ義
？ｔ−間
Claims (2)
- （１）複数のメルト槽内にそれぞれ受容された成長素材
を溶解したメルトに対して、一方向に直線運動されるウ
ェハースライダ上に載置した基板結晶をこれらのメルト
に順次接触させて、所定時間保持することにより、基板
結晶上に複数の半導体結晶をエピタキシャル成長させる
ようにした、半導体結晶の液相エピタキシャル成長装置
において、メルト槽に対してウェハースライダの下側に
接触せしめられた冷却板に、該ウェハースライダと実質
的に同じ横断面積で結晶成長時に該ウェハースライダを
カバーするように形成された中空部が備えられているこ
とを特徴とする、半導体結晶の液相エピタキシャル成長
装置。 - （２）前記冷却板の中空部内に、結晶成長温度にて液体
となる金属が任意の量だけ充填されていることを特徴と
する、特許請求の範囲第１項に記載の半導体結晶の液相
エピタキシャル成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25384287A JPH0196091A (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | 半導体結晶の液相エピタキシャル成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25384287A JPH0196091A (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | 半導体結晶の液相エピタキシャル成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0196091A true JPH0196091A (ja) | 1989-04-14 |
| JPH0572359B2 JPH0572359B2 (ja) | 1993-10-12 |
Family
ID=17256893
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25384287A Granted JPH0196091A (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | 半導体結晶の液相エピタキシャル成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0196091A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS491174A (ja) * | 1972-04-14 | 1974-01-08 | ||
| JPS6127976U (ja) * | 1984-07-25 | 1986-02-19 | 株式会社ボッシュオートモーティブ システム | 圧縮機における脈動減衰装置 |
-
1987
- 1987-10-09 JP JP25384287A patent/JPH0196091A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS491174A (ja) * | 1972-04-14 | 1974-01-08 | ||
| JPS6127976U (ja) * | 1984-07-25 | 1986-02-19 | 株式会社ボッシュオートモーティブ システム | 圧縮機における脈動減衰装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0572359B2 (ja) | 1993-10-12 |
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