JPH0197568U - - Google Patents
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- Publication number
- JPH0197568U JPH0197568U JP1987194297U JP19429787U JPH0197568U JP H0197568 U JPH0197568 U JP H0197568U JP 1987194297 U JP1987194297 U JP 1987194297U JP 19429787 U JP19429787 U JP 19429787U JP H0197568 U JPH0197568 U JP H0197568U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor substrate
- junction
- layer
- reverse
- annular
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Bipolar Transistors (AREA)
- Element Separation (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Description
第１図、第２図はそれぞれ本考案の実施例によ
るツエナーダイオードの縦断面図、第３図は従来
のダイオードの縦断面図である。 １……Ｎ形の半導体基板、２……第１のガード
リング接合、３……第２のガードリング接合、４
……メイン接合、５……絶縁膜、６……電極。
るツエナーダイオードの縦断面図、第３図は従来
のダイオードの縦断面図である。 １……Ｎ形の半導体基板、２……第１のガード
リング接合、３……第２のガードリング接合、４
……メイン接合、５……絶縁膜、６……電極。
Claims (1)
- 一導電型の半導体基板と、該半導体基板の一主
面に形成された環状の第１の逆導電層と前記半導
体基板とから形成された第１のＰＮ接合と、この
第１の逆導電層の内側に形成した環状の第２の逆
導電層と前記半導体基板とから形成され前記第１
のＰＮ接合より降伏電圧の低い第２のＰＮ接合と
、前記第２の逆導電層の内側に形成された第３の
逆導電型層と前記半導体基板とから形成され前記
第２のＰＮ接合より降伏電圧の低い第３のＰＮ接
合層とを有するツエナーダイオード。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987194297U JPH0197568U (ja) | 1987-12-21 | 1987-12-21 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1987194297U JPH0197568U (ja) | 1987-12-21 | 1987-12-21 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0197568U true JPH0197568U (ja) | 1989-06-29 |
Family
ID=31485031
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1987194297U Pending JPH0197568U (ja) | 1987-12-21 | 1987-12-21 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0197568U (ja) |
-
1987
- 1987-12-21 JP JP1987194297U patent/JPH0197568U/ja active Pending
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