JPS5812230B2 - エキソウエピタキシヤルセイチヨウホウホウ - Google Patents
エキソウエピタキシヤルセイチヨウホウホウInfo
- Publication number
- JPS5812230B2 JPS5812230B2 JP50127709A JP12770975A JPS5812230B2 JP S5812230 B2 JPS5812230 B2 JP S5812230B2 JP 50127709 A JP50127709 A JP 50127709A JP 12770975 A JP12770975 A JP 12770975A JP S5812230 B2 JPS5812230 B2 JP S5812230B2
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- JP
- Japan
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- plate
- nullide
- melt
- substrate
- moving
- Prior art date
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- Expired
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- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は液相エピタキシャル成長方法に関する。
ＧａＡｓやＧａｐ多結晶で飽和したＧａ融液に、ＧａＡ
ｓやＧａｐの化合物単結晶半導体基板を接触して徐冷し
ながら結晶成長させる方法は液相エピタキシャル成長方
法として知られている。
ｓやＧａｐの化合物単結晶半導体基板を接触して徐冷し
ながら結晶成長させる方法は液相エピタキシャル成長方
法として知られている。
第１図は斯る方法に上り製造されるＧａｐ発光ダイオー
ドの構造を示し、Ｎ型Ｃａｐ基板１上に順次形成された
Ｎ型エピタキシャル層２及びＰ型エピタキシャル層３の
２層を含む。
ドの構造を示し、Ｎ型Ｃａｐ基板１上に順次形成された
Ｎ型エピタキシャル層２及びＰ型エピタキシャル層３の
２層を含む。
従来、斯る異なるエビタキシャル層を順次成長させるに
は、夫々のエビタキシャル層を異なる融液で成長させる
のであるが、その際、第１のエビタキシャル層を成長さ
せた後基板を一旦反応炉から取り出し、あらためて別の
融液をセツトしてから第２のエビタキシャル成長が行わ
れる。
は、夫々のエビタキシャル層を異なる融液で成長させる
のであるが、その際、第１のエビタキシャル層を成長さ
せた後基板を一旦反応炉から取り出し、あらためて別の
融液をセツトしてから第２のエビタキシャル成長が行わ
れる。
従って第１のエビタキシャル層を成長させた後の基板の
取り出し時に基板に不所望な不純物が付着し易くＰＮ接
合や第２のエビタキシャル層の結晶性が損われ、発光ダ
イオードの場合であればその発光効率が低下する。
取り出し時に基板に不所望な不純物が付着し易くＰＮ接
合や第２のエビタキシャル層の結晶性が損われ、発光ダ
イオードの場合であればその発光効率が低下する。
本発明は、上記欠点に鑑みてなされたもので、基板の出
入を要することなく異なるエビタキシャル層を連続成長
でき、且量産性に富んだ方法を提供するものである。
入を要することなく異なるエビタキシャル層を連続成長
でき、且量産性に富んだ方法を提供するものである。
第２図に本発明実施例方法に使用される成長用ボート１
を示す。
を示す。
該ボートは方形状筒体２と上下２枚のヌライド板３，４
とから成る。
とから成る。
各ヌライド板は夫々筒体２０１組の向い合う側壁に設け
た挿通孔５，６及び７，８を通って筒体２内部を貫通し
ており、各ヌライド板３，４の側面は筒体２の他の１組
の向い合う側壁内面に切り込まれた溝に可滑的に保持さ
れる。
た挿通孔５，６及び７，８を通って筒体２内部を貫通し
ており、各ヌライド板３，４の側面は筒体２の他の１組
の向い合う側壁内面に切り込まれた溝に可滑的に保持さ
れる。
更に各ヌライド板３，４には小孔９が設けられている。
而して、筒体２内部は上下ヌライド板３，４により、上
部分１０ａ１中部分１０ｂ及び下部分１０ｃに分かれた
、上方ヌライド板３又は下方スライド板４を移動するこ
とにより夫々の小孔９を介して上部分１０ａと中部分１
０ｂ又は中部分１０ｂと下部分１０ｃとを連通ずること
ができる。
部分１０ａ１中部分１０ｂ及び下部分１０ｃに分かれた
、上方ヌライド板３又は下方スライド板４を移動するこ
とにより夫々の小孔９を介して上部分１０ａと中部分１
０ｂ又は中部分１０ｂと下部分１０ｃとを連通ずること
ができる。
更に上部分１０ａに於ける筒体２の対向内壁中央部には
、ほぼ上方ヌライド板３の深さまで１対の対向溝が縦方
向に形成されており、該溝に隔離板１をその両側に於て
挿入固定できる。
、ほぼ上方ヌライド板３の深さまで１対の対向溝が縦方
向に形成されており、該溝に隔離板１をその両側に於て
挿入固定できる。
而して上部分１０ａには隔離板１１により第１、第２の
融液１２ａ，１２ｂを互いに混入することなく収容でき
る。
融液１２ａ，１２ｂを互いに混入することなく収容でき
る。
又、上部分１０ａ及び中部分１０ｂに於ける筒体２の対
向内壁には、ほぼ下方ヌライド板４の深さまで複数対の
対向溝が縦方向に形成されており該溝に基本ホルダ１３
、１３…をその両側に於で挿入し、該ホルダを中部分１
０ｂに固定できる。
向内壁には、ほぼ下方ヌライド板４の深さまで複数対の
対向溝が縦方向に形成されており該溝に基本ホルダ１３
、１３…をその両側に於で挿入し、該ホルダを中部分１
０ｂに固定できる。
各基板ホルダ１３０両面には基板１４を固定でき而して
中部分１０ｂに複数枚の基板１４を並置できる。
中部分１０ｂに複数枚の基板１４を並置できる。
製造中には、第２図の如く、まず基板１４を中部分１０
ｂに並置し、次いで上、下ヌライド板３，４を筒体２に
挿入する。
ｂに並置し、次いで上、下ヌライド板３，４を筒体２に
挿入する。
この時各小孔９は筒体２外に置かれる。
その後隔離板１１を上部分１０ａに配して異なる第１、
第２融液１２ａ，１２ｂを上部分１０ａに隔離収容する
。
第２融液１２ａ，１２ｂを上部分１０ａに隔離収容する
。
斯るボート１配置を所定温度に設定された反応管内にセ
ットし、適当時間それを保持した後、まず上方ヌライド
板３を移動し該ヌライド板の小孔９を通じて第１融液１
２ａを中部分１０ｂに流し込む。
ットし、適当時間それを保持した後、まず上方ヌライド
板３を移動し該ヌライド板の小孔９を通じて第１融液１
２ａを中部分１０ｂに流し込む。
よって第１融液と基板とが接触し、その状態で降温させ
ると第１のエビタキシャル層が成長する。
ると第１のエビタキシャル層が成長する。
然る後、下方スライド板４を移動して、中部分１０ｂの
第１融液をスライド板４の小孔９を通じて下方に排出す
る。
第１融液をスライド板４の小孔９を通じて下方に排出す
る。
排出が完了したところで下方ヌライド板４を元の位置に
もどし、上方ヌライド板３を更に移動し、該ヌライド板
の小孔９を通じて第２融液１２ｂを中部分１０ｂに流し
込む。
もどし、上方ヌライド板３を更に移動し、該ヌライド板
の小孔９を通じて第２融液１２ｂを中部分１０ｂに流し
込む。
よって第２融液と基板とが接触し、その状態で降温させ
ると既に形成された第１エビタキシャル層上に第２エビ
タキシャル層が成長する。
ると既に形成された第１エビタキシャル層上に第２エビ
タキシャル層が成長する。
以上の工程で基板１４上に第１、炉２のエビタキシャル
層が連続的に成長する。
層が連続的に成長する。
尚Ｇａｐ緑色発光ダイオードを作る場合には、例えば第
１融液１２ａとして、ＧａＰ＊Ｇａ２Ｓ３及びＧａＮを
含むＧａ液を、第２融液１２ｂとして、ＧａＰ及びＧａ
Ｎを含むＧａ液を夫々用い、第２エビタキシャル成長を
行う際に反応管上流にセットした亜鉛を蒸気で送り亜鉛
を添加する。
１融液１２ａとして、ＧａＰ＊Ｇａ２Ｓ３及びＧａＮを
含むＧａ液を、第２融液１２ｂとして、ＧａＰ及びＧａ
Ｎを含むＧａ液を夫々用い、第２エビタキシャル成長を
行う際に反応管上流にセットした亜鉛を蒸気で送り亜鉛
を添加する。
かくして本発明によれば、途中で基板を反応管外に取り
出すことなく２つのエビタキシャル層を連続して成長で
きるので、結晶が汚染されることもなく例えば発光ダイ
オードの場合であれば極めて高発光効率を得ることがで
き、しかも各基板は並置されるので高密度で基板を配置
でき大量生産が可能となる。
出すことなく２つのエビタキシャル層を連続して成長で
きるので、結晶が汚染されることもなく例えば発光ダイ
オードの場合であれば極めて高発光効率を得ることがで
き、しかも各基板は並置されるので高密度で基板を配置
でき大量生産が可能となる。
第１図はＧａＰ緑色発光ダイオードの側面図、第２図は
本発明実施例に於ける製造装置の断面図である。 ２…筒体、３，４…上方、下方ヌライド板、１２ａ
，１２ｂ…第１９第２融液、１４…基板。
本発明実施例に於ける製造装置の断面図である。 ２…筒体、３，４…上方、下方ヌライド板、１２ａ
，１２ｂ…第１９第２融液、１４…基板。
Claims (1)
- １ 融液と基板との接触により結晶成長を行う液相エピ
タキシャル成長方法に於で、筒体を上下２枚の有孔スラ
イド板により上中下３部分に分かち、その上部分には第
１、第２融液を互いに混入することなく融離収容すると
共に、中部分には複数枚の基板を並置し、その後、上記
上方ヌライド板の移動により該ヌライド板の孔を通じて
上記第１融液を上記中部分に流し込んで液相エピタキシ
ャル成長を行う工程、上記下方ヌライド板の移動により
該ヌライド板の孔を通じて上記中部分の第１融液を上記
下部分に排出し、次いで上記乍方スライド板の移動によ
り上記中部分と下部盆とを再度融離する工程、上記上方
ヌライド板の移動により該スライド板の孔を通じて上記
鴻２融液を上記中部分に流し込んで再度液相エレタギシ
ャル成長を行う工程、を順次経ることを特徴とする液相
エピタキシャル成長方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50127709A JPS5812230B2 (ja) | 1975-10-20 | 1975-10-20 | エキソウエピタキシヤルセイチヨウホウホウ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP50127709A JPS5812230B2 (ja) | 1975-10-20 | 1975-10-20 | エキソウエピタキシヤルセイチヨウホウホウ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5249989A JPS5249989A (en) | 1977-04-21 |
| JPS5812230B2 true JPS5812230B2 (ja) | 1983-03-07 |
Family
ID=14966759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP50127709A Expired JPS5812230B2 (ja) | 1975-10-20 | 1975-10-20 | エキソウエピタキシヤルセイチヨウホウホウ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5812230B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5466769U (ja) * | 1977-10-20 | 1979-05-11 | ||
| JPS54103745U (ja) * | 1977-12-30 | 1979-07-21 | ||
| JPS6138532U (ja) * | 1984-08-13 | 1986-03-11 | 日産自動車株式会社 | トルク検出器 |
-
1975
- 1975-10-20 JP JP50127709A patent/JPS5812230B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5249989A (en) | 1977-04-21 |
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