JPH0197882A - 磁気方位センサ - Google Patents
磁気方位センサInfo
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- JPH0197882A JPH0197882A JP62255251A JP25525187A JPH0197882A JP H0197882 A JPH0197882 A JP H0197882A JP 62255251 A JP62255251 A JP 62255251A JP 25525187 A JP25525187 A JP 25525187A JP H0197882 A JPH0197882 A JP H0197882A
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- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、地磁気等の磁気を検知し、その磁気方位を検
出する磁気方位センサに関する。
出する磁気方位センサに関する。
従来、そのような磁気方位を電気的に検出する磁気方位
センサとして磁気変調形のものが用いられている。その
ものはリング状の鉄心に一次コイルを環状に巻きつけ、
さらにその−次コイルと直交するように二次コイルを環
状に巻きつけることにより構成されたものである。この
ようなセンサは他の電子回路に比べてその形状寸法が大
型で、精密なものとなる。従って、回路部においても高
精度の発振器が必要となり、高価で複雑な点が欠点であ
る。
センサとして磁気変調形のものが用いられている。その
ものはリング状の鉄心に一次コイルを環状に巻きつけ、
さらにその−次コイルと直交するように二次コイルを環
状に巻きつけることにより構成されたものである。この
ようなセンサは他の電子回路に比べてその形状寸法が大
型で、精密なものとなる。従って、回路部においても高
精度の発振器が必要となり、高価で複雑な点が欠点であ
る。
又、バーバーポール型の磁気抵抗素子を用いた＼−１
磁気方位センサが例えば文献ｒＩＥＥＥ ＴＲＡＮＳＡ
ＣＴＩＯＮＳＯＮ ＭＡＧＮｔ！ＴｌＣ５，ＶＯＬ、
ＭＡＧ−１８，Ｎｏ、６． Ｎ０Ｖｆ！ＭＢＥＲ１９８
２Ｐ、１１４９〜Ｐ、１１５１Ｊにて提案されているが
、その文献に示されるようにバーバーポール型の磁気抵
抗素子を１つのみ用いた構成では、抵抗率の変化が高々
０．０２％程度であり、又、抵抗値のばらつきが２０％
以上もあることから検出感度が悪く、実用的ではなかっ
た。
ＣＴＩＯＮＳＯＮ ＭＡＧＮｔ！ＴｌＣ５，ＶＯＬ、
ＭＡＧ−１８，Ｎｏ、６． Ｎ０Ｖｆ！ＭＢＥＲ１９８
２Ｐ、１１４９〜Ｐ、１１５１Ｊにて提案されているが
、その文献に示されるようにバーバーポール型の磁気抵
抗素子を１つのみ用いた構成では、抵抗率の変化が高々
０．０２％程度であり、又、抵抗値のばらつきが２０％
以上もあることから検出感度が悪く、実用的ではなかっ
た。
そこで本発明は、上記の点に鑑みなされたものであって
、バーバーポール型の磁気抵抗素子を用いた磁気方位、
センサの検出感度を、実用的に問題のない程度にまで向
上させる事を目的としている。
、バーバーポール型の磁気抵抗素子を用いた磁気方位、
センサの検出感度を、実用的に問題のない程度にまで向
上させる事を目的としている。
上記の目的を達成する為に、本発明の磁気方位センサは
絶縁性を有する基板と、 この基板上に薄膜状にて形成され、複数の短冊状の導体
層を所定の方向に配列した４つの群と、この４つの群に
対してそれぞれ前記複数の導体層を接続するように形成
され前記所定の方向にその長手方向を有する磁気抵抗素
子とから成る４つのバーバーポール素子と、 この４つのバーバーポール素子をそれぞれ接続し、フル
ブリッジ回路を構成する配線層と、を備えることを特徴
としている。
絶縁性を有する基板と、 この基板上に薄膜状にて形成され、複数の短冊状の導体
層を所定の方向に配列した４つの群と、この４つの群に
対してそれぞれ前記複数の導体層を接続するように形成
され前記所定の方向にその長手方向を有する磁気抵抗素
子とから成る４つのバーバーポール素子と、 この４つのバーバーポール素子をそれぞれ接続し、フル
ブリッジ回路を構成する配線層と、を備えることを特徴
としている。
以下、本発明を図面に示す実施例を用いて説明する。
第１図は本発明の第１実施例による磁気方位センサであ
り、同図（ａ）にその平面図、同図Φ）にそのＡ−Ａ線
拡大断面図を示す。図において、１は絶縁性基板であり
、この上に例えばアルミニウム（Ａｆｆｉ）、銅（Ｃｕ
）等の非磁性体から成る導体の薄膜をスパッタリング等
により堆積した後、エツチングを行い所定のパターンの
導体層２を形成する。この導体層２はそれぞれの短冊状
のパターンが、図中０１を基準として１３５＠の方向に
向けられ形成されており、又、０°方向に複数個（図で
は８個）並んで配置され、４つの群２ａ。
り、同図（ａ）にその平面図、同図Φ）にそのＡ−Ａ線
拡大断面図を示す。図において、１は絶縁性基板であり
、この上に例えばアルミニウム（Ａｆｆｉ）、銅（Ｃｕ
）等の非磁性体から成る導体の薄膜をスパッタリング等
により堆積した後、エツチングを行い所定のパターンの
導体層２を形成する。この導体層２はそれぞれの短冊状
のパターンが、図中０１を基準として１３５＠の方向に
向けられ形成されており、又、０°方向に複数個（図で
は８個）並んで配置され、４つの群２ａ。
２ｂ、２ｃ、２ｄに分かれている。尚、導体層２のそれ
ぞれのパターンは幅１５μｍ１間隔１０μｍにて形成さ
れる。３はＡ１等の導体から成る配線層であり、本実施
例では導体層２をＡ２で形成しており、配線層３はこの
導体層２と同時に同じ工程にて形成される。
ぞれのパターンは幅１５μｍ１間隔１０μｍにて形成さ
れる。３はＡ１等の導体から成る配線層であり、本実施
例では導体層２をＡ２で形成しており、配線層３はこの
導体層２と同時に同じ工程にて形成される。
そして、この状態の上からＮｉ−Ｆｅ等の強磁性磁気抵
抗素子の薄膜を蒸着し、引続きエツチングする事により
、上記４つの群２ａ、２ｂ、２ｃ。
抗素子の薄膜を蒸着し、引続きエツチングする事により
、上記４つの群２ａ、２ｂ、２ｃ。
２ｄに対応させて、各群における８個の導体Ｎ２を接続
するよ、うに、又、その両端が配線層３にそれぞれ接続
するようにして、図中０°方向に延びる抵抗層４を形成
する。尚、抵抗層４の幅は２０μｍに設定される。そし
て、この時、導体Ｎ２と抵抗層４によりいわゆるバーバ
ーポール素子が形成され、４つのバーバーポール素子１
００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄは配線Ｎ３によ
り電気的に接続し、フルブリッジを構成している。
するよ、うに、又、その両端が配線層３にそれぞれ接続
するようにして、図中０°方向に延びる抵抗層４を形成
する。尚、抵抗層４の幅は２０μｍに設定される。そし
て、この時、導体Ｎ２と抵抗層４によりいわゆるバーバ
ーポール素子が形成され、４つのバーバーポール素子１
００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄは配線Ｎ３によ
り電気的に接続し、フルブリッジを構成している。
そして、この上にスパッタリングによるＳｉＯ□膜ある
いはＰＩＱ膜等の表面保護膜５を形成し、この表面保護
膜５に図示しない開口部を開けて配線層３と他の電気回
路との電気接続を行う。この時、配線層３の電極３ａに
は駆動電源電位ｖｃｃが与えられ、電極３ｂには接地電
位ＧＮＤが与えられることにより、電極３ｃ、３ｄ間に
出力があられれる。
いはＰＩＱ膜等の表面保護膜５を形成し、この表面保護
膜５に図示しない開口部を開けて配線層３と他の電気回
路との電気接続を行う。この時、配線層３の電極３ａに
は駆動電源電位ｖｃｃが与えられ、電極３ｂには接地電
位ＧＮＤが与えられることにより、電極３ｃ、３ｄ間に
出力があられれる。
次に、上記のように構成される磁気方位センサの動作に
ついて説明する。
ついて説明する。
いま、電極３ａから電極３ｂに電流が流れると、その電
流の流れる方向は全体として図中矢印で示すように、バ
ーバーポール素子１００ｂ、１００ＣにてＯ°力方向な
り、バーバーポール素子１０Ｑａ、１００ｄにて１８０
°方向となる。そして、その電流は導体層２間を最短距
離で流れようとするので導体層２間の電流の流れる方向
はバーバーポール素子１００ｂ、１００ｃにて４５″方
向となり、バーバーポール素子１００ａ、１００ｄにて
２２５°となる。この電流により、バイアス磁界が発生
するようになるが、このバイアス磁界の方向はバーバー
ポール素子１００ｂ、１００ｃにて３１５°となり、バ
ーバーポール素子１００ａ。
流の流れる方向は全体として図中矢印で示すように、バ
ーバーポール素子１００ｂ、１００ＣにてＯ°力方向な
り、バーバーポール素子１０Ｑａ、１００ｄにて１８０
°方向となる。そして、その電流は導体層２間を最短距
離で流れようとするので導体層２間の電流の流れる方向
はバーバーポール素子１００ｂ、１００ｃにて４５″方
向となり、バーバーポール素子１００ａ、１００ｄにて
２２５°となる。この電流により、バイアス磁界が発生
するようになるが、このバイアス磁界の方向はバーバー
ポール素子１００ｂ、１００ｃにて３１５°となり、バ
ーバーポール素子１００ａ。
１００ｄにて１３５°方向となる。これによりバーバー
ポール素子の動作点は中心（ゼロバイアス点）よりずれ
ることとなり、地磁気等の弱い磁界に対しても、電極３
ｃ、３ｄ間に第２図に示すような出力電圧があられれる
。ここで、強磁性磁気抵抗素子は電流の流れる方向に対
して直交する方向に磁界を受けるとその抵抗値が減少す
る性質があり、その方向、つまり９０°の方向の磁界成
分を考えると、例えば９０°の方向に被検知磁気が作用
した場合、バーバーポール素子１００ｂ、１００ｃにお
いては上記バイアス磁界を打ち消し合うように作用する
が、バーバーポール素子１００ａ、１００ｄにおいては
そのバイアス磁界を強めるように作用する。従って、こ
の磁界の強さの違いにより各抵抗Ｆｉ４の抵抗値が変化
するので電極３ｃ、３ｄ間に電位差が生じ、出力が発生
するようになる。
ポール素子の動作点は中心（ゼロバイアス点）よりずれ
ることとなり、地磁気等の弱い磁界に対しても、電極３
ｃ、３ｄ間に第２図に示すような出力電圧があられれる
。ここで、強磁性磁気抵抗素子は電流の流れる方向に対
して直交する方向に磁界を受けるとその抵抗値が減少す
る性質があり、その方向、つまり９０°の方向の磁界成
分を考えると、例えば９０°の方向に被検知磁気が作用
した場合、バーバーポール素子１００ｂ、１００ｃにお
いては上記バイアス磁界を打ち消し合うように作用する
が、バーバーポール素子１００ａ、１００ｄにおいては
そのバイアス磁界を強めるように作用する。従って、こ
の磁界の強さの違いにより各抵抗Ｆｉ４の抵抗値が変化
するので電極３ｃ、３ｄ間に電位差が生じ、出力が発生
するようになる。
そこで、本実施例によると、電極３ａに接続するバーバ
ーポール素子１００ｂ、１００ｄに全体として逆方向に
電流が流れるように回路設計を行っており、電極３ｂに
接続するバーバーポール素子１００ａ、１００ｃにも同
様の回路設計を行っているので、被検知磁気が与える磁
界によりバーバーポール素子１００ｂ、１００ｄにおけ
る抵抗層４、及びバーバーポール素子１００ａ、１００
Ｃにおける抵抗層４の抵抗値の差をそれぞれ大きくする
事ができ、出力を大きくできる。具体的には第２図にお
いて最大出力電圧ｖ０は、従来のようにバーバーポール
素子を１つのみ用いた磁気方位センサの出力電圧と比較
して２倍の大きさとなっている。又、直流成分ＶＯＣに
ついては、従来では大きなばらつきを有していたが、本
実施例においては、４つの抵抗層４の抵抗値の偏差のば
らつきのみが出力成分となるだけであり、さらに同時に
同じ工程でつくることができるのでこの偏差も少なくな
り、磁気方位センサの検出感度を実用上問題のない程度
にまで向上することができる。
ーポール素子１００ｂ、１００ｄに全体として逆方向に
電流が流れるように回路設計を行っており、電極３ｂに
接続するバーバーポール素子１００ａ、１００ｃにも同
様の回路設計を行っているので、被検知磁気が与える磁
界によりバーバーポール素子１００ｂ、１００ｄにおけ
る抵抗層４、及びバーバーポール素子１００ａ、１００
Ｃにおける抵抗層４の抵抗値の差をそれぞれ大きくする
事ができ、出力を大きくできる。具体的には第２図にお
いて最大出力電圧ｖ０は、従来のようにバーバーポール
素子を１つのみ用いた磁気方位センサの出力電圧と比較
して２倍の大きさとなっている。又、直流成分ＶＯＣに
ついては、従来では大きなばらつきを有していたが、本
実施例においては、４つの抵抗層４の抵抗値の偏差のば
らつきのみが出力成分となるだけであり、さらに同時に
同じ工程でつくることができるのでこの偏差も少なくな
り、磁気方位センサの検出感度を実用上問題のない程度
にまで向上することができる。
第３図は上記のようにして得られる出力電圧に大きなゲ
インを与える為の直流作動アンプの構成である。ここで
、ＶＯＦはオフセット電圧でセンサ出力の直流成分■。
インを与える為の直流作動アンプの構成である。ここで
、ＶＯＦはオフセット電圧でセンサ出力の直流成分■。
をキャンセルする為の電圧である。
次に、第４図を用いて本発明の第２実施例を説明する。
この第４図において各構成要素は上記第１実施例と同様
の方法にて形成可能であるので、同一符号を付してその
説明は省略する。
の方法にて形成可能であるので、同一符号を付してその
説明は省略する。
本実施例と上記第１実施例との違いは、第１実施例にお
いては４つのバーバーポール素子１００ａ、 １００
ｂ、 １００ ｃ、 １００ ｄがマスリクス状
に配置されているが、本実施例においては横に１列に並
んで配置する。尚、各バーバーポール素子に流れる電流
の方向は図中矢印で示す。本実施例においても第１実施
例と同じ大きさの出力が得られる。このように、第１実
施例と同じ大きさの出力電圧を得るためには、各バーバ
ーポール素子の配置は任意でよく、４つのバーバーポー
ル素子の方向（長手方向）を同じ方向とし、がっ、駆動
電源電位（あるいは十電位）が与えられる電極に接ａｔ
ルバーバーホーＡ４：子（１００ｂ 、 １００ｄ
）に流れる電流の方向を逆方向にし、同様に接地電位（
あるいは−電位）が与えられる電極に接続するバーバー
ポール素子（１００ａ、１００ｃ）に流れる電流の方向
も逆方向になるように回路設計を行えばよい。尚、本実
施例において配線Ｎ３ｅと３ｆは電気的に絶縁する必要
があるので多層配線とする。
いては４つのバーバーポール素子１００ａ、 １００
ｂ、 １００ ｃ、 １００ ｄがマスリクス状
に配置されているが、本実施例においては横に１列に並
んで配置する。尚、各バーバーポール素子に流れる電流
の方向は図中矢印で示す。本実施例においても第１実施
例と同じ大きさの出力が得られる。このように、第１実
施例と同じ大きさの出力電圧を得るためには、各バーバ
ーポール素子の配置は任意でよく、４つのバーバーポー
ル素子の方向（長手方向）を同じ方向とし、がっ、駆動
電源電位（あるいは十電位）が与えられる電極に接ａｔ
ルバーバーホーＡ４：子（１００ｂ 、 １００ｄ
）に流れる電流の方向を逆方向にし、同様に接地電位（
あるいは−電位）が与えられる電極に接続するバーバー
ポール素子（１００ａ、１００ｃ）に流れる電流の方向
も逆方向になるように回路設計を行えばよい。尚、本実
施例において配線Ｎ３ｅと３ｆは電気的に絶縁する必要
があるので多層配線とする。
次に、第５図乃至第８図を用いて本発明の第３実施例を
説明する。
説明する。
第５図は本実施例を模式的にあられした構成図であり、
図中１０．２０，３０．４０は上記第１、第２実施例に
て説明したブリッジ回路であり、図面を簡単にする為に
その構成図をブロックであられす。本発明の特徴は被検
知磁気の検出したい方位の数をｎ方位（図は８方位）と
する場合に、少なくともｎ ／ ２個のブリッジ回路を
用意して、各ブリッジ回路を（３６０／ｎ）”ごとに配
置することにある。各々のブリッジ回路の出力電圧は上
述のように電極３ｃ、３ｄ間にあられれ、これを第６図
に示す。図において特性Ｂはブリッジ回路１０の出力、
特性Ｃはブリッジ回路２０の出力、特性りはブリッジ回
路３０の出力、特性Ｅはブリッジ回路４０の出力をそれ
ぞれあられしている。
図中１０．２０，３０．４０は上記第１、第２実施例に
て説明したブリッジ回路であり、図面を簡単にする為に
その構成図をブロックであられす。本発明の特徴は被検
知磁気の検出したい方位の数をｎ方位（図は８方位）と
する場合に、少なくともｎ ／ ２個のブリッジ回路を
用意して、各ブリッジ回路を（３６０／ｎ）”ごとに配
置することにある。各々のブリッジ回路の出力電圧は上
述のように電極３ｃ、３ｄ間にあられれ、これを第６図
に示す。図において特性Ｂはブリッジ回路１０の出力、
特性Ｃはブリッジ回路２０の出力、特性りはブリッジ回
路３０の出力、特性Ｅはブリッジ回路４０の出力をそれ
ぞれあられしている。
そして、表１はこの出力特性における出力電圧の正（＋
）、負（−）をあられしており、この正負の組合せを判
定する事により方位を検出することができる。
）、負（−）をあられしており、この正負の組合せを判
定する事により方位を検出することができる。
（以下余白）
第７図はこの方位判定の手法を具体的に回路構成図した
回路図であり、ブリッジ回路１０，２０゜３０．４０か
らの出力電圧を抵抗５０〜６５及びオペアンプ７０〜７
３により増幅し、この増幅した信号をＡＮＤゲート８０
〜８７で論理をとる事により方位判定の為の信号９０〜
９７を得る。
回路図であり、ブリッジ回路１０，２０゜３０．４０か
らの出力電圧を抵抗５０〜６５及びオペアンプ７０〜７
３により増幅し、この増幅した信号をＡＮＤゲート８０
〜８７で論理をとる事により方位判定の為の信号９０〜
９７を得る。
ここで、ブリッジ回路の感度が既知であるならば、上記
第１、第２実施例のように１つのブリッジ回路を用い、
てそのアナログ出力に応じて方位を検出することができ
るが、その感度が未知の場合、あるいは第８図に示すよ
うに磁気方位センサ本体が地平に対して角度φをもって
傾く場合には誤判定する可能性がある０例えば、角度φ
をもって傾く場合にはその出力電圧Ｅ （ｖ）はＣＯ３
−倍となるので第６図中に点線の特性Ｆで示すようにそ
の出力特性がシフトしてしまい、アナログ出力による正
確な方位検出が行えなくなるものである。
第１、第２実施例のように１つのブリッジ回路を用い、
てそのアナログ出力に応じて方位を検出することができ
るが、その感度が未知の場合、あるいは第８図に示すよ
うに磁気方位センサ本体が地平に対して角度φをもって
傾く場合には誤判定する可能性がある０例えば、角度φ
をもって傾く場合にはその出力電圧Ｅ （ｖ）はＣＯ３
−倍となるので第６図中に点線の特性Ｆで示すようにそ
の出力特性がシフトしてしまい、アナログ出力による正
確な方位検出が行えなくなるものである。
それに対して、本実施例によると、ブリッジ回路の個数
、配置を前述のように設計し、その出力電圧を所定のレ
ベル（この場合、ＯＶ）を基準としてデジタル化した出
力を利用して、方位検出を行っているので、感度が未知
である場合や、磁気方位センサが傾いている場合にも正
確な方位検出が行える。
、配置を前述のように設計し、その出力電圧を所定のレ
ベル（この場合、ＯＶ）を基準としてデジタル化した出
力を利用して、方位検出を行っているので、感度が未知
である場合や、磁気方位センサが傾いている場合にも正
確な方位検出が行える。
以上、本発明を上記第１乃至第３実施例を用いて説明し
たが、本発明はそれらに限定される事なく、その主旨を
逸脱しない限り例えば以下に示す如く種々変形可能であ
る。
たが、本発明はそれらに限定される事なく、その主旨を
逸脱しない限り例えば以下に示す如く種々変形可能であ
る。
■上記第１、第２実施例において、それぞれの導体層２
の長手方向は右上がり（３１５°あるいは１３５＠方向
）に形成されているが左上がり（４５°あるいは２２５
°方向）に形成してもよく、又、各群２ａ、２ｂ、２ｃ
、２ｄ単位にその方向を任意に向けても同様に作用する
。さらに、この導体層２の長手方向はバーバーポール素
子１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄの長手方向
に対してほぼ４５°あるいは１３５’の角度をもって配
置すれば、バーバーポール素子の特性を最も効果的に出
力できるものであるが、その角度は任意に設定してもよ
く、バーバーポール素子の短手方向と同方向でなければ
ある程度の効果を期待できるものである。
の長手方向は右上がり（３１５°あるいは１３５＠方向
）に形成されているが左上がり（４５°あるいは２２５
°方向）に形成してもよく、又、各群２ａ、２ｂ、２ｃ
、２ｄ単位にその方向を任意に向けても同様に作用する
。さらに、この導体層２の長手方向はバーバーポール素
子１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１００ｄの長手方向
に対してほぼ４５°あるいは１３５’の角度をもって配
置すれば、バーバーポール素子の特性を最も効果的に出
力できるものであるが、その角度は任意に設定してもよ
く、バーバーポール素子の短手方向と同方向でなければ
ある程度の効果を期待できるものである。
■又、上記第１、第２実施例においては、バーバーポー
ル素子１００ａ、１００ｂ、１００ｃ。
ル素子１００ａ、１００ｂ、１００ｃ。
１００ｄの長手方向を全て同方向としているが、この方
向も任意に設定してもよく、駆動電源電位が与えられる
電極に接続するバーバーポール素子１００ｂ、１００ｄ
を流れる電流の方向が異なる方向であり、同様に接地電
位が与えられる電極に接続するバーバーポール素子１０
０ａ、１００ｃを流れる電流の方向が異なる方向であり
さえすれば、従来の磁気方位センサよりその出力を大き
くできるものであり、又、その出力のばらつきを低減で
きる。
向も任意に設定してもよく、駆動電源電位が与えられる
電極に接続するバーバーポール素子１００ｂ、１００ｄ
を流れる電流の方向が異なる方向であり、同様に接地電
位が与えられる電極に接続するバーバーポール素子１０
０ａ、１００ｃを流れる電流の方向が異なる方向であり
さえすれば、従来の磁気方位センサよりその出力を大き
くできるものであり、又、その出力のばらつきを低減で
きる。
■又、上記第１、第２実施例においては、導体層２上に
抵抗層４を形成しているので、導体Ｎ２間の抵抗Ｎ４内
に電流を直線的に流すことができるものであるが、バー
バーポール素子の形成方法としては、例えば抵抗層４上
に導体層２を形成してもよい。
抵抗層４を形成しているので、導体Ｎ２間の抵抗Ｎ４内
に電流を直線的に流すことができるものであるが、バー
バーポール素子の形成方法としては、例えば抵抗層４上
に導体層２を形成してもよい。
■上記第３実施例において、検出したい方位をッジ回路
が配置できる時は、それぞれの配置角度〔発明の効果〕 ゛以上述べたように、本発明によると４つのバーバーポ
ール素子にてフルブリッジを構成しているので、磁気方
位センサの検出感度を向上できるという効果がある。
が配置できる時は、それぞれの配置角度〔発明の効果〕 ゛以上述べたように、本発明によると４つのバーバーポ
ール素子にてフルブリッジを構成しているので、磁気方
位センサの検出感度を向上できるという効果がある。
第１図（ａ）は本発明の第１実施例による磁気方位セン
サの平面図、第１図（ロ）は第１図（ａ）中のＡ−Ａ線
拡大断面図、第２図は第１実施例による磁気方位センサ
の出力特性をあられす図、第３図は直流差動アンプの構
成図、第４図は本発明の第２実施例による磁気方位セン
サの平面図、第５図は本発明の第３実施例による磁気方
位センサの模式的構成図、第６図は第３実施例による磁
気方位センサの出力特性をあられす図、第７図は方位判
定の手法を具体的に回路構成した回路図、第８図は磁気
方位センサが角度ψをもって傾く状態をあられす図であ
る。 ｌ・・・絶縁性基板、２・・・導体層、３・・・配線層
、４・・・抵抗層、１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１
００ｄ・・・バーバーポール素子。 代理人弁理士 岡 部 隆 （ｄ） 第１図 （ｂ） Ａ−Ａｍ断面回 、第１因
サの平面図、第１図（ロ）は第１図（ａ）中のＡ−Ａ線
拡大断面図、第２図は第１実施例による磁気方位センサ
の出力特性をあられす図、第３図は直流差動アンプの構
成図、第４図は本発明の第２実施例による磁気方位セン
サの平面図、第５図は本発明の第３実施例による磁気方
位センサの模式的構成図、第６図は第３実施例による磁
気方位センサの出力特性をあられす図、第７図は方位判
定の手法を具体的に回路構成した回路図、第８図は磁気
方位センサが角度ψをもって傾く状態をあられす図であ
る。 ｌ・・・絶縁性基板、２・・・導体層、３・・・配線層
、４・・・抵抗層、１００ａ、１００ｂ、１００ｃ、１
００ｄ・・・バーバーポール素子。 代理人弁理士 岡 部 隆 （ｄ） 第１図 （ｂ） Ａ−Ａｍ断面回 、第１因
Claims (5)
- （１）絶縁性を有する基板と、この基板上に薄膜状にて
形成され、複数の短冊状の導体層を所定の方向に配列し
た４つの群と、この４つの群に対してそれぞれ前記複数
の導体層を接続するように形成され前記所定の方向にそ
の長手方向を有する磁気抵抗素子とから成る４つのバー
バーポール素子と、この４つのバーバーポール素子をそ
れぞれ接続し、フルブリッジ回路を構成する配線層と、
を備えることを特徴とする磁気方位センサ。 - （２）前記４つのバーバーポール素子は、その長手方向
が全て同じ方向である特許請求の範囲第１項記載の磁気
方位センサ。 - （３）前記４つのバーバーポール素子のうち、前記フル
ブリッジに対して正電位が与えられる電極に接続する２
つのバーバーポール素子は、そのバーバーポール素子を
流れる電流の全体の方向が逆方向であり、かつ前記４つ
のバーバーポール素子のうち、他の２つのバーバーポー
ル素子に流れる電流の全体の方向が逆方向である特許請
求の範囲第２項記載の磁気方位センサ。 - （４）前記バーバーポール素子は、前記導体層上に前記
磁気抵抗素子を形成したものである特許請求の範囲第１
項乃至第３項のうちいずれかに記載の磁気方位センサ。 - （５）前記フルブリッジ回路は、被検知磁気の検出した
い方位の数をｎ方位とした場合、ｎ／２個のフルブリッ
ジ回路を用意し、そのｎ／２個のフルブリッジ回路を（
３６０／ｎ）゜ごとに配置した特許請求の範囲第１項乃
至第４項のうちいずれかに記載の磁気方位センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62255251A JP2663460B2 (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | 磁気方位センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62255251A JP2663460B2 (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | 磁気方位センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0197882A true JPH0197882A (ja) | 1989-04-17 |
| JP2663460B2 JP2663460B2 (ja) | 1997-10-15 |
Family
ID=17276141
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62255251A Expired - Lifetime JP2663460B2 (ja) | 1987-10-09 | 1987-10-09 | 磁気方位センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2663460B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001304805A (ja) * | 2000-04-25 | 2001-10-31 | Tokai Rika Co Ltd | 回転角度検出装置 |
| JP2009031292A (ja) * | 2007-07-26 | 2009-02-12 | Magic Technologies Inc | 磁場角測定方法および装置、並びにｍｒ素子の磁化方法 |
| CN103645449A (zh) * | 2013-12-24 | 2014-03-19 | 江苏多维科技有限公司 | 一种用于高强度磁场的单芯片参考桥式磁传感器 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59158575A (ja) * | 1983-02-28 | 1984-09-08 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗素子 |
| JPS6280572A (ja) * | 1985-10-03 | 1987-04-14 | Fujitsu Ltd | 磁気検出器 |
| JPS6421380A (en) * | 1987-07-16 | 1989-01-24 | Fujitsu Ltd | Magnetic sensor circuit |
-
1987
- 1987-10-09 JP JP62255251A patent/JP2663460B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS59158575A (ja) * | 1983-02-28 | 1984-09-08 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗素子 |
| JPS6280572A (ja) * | 1985-10-03 | 1987-04-14 | Fujitsu Ltd | 磁気検出器 |
| JPS6421380A (en) * | 1987-07-16 | 1989-01-24 | Fujitsu Ltd | Magnetic sensor circuit |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2009031292A (ja) * | 2007-07-26 | 2009-02-12 | Magic Technologies Inc | 磁場角測定方法および装置、並びにｍｒ素子の磁化方法 |
| CN103645449A (zh) * | 2013-12-24 | 2014-03-19 | 江苏多维科技有限公司 | 一种用于高强度磁场的单芯片参考桥式磁传感器 |
| CN103645449B (zh) * | 2013-12-24 | 2015-11-25 | 江苏多维科技有限公司 | 一种用于高强度磁场的单芯片参考桥式磁传感器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2663460B2 (ja) | 1997-10-15 |
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