JPS606255U - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
- Publication number
- JPS606255U JPS606255U JP9900883U JP9900883U JPS606255U JP S606255 U JPS606255 U JP S606255U JP 9900883 U JP9900883 U JP 9900883U JP 9900883 U JP9900883 U JP 9900883U JP S606255 U JPS606255 U JP S606255U
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- JP
- Japan
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- layer
- semiconductor
- semiconductor device
- conductivity type
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
第１図は従来の定電圧ダイオードの断面図、第２図は本
考案の一実施例の断面図である。 １・・・・・・Ｎ型半導体基板、２・・・・・・Ｐ型第
１層、３・・・・・・Ｐ型第２層、４．５・・・・・・
酸化膜、６．７・・・・・・Ｐ型多結晶シリコン電極、
８・・・・・・接触用電極。
考案の一実施例の断面図である。 １・・・・・・Ｎ型半導体基板、２・・・・・・Ｐ型第
１層、３・・・・・・Ｐ型第２層、４．５・・・・・・
酸化膜、６．７・・・・・・Ｐ型多結晶シリコン電極、
８・・・・・・接触用電極。
Claims (1)
- Ｐ型またはＮ型の一導電型半導体基板の一主面側に選択
的に形成された反対導電型の半導体層を備えた半導体装
置において、前記反対導電型の半導体層は環状の第１層
と第２層との二重層からなり、前記第１層は第２一層よ
りも幅広く深く形成され、前記第２層はその内周辺が前
記第１層の内周辺と一致するように形成され、さらに、
絶縁物を介して、前記環状内側部表面を被うように形成
されていることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9900883U JPS606255U (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9900883U JPS606255U (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS606255U true JPS606255U (ja) | 1985-01-17 |
Family
ID=30234816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9900883U Pending JPS606255U (ja) | 1983-06-27 | 1983-06-27 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS606255U (ja) |
-
1983
- 1983-06-27 JP JP9900883U patent/JPS606255U/ja active Pending
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